JPH0570942A - スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材 - Google Patents
スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材Info
- Publication number
- JPH0570942A JPH0570942A JP3259903A JP25990391A JPH0570942A JP H0570942 A JPH0570942 A JP H0570942A JP 3259903 A JP3259903 A JP 3259903A JP 25990391 A JP25990391 A JP 25990391A JP H0570942 A JPH0570942 A JP H0570942A
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- JP
- Japan
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- target material
- thin film
- sputtering
- sintered target
- transparent thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用
焼結ターゲット材の高密度化をはかる。 【構成】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用
ターゲット材が、重量%で、SnO2 :5〜15%、Z
rO2 およびY2 O3 のうちの1種または2種:0.0
1〜5%、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物
からなる組成、並びに、90%以上の理論密度比、を有
する高密度焼結体からなる。
焼結ターゲット材の高密度化をはかる。 【構成】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用
ターゲット材が、重量%で、SnO2 :5〜15%、Z
rO2 およびY2 O3 のうちの1種または2種:0.0
1〜5%、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物
からなる組成、並びに、90%以上の理論密度比、を有
する高密度焼結体からなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度と低い比抵抗
を有し、これによって高強度が確保され、かつスパッタ
リングによる速い成膜速度で、導電性の一段と良好な透
明導電性薄膜の安定的形成を可能ならしめる焼結ターゲ
ット材に関するものである。
を有し、これによって高強度が確保され、かつスパッタ
リングによる速い成膜速度で、導電性の一段と良好な透
明導電性薄膜の安定的形成を可能ならしめる焼結ターゲ
ット材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、一般に、透明導電性薄膜が、液晶
表示装置やEL表示装置の透明電極、および帯電防止用
被膜などとして用いられ、さらにガスセンサーなどにも
適用されている。
表示装置やEL表示装置の透明電極、および帯電防止用
被膜などとして用いられ、さらにガスセンサーなどにも
適用されている。
【0003】また、上記透明導電性薄膜が、重量%で
(以下%は重量%を示す)、 酸化スズ(以下SnO2 で示す):5〜15%、 を含有し、残りが酸化インジウム(以下In2 O3 で示
す)と不可避不純物からなる組成を有する焼結ターゲッ
ト材を用い、スパッタリングにより形成されることも知
られている。
(以下%は重量%を示す)、 酸化スズ(以下SnO2 で示す):5〜15%、 を含有し、残りが酸化インジウム(以下In2 O3 で示
す)と不可避不純物からなる組成を有する焼結ターゲッ
ト材を用い、スパッタリングにより形成されることも知
られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来焼
結ターゲット材は、焼結性に劣るために、通常の粉末冶
金法では60%程度までの理論密度比しか確保すること
ができず、この結果強度不足が原因で成膜中に割れが発
生し易く、また理論密度比が低いことから、成膜速度が
遅く、かつスパッタ状態が不安定になるなどの問題点を
もつものである。
結ターゲット材は、焼結性に劣るために、通常の粉末冶
金法では60%程度までの理論密度比しか確保すること
ができず、この結果強度不足が原因で成膜中に割れが発
生し易く、また理論密度比が低いことから、成膜速度が
遅く、かつスパッタ状態が不安定になるなどの問題点を
もつものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、上記の従来焼結ターゲット材に
着目し、これの高密度化をはかるべく研究を行なった結
果、上記のスパッタリングによる透明導電性薄膜の形成
に用いられている従来焼結ターゲット材に、酸化ジルコ
ニウム(以下ZrO2 で示す)および酸化イットリウム
(以下Y2 O3 で示す)のうちの1種または2種を0.
01〜5%の割合で含有させると、通常の粉末冶金法、
すなわち普通焼結だけで理論密度比で90%以上に高密
度化するばかりでなく、比抵抗も低下するようになり、
この結果の焼結ターゲット材は、高強度と低い比抵抗を
もつようになることから、成膜中の割れがなくなり、か
つ速い成膜速度で安定して薄膜を形成することができ、
さらにZrO2 およびY2 O3 の作用で、形成された薄
膜の導電性が向上するようになるという研究結果を得た
のである。
上述のような観点から、上記の従来焼結ターゲット材に
着目し、これの高密度化をはかるべく研究を行なった結
果、上記のスパッタリングによる透明導電性薄膜の形成
に用いられている従来焼結ターゲット材に、酸化ジルコ
ニウム(以下ZrO2 で示す)および酸化イットリウム
(以下Y2 O3 で示す)のうちの1種または2種を0.
01〜5%の割合で含有させると、通常の粉末冶金法、
すなわち普通焼結だけで理論密度比で90%以上に高密
度化するばかりでなく、比抵抗も低下するようになり、
この結果の焼結ターゲット材は、高強度と低い比抵抗を
もつようになることから、成膜中の割れがなくなり、か
つ速い成膜速度で安定して薄膜を形成することができ、
さらにZrO2 およびY2 O3 の作用で、形成された薄
膜の導電性が向上するようになるという研究結果を得た
のである。
【0006】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、 SnO2 :5〜15%、 ZrO2 およびY2 O3 のうちの1種または2種:0.
01〜5%、 を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組
成、並びに、90%以上の理論密度比、を有するスパッ
タリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲ
ット材に特徴を有するものである。
なされたものであって、 SnO2 :5〜15%、 ZrO2 およびY2 O3 のうちの1種または2種:0.
01〜5%、 を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組
成、並びに、90%以上の理論密度比、を有するスパッ
タリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲ
ット材に特徴を有するものである。
【0007】つぎに、この発明の高密度焼結ターゲット
材において、成分組成および理論密度比を上記の通りに
限定した理由を説明する。 A 成分組成 (a) SnO2 SnO2 成分には、導電性を向上させる作用があるが、
その含有量が5%未満でも、また15%を越えても所望
の良好な導電性を確保することができないことから、そ
の含有量を5〜15%と定めた。
材において、成分組成および理論密度比を上記の通りに
限定した理由を説明する。 A 成分組成 (a) SnO2 SnO2 成分には、導電性を向上させる作用があるが、
その含有量が5%未満でも、また15%を越えても所望
の良好な導電性を確保することができないことから、そ
の含有量を5〜15%と定めた。
【0008】(b) ZrO2 およびY2 O3 これらの成分には、上記の通り焼結性を向上させて高密
度化し、もって焼結ターゲット材の強度を高めると共
に、比抵抗を下げる作用があるが、その含有量が0.0
1%未満では前記作用に所望の効果が得られず、一方そ
の含有量が5%を越えるても所望の低い比抵抗を確保す
ることができないことから、その含有量を0.01〜5
%と定めた。
度化し、もって焼結ターゲット材の強度を高めると共
に、比抵抗を下げる作用があるが、その含有量が0.0
1%未満では前記作用に所望の効果が得られず、一方そ
の含有量が5%を越えるても所望の低い比抵抗を確保す
ることができないことから、その含有量を0.01〜5
%と定めた。
【0009】なお、ZrO2 およびY2 O3 の単独含有
により共存含有した場合に上記作用により顕著な効果が
現われ、かつ0.2〜0.6%の範囲内の含有量で、強
度では最高値、比抵抗では最小値を示すものである。
により共存含有した場合に上記作用により顕著な効果が
現われ、かつ0.2〜0.6%の範囲内の含有量で、強
度では最高値、比抵抗では最小値を示すものである。
【0010】B 理論密度比 上記の通りZrO2 およびY2 O3 の含有によって焼結
ターゲット材が高密度化し、90%以上の理論密度比を
もつようになるものであり、したがって理論密度比が9
0%未満では所望の高強度を確保することができないこ
とから、その理論密度比を90%以上と定めた。
ターゲット材が高密度化し、90%以上の理論密度比を
もつようになるものであり、したがって理論密度比が9
0%未満では所望の高強度を確保することができないこ
とから、その理論密度比を90%以上と定めた。
【0011】つぎに、この発明の焼結ターゲット材を実
施例により具体的に説明する。
施例により具体的に説明する。
【実施例】原料粉末として、0.2〜10μm範囲内の
所定の平均粒径を有するIn2 O3 粉末、SnO2 粉
末、ZrO2粉末、およびY2 O3 粉末を用い、これら
原料粉末を表1〜3に示される配合組成に配合し、ボー
ルミルで50時間粉砕混合した後、1ton /cm2 の圧力
で直径:30mm×厚さ:4mmの寸法をもった圧粉体にプ
レス成形し、この圧粉体を、大気中、1300〜150
0℃の範囲内の所定の温度に3時間保持の条件で焼結す
ることにより実質的に配合組成と同一の成分組成を有す
る本発明焼結ターゲット材1〜27および比較ターゲッ
ト材1〜4をそれぞれれ製造した。
所定の平均粒径を有するIn2 O3 粉末、SnO2 粉
末、ZrO2粉末、およびY2 O3 粉末を用い、これら
原料粉末を表1〜3に示される配合組成に配合し、ボー
ルミルで50時間粉砕混合した後、1ton /cm2 の圧力
で直径:30mm×厚さ:4mmの寸法をもった圧粉体にプ
レス成形し、この圧粉体を、大気中、1300〜150
0℃の範囲内の所定の温度に3時間保持の条件で焼結す
ることにより実質的に配合組成と同一の成分組成を有す
る本発明焼結ターゲット材1〜27および比較ターゲッ
ト材1〜4をそれぞれれ製造した。
【0012】
【表1】
【0013】
【表2】
【0014】
【表3】
【0015】この結果得られた各種の焼結ターゲット材
について、理論密度比、強度を評価する目的で抗折力、
および比抵抗を測定した。この測定結果を表1〜3に示
した。また、上記の各種焼結ターゲット材を用い、DC
マグネトロンスパッタリングにて、 雰囲気圧力:5×10-3torr、 投入電力:4.2W/cm3 、 基材材質:スライドガラス(B270)、 基板温度:250℃、 時間:20分、 の条件で薄膜を形成し、成膜速度と薄膜の比抵抗を測定
した。この測定結果も表1〜3に示した。
について、理論密度比、強度を評価する目的で抗折力、
および比抵抗を測定した。この測定結果を表1〜3に示
した。また、上記の各種焼結ターゲット材を用い、DC
マグネトロンスパッタリングにて、 雰囲気圧力:5×10-3torr、 投入電力:4.2W/cm3 、 基材材質:スライドガラス(B270)、 基板温度:250℃、 時間:20分、 の条件で薄膜を形成し、成膜速度と薄膜の比抵抗を測定
した。この測定結果も表1〜3に示した。
【0016】
【発明の効果】表1〜3に示される結果から、本発明焼
結ターゲット材1〜27は、いずれもZrO2 およびY
2 O3 を含有しない従来焼結ターゲット材に相当する比
較焼結ターゲット材1に比して、一段と高密度化し、相
対的に高い強度と速い成膜速度を示し、かつZrO2 お
よびY2 O3 の含有によってターゲット材および形成さ
れた薄膜も比抵抗が低下するようになるのに対して、比
較焼結ターゲット材2〜4に見られるように、ZrO2
および/またはY2 O3 の含有量がこの発明の範囲から
外れて高くなると比抵抗が高くなることが明らかであ
る。
結ターゲット材1〜27は、いずれもZrO2 およびY
2 O3 を含有しない従来焼結ターゲット材に相当する比
較焼結ターゲット材1に比して、一段と高密度化し、相
対的に高い強度と速い成膜速度を示し、かつZrO2 お
よびY2 O3 の含有によってターゲット材および形成さ
れた薄膜も比抵抗が低下するようになるのに対して、比
較焼結ターゲット材2〜4に見られるように、ZrO2
および/またはY2 O3 の含有量がこの発明の範囲から
外れて高くなると比抵抗が高くなることが明らかであ
る。
【0017】上述のように、この発明の高密度焼結ター
ゲット材は、高い強度と低い比抵抗を有するので、これ
を用いてのスパッタリングによる透明導電性薄膜の形成
に際しては、成膜中の割れ発生がなく、かつ速い成膜速
度で安定した薄膜形成ができ、さらに焼結ターゲット材
に含有するZrO2 およびY2 O3 が薄膜の導電性およ
び透明性の向上にも寄与するなど工業上有用な効果をも
たらすものである。
ゲット材は、高い強度と低い比抵抗を有するので、これ
を用いてのスパッタリングによる透明導電性薄膜の形成
に際しては、成膜中の割れ発生がなく、かつ速い成膜速
度で安定した薄膜形成ができ、さらに焼結ターゲット材
に含有するZrO2 およびY2 O3 が薄膜の導電性およ
び透明性の向上にも寄与するなど工業上有用な効果をも
たらすものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01B 13/00 503 B 7244−5G (72)発明者 杉原 忠 埼玉県大宮市北袋町1−297 三菱マテリ アル株式会社中央研究所内 (72)発明者 武下 拓夫 埼玉県大宮市北袋町1−297 三菱マテリ アル株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】 重量%で、 酸化スズ:5〜15%、 酸化ジルコニウムおよび酸化イットリウムのうちの1種
または2種:0.01〜5%、を含有し、残りが酸化イ
ンジウムと不可避不純物からなる組成、並びに、 90%以上の理論密度比、を有することを特徴とするス
パッタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結タ
ーゲット材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3259903A JPH0570942A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3259903A JPH0570942A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0570942A true JPH0570942A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=17340538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3259903A Withdrawn JPH0570942A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0570942A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008195554A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Ulvac Material Kk | Ito燒結体、itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2009044892A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
JP2009173469A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高濃度酸化錫ito焼結体およびその製造方法 |
WO2011043235A1 (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法 |
JP2011093730A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
JP2011162440A (ja) * | 2011-05-16 | 2011-08-25 | Ulvac Japan Ltd | Ito焼結体、itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPWO2010032422A1 (ja) * | 2008-09-19 | 2012-02-02 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット |
WO2013084795A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、並びに酸化物透明導電膜及びその製造方法 |
WO2015136949A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3259903A patent/JPH0570942A/ja not_active Withdrawn
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008195554A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Ulvac Material Kk | Ito燒結体、itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2009044892A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
WO2009044889A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系ターゲット |
JP2009173469A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高濃度酸化錫ito焼結体およびその製造方法 |
JPWO2010032422A1 (ja) * | 2008-09-19 | 2012-02-02 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット |
US9209257B2 (en) | 2008-09-19 | 2015-12-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide sintered body and sputtering target |
JP5349587B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2013-11-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法 |
WO2011043235A1 (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法 |
CN102471160A (zh) * | 2009-10-06 | 2012-05-23 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法 |
US10037830B2 (en) | 2009-10-06 | 2018-07-31 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium oxide transparent conductive film |
KR101274279B1 (ko) * | 2009-10-06 | 2013-06-13 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 산화인듐 소결체, 산화인듐 투명 도전막 및 그 투명 도전막의 제조 방법 |
US8771557B2 (en) | 2009-10-06 | 2014-07-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium oxide sintered compact, indium oxide transparent conductive film, and manufacturing method of indium oxide transparent conductive film |
US9589695B2 (en) | 2009-10-06 | 2017-03-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium oxide transparent conductive film |
CN105439541A (zh) * | 2009-10-06 | 2016-03-30 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法 |
TWI488826B (zh) * | 2009-10-06 | 2015-06-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | An indium oxide sintered body, an indium oxide transparent conductive film, and a method for producing the transparent conductive film |
JP2011093730A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法 |
JP2011162440A (ja) * | 2011-05-16 | 2011-08-25 | Ulvac Japan Ltd | Ito焼結体、itoスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2013139380A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-07-18 | Tosoh Corp | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
KR20140103097A (ko) * | 2011-12-07 | 2014-08-25 | 토소가부시키가이샤 | 복합 산화물 소결체, 스퍼터링 타겟 및 산화물 투명 도전막 그리고 그 제조 방법 |
US9418771B2 (en) | 2011-12-07 | 2016-08-16 | Tosoh Corporation | Complex oxide sintered body, sputtering target, transparent conductive oxide film, and method for producing same |
TWI557091B (zh) * | 2011-12-07 | 2016-11-11 | 東曹股份有限公司 | 複合氧化物燒結體及氧化物透明導電膜 |
CN103987678A (zh) * | 2011-12-07 | 2014-08-13 | 东曹株式会社 | 复合氧化物烧结体、溅射靶、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 |
WO2013084795A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、並びに酸化物透明導電膜及びその製造方法 |
WO2015136949A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
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