JPS63157452A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はリードフレームに関し、一層詳細には、半導体
素子等の電子部品を収容する樹脂封止型電子部品用パッ
ケージに用いるリードフレームであって、樹脂との密着
性に優れるリードフレームに関するものである。

（従来の技術） 樹脂封止型電子部品用パッケージを用いた半導体装置は
、半導体素子、リードフレームのインナーリード部等を
樹脂で封止して用いるのであるが、半導体素子が湿気等
を嫌うものであるため、樹脂とリードフレームとの密着
性に優れるものであることが要求されている。

従来上記の樹脂とリードフレームとの間の密着性を向上
させるために種々の手段が講じられている。

例えば、リードフレームに施すめっきの種類が検討され
ている。すなわち、種々のめっき膜の樹脂との密着性が
比較検討されている。

また、プレス加工あるいはエツチング加工等によってリ
ードフレーム表面になし地等の凹凸を形成し、樹脂との
間の物理的密着性の向上を図ることも試みられている。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の従来の手段には次のような問題点
がある。

すなわち、リードフレーム表面に施すめっきの種類を検
討することは有効であるが、新たなめっき浴の開発が必
要となるなど選定に時間を要する問題がある。

またプレス加工、エツチング加工等によってリードフレ
ーム表面に凹凸を形成するのは、凹凸の大きさ等のコン
トロールが難しく、工程が増加し、コストアレブの一因
となる。

そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
あり、その目的とするところは、樹脂との密着性が極め
て良好であり、また安価に供しうるリードフレームを提
供するにある。

（発明の概要） 上記目的による本発明に係るリードフレームでは、樹脂
封止型電子部品用パッケージに用いるリードフレームに
おいて、少なくとも樹脂に密着する部位の全体もしくは
一部分に、通常のめっきを下地として焼けめっきを施し
てなることを特徴としている。

（作用） 焼けめっきの凹凸により樹脂との物理的結合力が増大し
、樹脂との密着力が向上する。

（実施例） 以下には本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。

第１図はリードフレーム１０の説明図を示す。

１２はアウターリード、１４はインナーリードである。

１６は半導体素子（図示せず）が搭載されるステージで
あり、ステージサポートパー１８によってレール部２０
，２０に連結している。

ステージ１６に搭載した半導体素子はワイヤーボンディ
ングによりインナーリード１４との間の電気的導通が図
られる。

図中点線で示す領域は樹脂封止領域であり、半導体素子
、インナーリード１４等を樹脂中に封止する。

２２はダムバーであり、成形金型と共働して樹脂を堰止
めるものである。

本発明において特徴的なのは、リードフレーム１０の樹
脂との密着面の全面あるいは一部に焼けめっきを施した
点にある。焼けめっきとは、通常よりも高い電流密度で
析出させた結晶粒が粗大で表面の平滑度が悪いめっき表
面となっているめっき膜をいう。

なお焼けめっきをリードフレーム素材上に直接施すと、
密着性が悪く耐熱性の劣る脆い皮膜となる。そこで本発
明では、焼けめっきの下地として、耐熱性等の特性に優
れる通常のめっき膜を施し、この下地めっき上に焼けめ
っきを施すのである。

これにより、焼けめっきの緒特性は改善される。

なお焼けめっきは、そのめっき厚が厚いと、下地めっき
があっても当然に１危いものとなるので、焼けめっき厚
としては、１μｍ以下の厚さとなるようにするのがよい
。

焼けめっきの種類としては下地めっきと同材質のものと
するのが、下地めっきに引続いて同一の浴で焼けめっき
を施すことができて有利である。

しかし、焼けめっきを下地めっきと異なる材質のものと
することもできる。

めっきの種類としては、銀、ニッケル、銅、錫−ニッケ
ルめっき等が挙げられる。

焼けめっきを施す範囲は特に限定されない。

すなわち、樹脂を密着する範囲の全面、例えばインナー
リード１４、ステージ１６、ステージサトバー１８の対
応する部位全面に施すことができる。

ステージ１６上に焼けめっきを施すと、半導体素子の固
定の障害となると推測されるが、実用上特に問題はなく
、半導体素子をステージ１６上にはんだを用いて固定す
る場合においては、表面が焼けめっきであれば、かえっ
て良好なはんだ濡れ性を示し、半導体素子を強固に固定
しうる。

焼けめっきが半導体素子の固定の際の障害となるもので
ある場合には、インナーリード１４のみに焼けめっきを
部分めっきするとよい。

また焼けめっきはリードフレーム１０の全面に施すので
もよい。この場合、アウターリード１２にも焼けめっき
が形成されるが、前述と同様に、半導体装置の外部接続
用としてアウターリード１２上に施されるはんだのはん
だ濡れ性を向上させることができる。

次にワイヤーボンディング性であるが、前述のように、
焼けめっきが、良好な通常の下地めっき上に１μｍ以下
程度の厚さに施される場合にはワイヤーボンディングに
全く支障を来さなかった。

本発明においては上記のように、リードフレームの樹脂
との密着部位に焼けめっきが施されてめっき表面の平滑
度が低く形成されているので樹脂との密着度が極めて良
好である。

因みにインナーリード１４に通常の銀めっきを施したリ
ードフレームの樹脂との密着度は、１００ピース中不良
が２〜３ピース見られたが、インナーリード１４に通常
の銀めっきを下地として焼は銀めっきを０．１μｍ施し
た場合の樹脂との密着度は、１００ピース中不良品が皆
無であった。

（発明の効果） 以上のように本発明によれば、通常の下地めっき上に平
滑度が低い焼けめっきを施しているので、樹脂と該焼け
めっきの表面との物理的結合力が増大し、樹脂との間の
密着力に優れるリードフレームを提供しえた。

また、焼けめっきは通常の下地めっき工程に引続いて施
すことができるので、別工程が増えるものでもなく、安
価なリードフレームが提供される。

以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。

【図面の簡単な説明】

第１図はリードフレームの概要を示す説明図である。 １０・・・リードフレーム、　　１２・・・アウターリ
ード、　　１４・　・　・インナーリード、１６・・・
ステージ、　　１８・・・ステージサポートバー、　２
０・・・レール部、　２２・・・ダムバー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止型電子部品用パッケージに用いるリードフ
   レームにおいて、 少なくとも樹脂に密着する部位の全体もしくは一部分に
   、通常のめっきを下地として焼けめっきを施してなるリ
   ードフレーム。 ２、下地めっきと焼けめっきとが同材質のものである特
   許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。