JPH11195779A - カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法 - Google Patents
カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーリニアイメージセンサにおいて、ＲＧ
Ｂ３色の受光部間の距離（ライン間距離）を大幅に増加
させることなく残像を低減する。 【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は受
光部に隣接して信号電荷蓄積部を設け、信号電荷の読み
出しをこの信号電荷蓄積部から信号電荷読み出し部を経
由して信号電荷転送部に行うようにすることで残像の発
生を抑えるとともに、信号電荷読み出し部と、信号電荷
転送部のうち信号電荷読み出し部に隣接する部分とを電
気的に接続し、駆動パルスを共通にする（φ１（Ｔ
Ｇ））、あるいは信号電荷蓄積部と、信号電荷転送部の
うち信号電荷読み出し部に隣接しない部分を電気的に接
続し、駆動パルスを共通にする（φ２（ＳＴ））ことで
各色の受光部間に配置される配線（パルスライン）の数
を１つ減らし、ライン間距離の増加を抑えている。
Ｂ３色の受光部間の距離（ライン間距離）を大幅に増加
させることなく残像を低減する。 【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は受
光部に隣接して信号電荷蓄積部を設け、信号電荷の読み
出しをこの信号電荷蓄積部から信号電荷読み出し部を経
由して信号電荷転送部に行うようにすることで残像の発
生を抑えるとともに、信号電荷読み出し部と、信号電荷
転送部のうち信号電荷読み出し部に隣接する部分とを電
気的に接続し、駆動パルスを共通にする（φ１（Ｔ
Ｇ））、あるいは信号電荷蓄積部と、信号電荷転送部の
うち信号電荷読み出し部に隣接しない部分を電気的に接
続し、駆動パルスを共通にする（φ２（ＳＴ））ことで
各色の受光部間に配置される配線（パルスライン）の数
を１つ減らし、ライン間距離の増加を抑えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカラーリニアイメー
ジセンサに関し、特にカラーリニアイメージセンサのラ
イン間距離を大幅に増加させることなく残像を低減する
技術に関する。
ジセンサに関し、特にカラーリニアイメージセンサのラ
イン間距離を大幅に増加させることなく残像を低減する
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年パーソナルコンピュータの普及や複
写機の高性能化の要求にともない、カラー画像を読みと
るためのカラーリニアイメージセンサの需要が高まって
きている。
写機の高性能化の要求にともない、カラー画像を読みと
るためのカラーリニアイメージセンサの需要が高まって
きている。
【０００３】このようなカラーリニアイメージセンサは
通常、電荷転送機能を持つＣＣＤリニアイメージセンサ
を３本並列に配置し、各ＣＣＤリニアイメージセンサの
受光部列上に異なる色の色フィルタ、例えばＲ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）フィルタをのせることによって形成
している。
通常、電荷転送機能を持つＣＣＤリニアイメージセンサ
を３本並列に配置し、各ＣＣＤリニアイメージセンサの
受光部列上に異なる色の色フィルタ、例えばＲ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）フィルタをのせることによって形成
している。
【０００４】図３−（ａ）はこのようなカラーリニアイ
メージセンサの例を示す全体構成図である。
メージセンサの例を示す全体構成図である。
【０００５】図３−（ａ）において、１ａ、１ｂ、１ｃ
はＲＧＢのカラーフィルタ（図示せず）がのった各受光
部、２ａ、２ｂ、２ｃはそれぞれ各受光部で光電変換さ
れ、蓄積された信号電荷を近接した信号電荷転送部３
ａ、３ｂ、３ｃに読み出す信号電荷読み出し部であり、
各受光部の信号電荷Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３…をそれぞれ信号
電荷転送部に読み出す。（白矢印で示す。読み出しパル
スはφＴＧ１、２、３。パルスラインは図示せず。）信
号電荷転送部３ａ、３ｂ、３ｃは通常、ＣＣＤリニアイ
メージセンサの場合２相駆動ＣＣＤシフトレジスタから
成っており、その２相駆動ＣＣＤを駆動するためのパル
スラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５（クロックはφ
１またはφ２；パルスラインから各信号電荷転送部への
接続は矢印で示す）が各信号電荷転送部に近接して配置
されている。
はＲＧＢのカラーフィルタ（図示せず）がのった各受光
部、２ａ、２ｂ、２ｃはそれぞれ各受光部で光電変換さ
れ、蓄積された信号電荷を近接した信号電荷転送部３
ａ、３ｂ、３ｃに読み出す信号電荷読み出し部であり、
各受光部の信号電荷Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３…をそれぞれ信号
電荷転送部に読み出す。（白矢印で示す。読み出しパル
スはφＴＧ１、２、３。パルスラインは図示せず。）信
号電荷転送部３ａ、３ｂ、３ｃは通常、ＣＣＤリニアイ
メージセンサの場合２相駆動ＣＣＤシフトレジスタから
成っており、その２相駆動ＣＣＤを駆動するためのパル
スラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５（クロックはφ
１またはφ２；パルスラインから各信号電荷転送部への
接続は矢印で示す）が各信号電荷転送部に近接して配置
されている。
【０００６】各信号電荷転送部３ａ、３ｂ、３ｃによっ
て転送された信号電荷は、浮遊拡散領域によって形成さ
れ、信号電荷を信号電圧に変換する信号電荷検出部とソ
ースホロワ、インバータ等のアナログ回路からなる出力
回路４ａ、４ｂ、４ｃ、によって外部に出力され、カラ
ー信号を得る。
て転送された信号電荷は、浮遊拡散領域によって形成さ
れ、信号電荷を信号電圧に変換する信号電荷検出部とソ
ースホロワ、インバータ等のアナログ回路からなる出力
回路４ａ、４ｂ、４ｃ、によって外部に出力され、カラ
ー信号を得る。
【０００７】図３−（ｅ）は、図３−（ａ）に示した従
来のカラーリニアイメージセンサの駆動方法を示すタイ
ミングチャートである。（各色共通） 受光部１ａ、１ｂ、１ｃの信号電荷はそれぞれ、信号電
荷読み出し部２ａ、２ｂ、２ｃに印加されるクロックφ
ＴＧ１、２、３がＬＯＷレベルの期間に蓄積され、ＨＩ
ＧＨレベルの期間Ｔに所定の信号電荷転送部３ａ、３
ｂ、３ｃに読み出される。
来のカラーリニアイメージセンサの駆動方法を示すタイ
ミングチャートである。（各色共通） 受光部１ａ、１ｂ、１ｃの信号電荷はそれぞれ、信号電
荷読み出し部２ａ、２ｂ、２ｃに印加されるクロックφ
ＴＧ１、２、３がＬＯＷレベルの期間に蓄積され、ＨＩ
ＧＨレベルの期間Ｔに所定の信号電荷転送部３ａ、３
ｂ、３ｃに読み出される。
【０００８】続いて、これらの信号電荷転送部では、そ
れぞれ２相クロックφ１、φ２（互いに逆相）により信
号電荷の転送が行われ、出力回路４ａ、４ｂ、４ｃを通
して出力される。
れぞれ２相クロックφ１、φ２（互いに逆相）により信
号電荷の転送が行われ、出力回路４ａ、４ｂ、４ｃを通
して出力される。
【０００９】さて、上述したようなカラーリニアイメー
ジセンサをスキャナーや複写機に使用する場合、カラー
フィルタののった３本のＣＣＤリニアイメージセンサを
それらのＣＣＤリニアイメージセンサの配列方向に対し
て垂直に走査するため、被写体上の所定の場所の画像に
対する色の情報（例えばＲＧＢ）を得るためには、所定
の場所を１本目のライン（例えばＲ）が走査してから３
本目のライン（例えばＢ）が走査し終わるまで１本目と
２本目のラインの色情報を外部で記憶し、３つの色情報
をそろえてから信号処理を行う必要がある。このため、
かなりの容量の外部メモリが必要となる。
ジセンサをスキャナーや複写機に使用する場合、カラー
フィルタののった３本のＣＣＤリニアイメージセンサを
それらのＣＣＤリニアイメージセンサの配列方向に対し
て垂直に走査するため、被写体上の所定の場所の画像に
対する色の情報（例えばＲＧＢ）を得るためには、所定
の場所を１本目のライン（例えばＲ）が走査してから３
本目のライン（例えばＢ）が走査し終わるまで１本目と
２本目のラインの色情報を外部で記憶し、３つの色情報
をそろえてから信号処理を行う必要がある。このため、
かなりの容量の外部メモリが必要となる。
【００１０】例えばカラー複写機や高解像度のカラース
キャナ等に用いられる５３００画素×３列クラスのカラ
ーリニアイメージセンサでは、必要な外部メモリの容量
Ｃは階調を１０ビットとる場合 Ｃ＝５３００×１０×３×（Ｍ＋１）ビット ……（１） となる。ここでＭは各受光部列間のうち、隣り合う２つ
の受光部列のライン間距離を走査回数で示したものであ
り、例えばＲ、Ｇ、Ｂの各受光部の１画素のサイズが８
μｍ×８μｍ、各受光部列間のライン間距離がＲ−Ｇ
間、Ｇ−Ｂ間ともに６４μｍである場合、Ｍは Ｍ＝６４μｍ／８μｍ＝８ ……（２） となり、外部メモリの容量Ｃは１４３１０００ビットと
なる。
キャナ等に用いられる５３００画素×３列クラスのカラ
ーリニアイメージセンサでは、必要な外部メモリの容量
Ｃは階調を１０ビットとる場合 Ｃ＝５３００×１０×３×（Ｍ＋１）ビット ……（１） となる。ここでＭは各受光部列間のうち、隣り合う２つ
の受光部列のライン間距離を走査回数で示したものであ
り、例えばＲ、Ｇ、Ｂの各受光部の１画素のサイズが８
μｍ×８μｍ、各受光部列間のライン間距離がＲ−Ｇ
間、Ｇ−Ｂ間ともに６４μｍである場合、Ｍは Ｍ＝６４μｍ／８μｍ＝８ ……（２） となり、外部メモリの容量Ｃは１４３１０００ビットと
なる。
【００１１】式（１）からわかるように外部メモリ容量
を小さくするためには３本の受光部列間の距離を短くし
て、１本目（例えばＲ）が走査してから３本目（例えば
Ｂ）が走査するまでの走査回数を少なくする必要があ
る。
を小さくするためには３本の受光部列間の距離を短くし
て、１本目（例えばＲ）が走査してから３本目（例えば
Ｂ）が走査するまでの走査回数を少なくする必要があ
る。
【００１２】図３−（ｂ）は、図３−（ａ）において破
線Ｘ１で囲まれた領域の拡大図である。図３−（ｂ）に
おいて１ａ、１ｂ等、図３−（ａ）と同じ符号のものは
それぞれ同一物を示す。５は２相のφ１またはφ２クロ
ックが印加されるアルミニウム配線、６はアルミニウム
配線５と信号電荷転送部８ａを形成するＣＣＤシフトレ
ジスタの２種類の多結晶シリコン電極１１ａまたは１１
ｂを接続するためのコンタクト、７は同じくＣＣＤシフ
トレジスタの２種類の多結晶シリコン電極１１ａと１１
ｂとを接続するためのコンタクトである。８は信号電荷
読み出し部２ａ、２ｂを駆動するクロックが印加される
アルミニウム配線、９はアルミニウム配線８と信号電荷
読み出し部２ａ、２ｂを形成する多結晶シリコン電極１
１ｂを接続するためのコンタクトである。１２は受光部
の各画素および信号電荷転送部を分離する素子分離領域
である。
線Ｘ１で囲まれた領域の拡大図である。図３−（ｂ）に
おいて１ａ、１ｂ等、図３−（ａ）と同じ符号のものは
それぞれ同一物を示す。５は２相のφ１またはφ２クロ
ックが印加されるアルミニウム配線、６はアルミニウム
配線５と信号電荷転送部８ａを形成するＣＣＤシフトレ
ジスタの２種類の多結晶シリコン電極１１ａまたは１１
ｂを接続するためのコンタクト、７は同じくＣＣＤシフ
トレジスタの２種類の多結晶シリコン電極１１ａと１１
ｂとを接続するためのコンタクトである。８は信号電荷
読み出し部２ａ、２ｂを駆動するクロックが印加される
アルミニウム配線、９はアルミニウム配線８と信号電荷
読み出し部２ａ、２ｂを形成する多結晶シリコン電極１
１ｂを接続するためのコンタクトである。１２は受光部
の各画素および信号電荷転送部を分離する素子分離領域
である。
【００１３】なお、受光部の１画素の大きさはアルミニ
ウム配線５および８ではさまれた部分で定まる。
ウム配線５および８ではさまれた部分で定まる。
【００１４】また、信号電荷転送部３ａの遮光は通常も
う１種類のアルミニウム配線にて行われるがここでは説
明を省略する。
う１種類のアルミニウム配線にて行われるがここでは説
明を省略する。
【００１５】図３−（ｂ）からわかるように、ライン間
距離（受光部１ａの中心から受光部１ｂの中心までの距
離）を定める主な要因は （１）受光部の１画素のサイズ （２）信号電荷読み出し部のサイズ （３）信号電荷転送部のサイズ （４）信号電荷転送部とその隣の受光部列の間の素子分
離領域のサイズ（パルスラインのサイズを含む） からなる。例えば図３−（ｂ）の例では、受光部の１画
素のサイズが８μｍ、信号電荷読み出し部のサイズが１
０μｍ、信号電荷転送部のサイズが１８μｍ、信号電荷
転送部とその隣の受光部列の間の素子分離領域のサイズ
のサイズが２５μｍあり、その他に（２）と（３）の接
続部分のサイズ３μｍを合わせてライン間距離は全部で
６４μｍ（Ｍ＝８）となる。
距離（受光部１ａの中心から受光部１ｂの中心までの距
離）を定める主な要因は （１）受光部の１画素のサイズ （２）信号電荷読み出し部のサイズ （３）信号電荷転送部のサイズ （４）信号電荷転送部とその隣の受光部列の間の素子分
離領域のサイズ（パルスラインのサイズを含む） からなる。例えば図３−（ｂ）の例では、受光部の１画
素のサイズが８μｍ、信号電荷読み出し部のサイズが１
０μｍ、信号電荷転送部のサイズが１８μｍ、信号電荷
転送部とその隣の受光部列の間の素子分離領域のサイズ
のサイズが２５μｍあり、その他に（２）と（３）の接
続部分のサイズ３μｍを合わせてライン間距離は全部で
６４μｍ（Ｍ＝８）となる。
【００１６】上記（１）〜（４）の要因のうち、（１）
は定められた画素サイズであるため変更できない。
（２）は信号電荷読み出し部を駆動するクロック配線
と、信号電荷読み出し部を形成する多結晶シリコン電極
を接続するための領域が必要なため、１０μｍ以下にす
るのは容易ではない。（３）についてはこのサイズが小
さくなればなるほど信号電荷転送部で取り扱える最大信
号電荷量が小さくなり、出力信号のダイナミックレンジ
も減少するため、この部分の安易な縮小は特性劣化をま
ねく。（４）については、素子分離領域１２上でパルス
ラインとなるアルミニウム配線５と信号電荷転送部３ａ
を形成する２種類の多結晶シリコン電極のうちの１つ１
１ｂをコンタクト６により接続し、さらに２種類の多結
晶シリコン電極１１ａと１１ｂをコンタクト７で接続す
るため、（２）と同様に相当の大きさの領域（２５μｍ
程度）が必要となり、変更（縮小）は容易ではない。
は定められた画素サイズであるため変更できない。
（２）は信号電荷読み出し部を駆動するクロック配線
と、信号電荷読み出し部を形成する多結晶シリコン電極
を接続するための領域が必要なため、１０μｍ以下にす
るのは容易ではない。（３）についてはこのサイズが小
さくなればなるほど信号電荷転送部で取り扱える最大信
号電荷量が小さくなり、出力信号のダイナミックレンジ
も減少するため、この部分の安易な縮小は特性劣化をま
ねく。（４）については、素子分離領域１２上でパルス
ラインとなるアルミニウム配線５と信号電荷転送部３ａ
を形成する２種類の多結晶シリコン電極のうちの１つ１
１ｂをコンタクト６により接続し、さらに２種類の多結
晶シリコン電極１１ａと１１ｂをコンタクト７で接続す
るため、（２）と同様に相当の大きさの領域（２５μｍ
程度）が必要となり、変更（縮小）は容易ではない。
【００１７】すなわち上記（１）〜（４）の要因はいず
れもそのサイズの変更が困難であり、図３−（ａ）、
（ｂ）に示したような構成のカラーリニアイメージセン
サでは例示したような値のライン間距離がほぼ現状の最
小値となっている。
れもそのサイズの変更が困難であり、図３−（ａ）、
（ｂ）に示したような構成のカラーリニアイメージセン
サでは例示したような値のライン間距離がほぼ現状の最
小値となっている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
ような構成のカラーリニアイメージセンサの場合、各受
光部で蓄積された信号電荷を信号電荷読み出し部を通し
てそれぞれ所定の信号電荷転送部に読み出す時に、信号
電荷の読み出し残り（転送残り）が発生し、残像を生じ
るという問題点がある。これを以下に図面を用いて説明
する。
ような構成のカラーリニアイメージセンサの場合、各受
光部で蓄積された信号電荷を信号電荷読み出し部を通し
てそれぞれ所定の信号電荷転送部に読み出す時に、信号
電荷の読み出し残り（転送残り）が発生し、残像を生じ
るという問題点がある。これを以下に図面を用いて説明
する。
【００１９】図３−（ｃ）は、従来例で示した図３−
（ｂ）のＡ−Ａ′断面図である。図３−（ｃ）におい
て、図３−（ｂ）と同一の符号をつけたものはそれぞれ
同一物を示す。つぎにその他の構成物について製造プロ
セスに従って説明をする。
（ｂ）のＡ−Ａ′断面図である。図３−（ｃ）におい
て、図３−（ｂ）と同一の符号をつけたものはそれぞれ
同一物を示す。つぎにその他の構成物について製造プロ
セスに従って説明をする。
【００２０】１３はＮ型半導体基板であり、このＮ型半
導体基板１３上にボロン等のＰ型不純物をイオン注入し
さらに熱拡散を行ってＰウェル１４をまず形成する。続
いてリンあるいは砒素等のＮ型不純物をイオン注入と熱
拡散することによりＮ型領域１５を形成する。同じくリ
ンあるいは砒素等のＮ型不純物をイオン注入と熱拡散す
ることによりＮ型領域１７を形成する。その後Ｐ型不純
物をイオン注入して素子分離領域１２を形成しＰウェル
１４とともに外部から基準電位（０Ｖ）をとる。
導体基板１３上にボロン等のＰ型不純物をイオン注入し
さらに熱拡散を行ってＰウェル１４をまず形成する。続
いてリンあるいは砒素等のＮ型不純物をイオン注入と熱
拡散することによりＮ型領域１５を形成する。同じくリ
ンあるいは砒素等のＮ型不純物をイオン注入と熱拡散す
ることによりＮ型領域１７を形成する。その後Ｐ型不純
物をイオン注入して素子分離領域１２を形成しＰウェル
１４とともに外部から基準電位（０Ｖ）をとる。
【００２１】１１ａ、１１ｂは多結晶シリコン電極であ
り、上述した素子分離領域１２を形成した後、熱酸化膜
１８を絶縁膜としてウェハー上にパターン形成される。
１６は受光部を形成するためのＰ型領域であり、多結晶
シリコン電極１１ｂを形成した後、この多結晶シリコン
電極１１ｂをマスクにしてイオン注入を行いこの多桔晶
シリコン電極とセルフアライン（自己整合）で形成され
る。ここで、Ｐ型領域１６とＮ型領域１５、Ｐウェル１
４によって形成されるＰＮ接合によって入射光は光電変
換され、受光部としての動作をする。また、Ｐウェル１
４とＮ型領域１７、熱酸化膜１８、多結晶シリコン電極
１１ａによって埋め込みチャンネル型トランジスタが形
成され、信号電荷転送部３ａを形成する。２０はアルミ
ニウム配線５、８をパターニングするのに必要な平坦化
膜である。
り、上述した素子分離領域１２を形成した後、熱酸化膜
１８を絶縁膜としてウェハー上にパターン形成される。
１６は受光部を形成するためのＰ型領域であり、多結晶
シリコン電極１１ｂを形成した後、この多結晶シリコン
電極１１ｂをマスクにしてイオン注入を行いこの多桔晶
シリコン電極とセルフアライン（自己整合）で形成され
る。ここで、Ｐ型領域１６とＮ型領域１５、Ｐウェル１
４によって形成されるＰＮ接合によって入射光は光電変
換され、受光部としての動作をする。また、Ｐウェル１
４とＮ型領域１７、熱酸化膜１８、多結晶シリコン電極
１１ａによって埋め込みチャンネル型トランジスタが形
成され、信号電荷転送部３ａを形成する。２０はアルミ
ニウム配線５、８をパターニングするのに必要な平坦化
膜である。
【００２２】図３−（ｄ）は図３−（ｃ）において受光
部１ａと、信号電荷読み出し部２ａおよび信号電荷転送
部３ａ等のチャネル電位を示すものである。ここで図３
−（ｄ）において点線で示すＴＧｏｆｆおよび実線で示
すＴＧｏｎは図３−（ｅ）のタイミングチャートのＴＧ
ｏｆｆおよびＴＧｏｎの時点の各部のチャネル電位であ
る。
部１ａと、信号電荷読み出し部２ａおよび信号電荷転送
部３ａ等のチャネル電位を示すものである。ここで図３
−（ｄ）において点線で示すＴＧｏｆｆおよび実線で示
すＴＧｏｎは図３−（ｅ）のタイミングチャートのＴＧ
ｏｆｆおよびＴＧｏｎの時点の各部のチャネル電位であ
る。
【００２３】図３−（ｄ）のチャネル電位からわかるよ
うに、信号電荷Ｑは信号電荷Ｑが蓄積されている受光部
１ａから信号電荷転送部３ａに転送される（読みだされ
る）時かならず信号電荷読み出し部２ａのうちＮ型領域
１５が存在する部分２ａ１を通過する。この部分のチャ
ネル電位は、信号電荷読み出し部のうちＮ型領域が存在
せず、Ｐウェル１４が存在する領域２ａ２のチャネル電
位より高いため、この部分２ａ１で転送残り（読み出し
残り）ΔＱが生じ、この転送残りΔＱは次回以後の信号
電荷読みだし時において少しずつ読み出されるため残像
の原因となる。
うに、信号電荷Ｑは信号電荷Ｑが蓄積されている受光部
１ａから信号電荷転送部３ａに転送される（読みだされ
る）時かならず信号電荷読み出し部２ａのうちＮ型領域
１５が存在する部分２ａ１を通過する。この部分のチャ
ネル電位は、信号電荷読み出し部のうちＮ型領域が存在
せず、Ｐウェル１４が存在する領域２ａ２のチャネル電
位より高いため、この部分２ａ１で転送残り（読み出し
残り）ΔＱが生じ、この転送残りΔＱは次回以後の信号
電荷読みだし時において少しずつ読み出されるため残像
の原因となる。
【００２４】この転送残りΔＱをなくするため、図３−
（ｆ）に示すようにＮ型領域１５を信号電荷読み出し部
２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂから離し、信
号電荷読み出し部２ａにＮ型領域１５が存在しないよう
な構造をとることも可能である。しかしながらこのよう
な構造では、Ｐ型領域１６が信号電荷読み出し部２ａを
形成する多結晶シリコン電極１１ｂに対して上述したよ
うにセルフアラインで形成されているため、受光部１ａ
にＰ型領域１６が存在しＮ型領域１５が存在しない部分
１ａ１が必ず生じ、受光部１ａから信号電荷読み出し部
２ａへの信号電荷の転送を妨げることになる。この様子
を図３−（ｇ）に示す。図３−（ｇ）は図３−（ｆ）に
おける受光部１ａと、信号電荷読み出し部２ａおよび信
号電荷転送部３ａ等のチャネル電位を示すものである。
ここで図３−（ｇ）において点線で示すＴＧｏｆｆおよ
び実線で示すＴＧｏｎは図３−（ｅ）のタイミングチャ
ートのＴＧｏｆｆおよびＴＧｏｎの時点の各部のチャネ
ル電位である。図３−（ｇ）のチャネル電位からわかる
ように受光部１ａにおいてＰ型領域１６が存在しＮ型領
域１５が存在しない部分１ａ１ではそのチャネル電位は
０Ｖとなっており、信号電荷読み出し部２ａに印加され
るパルスの値によらないため受光部での信号電荷Ｑは信
号電荷転送部に読み出すことができない。
（ｆ）に示すようにＮ型領域１５を信号電荷読み出し部
２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂから離し、信
号電荷読み出し部２ａにＮ型領域１５が存在しないよう
な構造をとることも可能である。しかしながらこのよう
な構造では、Ｐ型領域１６が信号電荷読み出し部２ａを
形成する多結晶シリコン電極１１ｂに対して上述したよ
うにセルフアラインで形成されているため、受光部１ａ
にＰ型領域１６が存在しＮ型領域１５が存在しない部分
１ａ１が必ず生じ、受光部１ａから信号電荷読み出し部
２ａへの信号電荷の転送を妨げることになる。この様子
を図３−（ｇ）に示す。図３−（ｇ）は図３−（ｆ）に
おける受光部１ａと、信号電荷読み出し部２ａおよび信
号電荷転送部３ａ等のチャネル電位を示すものである。
ここで図３−（ｇ）において点線で示すＴＧｏｆｆおよ
び実線で示すＴＧｏｎは図３−（ｅ）のタイミングチャ
ートのＴＧｏｆｆおよびＴＧｏｎの時点の各部のチャネ
ル電位である。図３−（ｇ）のチャネル電位からわかる
ように受光部１ａにおいてＰ型領域１６が存在しＮ型領
域１５が存在しない部分１ａ１ではそのチャネル電位は
０Ｖとなっており、信号電荷読み出し部２ａに印加され
るパルスの値によらないため受光部での信号電荷Ｑは信
号電荷転送部に読み出すことができない。
【００２５】以上説明したような、信号電荷読みだし部
から信号電荷転送部への信号電荷の転送残りおよびそれ
に起因する残像をなくす目的で、図３−（ｃ）で示した
例とは異なる構造を用いてそれを実現した例が特公平８
−１０７６０にある。図４−（ａ）、（ｂ）は特公平８
−１０７６０の図２から引用したものである。ただし図
４−（ａ）、（ｂ）においては各部の番号を特公平８−
１０７６０の図２の各部の番号にたいして１００番加え
たものとしている。本公知例では、図３−（ｃ）に示し
た例において受光部１ａに相当する光電変換部１１２と
電荷蓄積部１１３を分離し、この電荷蓄積部１１３を光
電変換部１１２とトランスファゲート部１１４の間に配
置した点が上述した従来例と異なる。しかも、光電変換
部１１２を形成するＰ型領域１０４およびトランスファ
ーゲート部１１４を形成するＰ型領域１０５はそれぞれ
蓄積ゲート電極１０７および蓄積ゲート電極１０７とト
ランスファーゲート電極１０８に対してセルフアライン
（自己整合）で形成されているため、図４−（ｂ）に示
すように光電変換部１１２からＣＣＤレジスタのゲート
電極１０９−１ａ下までの領域にチャネル電位の井戸
（例えば図３−（ｄ）における２ａ１の部分）やチャネ
ル電位の障壁（例えば図３−（ｇ）における１ａ１の部
分）が発生する部分は存在せず、信号電荷の転送残りは
発生しないため残像となり得ない。ここで、本公知例で
は蓄積ゲート電極１０７には蓄積ゲート電極１０７下の
基板表面電位が基板電位（たとえば０Ｖ）と同電位にな
るのに十分な負の電圧（たとえば−８Ｖ）が印加されて
いるが、これは、光電変換部１１２からＣＣＤレジスタ
のゲート電極１０９−１ａ下まで信号電荷を滑らかに転
送するため、蓄積ゲート下のチャネル電位ΦSTを、光電
変換部１１２のチャネル電位ΦPDより深くし、なおかつ
トランスファーゲート電極１０８にＨレベルの電位が印
加された時の本電極下のチャネル電位ΦTGH より浅くす
るためである。したがって、各チャネル電位（ΦPD，Φ
ST，ΦTGH ）がΦTGH ＞ΦST＞ΦPDを満たす限り蓄積ゲ
ート電極１０７あるいはトランスファーゲート電極１０
８に印加する電位は任意に変えることができるのは明ら
かである。
から信号電荷転送部への信号電荷の転送残りおよびそれ
に起因する残像をなくす目的で、図３−（ｃ）で示した
例とは異なる構造を用いてそれを実現した例が特公平８
−１０７６０にある。図４−（ａ）、（ｂ）は特公平８
−１０７６０の図２から引用したものである。ただし図
４−（ａ）、（ｂ）においては各部の番号を特公平８−
１０７６０の図２の各部の番号にたいして１００番加え
たものとしている。本公知例では、図３−（ｃ）に示し
た例において受光部１ａに相当する光電変換部１１２と
電荷蓄積部１１３を分離し、この電荷蓄積部１１３を光
電変換部１１２とトランスファゲート部１１４の間に配
置した点が上述した従来例と異なる。しかも、光電変換
部１１２を形成するＰ型領域１０４およびトランスファ
ーゲート部１１４を形成するＰ型領域１０５はそれぞれ
蓄積ゲート電極１０７および蓄積ゲート電極１０７とト
ランスファーゲート電極１０８に対してセルフアライン
（自己整合）で形成されているため、図４−（ｂ）に示
すように光電変換部１１２からＣＣＤレジスタのゲート
電極１０９−１ａ下までの領域にチャネル電位の井戸
（例えば図３−（ｄ）における２ａ１の部分）やチャネ
ル電位の障壁（例えば図３−（ｇ）における１ａ１の部
分）が発生する部分は存在せず、信号電荷の転送残りは
発生しないため残像となり得ない。ここで、本公知例で
は蓄積ゲート電極１０７には蓄積ゲート電極１０７下の
基板表面電位が基板電位（たとえば０Ｖ）と同電位にな
るのに十分な負の電圧（たとえば−８Ｖ）が印加されて
いるが、これは、光電変換部１１２からＣＣＤレジスタ
のゲート電極１０９−１ａ下まで信号電荷を滑らかに転
送するため、蓄積ゲート下のチャネル電位ΦSTを、光電
変換部１１２のチャネル電位ΦPDより深くし、なおかつ
トランスファーゲート電極１０８にＨレベルの電位が印
加された時の本電極下のチャネル電位ΦTGH より浅くす
るためである。したがって、各チャネル電位（ΦPD，Φ
ST，ΦTGH ）がΦTGH ＞ΦST＞ΦPDを満たす限り蓄積ゲ
ート電極１０７あるいはトランスファーゲート電極１０
８に印加する電位は任意に変えることができるのは明ら
かである。
【００２６】ところが、本公知例に示された構造を用い
て上述したようなカラーリニアイメージセンサを構成し
た場合、図３−（ａ）〜（ｂ）で示したような従来のカ
ラーリニアイメージセンサに比べてライン間距離が大幅
に増加するという問題生じる。これを図を用いて説明す
る。
て上述したようなカラーリニアイメージセンサを構成し
た場合、図３−（ａ）〜（ｂ）で示したような従来のカ
ラーリニアイメージセンサに比べてライン間距離が大幅
に増加するという問題生じる。これを図を用いて説明す
る。
【００２７】図５−（ａ）はこの公知例に示された構造
のリニアイメージセンサを用いてカラーリニアイメージ
センサを構成した一例の全体構成図である。図５−
（ａ）において、図３−（ａ）と同一の符号のものはそ
れぞれ同一物を示す。図５−（ａ）において、１０ａ〜
ｃは信号電荷蓄積部であり、ＤＣ電圧ＶSTが印加されて
いる。Ｌ６〜１１は信号電荷転送部３ａ〜ｃを構成する
ＣＣＤシフトレジスタを駆動するためのパルスラインで
ある。（クロックはφ１またはφ２：パルスラインから
各信号電荷転送部への接続は矢印で示す。）図５−
（ａ）と図３−（ａ）を比較してわかるように、図３−
（ａ）で示した従来例と本例のカラーリニアイメージセ
ンサの構成上の違いは、各色の受光部に隣接して信号電
荷蓄積部が存在することのほかに、隣り合う色の受光
部、たとえば１ａと１ｂの間に信号電荷転送部を構成す
るＣＣＤシフトレジスタ、例えば３ａを駆動するための
パルスラインが１本だけ配置されているか、２本配置さ
れているかにある。この違いを明らかにするため、図３
−（ｂ）と図５−（ａ）の破線Ｘ２で囲まれた領域の拡
大図である図５−（ｂ）を比較して説明する。
のリニアイメージセンサを用いてカラーリニアイメージ
センサを構成した一例の全体構成図である。図５−
（ａ）において、図３−（ａ）と同一の符号のものはそ
れぞれ同一物を示す。図５−（ａ）において、１０ａ〜
ｃは信号電荷蓄積部であり、ＤＣ電圧ＶSTが印加されて
いる。Ｌ６〜１１は信号電荷転送部３ａ〜ｃを構成する
ＣＣＤシフトレジスタを駆動するためのパルスラインで
ある。（クロックはφ１またはφ２：パルスラインから
各信号電荷転送部への接続は矢印で示す。）図５−
（ａ）と図３−（ａ）を比較してわかるように、図３−
（ａ）で示した従来例と本例のカラーリニアイメージセ
ンサの構成上の違いは、各色の受光部に隣接して信号電
荷蓄積部が存在することのほかに、隣り合う色の受光
部、たとえば１ａと１ｂの間に信号電荷転送部を構成す
るＣＣＤシフトレジスタ、例えば３ａを駆動するための
パルスラインが１本だけ配置されているか、２本配置さ
れているかにある。この違いを明らかにするため、図３
−（ｂ）と図５−（ａ）の破線Ｘ２で囲まれた領域の拡
大図である図５−（ｂ）を比較して説明する。
【００２８】図５−（ｂ）において図５−（ａ）と同一
の符号のものはそれぞれ同一物を示す。また、図５−
（ｂ）において図３−（ｂ）と同一の符号のものはそれ
ぞれ同一物を示す。図３−（ｂ）において信号電荷転送
部３ａを構成する２種類の多結晶シリコン電極１１ａ、
１１ｂのうち、信号電荷読み出し部２ａを構成する多結
晶シリコン電極１１ｂに隣接する多結晶シリコン電極１
１ａは、信号電荷転送部３ａの受光部１ａのない側のチ
ャネルストップ１２上でもう一つの多結晶シリコン電極
１１ｂとコンタクト７によって接続され、この多結晶シ
リコン電極１１ｂはさらにφ１クロックが印加されるパ
ルスラインＬ２のアルミニウム配線５とコンタクト６に
よって接続されている。また、同じく信号電荷転送部３
ａを構成する残りの多結晶シリコン電極１１ａ、１１ｂ
については、受光部１ａの信号電荷転送部３ａのない側
に配置されたパルスラインＬ１（クロックはφ２）のア
ルミニウム配線５と多結晶シリコン電極１１ａがコンタ
クト６によって接続され、この多結晶シリコン電極１１
ａ自体をパルスラインＬ１から信号電荷転送部３ａへの
配線としてチャネルストップ１２上を通過させて信号電
荷転送部３ａの多結晶シリコン電極１１ａにつないでい
る。そしてこの多結晶シリコン電極１１ａは信号電荷転
送部３ａの受光部１ａのない側のチャネルストップ１２
上で残りの多結晶シリコン電極１１ｂとコンタクト７に
よって接続されている。このように、パルスラインＬ１
からチャネルストップ１２上を通過して多結晶シリコン
電極１１ａを信号電荷転送部３ａの多結晶シリコン電極
１１ａに直に接続できるのは、信号電荷読み出し部２ａ
を構成する多結晶シリコン電極１１ｂとこれにチャネル
ストップ１２上で交差する多結晶シリコン電極１１ａと
が同一の多結晶シリコン電極でないためであることに注
意しておく。他の２色の受光部１ｂ、１ｃ、信号電荷読
み出し部２ｂ、２ｃ信号電荷転送部３ｂ、３ｃについて
も同様に、２種類の多結晶シリコン電極のうち１つ（１
１ａ）は受光部の各画素を分離するチャネルストップ１
２上を配線として通過させることができるので、この従
来例では、隣り合う色の受光部間にパルスラインとして
φ２クロックが印加されるもの１本だけを配置すればよ
い。
の符号のものはそれぞれ同一物を示す。また、図５−
（ｂ）において図３−（ｂ）と同一の符号のものはそれ
ぞれ同一物を示す。図３−（ｂ）において信号電荷転送
部３ａを構成する２種類の多結晶シリコン電極１１ａ、
１１ｂのうち、信号電荷読み出し部２ａを構成する多結
晶シリコン電極１１ｂに隣接する多結晶シリコン電極１
１ａは、信号電荷転送部３ａの受光部１ａのない側のチ
ャネルストップ１２上でもう一つの多結晶シリコン電極
１１ｂとコンタクト７によって接続され、この多結晶シ
リコン電極１１ｂはさらにφ１クロックが印加されるパ
ルスラインＬ２のアルミニウム配線５とコンタクト６に
よって接続されている。また、同じく信号電荷転送部３
ａを構成する残りの多結晶シリコン電極１１ａ、１１ｂ
については、受光部１ａの信号電荷転送部３ａのない側
に配置されたパルスラインＬ１（クロックはφ２）のア
ルミニウム配線５と多結晶シリコン電極１１ａがコンタ
クト６によって接続され、この多結晶シリコン電極１１
ａ自体をパルスラインＬ１から信号電荷転送部３ａへの
配線としてチャネルストップ１２上を通過させて信号電
荷転送部３ａの多結晶シリコン電極１１ａにつないでい
る。そしてこの多結晶シリコン電極１１ａは信号電荷転
送部３ａの受光部１ａのない側のチャネルストップ１２
上で残りの多結晶シリコン電極１１ｂとコンタクト７に
よって接続されている。このように、パルスラインＬ１
からチャネルストップ１２上を通過して多結晶シリコン
電極１１ａを信号電荷転送部３ａの多結晶シリコン電極
１１ａに直に接続できるのは、信号電荷読み出し部２ａ
を構成する多結晶シリコン電極１１ｂとこれにチャネル
ストップ１２上で交差する多結晶シリコン電極１１ａと
が同一の多結晶シリコン電極でないためであることに注
意しておく。他の２色の受光部１ｂ、１ｃ、信号電荷読
み出し部２ｂ、２ｃ信号電荷転送部３ｂ、３ｃについて
も同様に、２種類の多結晶シリコン電極のうち１つ（１
１ａ）は受光部の各画素を分離するチャネルストップ１
２上を配線として通過させることができるので、この従
来例では、隣り合う色の受光部間にパルスラインとして
φ２クロックが印加されるもの１本だけを配置すればよ
い。
【００２９】一方、図５−（ｂ）のカラーリニアイメー
ジセンサの場合、図３−（ｂ）の例に比べて受光部１ａ
と信号電荷読み出し部２ａの間に信号電荷蓄積部１０ａ
を設けている。この信号電荷蓄積部１０ａを構成する多
結晶シリコン電極は隣接する信号電荷読み出し部２ａを
構成する多結晶シリコン電極１１ｂとは同一のものは使
用できないので（同一にした場合両者はショートするか
隙間ができてしまうのは明らか）、２種類の多結晶シリ
コン電極のうち残りの１１ａを用いなければならない。
従って、図３−（ｂ）の例のようにφ２クロックが印加
されるパルスラインを受光部の信号電荷転送部のない側
に配置し、多結晶シリコン電極１１ａを受光部１ａの各
画素を分離するチャネルストップ上に直に配線して信号
電荷転送部３ａを構成する多結晶シリコン電極１１ａに
接続することはできない。このため、φ２クロックが印
加されるパルスラインＬ７もφ１クロックが印加される
パルスラインＬ６と同様に信号電荷転送部３ａと隣接す
る色の受光部１ｂの間に配置しなければならない。この
結果、図５−（ｂ）のカラーリニアイメージセンサでは
隣り合う受光部、例えば１ａと１ｂの間に信号電荷転送
部３ａを構成するＣＣＤシフトレジスタを駆動する２つ
のパルスラインを２本とも配置しなければならないの
で、図３−（ｂ）で示した従来例に比べて本例は隣り合
う受光部間のライン間距離が増加することになる。具体
的には、図３−（ｂ）のライン間距離を見積もった時
の、ライン間距離を定める各要因の数値をもとに、
（１）受光部の１画素のサイズが８μｍ、（２）信号電
荷読み出し部のサイズが１０μｍ、（３）信号電荷転送
部のサイズが１８μｍ、（４）信号電荷転送部とその隣
の受光部列の間の素子分離領域のサイズ（２本あるパル
スラインのサイズを含む）が４９μｍ、（５）信号電荷
蓄積部のサイズが８μｍ、その他に（２）と（３）の接
続部分のサイズ３μｍを合わせてライン間距離は全部で
９６μｍ（Ｍ＝１２）となる。これは図３−（ｂ）の従
来例と比べて５０％ものライン間距離の増加となり、本
例では残像の低減は実現されるものの、カラーリニアイ
メージセンサとしては不適当である。
ジセンサの場合、図３−（ｂ）の例に比べて受光部１ａ
と信号電荷読み出し部２ａの間に信号電荷蓄積部１０ａ
を設けている。この信号電荷蓄積部１０ａを構成する多
結晶シリコン電極は隣接する信号電荷読み出し部２ａを
構成する多結晶シリコン電極１１ｂとは同一のものは使
用できないので（同一にした場合両者はショートするか
隙間ができてしまうのは明らか）、２種類の多結晶シリ
コン電極のうち残りの１１ａを用いなければならない。
従って、図３−（ｂ）の例のようにφ２クロックが印加
されるパルスラインを受光部の信号電荷転送部のない側
に配置し、多結晶シリコン電極１１ａを受光部１ａの各
画素を分離するチャネルストップ上に直に配線して信号
電荷転送部３ａを構成する多結晶シリコン電極１１ａに
接続することはできない。このため、φ２クロックが印
加されるパルスラインＬ７もφ１クロックが印加される
パルスラインＬ６と同様に信号電荷転送部３ａと隣接す
る色の受光部１ｂの間に配置しなければならない。この
結果、図５−（ｂ）のカラーリニアイメージセンサでは
隣り合う受光部、例えば１ａと１ｂの間に信号電荷転送
部３ａを構成するＣＣＤシフトレジスタを駆動する２つ
のパルスラインを２本とも配置しなければならないの
で、図３−（ｂ）で示した従来例に比べて本例は隣り合
う受光部間のライン間距離が増加することになる。具体
的には、図３−（ｂ）のライン間距離を見積もった時
の、ライン間距離を定める各要因の数値をもとに、
（１）受光部の１画素のサイズが８μｍ、（２）信号電
荷読み出し部のサイズが１０μｍ、（３）信号電荷転送
部のサイズが１８μｍ、（４）信号電荷転送部とその隣
の受光部列の間の素子分離領域のサイズ（２本あるパル
スラインのサイズを含む）が４９μｍ、（５）信号電荷
蓄積部のサイズが８μｍ、その他に（２）と（３）の接
続部分のサイズ３μｍを合わせてライン間距離は全部で
９６μｍ（Ｍ＝１２）となる。これは図３−（ｂ）の従
来例と比べて５０％ものライン間距離の増加となり、本
例では残像の低減は実現されるものの、カラーリニアイ
メージセンサとしては不適当である。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部にそ
れぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄積部
に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄積部
から前記信号電荷読み出し部によって読み出された信号
電荷を信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部を持
つカラーリニアイメージセンサにおいて、前記信号電荷
読み出し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表面部
に選択的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前記Ｎ
（またはＰ）型領域の表面部に選択的に形成された第１
のＰ（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（またはＮ）
型領域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極から
構成され、さらに前記信号電荷読み出し部を形成する電
極と、前記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読み出
し部に隣接する部分を形成する電極とを電気的に接続
し、両者の駆動パルスを共通にし（φ１（ＴＧ））、さ
らに前記信号電荷蓄積部を形成する電極には、ＤＣ電圧
ではなくパルスを印加することにより、あるいは、半導
体基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部に
それぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄積
部に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄積
部から前記信号電荷読み出し部によって読み出された信
号電荷を信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部を
持つカラーリニアイメージセンサにおいて、前記信号電
荷読み出し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表面
部に選択的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前記
Ｎ（またはＰ）型領域の表面部に選択的に形成された第
１のＰ（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（または
Ｎ）型領域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極
から構成され、さらに前記信号電荷蓄積部を形成する電
極と、前記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読みだ
し部に隣接しない部分を形成する電極とを電気的に接続
し、両者にはＤＣ電圧ではなく共通の駆動パルスφ２
（ＳＴ）を印加することにより隣り合う受光部列の間の
ライン間距離を大幅に増加させることなく残像を低減さ
せることができる。
基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部にそ
れぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄積部
に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄積部
から前記信号電荷読み出し部によって読み出された信号
電荷を信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部を持
つカラーリニアイメージセンサにおいて、前記信号電荷
読み出し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表面部
に選択的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前記Ｎ
（またはＰ）型領域の表面部に選択的に形成された第１
のＰ（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（またはＮ）
型領域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極から
構成され、さらに前記信号電荷読み出し部を形成する電
極と、前記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読み出
し部に隣接する部分を形成する電極とを電気的に接続
し、両者の駆動パルスを共通にし（φ１（ＴＧ））、さ
らに前記信号電荷蓄積部を形成する電極には、ＤＣ電圧
ではなくパルスを印加することにより、あるいは、半導
体基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部に
それぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄積
部に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄積
部から前記信号電荷読み出し部によって読み出された信
号電荷を信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部を
持つカラーリニアイメージセンサにおいて、前記信号電
荷読み出し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表面
部に選択的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前記
Ｎ（またはＰ）型領域の表面部に選択的に形成された第
１のＰ（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（または
Ｎ）型領域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極
から構成され、さらに前記信号電荷蓄積部を形成する電
極と、前記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読みだ
し部に隣接しない部分を形成する電極とを電気的に接続
し、両者にはＤＣ電圧ではなく共通の駆動パルスφ２
（ＳＴ）を印加することにより隣り合う受光部列の間の
ライン間距離を大幅に増加させることなく残像を低減さ
せることができる。
【００３１】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
図１−（ａ）は、本発明の一実施例を示すカラーリニア
イメージセンサの全体構成図である。
図１−（ａ）は、本発明の一実施例を示すカラーリニア
イメージセンサの全体構成図である。
【００３２】図１−（ａ）において、図３−（ａ）で示
した従来例と同一の符号のものは同一物を示す。
した従来例と同一の符号のものは同一物を示す。
【００３３】本実施例では、各色の受光部１ａ、１ｂ、
１ｃと信号電荷読み出し部２ａ、２ｂ、２ｃの間に信号
電荷蓄積部１０ａ、１０ｂ、１０ｃをそれぞれ設け、こ
れらの信号電荷蓄積部１０ａ、１０ｂ、１０ｃにはクロ
ックパルスφSTを印加する。一方、信号電荷読み出し部
２ａ、２ｂ、２ｃを構成する電極と、信号電荷転送部３
ａ、３ｂ、３ｃのうちそれぞれの信号電荷読み出し部に
隣接した部分を構成する電極を電気的に接続し、パルス
φ１（ＴＧ）を印加する。（パルスラインは図示せ
ず。）Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４はそれぞれ信号電荷転送
部３ａ、３ｂ、３ｃに印加される２相パルスのうち、φ
１（ＴＧ）と異なるパルス（φ２）が印加されるパルス
ラインである。
１ｃと信号電荷読み出し部２ａ、２ｂ、２ｃの間に信号
電荷蓄積部１０ａ、１０ｂ、１０ｃをそれぞれ設け、こ
れらの信号電荷蓄積部１０ａ、１０ｂ、１０ｃにはクロ
ックパルスφSTを印加する。一方、信号電荷読み出し部
２ａ、２ｂ、２ｃを構成する電極と、信号電荷転送部３
ａ、３ｂ、３ｃのうちそれぞれの信号電荷読み出し部に
隣接した部分を構成する電極を電気的に接続し、パルス
φ１（ＴＧ）を印加する。（パルスラインは図示せ
ず。）Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４はそれぞれ信号電荷転送
部３ａ、３ｂ、３ｃに印加される２相パルスのうち、φ
１（ＴＧ）と異なるパルス（φ２）が印加されるパルス
ラインである。
【００３４】図１−（ｂ）は図１−（ａ）において破線
Ｘ３で囲まれた領域の拡大図である。図１−（ｂ）にお
いて図１−（ａ）と同一符号のものはそれぞれ同一物を
示す。また、図１−（ｂ）において図３−（ｂ）と同一
符号のものはそれぞれ同一物を示す。図１−（ｂ）から
わかるようにこの実施例では、信号電荷蓄積部１０ａを
形成する電極は、信号電荷転送部３ａを形成する２種類
の多結晶シリコン電極１１ａ、１１ｂのうち多結晶シリ
コン電極１１ａと同一の電極によって形成されており、
クロックφSTが印加される。また、この信号電荷蓄積部
１０ａに隣接する信号電荷読み出し部２ａを形成する電
極は、同様に多結晶シリコン電極１１ｂによって形成さ
れており、この多結晶シリコン電極１１ｂは信号電荷転
送部３ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂの一部と
直接つながっている。（斜線部）さらに、この信号電荷
読み出し部２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂは
これに隣接する信号電荷転送部３ａの多結晶シリコン電
極１１ａと、コンタクト７によって電気的に接続されて
おり、クロックφ１（ＴＧ）が印加される。ここで、こ
のクロックφ１（ＴＧ）が印加されるアルミニウム配線
８は図３−（ｂ）の従来例と異なり、信号電荷読み出し
部２ａだけでなく２００〜５００ＰＦ程度の容量を持つ
信号電荷転送部３ａも駆動するため、信号電荷転送部３
ａにクロックφ２を印加するアルミニウム配線５と同程
度、例えば１５〜２０μｍの配線幅にして配線低抗を小
さくしておく。
Ｘ３で囲まれた領域の拡大図である。図１−（ｂ）にお
いて図１−（ａ）と同一符号のものはそれぞれ同一物を
示す。また、図１−（ｂ）において図３−（ｂ）と同一
符号のものはそれぞれ同一物を示す。図１−（ｂ）から
わかるようにこの実施例では、信号電荷蓄積部１０ａを
形成する電極は、信号電荷転送部３ａを形成する２種類
の多結晶シリコン電極１１ａ、１１ｂのうち多結晶シリ
コン電極１１ａと同一の電極によって形成されており、
クロックφSTが印加される。また、この信号電荷蓄積部
１０ａに隣接する信号電荷読み出し部２ａを形成する電
極は、同様に多結晶シリコン電極１１ｂによって形成さ
れており、この多結晶シリコン電極１１ｂは信号電荷転
送部３ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂの一部と
直接つながっている。（斜線部）さらに、この信号電荷
読み出し部２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂは
これに隣接する信号電荷転送部３ａの多結晶シリコン電
極１１ａと、コンタクト７によって電気的に接続されて
おり、クロックφ１（ＴＧ）が印加される。ここで、こ
のクロックφ１（ＴＧ）が印加されるアルミニウム配線
８は図３−（ｂ）の従来例と異なり、信号電荷読み出し
部２ａだけでなく２００〜５００ＰＦ程度の容量を持つ
信号電荷転送部３ａも駆動するため、信号電荷転送部３
ａにクロックφ２を印加するアルミニウム配線５と同程
度、例えば１５〜２０μｍの配線幅にして配線低抗を小
さくしておく。
【００３５】さて、本実施例の場合、隣り合う受光部間
のライン間距離は、図３−（ｂ）および図５−（ｂ）の
従来例のライン間距離を見積もった時のライン間距離を
定める各要因の数値をもとに、（１）受光部の１画素の
サイズが３μｍ、（２）信号電荷読み出し部のサイズが
１０μｍ、（３）信号電荷転送部のサイズが１８μｍ、
（４）信号電荷転送部とその隣の受光部列の間の素子分
離領域のサイズ（１本のパルスラインのサイズを含む）
が２５μｍ、（５）信号電荷蓄積部のサイズが８μｍ、
その他に（２）と（３）の接続領域のサイズ３μｍを合
わせてライン間距離は全部で７２μｍ（Ｍ＝９）とな
る。これは図５−（ｂ）に示した信号電荷蓄積部をもつ
従来例に比べてライン間距離として３３．３％少ない値
である。また、図３−（ｂ）に示した信号電荷蓄積部を
もたない従来例に比べても１２．５％の増加にとどまっ
ている。ここで信号電荷読み出し部と信号電荷転送部に
印加されるφ１（ＴＧ）のパルスライン（アルミニウム
配線８）は、これらの構成要因の配置上、信号電荷蓄積
部と信号電荷読み出し部と信号電荷転送部、およびそれ
ぞれの接続領域の上部に位置しているので上記のライン
間距離に含まれていることに注意しておく。
のライン間距離は、図３−（ｂ）および図５−（ｂ）の
従来例のライン間距離を見積もった時のライン間距離を
定める各要因の数値をもとに、（１）受光部の１画素の
サイズが３μｍ、（２）信号電荷読み出し部のサイズが
１０μｍ、（３）信号電荷転送部のサイズが１８μｍ、
（４）信号電荷転送部とその隣の受光部列の間の素子分
離領域のサイズ（１本のパルスラインのサイズを含む）
が２５μｍ、（５）信号電荷蓄積部のサイズが８μｍ、
その他に（２）と（３）の接続領域のサイズ３μｍを合
わせてライン間距離は全部で７２μｍ（Ｍ＝９）とな
る。これは図５−（ｂ）に示した信号電荷蓄積部をもつ
従来例に比べてライン間距離として３３．３％少ない値
である。また、図３−（ｂ）に示した信号電荷蓄積部を
もたない従来例に比べても１２．５％の増加にとどまっ
ている。ここで信号電荷読み出し部と信号電荷転送部に
印加されるφ１（ＴＧ）のパルスライン（アルミニウム
配線８）は、これらの構成要因の配置上、信号電荷蓄積
部と信号電荷読み出し部と信号電荷転送部、およびそれ
ぞれの接続領域の上部に位置しているので上記のライン
間距離に含まれていることに注意しておく。
【００３６】次に本実施例の製造方法について説明す
る。図１−（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図１−（ｂ）にお
けるＣ−Ｃ′およびＤ−Ｄ′断面図である。図１−
（ｃ）、（ｄ）において図１−（ｂ）と同一の符号のも
のはそれぞれ同一物を示す。また、図１−（ｃ）、
（ｄ）において図３−（ｃ）と同一の符号のものはそれ
ぞれ同一物を示す。図１−（ｃ）、（ｄ）において１３
はＮ型半導体基板である。このＮ型半導体基板１３上に
１０12〜１０13／ｃｍ2 程度の濃度のボロン等のＰ型不
純物をイオン注入し、さらに１２００℃程度の高温で１
０時間程度の熱拡散を行ってＰウェル１４をまず形成す
る。続いて受光部１ａ、信号電荷蓄積部１０ａ、信号電
荷読み出し部２ａおよび信号電荷転送部３ａを形成する
所定の場所に１００ＫｅＶ程度のエネルギーで、１０12
／ｃｍ2 程度の濃度のリンあるいは砒素等のＮ型不純物
をイオン注入し、さらに１０００℃程度の高温で３時間
程度の熱拡散をすることによりＮ型領域２１を形成す
る。その後５０ＫｅＶ程度のエネルギーで１０12／ｃｍ
2 程度の濃度のＰ型不純物をイオン注入して所定の場所
に素子分離領域１２を形成しＰウェル１４とともに外部
から基準電位（０Ｖ）をとる。１１ａ、１１ｂは厚さ４
００〜５００ｎｍ程度の多結晶シリコン電極であり、上
述した素子分離領域１２を形成した後、１００ｎｍ程度
の熱酸化膜１８を絶縁膜としてウェハー上にパターン形
成される。１６は受光部１ａを形成するためのＰ型領域
であり、多結晶シリコン電極１１ａを形成した後、Ｎ型
領域２１の表面部にこの多結晶シリコン電極１１ａをマ
スクにして４０ｅＶ程度のエネルギーで、１０12／ｃｍ
2 程度の濃度のボロン等のＰ型不純物をイオン注入し、
この多結晶シリコン電極１１ａとセルフアライン（自己
整合）で形成する。ここで、Ｐ型領域１６とＮ型領域２
１、Ｐウェル１４によって形成されるＰＮ接合によって
入射光は光電変換され、受光部としての動作をする。ま
た、Ｐウェル１４とＮ型領域２１、熱酸化膜１８、多結
晶シリコン電極１１ａによって埋め込みチャンネル型ト
ランジスタが形成され、信号電荷蓄積部１０ａおよび信
号電荷転送部３ａを形成する。ここで信号電荷蓄積部１
０ａを形成する多結晶シリコン電極１１ａには所定のタ
イミングでクロックφSTが印加される。１９は信号電荷
読み出し部２ａを形成するためのＰ型領域であり、信号
電荷蓄積部１０ａを形成する多結晶シリコン電極１１ａ
と、信号電荷転送部３ａを形成する多結晶シリコン電極
１１ａをマスクにして３０ＫｅＶ程度のエネルギーで、
１０11／ｃｍ2 程度の濃度のボロン等のＰ型不純物をＮ
型領域２１の表面部にイオン注入し、これらの多結晶シ
リコン電極１１ａとセルフアライン（自己整合）で形成
する。このような製造方法によって作られた本実施例で
は、信号電荷読み出し部２ａを形成するＰ型領域１９
が、隣接する信号電荷蓄積部１０ａおよび信号電荷転送
部３ａを形成する多結晶シリコン電極１１ａとセルフア
ラインで形成されているため、信号電荷読み出し部２ａ
の多結晶シリコン電極１１ｂの下のチャネル電位は一様
であり、図３−（ｄ）で示したようなチャネル電位の異
なる部分（２ａ１、２ａ２）が存在しない。従って、信
号電荷蓄積部１０ａから信号電荷読み出し部２ａを通過
して信号電荷転送部３ａに信号電荷が読み出される際に
信号電荷の転送残りは発生せず残像は発生しない。この
様子と本実施例における動作を以下に説明する。
る。図１−（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図１−（ｂ）にお
けるＣ−Ｃ′およびＤ−Ｄ′断面図である。図１−
（ｃ）、（ｄ）において図１−（ｂ）と同一の符号のも
のはそれぞれ同一物を示す。また、図１−（ｃ）、
（ｄ）において図３−（ｃ）と同一の符号のものはそれ
ぞれ同一物を示す。図１−（ｃ）、（ｄ）において１３
はＮ型半導体基板である。このＮ型半導体基板１３上に
１０12〜１０13／ｃｍ2 程度の濃度のボロン等のＰ型不
純物をイオン注入し、さらに１２００℃程度の高温で１
０時間程度の熱拡散を行ってＰウェル１４をまず形成す
る。続いて受光部１ａ、信号電荷蓄積部１０ａ、信号電
荷読み出し部２ａおよび信号電荷転送部３ａを形成する
所定の場所に１００ＫｅＶ程度のエネルギーで、１０12
／ｃｍ2 程度の濃度のリンあるいは砒素等のＮ型不純物
をイオン注入し、さらに１０００℃程度の高温で３時間
程度の熱拡散をすることによりＮ型領域２１を形成す
る。その後５０ＫｅＶ程度のエネルギーで１０12／ｃｍ
2 程度の濃度のＰ型不純物をイオン注入して所定の場所
に素子分離領域１２を形成しＰウェル１４とともに外部
から基準電位（０Ｖ）をとる。１１ａ、１１ｂは厚さ４
００〜５００ｎｍ程度の多結晶シリコン電極であり、上
述した素子分離領域１２を形成した後、１００ｎｍ程度
の熱酸化膜１８を絶縁膜としてウェハー上にパターン形
成される。１６は受光部１ａを形成するためのＰ型領域
であり、多結晶シリコン電極１１ａを形成した後、Ｎ型
領域２１の表面部にこの多結晶シリコン電極１１ａをマ
スクにして４０ｅＶ程度のエネルギーで、１０12／ｃｍ
2 程度の濃度のボロン等のＰ型不純物をイオン注入し、
この多結晶シリコン電極１１ａとセルフアライン（自己
整合）で形成する。ここで、Ｐ型領域１６とＮ型領域２
１、Ｐウェル１４によって形成されるＰＮ接合によって
入射光は光電変換され、受光部としての動作をする。ま
た、Ｐウェル１４とＮ型領域２１、熱酸化膜１８、多結
晶シリコン電極１１ａによって埋め込みチャンネル型ト
ランジスタが形成され、信号電荷蓄積部１０ａおよび信
号電荷転送部３ａを形成する。ここで信号電荷蓄積部１
０ａを形成する多結晶シリコン電極１１ａには所定のタ
イミングでクロックφSTが印加される。１９は信号電荷
読み出し部２ａを形成するためのＰ型領域であり、信号
電荷蓄積部１０ａを形成する多結晶シリコン電極１１ａ
と、信号電荷転送部３ａを形成する多結晶シリコン電極
１１ａをマスクにして３０ＫｅＶ程度のエネルギーで、
１０11／ｃｍ2 程度の濃度のボロン等のＰ型不純物をＮ
型領域２１の表面部にイオン注入し、これらの多結晶シ
リコン電極１１ａとセルフアライン（自己整合）で形成
する。このような製造方法によって作られた本実施例で
は、信号電荷読み出し部２ａを形成するＰ型領域１９
が、隣接する信号電荷蓄積部１０ａおよび信号電荷転送
部３ａを形成する多結晶シリコン電極１１ａとセルフア
ラインで形成されているため、信号電荷読み出し部２ａ
の多結晶シリコン電極１１ｂの下のチャネル電位は一様
であり、図３−（ｄ）で示したようなチャネル電位の異
なる部分（２ａ１、２ａ２）が存在しない。従って、信
号電荷蓄積部１０ａから信号電荷読み出し部２ａを通過
して信号電荷転送部３ａに信号電荷が読み出される際に
信号電荷の転送残りは発生せず残像は発生しない。この
様子と本実施例における動作を以下に説明する。
【００３７】図１−（ｅ）は図１−（ａ）〜（ｄ）で示
した本実施例のタイミングチャートおよびその各時刻
（ｔ１〜ｔ７）における図１−（ｃ）、（ｄ）で示す断
面図の各部分のチャネル電位を示すものである。時刻ｔ
１までの期間に受光部１ａに入射した光は光電変換され
て信号電荷蓄積部１０ａに蓄積される。（信号電荷Ｑ
ｉ）時刻ｔ２において、信号電荷読み出し部２ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ｂと、この信号電荷読み出
し部２ａに接続された信号電荷転送部３ａを形成する多
結晶シリコン電極１１ｂに印加されるパルスφ１（Ｔ
Ｇ）がＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルに変化し、蓄積
された信号電荷Ｑｉは信号電荷読み出し部２ａを通って
信号電荷転送部３ａに転送される。ここで、信号電荷読
み出し部２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂの下
は、Ｎ型領域２１の表面部にＰ型領域１９が、隣接する
信号電荷蓄積部１１ａおよび信号電荷転送部３ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ａとセルフアラインで形成
されているため、そのチャネル電位は一様であり、この
時刻ｔ２において信号電荷Ｑｉが信号電荷蓄積部１０ａ
から信号電荷転送部３ａまで転送される途中に信号電荷
の転送残りが発生する場所は存在しない。
した本実施例のタイミングチャートおよびその各時刻
（ｔ１〜ｔ７）における図１−（ｃ）、（ｄ）で示す断
面図の各部分のチャネル電位を示すものである。時刻ｔ
１までの期間に受光部１ａに入射した光は光電変換され
て信号電荷蓄積部１０ａに蓄積される。（信号電荷Ｑ
ｉ）時刻ｔ２において、信号電荷読み出し部２ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ｂと、この信号電荷読み出
し部２ａに接続された信号電荷転送部３ａを形成する多
結晶シリコン電極１１ｂに印加されるパルスφ１（Ｔ
Ｇ）がＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルに変化し、蓄積
された信号電荷Ｑｉは信号電荷読み出し部２ａを通って
信号電荷転送部３ａに転送される。ここで、信号電荷読
み出し部２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂの下
は、Ｎ型領域２１の表面部にＰ型領域１９が、隣接する
信号電荷蓄積部１１ａおよび信号電荷転送部３ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ａとセルフアラインで形成
されているため、そのチャネル電位は一様であり、この
時刻ｔ２において信号電荷Ｑｉが信号電荷蓄積部１０ａ
から信号電荷転送部３ａまで転送される途中に信号電荷
の転送残りが発生する場所は存在しない。
【００３８】ｔ３以後の時刻においては、信号電荷蓄積
部１０ａでは、受光部１ａで光電変換された次のライン
の信号電荷ｑｉがしだいに蓄積されていく（信号電荷量
は蓄積時間に比例）。また、信号電荷転送部３ａでは互
いに逆相のパルスφ１（ＴＧ）とφ２によって信号電荷
Ｑｉの転送が行われる。ここで、信号電荷転送期間中
（ｔ３〜ｔ７およびそれ以後）においては、信号電荷蓄
積部１０ａに印加するパルスφSTをパルスφ１（ＴＧ）
と同電位かそれより高いようにしておく。これは、信号
電荷読み出し部２ａが上述したようにＮ型領域２１の表
面部にＰ型領域１９を設けてあり、印加電圧が同じなら
ば隣接する信号電荷蓄積部１０ａのチャネル電位よりも
Ｐ型領域１９のある分だけ必ず低い（電位差をＶＢとす
る）ことを利用し、転送される信号電荷Ｑｉと蓄積され
る次のラインの信号電荷ｑｉが混合しないようにするた
めである。すなわち、本実施例においては信号電荷蓄積
部１０ａで蓄積される最大電荷量はこの電位差ＶＢで定
まる。
部１０ａでは、受光部１ａで光電変換された次のライン
の信号電荷ｑｉがしだいに蓄積されていく（信号電荷量
は蓄積時間に比例）。また、信号電荷転送部３ａでは互
いに逆相のパルスφ１（ＴＧ）とφ２によって信号電荷
Ｑｉの転送が行われる。ここで、信号電荷転送期間中
（ｔ３〜ｔ７およびそれ以後）においては、信号電荷蓄
積部１０ａに印加するパルスφSTをパルスφ１（ＴＧ）
と同電位かそれより高いようにしておく。これは、信号
電荷読み出し部２ａが上述したようにＮ型領域２１の表
面部にＰ型領域１９を設けてあり、印加電圧が同じなら
ば隣接する信号電荷蓄積部１０ａのチャネル電位よりも
Ｐ型領域１９のある分だけ必ず低い（電位差をＶＢとす
る）ことを利用し、転送される信号電荷Ｑｉと蓄積され
る次のラインの信号電荷ｑｉが混合しないようにするた
めである。すなわち、本実施例においては信号電荷蓄積
部１０ａで蓄積される最大電荷量はこの電位差ＶＢで定
まる。
【００３９】次に本発明の別の実施例について説明す
る。図２−（ａ）は本発明のカラーリニアイメージセン
サの第２の実施例を示す全体構成図である。図２−
（ａ）において、図１−（ａ）と同一の符号の物はそれ
ぞれ同一物である。本実施例では、各色の受光部１ａ、
１ｂ、１ｃと信号電荷読み出し部２ａ、２ｂ、２ｃの間
に設けられた信号電荷蓄積部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ
と、信号電荷転送部３ａ、３ｂ、３ｃのうちそれぞれ信
号電荷読み出し部に隣接しない部分を構成する電極を電
気的に接続し、パルスφ２（ＳＴ）を印加する。Ｌ１
５、Ｌ１９はそのパルスラインである。Ｌ１６、Ｌ１
７、Ｌ１８はそれぞれの信号電荷転送部３ａ、３ｂ、３
ｃに印加される２相パルスのうち、φ２（ＳＴ）と異な
るパルス（φ１）が印加されるパルスラインである。
る。図２−（ａ）は本発明のカラーリニアイメージセン
サの第２の実施例を示す全体構成図である。図２−
（ａ）において、図１−（ａ）と同一の符号の物はそれ
ぞれ同一物である。本実施例では、各色の受光部１ａ、
１ｂ、１ｃと信号電荷読み出し部２ａ、２ｂ、２ｃの間
に設けられた信号電荷蓄積部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ
と、信号電荷転送部３ａ、３ｂ、３ｃのうちそれぞれ信
号電荷読み出し部に隣接しない部分を構成する電極を電
気的に接続し、パルスφ２（ＳＴ）を印加する。Ｌ１
５、Ｌ１９はそのパルスラインである。Ｌ１６、Ｌ１
７、Ｌ１８はそれぞれの信号電荷転送部３ａ、３ｂ、３
ｃに印加される２相パルスのうち、φ２（ＳＴ）と異な
るパルス（φ１）が印加されるパルスラインである。
【００４０】図２−（ｂ）は図２−（ａ）において破線
Ｘ４で囲まれた領域の拡大図である。図２−（ｂ）にお
いて図２−（ａ）と同一符号のものはそれぞれ同一物を
示す。また、図２−（ｂ）において図１−（ｂ）と同一
符号のものはそれぞれ同一物を示す。図２−（ｂ）から
わかるようにこの実施例では、信号電荷蓄積部１０ａを
形成する電極は、信号電荷転送部３ａを形成する２種類
の多結晶シリコン電極１１ａ、１１ｂのうち多結晶シリ
コン電極１１ａと同一の電極によって形成されており、
素子分離領域１２上で、信号電荷転送部３ａのうち信号
電荷読み出し部２ａに隣接しない部分を形成する多結晶
シリコン電極１１ａとパルスラインＬ１５を形成する多
結晶シリコン電極１１ａとそれぞれ直接つながっており
（斜線部）、クロックφ２（ＳＴ）が印加される。ま
た、この信号電荷蓄積部１０ａに隣接する信号電荷読み
出し部２ａを形成する電極は、同様に多結晶シリコン電
極１１ｂによって形成されており、従来例と同様の信号
電荷読み出しパルスφＴＧが印加される。
Ｘ４で囲まれた領域の拡大図である。図２−（ｂ）にお
いて図２−（ａ）と同一符号のものはそれぞれ同一物を
示す。また、図２−（ｂ）において図１−（ｂ）と同一
符号のものはそれぞれ同一物を示す。図２−（ｂ）から
わかるようにこの実施例では、信号電荷蓄積部１０ａを
形成する電極は、信号電荷転送部３ａを形成する２種類
の多結晶シリコン電極１１ａ、１１ｂのうち多結晶シリ
コン電極１１ａと同一の電極によって形成されており、
素子分離領域１２上で、信号電荷転送部３ａのうち信号
電荷読み出し部２ａに隣接しない部分を形成する多結晶
シリコン電極１１ａとパルスラインＬ１５を形成する多
結晶シリコン電極１１ａとそれぞれ直接つながっており
（斜線部）、クロックφ２（ＳＴ）が印加される。ま
た、この信号電荷蓄積部１０ａに隣接する信号電荷読み
出し部２ａを形成する電極は、同様に多結晶シリコン電
極１１ｂによって形成されており、従来例と同様の信号
電荷読み出しパルスφＴＧが印加される。
【００４１】さて、本実施例の場合、隣り合う受光部間
のライン間距離は、図１−（ｂ）の実施例の場合と同様
に、（１）受光部の１画素のサイズが８μｍ、（２）信
号電荷読み出し部のサイズが１０μｍ、（３）信号電荷
転送部のサイズが１８μｍ、（４）信号電荷転送部とそ
の隣の受光部列の間の素子分離領域のサイズ（１本のパ
ルスラインのサイズを含む）が２５μｍ、（５）信号電
荷蓄積部のサイズが８μｍ、その他に（２）と（３）の
接続領域のサイズ３μｍを合わせてライン間距離は全部
で７２μｍ（Ｍ＝９）となり、第１の実施例の場合と同
一のライン間距離を実現できる。
のライン間距離は、図１−（ｂ）の実施例の場合と同様
に、（１）受光部の１画素のサイズが８μｍ、（２）信
号電荷読み出し部のサイズが１０μｍ、（３）信号電荷
転送部のサイズが１８μｍ、（４）信号電荷転送部とそ
の隣の受光部列の間の素子分離領域のサイズ（１本のパ
ルスラインのサイズを含む）が２５μｍ、（５）信号電
荷蓄積部のサイズが８μｍ、その他に（２）と（３）の
接続領域のサイズ３μｍを合わせてライン間距離は全部
で７２μｍ（Ｍ＝９）となり、第１の実施例の場合と同
一のライン間距離を実現できる。
【００４２】次に本実施例の製造方法について説明す
る。図２−（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図２−（ｂ）にお
けるＥ−Ｅ′およびＦ−Ｆ′断面図である。図２−
（ｃ）、（ｄ）において図２−（ｂ）と同一の符号のも
のはそれぞれ同一物を示す。また、図２−（ｃ）、
（ｄ）において図１−（ｃ）、（ｄ）と同一の符号のも
のはそれぞれ同一物を示し、それらの製造方法は第１の
実施例で示したものと同一である。
る。図２−（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図２−（ｂ）にお
けるＥ−Ｅ′およびＦ−Ｆ′断面図である。図２−
（ｃ）、（ｄ）において図２−（ｂ）と同一の符号のも
のはそれぞれ同一物を示す。また、図２−（ｃ）、
（ｄ）において図１−（ｃ）、（ｄ）と同一の符号のも
のはそれぞれ同一物を示し、それらの製造方法は第１の
実施例で示したものと同一である。
【００４３】このような製造方法によって作られた本実
施例では、第１の実施例と同様に信号電荷読み出し部２
ａを形成するＰ型領域１９が、隣接する信号電荷蓄積部
１０ａおよび信号電荷転送部３ａを形成する多結晶シリ
コン電極１１ａとセルフアラインで形成されているた
め、信号電荷読み出し部２ａの多結晶シリコン電極１１
ｂの下のチャネル電位は一様であり、図４−（ｄ）で示
したようなチャネル電位の異なる部分（２ａ１、２ａ
２）が存在しない。従って、信号電荷蓄積部１０ａから
信号電荷読み出し部２ａを通過して信号電荷転送部３ａ
に信号電荷が読み出される際に信号電荷の転送残りは発
生せず残像は発生しない。この様子と本実施例における
動作を以下に説明する。
施例では、第１の実施例と同様に信号電荷読み出し部２
ａを形成するＰ型領域１９が、隣接する信号電荷蓄積部
１０ａおよび信号電荷転送部３ａを形成する多結晶シリ
コン電極１１ａとセルフアラインで形成されているた
め、信号電荷読み出し部２ａの多結晶シリコン電極１１
ｂの下のチャネル電位は一様であり、図４−（ｄ）で示
したようなチャネル電位の異なる部分（２ａ１、２ａ
２）が存在しない。従って、信号電荷蓄積部１０ａから
信号電荷読み出し部２ａを通過して信号電荷転送部３ａ
に信号電荷が読み出される際に信号電荷の転送残りは発
生せず残像は発生しない。この様子と本実施例における
動作を以下に説明する。
【００４４】図２−（ｅ）は図２−（ａ）〜（ｄ）で示
した本実施例のタイミングチャートおよびその各時刻
（ｔ１〜ｔ５）における図２−（ｃ）、（ｄ）で示す断
面図の各部分のチャネル電位を示すものである。時刻ｔ
１までの期間に受光部１ａに入射した光は光電変換され
て信号電荷蓄積部１０ａに蓄積される。（信号電荷Ｑ
ｉ）時刻ｔ２において、信号電荷読み出し部２ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ｂに印加されるパルスφＴ
ＧがＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルに変化し、蓄積さ
れた信号電荷Ｑｉは信号電荷読み出し部２ａを通って信
号電荷転送部３ａに転送される。ここで、信号電荷読み
出し部２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂの下
は、Ｎ型領域２１の表面部にＰ型領域１９が、隣接する
信号電荷蓄積部１１ａおよび信号電荷転送部３ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ａをセルフアラインで形成
されているため、そのチャネル電位は一様であり、この
時刻ｔ２において信号電荷Ｑｉが信号電荷蓄積部１０ａ
から信号電荷転送部３ａまで転送される途中に信号電荷
の転送残りが発生する場所は存在しない。
した本実施例のタイミングチャートおよびその各時刻
（ｔ１〜ｔ５）における図２−（ｃ）、（ｄ）で示す断
面図の各部分のチャネル電位を示すものである。時刻ｔ
１までの期間に受光部１ａに入射した光は光電変換され
て信号電荷蓄積部１０ａに蓄積される。（信号電荷Ｑ
ｉ）時刻ｔ２において、信号電荷読み出し部２ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ｂに印加されるパルスφＴ
ＧがＬＯＷレベルからＨＩＧＨレベルに変化し、蓄積さ
れた信号電荷Ｑｉは信号電荷読み出し部２ａを通って信
号電荷転送部３ａに転送される。ここで、信号電荷読み
出し部２ａを形成する多結晶シリコン電極１１ｂの下
は、Ｎ型領域２１の表面部にＰ型領域１９が、隣接する
信号電荷蓄積部１１ａおよび信号電荷転送部３ａを形成
する多結晶シリコン電極１１ａをセルフアラインで形成
されているため、そのチャネル電位は一様であり、この
時刻ｔ２において信号電荷Ｑｉが信号電荷蓄積部１０ａ
から信号電荷転送部３ａまで転送される途中に信号電荷
の転送残りが発生する場所は存在しない。
【００４５】ｔ３以後の時刻においては、信号電荷蓄積
部１０ａでは、受光部１ａで光電変換された次のライン
の信号電荷ｑｉにしだいに蓄積されていく（信号電荷量
は蓄積時間に比例）。また、信号電荷転送部３ａでは互
いに逆相のパルスφ１とφ２（ＳＴ）によって信号電荷
Ｑｉの転送が行われる。ここで、信号電荷転送期間中
（ｔ３〜ｔ５およびそれ以後）においては、信号電荷蓄
積部１０ａにも信号電荷転送パルスφ２（ＳＴ）が印加
されるが、第１の実施例と異なって信号電荷蓄積部１０
ａに隣接する信号電荷読み出し部２ａに印加されるパル
スφＴＧがＬＯＷレベルに保たれているため、転送され
る信号電荷Ｑｉと蓄積される次のラインの信号電荷ｑｉ
が混合されることはない。これは、信号電荷読み出し部
２ａが上述したようにＮ型領域２１の表面にＰ型領域１
９を設けてあり、印加電圧が同じならば隣接する信号電
荷蓄積部１０ａのチャネル電位よりもＰ型領域１９のあ
る分だけ必ず低い（電位差をＶＢとする）ためである。
すなわち、本実施例においては、第１の実施例に比べて
受光部１ａの各画素を分離するための素子分離領域１２
上でパルスラインと信号電荷蓄積部１０ａを構成する多
結晶シリコン電極１１ａを接続するため、受光部の有効
面積（受光部のうち素子分離領域以外の部分の面積）の
大きさに制限を受けるが、信号電荷の転送中に信号電荷
読み出し部２ａに印加されるパルスと信号電荷蓄積部１
０ａに印加されるパルスの間にタイミングの制約がない
利点がある。
部１０ａでは、受光部１ａで光電変換された次のライン
の信号電荷ｑｉにしだいに蓄積されていく（信号電荷量
は蓄積時間に比例）。また、信号電荷転送部３ａでは互
いに逆相のパルスφ１とφ２（ＳＴ）によって信号電荷
Ｑｉの転送が行われる。ここで、信号電荷転送期間中
（ｔ３〜ｔ５およびそれ以後）においては、信号電荷蓄
積部１０ａにも信号電荷転送パルスφ２（ＳＴ）が印加
されるが、第１の実施例と異なって信号電荷蓄積部１０
ａに隣接する信号電荷読み出し部２ａに印加されるパル
スφＴＧがＬＯＷレベルに保たれているため、転送され
る信号電荷Ｑｉと蓄積される次のラインの信号電荷ｑｉ
が混合されることはない。これは、信号電荷読み出し部
２ａが上述したようにＮ型領域２１の表面にＰ型領域１
９を設けてあり、印加電圧が同じならば隣接する信号電
荷蓄積部１０ａのチャネル電位よりもＰ型領域１９のあ
る分だけ必ず低い（電位差をＶＢとする）ためである。
すなわち、本実施例においては、第１の実施例に比べて
受光部１ａの各画素を分離するための素子分離領域１２
上でパルスラインと信号電荷蓄積部１０ａを構成する多
結晶シリコン電極１１ａを接続するため、受光部の有効
面積（受光部のうち素子分離領域以外の部分の面積）の
大きさに制限を受けるが、信号電荷の転送中に信号電荷
読み出し部２ａに印加されるパルスと信号電荷蓄積部１
０ａに印加されるパルスの間にタイミングの制約がない
利点がある。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部
にそれぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄
積部に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄
積部から前記信号電荷読み出し部によって読み出された
信号電荷を信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部
を持つカラーリニアイメージセンサにおいて、前記信号
電荷読み出し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表
面部に選択的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前
記Ｎ（またはＰ）型領域の表面部に選択的に形成された
第１のＰ（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（または
Ｎ）型領域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極
から構成され、さらに前記信号電荷読み出し部を形成す
る電極と、前記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読
み出し部に隣接する部分を形成する電極とを電気的に接
続し、両者の駆動パスルを共通にし（φ１（ＴＧ））、
さらに前記信号電荷蓄積部を形成する電極には、ＤＣ電
圧ではなくパルスを印加することにより、あるいは、半
導体基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部
にそれぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄
積部に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄
積部から前記信号電荷読み出し部によって読み出された
信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部を持つカラ
ーリニアイメージセンサにおいて、前記信号電荷読み出
し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表面部に選択
的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前記Ｎ（また
はＰ）型領域の表面部に選択的に形成された第１のＰ
（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（またはＮ）型領
域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極から構成
され、さらに前記信号電荷蓄積部を形成する電極と、前
記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読みだし部に隣
接しない部分を形成する電極とを電気的に接続し、両者
にはＤＣ電圧ではなく共通の駆動パルスφ２（ＳＴ）を
印加することにより、隣り合う受光部列の間にライン間
距離を１２．５％程度増加させるだけで残像を大幅（原
理的には０）に低減させることができるのでその効果は
大きい。
導体基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部
にそれぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄
積部に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄
積部から前記信号電荷読み出し部によって読み出された
信号電荷を信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部
を持つカラーリニアイメージセンサにおいて、前記信号
電荷読み出し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表
面部に選択的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前
記Ｎ（またはＰ）型領域の表面部に選択的に形成された
第１のＰ（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（または
Ｎ）型領域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極
から構成され、さらに前記信号電荷読み出し部を形成す
る電極と、前記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読
み出し部に隣接する部分を形成する電極とを電気的に接
続し、両者の駆動パスルを共通にし（φ１（ＴＧ））、
さらに前記信号電荷蓄積部を形成する電極には、ＤＣ電
圧ではなくパルスを印加することにより、あるいは、半
導体基板上に形成され、複数列の受光部と、前記受光部
にそれぞれ隣接する信号電荷蓄積部と、前記信号電荷蓄
積部に隣接する信号電荷読み出し部と、前記信号電荷蓄
積部から前記信号電荷読み出し部によって読み出された
信号電荷変換部まで転送する信号電荷転送部を持つカラ
ーリニアイメージセンサにおいて、前記信号電荷読み出
し部は、Ｐ（またはＮ）型半導体ウエルの表面部に選択
的に形成されたＮ（またはＰ）型領域と、前記Ｎ（また
はＰ）型領域の表面部に選択的に形成された第１のＰ
（またはＮ）型領域と、前記第１のＰ（またはＮ）型領
域の上にゲート絶縁膜を介して形成された電極から構成
され、さらに前記信号電荷蓄積部を形成する電極と、前
記信号電荷転送部のうち、前記信号電荷読みだし部に隣
接しない部分を形成する電極とを電気的に接続し、両者
にはＤＣ電圧ではなく共通の駆動パルスφ２（ＳＴ）を
印加することにより、隣り合う受光部列の間にライン間
距離を１２．５％程度増加させるだけで残像を大幅（原
理的には０）に低減させることができるのでその効果は
大きい。
【図１】本発明のカラーリニアイメージセンサの第１の
実施例を示す全体構成図。
実施例を示す全体構成図。
【図２】図１−（ａ）における破線Ｘ３で囲まれた領域
の拡大図。
の拡大図。
【図３】図１−（ｂ）におけるＣ−Ｃ′断面図。
【図４】図１−（ｂ）におけるＤ−Ｄ′断面図。
【図５】図１−（ａ）に示す本発明のカラーリニアイメ
ージセンサのタイミングチャートおよび図１−（ｃ）、
（ｄ）の各部におけるチャネル電位図。
ージセンサのタイミングチャートおよび図１−（ｃ）、
（ｄ）の各部におけるチャネル電位図。
【図６】本発明のカラーリニアイメージセンサの第２の
実施例を示す全体構成図。
実施例を示す全体構成図。
【図７】図２−（ａ）における破線Ｘ４で囲まれた領域
の拡大図。
の拡大図。
【図８】図２−（ｂ）におけるＥ−Ｅ′断面図。
【図９】図２−（ｂ）におけるＦ−Ｆ′断面図。
【図１０】図２−（ａ）に示す本発明のカラーリニアイ
メージセンサの第２の実施例のタイミングチャートおよ
び図２−（ｃ）、（ｄ）の各部におけるチャネル電位
図。
メージセンサの第２の実施例のタイミングチャートおよ
び図２−（ｃ）、（ｄ）の各部におけるチャネル電位
図。
【図１１】従来のカラーリニアイメージセンサの全体構
成図。
成図。
【図１２】図３−（ａ）における破線Ｘ１で囲まれた領
域の拡大図。
域の拡大図。
【図１３】図３−（ｂ）におけるＡ−Ａ′断面図。
【図１４】図３−（ｃ）における各部のチャネル電位
図。
図。
【図１５】図３−（ａ）に示す従来のカラーリニアイメ
ージセンサのタイミングチャート。
ージセンサのタイミングチャート。
【図１６】図３−（ｃ）において信号電荷読み出し部に
Ｎ型領域が存在しないような構造例。
Ｎ型領域が存在しないような構造例。
【図１７】図３−（ｆ）における各部のチャネル電位
図。
図。
【図１８】特公平８−１０７６０における図２−
（ａ）。
（ａ）。
【図１９】特公平８−１０７６０における図２−
（ｂ）。
（ｂ）。
【図２０】特公平８−１０７６０に示されたリニアイメ
ージセンサを用いてカラーリニアイメージセンサを構成
した例。
ージセンサを用いてカラーリニアイメージセンサを構成
した例。
【図２１】図５−（ａ）における破線Ｘ２で囲まれた領
域の拡大図。
域の拡大図。
１ａ、１ｂ、１ｃ 受光部 ２ａ、２ｂ、２ｃ 信号電荷読み出し部 ３ａ、３ｂ、３ｃ 信号電荷転送部 ４ａ、４ｂ、４ｃ 出力回路 ５、８ アルミニウム配線 ６、７、９ コンタクト １０ａ、１０ｂ、１０ｃ 信号電荷蓄積部 １１ａ、１１ｂ 多結晶シリコン電極 １２ 素子分離領域 Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ
９、Ｌ１０、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１
５、Ｌ１６、Ｌ１７、Ｌ１８、Ｌ１９ パルスライン １３ Ｎ型半導体基板 １４ Ｐウェル １５、１７、２１ Ｎ型領域 １６、１９ Ｐ型領域 １８ 熱酸化膜 １０１ Ｐ型シリコン基板 １０２ チャネルストップ領域 １０３ Ｎ型領域 １０４ Ｐ型領域 １０５ Ｐ型領域 １０６−１、２、３ ゲート絶縁膜 １０７ 蓄積ゲート電極 １０８ トランスファーゲート電極 １０９−１ａ ＣＣＤレジスタのゲート電極 １１０ 層間絶縁膜 １１１ 光シールド １１２ 光電変換部 １１３ 電荷蓄積部 １１４ トランスファーゲート部
９、Ｌ１０、Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１
５、Ｌ１６、Ｌ１７、Ｌ１８、Ｌ１９ パルスライン １３ Ｎ型半導体基板 １４ Ｐウェル １５、１７、２１ Ｎ型領域 １６、１９ Ｐ型領域 １８ 熱酸化膜 １０１ Ｐ型シリコン基板 １０２ チャネルストップ領域 １０３ Ｎ型領域 １０４ Ｐ型領域 １０５ Ｐ型領域 １０６−１、２、３ ゲート絶縁膜 １０７ 蓄積ゲート電極 １０８ トランスファーゲート電極 １０９−１ａ ＣＣＤレジスタのゲート電極 １１０ 層間絶縁膜 １１１ 光シールド １１２ 光電変換部 １１３ 電荷蓄積部 １１４ トランスファーゲート部
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成され、複数列の受光
部と、前記受光部にそれぞれ隣接する信号電荷蓄積部
と、前記信号電荷蓄積部に隣接する信号電荷読み出し部
と、前記信号電荷蓄積部から前記信号電荷読み出し部に
よって読み出された信号電荷を信号電荷変換部まで転送
する信号電荷転送部を持つカラーリニアイメージセンサ
において、前記信号電荷読み出し部は、一導伝型の半導
体ウエルの表面部に選択的に形成された第二導伝型の第
１の領域と、第１の領域の表面部に選択的に形成された
前記一導伝型領域の第２の領域と、前記第２の領域上に
ゲート絶縁膜を介して形成された電極から構成され、さ
らに前記信号電荷読み出し部を形成する電極と、前記信
号電荷転送部のうち、前記信号電荷読み出し部に隣接す
る部分を形成する電極とを電気的に接続したことを特徴
とするカラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項２】 前記受光部は、前記一導伝型の半導体ウ
エルの表面部に選択的に形成された前記第１の領域と前
記第１の領域の表面部に、前記信号電荷蓄積部を形成す
る電極に対してセルフアライン（自己整合）で形成され
た前記一導伝型の第３の領域からなり、さらに前記第３
の領域に前記一導伝型の半導体ウエルと同一の電位を印
加することを特徴とする請求項１記載のカラーリニアイ
メージセンサ。 - 【請求項３】 前記信号電荷読み出し部を構成する前記
第２の領域は、前記信号電荷蓄積部を形成する電極およ
び前記信号電荷転送部を形成する電極に対してセルフア
ライン（自己整合）で形成されていることを特徴とする
請求項１記載のカラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項４】 前記信号電荷転送部は２相駆動ＣＣＤシ
フトレジスタからなることを特徴とする請求項１記載の
カラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項５】 前記信号電荷読み出し部と、前記２相駆
動ＣＣＤシフトレジスタのうち、前記信号電荷読み出し
部に隣接した部分の駆動パルスを共通にし、前記信号電
荷蓄積部を形成する電極には、パルス信号を印加する手
段を備えることを特徴とする請求項４記載のカラーリニ
アイメージセンサ。 - 【請求項６】 前記信号電荷蓄積部を形成する電極に印
加される前記パルス信号は、前記信号電荷読み出し部お
よび前記２相駆動ＣＣＤシフトレジスタのうち、前記信
号電荷読み出し部に隣接した部分に共通に印加される第
１のパルスと、信号電荷を前記信号電荷蓄積部から前記
信号電荷転送部に読み出す期間以外は前記第１のパルス
と同電位または高いことを特徴とする請求項５記載のカ
ラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項７】 半導体基板上に形成され、複数列の受光
部と、前記受光部にそれぞれ隣接する信号電荷蓄積部
と、前記信号電荷蓄積部に隣接する信号電荷読み出し部
と、前記信号電荷蓄積部から前記信号電荷読み出し部に
よって読み出された信号電荷を信号電荷変換部まで転送
する信号電荷転送部を持つカラーリニアイメージセンサ
において、前記信号電荷読み出し部は、一導伝型の半導
体ウエルの表面部に選択的に形成された第二導伝型の第
１の領域と、前記第１の領域の表面部に選択的に形成さ
れた前記一導伝型の第２の領域と、前記第２の領域の上
にゲート絶縁膜を介して形成された電極から構成され、
さらに前記信号電荷蓄積部を形成する電極と、前記信号
電荷転送部のうち、前記信号電荷読みだし部に隣接しな
い部分を形成する電極とを電気的に接続したことを特徴
とするカラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項８】 前記受光部は、前記半導体ウエルの表面
部に選択的に形成された前記第１の領域と前記第１の領
域の表面部に、前記信号電荷蓄積部を形成する電極に対
してセルフアライン（自己整合）で形成された前記一導
伝型の第３の領域からなり、前記第３の領域に前記半導
体ウエルと同一の電位を印加することを特徴とする請求
項７に記載のカラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項９】 前記信号電荷読み出し部を構成する前記
第２の領域は、前記信号電荷蓄積部を形成する電極およ
び前記信号電荷転送部を形成する電極に対してセルフア
ライン（自己整合）で形成されていることを特徴とする
請求項８に記載のカラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項１０】 前記信号電荷転送部は２相駆動ＣＣＤ
シフトレジスタからなることを特徴とする請求項７に記
載のカラーリニアイメージセンサ。 - 【請求項１１】 前記信号電荷蓄積部と、前記２相駆動
ＣＣＤシフトレジスタのうち、前記信号電荷読み出し部
に隣接しない部分にはＤＣ電圧ではなく共通の駆動パル
スを印加する手段を有することを特徴とする請求項１０
に記載のカラーリニアイメージセンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00043798A JP3214428B2 (ja) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法 |
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