JPS63164271A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS63164271A JPS63164271A JP61308283A JP30828386A JPS63164271A JP S63164271 A JPS63164271 A JP S63164271A JP 61308283 A JP61308283 A JP 61308283A JP 30828386 A JP30828386 A JP 30828386A JP S63164271 A JPS63164271 A JP S63164271A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
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- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置に関する。
（従来の技術）
従来、代表的な光導電膜膜積層型固体撮像装置としては
、第２図に示す白黒用インターライン転送方式で光導！
Ｅ膜にＨ型アモルファスシリコン膜ａ−８ｉ：ＨＩ３を
用いたアモルファスシリコン積層型ＣＯＤイメージセン
サが知られている。ここで第２図はその断面図である。
、第２図に示す白黒用インターライン転送方式で光導！
Ｅ膜にＨ型アモルファスシリコン膜ａ−８ｉ：ＨＩ３を
用いたアモルファスシリコン積層型ＣＯＤイメージセン
サが知られている。ここで第２図はその断面図である。
図中ｌはｐ型シリコン半導体基板である。この基板１の
表面には、光入射により生成した信号電荷を蓄積ダイオ
ードに蓄積するためのＶ型の不純物層２とＮ＋１型の不
純物層５、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を読出
して垂直ＣＯＤにおけるチャネルを形成するためのＮｏ
−の不純物層ａ、 ｅ ３１ ”型の不純物層（チャネ
ル拳ストッパ） ４１ ｅ４１が形成されている。前記
基板１上には絶縁ｌｌ！６ｔ −６ｔが形成され、該絶
縁膜６１−６雪には第１の多結晶シリコンゲート電極７
１゜７！と第２の多結晶シリコンゲート電極８１＋８ｔ
が段階的に所定距離おいて設けられ、また不純物層５に
一部が接合された第１電極例えばＡＩ電極１４１４、が
形成されている。さらにこの８ｇ１Ａｌｔ極１４ｔ、１
４ｙの一部及び絶縁膜１０．．１０．の一部の表’ｆＲ
４ｃ第２’に極、例えばＡＩＮＮ ｌｌｓ 、 ｌｉｔ
が形成されている。さらにアモルファスシリコン先導１
を膜１２が形成され、その上に透明電極として工■電極
１３が形成される。さらにその上に光シールド層として
Ｃｒ Ｍ １６．．１６．が形成される。
表面には、光入射により生成した信号電荷を蓄積ダイオ
ードに蓄積するためのＶ型の不純物層２とＮ＋１型の不
純物層５、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を読出
して垂直ＣＯＤにおけるチャネルを形成するためのＮｏ
−の不純物層ａ、 ｅ ３１ ”型の不純物層（チャネ
ル拳ストッパ） ４１ ｅ４１が形成されている。前記
基板１上には絶縁ｌｌ！６ｔ −６ｔが形成され、該絶
縁膜６１−６雪には第１の多結晶シリコンゲート電極７
１゜７！と第２の多結晶シリコンゲート電極８１＋８ｔ
が段階的に所定距離おいて設けられ、また不純物層５に
一部が接合された第１電極例えばＡＩ電極１４１４、が
形成されている。さらにこの８ｇ１Ａｌｔ極１４ｔ、１
４ｙの一部及び絶縁膜１０．．１０．の一部の表’ｆＲ
４ｃ第２’に極、例えばＡＩＮＮ ｌｌｓ 、 ｌｉｔ
が形成されている。さらにアモルファスシリコン先導１
を膜１２が形成され、その上に透明電極として工■電極
１３が形成される。さらにその上に光シールド層として
Ｃｒ Ｍ １６．．１６．が形成される。
上記したような構造からなる白黒用インターライン転送
方式のアモルファスシリコン積層型ＣＯＤ・−ノージセ
ンサにおいては、光シールド層１６．。
方式のアモルファスシリコン積層型ＣＯＤ・−ノージセ
ンサにおいては、光シールド層１６．。
１６鵞がアモルファスシリコン膜１２上に形成されるた
め、アモルファスシリコン膜１２に入射した光がアモル
ファスシリコン膜内で散乱するため、充電変換されなか
った光の一部が第２電極１１．。
め、アモルファスシリコン膜１２に入射した光がアモル
ファスシリコン膜内で散乱するため、充電変換されなか
った光の一部が第２電極１１．。
１１、の間隙を通して、シリコン基板１内に到達しそこ
で光電変換され、隣接画素のチやネル３１ ＋３、等に
その電子が到達する結果、スミアを発生させ問題となる
。また、光シールドのためにＣｒ層１６、、＋６．を形
成しなければならず、工程が多くなる。
で光電変換され、隣接画素のチやネル３１ ＋３、等に
その電子が到達する結果、スミアを発生させ問題となる
。また、光シールドのためにＣｒ層１６、、＋６．を形
成しなければならず、工程が多くなる。
（発明が解決しようとする問題点）
前項で記載したように、アモルファスシリコン膜１２上
に光シールド層１６．，１６．を形成するのは光シール
ドの効果が弱く、また光シールド層１６．。
に光シールド層１６．，１６．を形成するのは光シール
ドの効果が弱く、また光シールド層１６．。
１６！形成のため工程数がその分増える。本発明は上述
した従来装置の欠点を改良したもので、光シールドの効
果を向上し、スミアを少なくすることができ、しかも光
シールド層１６．，１６．形成のために工程数を増やす
必要のない装置を提供することを目的とする。
した従来装置の欠点を改良したもので、光シールドの効
果を向上し、スミアを少なくすることができ、しかも光
シールド層１６．，１６．形成のために工程数を増やす
必要のない装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は嘱１１！極９．，９．の材料にポリサイド。
メタルシリサイド、等の光の透過の少ない材料を選び、
舗１［極９．，９．と同時に光シールド層１５１゜１５
、を形成し、シリコン基板１により近くに光シールド層
１ｓ１．ｘ５ｔを設ける。
舗１［極９．，９．と同時に光シールド層１５１゜１５
、を形成し、シリコン基板１により近くに光シールド層
１ｓ１．ｘ５ｔを設ける。
（作用）
本発明により、アモルファスシリコン膜１２を通過し、
主に第２ ［、極１１ｔ、１１２間隙を介して、シリコ
ン基板１に到達する光は、光シールド層１５ｚ１５＊ｆ
こより低減することができ、しかも光シールド層１５１
．ｉ５を形成のために工程を特に増やす必要がない。
主に第２ ［、極１１ｔ、１１２間隙を介して、シリコ
ン基板１に到達する光は、光シールド層１５ｚ１５＊ｆ
こより低減することができ、しかも光シールド層１５１
．ｉ５を形成のために工程を特に増やす必要がない。
（実施例）
まず、Ｐ型シリコン基板１表面に公知の所定の方法によ
り選択拡散、エツチング処理等を行ない光入射１とより
生成した信号電荷を蓄積ダイオードに蓄積するためのず
め不純物層２、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を
読出して垂直ＣＯＤにおけるチャネルを形成するための
ｒ型の不純物層３ｔ、３ｔを形成した。つづいてＮの不
純物層２上の一部の絶縁膜６１＊６＊をシリコン基板表
面までエツチングし、イオン注入法によりＮ の不純物
層５を形成した後、第１電極９．．９．及び光シールド
層１５１．１５１をモリブデンシリサイドとその下の多
結晶シリコンとの積層膜から成るポリサイドにて形成し
た。さらに絶縁膜１０をその上に形成した。
り選択拡散、エツチング処理等を行ない光入射１とより
生成した信号電荷を蓄積ダイオードに蓄積するためのず
め不純物層２、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷を
読出して垂直ＣＯＤにおけるチャネルを形成するための
ｒ型の不純物層３ｔ、３ｔを形成した。つづいてＮの不
純物層２上の一部の絶縁膜６１＊６＊をシリコン基板表
面までエツチングし、イオン注入法によりＮ の不純物
層５を形成した後、第１電極９．．９．及び光シールド
層１５１．１５１をモリブデンシリサイドとその下の多
結晶シリコンとの積層膜から成るポリサイドにて形成し
た。さらに絶縁膜１０をその上に形成した。
（５ｇ１図（ａ）図示）
次いで、前記絶縁膜ｌＯを開口し、第２１を極例えばＡ
ｌＳｉ電極１１ｔ＊１１ｔを形成した（第１図φ）図示
）。
ｌＳｉ電極１１ｔ＊１１ｔを形成した（第１図φ）図示
）。
次いで、Ｈ型のアモルファスシリコンａ−８ｉ：ＨＩ３
を例えばグロー放ｚ ｃｖｎ法にて形成後、■■電極１
３を形成した（第１図（Ｃ））。
を例えばグロー放ｚ ｃｖｎ法にて形成後、■■電極１
３を形成した（第１図（Ｃ））。
本発明に関わるアモルファスシリコン膜積層型ＣＣＤイ
メージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わ
らず、カラー用の１次元、２次元センサのアモルファス
シリコン膜積層型ＣＣＤイメージセンサにも適用できる
。また実施例ではポリサイド膜を用いたが、光の透過の
少ない膜で、それ自身導電性を有するものならば適期可
能である。
メージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わ
らず、カラー用の１次元、２次元センサのアモルファス
シリコン膜積層型ＣＣＤイメージセンサにも適用できる
。また実施例ではポリサイド膜を用いたが、光の透過の
少ない膜で、それ自身導電性を有するものならば適期可
能である。
以上発明した如く、スミャ等を防止しつつ工程の簡略化
を図る事が可能となる。
を図る事が可能となる。
第１図は、本発明の実施例である白黒用インターライン
転送方式アモルファスシリコン膜積層型ＣＣＤイメージ
センサの製造工程を示す断面図、第２図は従来の白黒用
インターライン転送方式アモルファスシリコン膜積層型
ＣＣＤイメージセンサの断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎ中型の不
純物層（蓄積ダイオード）、３１．５・・・ｒ型の不純
物層（チャネル）、４ｔ ＊Ｇ・・・ｒ型の不純物層（
チャネル・ストッパー）、５・・・Ｎ 型の不純物層（
蓄積ダイオード）、６．．６．・・・絶縁膜、７．．７
．・・・第１の多結晶シリコン・ゲートを極％ ｓ、
、ｓ、・・・ｗｃ２の多結晶シリコン・ゲート電極％９
＋ｔ％・・・第１′ｖｔ極（Ｍｅ−８ｉポリサイド電極
）、１０ ｒ １０１ ＠ １０＠ ”’絶縁膜、”１
＋１１２・・・第２電極（Ａｌ−８ｉ電極）、１２・・
・Ｈ型アモルファスシリコン膜、１３・・・ＩＴＯ電極
、１４１ ＠ １４＠・・・第１電極（ｋｌ−８ｉ電極
）、１５ｓ＊１５ｇ・・・光シールド層（Ｍｏ−８ｉポ
リサイド）、１６．。 １６、・・・光シールド層（Ｃｒ）。
転送方式アモルファスシリコン膜積層型ＣＣＤイメージ
センサの製造工程を示す断面図、第２図は従来の白黒用
インターライン転送方式アモルファスシリコン膜積層型
ＣＣＤイメージセンサの断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎ中型の不
純物層（蓄積ダイオード）、３１．５・・・ｒ型の不純
物層（チャネル）、４ｔ ＊Ｇ・・・ｒ型の不純物層（
チャネル・ストッパー）、５・・・Ｎ 型の不純物層（
蓄積ダイオード）、６．．６．・・・絶縁膜、７．．７
．・・・第１の多結晶シリコン・ゲートを極％ ｓ、
、ｓ、・・・ｗｃ２の多結晶シリコン・ゲート電極％９
＋ｔ％・・・第１′ｖｔ極（Ｍｅ−８ｉポリサイド電極
）、１０ ｒ １０１ ＠ １０＠ ”’絶縁膜、”１
＋１１２・・・第２電極（Ａｌ−８ｉ電極）、１２・・
・Ｈ型アモルファスシリコン膜、１３・・・ＩＴＯ電極
、１４１ ＠ １４＠・・・第１電極（ｋｌ−８ｉ電極
）、１５ｓ＊１５ｇ・・・光シールド層（Ｍｏ−８ｉポ
リサイド）、１６．。 １６、・・・光シールド層（Ｃｒ）。
Claims (1)
- 回路基板上に光導電膜を設けた２階建の固体撮像装置に
おいて、回路基板面への光漏れを防止する光シールド層
を画素電極と同層の導電膜で設けた事を特徴とする固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308283A JP2514941B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61308283A JP2514941B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164271A true JPS63164271A (ja) | 1988-07-07 |
| JP2514941B2 JP2514941B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=17979168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61308283A Expired - Lifetime JP2514941B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2514941B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152673A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006222278A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| WO2013001809A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154977A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6051376A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS60262459A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61308283A patent/JP2514941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154977A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6051376A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS60262459A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152673A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006222278A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP4538336B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2010-09-08 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| WO2013001809A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| US9263482B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-02-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state image pickup device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2514941B2 (ja) | 1996-07-10 |
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