JPS63132233A - フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は写真製版可能なフォトレジスト組成物に関す
るものである。

〔従来の技術〕

例えば雑誌「日経ニューマテリアルスＪ　１９８６年２
月２４日号、第２５〜３９頁に示されているように、プ
リント基板の高密度化に従い、ソルダーレジストも従来
までのスクリーン印刷を用いてパターンを印刷する手法
から、より精密なパターンが形成可能な写真製版技術を
用いたフォトソルダーレジストへと移行しつつある。こ
のフォトソルダーレジストのタイプには大別して、ドラ
イフィルムタイプ、液状無溶剤タイプ（非接触露光タイ
プ）、液状溶剤タイプ（接触露光タイプ）の三種に分類
される。ドライフィルムタイプとは感光フィルムがベー
スフィルムと保護フィルムの間にラミネートされたもの
で、使用直前に保護フィルムをはがし、感光フィルムと
基板を熱圧着し、ベースフィルムの上にマスクをあてて
露光し、有機溶剤またはアルカリ水溶液で現像してパタ
ーンを得るものである。液状無溶剤タイプとは、ロール
コータ−、バーコーター、カーテンコーター、スクリー
ンベタ塗りなどにより基板に塗布し、レジストがマスク
に付着しないようにレジスト層とマスクの間にすき間を
あけて露光し、前記と同様に現像してパターンを得るも
のである。また液状溶剤タイプとは液状無溶剤タイプと
同様な手法で基板に塗付し、加熱によりレジスト中の溶
剤を蒸発させてレジスト表面をタックフリーの状態にし
た後、レジストの上にマスクをあてて露光し、同様に現
像してパターンを得るものである。これらのすべてのタ
イプのフォトソルダーレジストはパターン形成後、パタ
ーンの耐性を向上させるために後加熱処理、後露光処理
を行う。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このうちドライフィルムタイプは工程が簡雫であるが、
高価格で密着性も若干劣る。液状無溶剤タイプは露光に
平行光を用いるため露光機が窩くなり、非接触のため解
像度も劣る。液状溶剤タイプは塗布機溶剤を蒸発させな
ければならないため、スループットが悪く、現像時間も
長い、また液状フォトソルダーレジストは塗布の際１部
品穴やスルーホール内にレジストが入り込むので、小径
穴のある基板には用いることができなかったり、用いる
ことができたとしても現像に長時間かけなければならな
かったりする。

最近では小径スルーホール内のメッキを全て電解メッキ
で行うパートリ−アディティブ法が導入されつつあるが
、従来のフォトソルダーレジストではドライフィルムタ
イプの一部を除いては、強いアルカリ性無電解メッキ浴
に対する耐性が無いためパートリ−アディティブ法に適
用することができず、液状フォトソルダーレジストでパ
ートリ−アディティブ法に適用可能なものはまだ無いな
どの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、液状溶剤タイプあるいはドライフィルムタイ
プとして基板に塗布し、接触露光により露光することが
可能で、現像時間も短く、耐無電解メッキ浴性の優れた
フォトレジスト組成物を得ることを目的とする。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 この発明に係るフォトレジスト組成物は、（Ａ）感光性
成分と、 （８）エポキシ当量が３５０以上で含Ｂｒ率が全体の３
０％以上であるＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂 （ただしｎはＯ〜５の整数である） の両末端をアクリレートまたはメタクリレート変性した
Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート Ｈ （ただしＲはＣＨｌまたはＨ，ｎは０〜５の整数である
） のうち少なくとも一種からなるバインダー成分とを含む
ものである。

この発明のフォトレジスト組成物は、バインダーとして
上記ｎ式のＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリ
レートを用いるものであり、これらは一種または二種以
上を混合して用いても良い。

このＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート
は例えば上記１式で示されるＢｒ変性ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂をセロソルブアセテートなどの溶媒に溶
かし、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどを触媒
として、１２０℃にてアクリル酸またはメタクリル酸と
３〜８時間反応させることにより得られる。得られたＢ
ｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレートは仕込
んだエポキシ樹脂の分子量にて異なるが、すべて粘着性
のある半固体か固体であり、液状塗布する場合は主に固
体のアクリレートを、またドライフィルムとして用いる
場合には主に粘着性のある半固体状のアクリレートを用
いるのが好ましい。

これらのＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレ
ートはＢｒ変性してないものに比較して、それぞれの分
子量、融点の割にはフォトレジストの現像溶剤の主成分
である１、１．１−トリクロロエタンへの溶解性が良く
、これらのＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリ
レートをバインダー成分に適用したフォトレジストも、
Ｂｒ変性していないビスフェノールＡ型エポキシアクリ
レートを用いたフォトレジストと比較して、現像時間が
短縮される。また未露光部の現像液に対する溶解性が良
いので、例えば直径０．４ｍｍあるいは０．３ｍｍの小
径の穴に詰まったレジストも現像で除去することができ
る。さらにＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリ
レートは耐薬品性、耐熱性、難燃性に優れており、これ
をフォトレジストに適用することにより耐酸性、耐アル
カリ性、ハンダ耐熱性、難燃性などに優れたパターンが
得られる。

感光性成分としては光重合性モノマー、光重合性オリゴ
マーなどがある。特に現像性、ｌｌ燃性向上のためには
含Ｂｒ率が全体の３５％以上である光重合性モノマーを
フォトレジスト組成物の樹脂分会体の５〜７０重量％添
加するのが好ましく、これらのものの例としては５Ｒ−
８０３，５Ｒ−８０４，５Ｒ−３１４，５Ｒ−４１４、
ＧＸ−６０９９、ＧＸ−６０４５、ＧＸ−６０４３、Ｇ
Ｘ−６０９４、ＧＸ−６０９２、Ｄ−５００１（以上第
一工業製薬（株）製、育種）、ＢＰＳ−ＤＡＥ、　ＴＢ
Ｓ−２ＥＯ−ＤＡ　（以上日華化学工業（株）製、商ａ
）などがある。

本発明のフォトレジスト組成物は５〜７０重量％の感光
性成分および１５〜９０重量％のＢｒ変性ビスフェノー
ルＡ型エポキシアクリレートを含むのが好ましく、その
他に可撓性、密着性、現像性、難燃性、感度、塗布性な
どを付与させるために光重合開始剤、有機溶剤、消泡剤
、レベリング剤などを目的に応じて添加することができ
る。可撓性、密着性向上のためには脂肪族ウレタンジア
クリレート、ダイマー酸ジアクリレート、ネオペンチル
グリコール変成トリメチロールプロパンジアクリレート
、カプロラクトン変成ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、炭素数１０以上の長鎖脂肪族アクリレート
などを添加するが好ましく、これらがレジストの樹脂分
全体の５〜７０重量％になるように添加するのが好まし
い。これらのものの例としては例えばＲ−６０４、ＤＰ
ＣＡ−２０％ＤＰＣ＾−３０，ＤＰＣＡ−６０、ＤＰＣ
Ａ−１２０（以上日本化薬（株）製、商＃）ケミリンク
９５０３、ケミリンク９５０４．ケミリンク９５０５、
ケミリンク２０００　（以上サトマー（株）製、商１１
）、５ｐ−５００３（昭和高分子（株）製、商Ｗ）など
がある。

光重合開始剤としては例えば、２，２ジエトキシアセト
フエノン、アントラキノン、２−メチルアントラキノン
、２−ｔ−ブチルアントラキノン、ベンジルメチルケタ
ール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、１−
フェノール１，２−プロパンジオン−２−（〇−エトキ
シカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、Ｏ−ベンゾ
イン安息香酸メチル、ミヒラーズケトン、４−４′−ビ
スジエチルアミノベンゾフェノン。

４−４′−ジクロロベンゾフェノン、ベンジル、２−フ
ェニル−２−ヒドロキシアセトフェノン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、Ｐ−
ジメチルアミノ安息香酸、Ｐ−ジメチルアミノ安息香酸
エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸−２−エチルヘキ
シル、ｐ−ジメチル安息香酸イソアミル、ベンゾイン−
ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、
ベンゾインアルキルエーテル、４′−イソプロピル−２
−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオフェノン、ｐ−ジ
メチルアミノアセトフェノン。

ｐ−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブ
チルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メ
チルチオキサントン、クロロチオキサントン、２−イソ
プロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、２，５−
ビス−（４′−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタ
ノン、１−アセチルアミノ−４−二トロナフタレン、５
−ニトロアセナフテン、ｌ−ニトロピレン、α、α−ジ
クロロー４−フェノキシアセトフェノン、１−いること
ができる。

この発明のフォトレジスト組成物は例えばガラスエポキ
シ積層板、ガラスポリイミド積層板等のプリント基板製
造に使用される基板上に塗布し、ネガマスクを密着して
紫外光を照射するために乾燥した後、所定のネガマスク
を通して紫外光を照射し、有機溶媒によって現像を行い
、次いで焼成を行うことによって、耐無電解メッキ浴性
を有するメツキレシストパターンを形成する。

すなわち上記のようにして得られたフォトレジスト組成
物を例えばスピンコード、ディップコート、ローラーコ
ート、カーテンコート、スクリーン印刷のベタ塗りなど
によって、あるいはドライフィルム化して熱圧着により
ガラスエポキシ積層板、ガラスポリイミド積層板など各
種基板上に塗布する。基板と油膜の密着性を向上させる
ためには、溶剤や機械的研摩によって基板の粗化を行う
ことが望ましい。

上記のフォトレジスト組成物を塗布した基板は、液状塗
布したレジストについては所定の温度、時間でプリベー
キングを行い、溶剤の大部分を揮発させネガマスクを密
着させて露光するのに好ましい状態にした後、ネガマス
クを上から密着させて露光されるが、ドライフィルムに
ついてはすでに溶剤が除かれているので、圧着後３０分
間程室温に放置した後、カバーフィルムの上からネガマ
スクを密着させて露光される。次に室温〜８０℃程度の
温度下で１０〜６０分間程放置して重合を促進させた後
、１，１．１−トリクロロエタンまたはこれを主成分と
したレジスト用現像液、例えばエターナＶＧ、エターナ
ＩＲ（旭化成工業（株）製）、クロロセンＮＵ（ダウケ
ミカル社製）などでスプレーあるいは超音波を用いて現
像する。

この後水洗と乾燥を行い、所定の温度に３０分から３時
間さらすことによって完全に硬化を行う。

形成されたメツキレシストパターンは５０μ川までの解
像度を有しており、ｐＨ１２，５，７０〜８０℃の無電
解銅メッキ浴中で２４時間以上浸漬しても変化はみられ
ず、十分な耐無電解メッキ浴性を有している。

また０、３ｎｉｍ、　０．４＋＋＋ｍ、０．５ｍｍ、　
０．９＋＋＋ｍのドリル穴をあけた１、６ｔガラスエポ
キシ鋼張り積層板にロールコータ−で乾燥膜厚が３０μ
ｍになるように塗布してバターニングした場合でも、０
．９＠ｍと０　、５ｍｍの穴の中のレジストは板表面の
未露光部とほぼ同じ時間で現像でき、　０．４ａｍで板
表面の３〜５倍、　Ｏ，：３ｍｍで５〜６倍程度で現像
でき、しかも板表面のパタ−ン形状は全く変化せず、露
光部の膜減りも起こらない。

この発明のフォトレジスト組成物はバインダーにＢｒ変
性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレートを用いてい
るため、溶剤を蒸発させることにより粘着性のない固体
フィルム、あるいはわずかに粘着性を持つ半固体フィル
ムが得られ、液状溶剤タイプレジストまたはドライフィ
ルムタイプレジストとして基板に用いることができ、Ｂ
ｒ化の作用によりハロゲン系溶剤を用いての現像時間が
短くなる。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例について説明する。

製造例１ エピコート５０５１Ｈ（Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、エポキシ当量１２１４ｇ／５ｑｉｖ、油化
シェル（株）製、商ａ）２００ｇとセロソルブアセテー
ト１００ｇを３００ｍ１２四ツロフラスコ中で１２０℃
に加熱してエピコート５０５１）１を完全に溶解させ、
次に２−エチル−４−メチルイミダゾール２ｇ、メトキ
ノン０．３５ｇ、メタクリル酸１３．５．を加えて５時
間攪拌する。この系の酸価を測定し、０．１ｍｇ　ＫＯ
Ｈ／ｇ未満になるまで加熱攪拌を続ける。酸価が目標値
に達した後、室温で放冷し、Ｂｒ変性ビスフェノールＡ
型エポキシアクリレート試料１を得た。

製造例２ エピコート５０５１　（Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、エポキシ当量６１６ｇ／ｅｑｉｖ）２００
ｇとセロソルブアセテート７０ｇを３００ｍＱ四ツロフ
ラスコ中で１２０℃に加熱してエピコート５０５１を完
全に溶解させ、次に２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル２＆、メトキノン０．３５ｇ、メタクリル酸２６．６
ｇを加え、同様に酸価が０．１ｍｇ　ＫＯＨ／ｇに達す
るまで反応させてＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシ
アクリレート試料２を得た。

製造例３ ＡＥＲ−７５５（Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、エポキシ当量４６０ｇ／ｅｑｉｖ、　Ｍ化成工業
（株）１１、商標）　２００ｇとセロソルブアセテート
５０ｇを３００−四ツロフラスコ中で１２０℃に加熱し
てＡＥＲ−７５５を完全に溶解させ、次に２−エチル−
４−メチルイミダゾール２ｇ、メトキノン０．３５ｇ、
メタクリル酸３５．６ｇ加え、同様に反応させてＢｒ変
性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート試料３を得
た。

実施例Ｉ Ｖ置部 Ａ）　　Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレ
ート試料１２５ Ｂ）　　Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレ
ート試料２２５ Ｃ）　ケミリンク９５０３（サトマー（株）製）１０Ｄ
）　　Ｒ−６０４（日本化薬（株）製）　　　　　　　
　４Ｅ）　　ＧＸ−６０９４（第一工業製薬（株）製）
　　　　　４Ｆ）　　５Ｐ−５００３（昭和高分子（株
）製）　　　　　　４Ｇ）ベンゾフェノン　　　　　　
　　　　　　３Ｈ）　ミヒラーズケトン　　　　　　　
　　　　　２工）シリコーン消泡剤　　　　　　　　　
　　０．３Ｊ）　タルク　　　　　　　　　　　　　　
　　　　Ｏ，Ｓに）　フタロシアニングリーン　　　　
　　　　０．２Ｌ）セロソルブアセテート　　　　　　
　　２２Ａ）〜Ｌ）を三本ロールで均一に混練し、フォ
トレジスト試料１を得た。

実施例２ 重量部 Ａ）　　Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレ
ート試料２１０ Ｂ）　　Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレ
ート試料３４０ Ｃ）　ケミリンク９５０３　　　　　　　　　　　　５
Ｄ）　　ＤＰＣＡ−６０（日本化薬（株）Ｉｔ）　　　
　　　　　５Ｅ）　　Ｒ−６０４５ Ｆ）　　ＧＸ−６０９４５ Ｇ）　　５Ｐ−５００３３ Ｈ）ベンゾフェノン　　　　　　　　　　　　３工）　
ミヒラーズケトン　　　　　　　　　　　２Ｊ）シリコ
ーン消泡剤　　　　　　　　　　０．５Ｋ）　フタロシ
アニングリーン　　　　　　　０．２Ｌ）トルエン　　
　　　　　　　　　　　　　２１．３Ａ）〜Ｌ）を三本
ロールで均一に混練し、ロールコータ−を用いて厚さ２
５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に乾燥
膜厚が３０μｍになるように塗布した後、８０℃で５分
間温風乾燥し、その上から厚さ５０μ閣のポリエチレン
フィルムをかぶせてフォトレジスト試料２を得た。

実施例３ 重量部 Ａ）　　Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレ
ート試料１１０ Ｂ）　　Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレ
ート試料２　　　　　　　　　　４０Ｃ）　ケミリンク
９５０３　　　　　　　　　　　　５Ｄ）　　ＤＰＣＡ
−６０３ Ｅ）　　ＧＸ−６０９４４ Ｆ）　　５Ｐ−５００３３ Ｇ）ベンゾフェノン　　　　　　　　　　　　３Ｈ）　
ミヒラーズケトン　　　　　　　　　　　２工）　シリ
コーン消泡剤　　　　　　　　　　０．３Ｊ）　タルク
　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５Ｋ）　フタ
ロシアニングリーン　　　　　　　０．２Ｌ）セロソル
ブアセテート２９ Ａ）〜Ｌ）を三木ロールで均一に混練し、フォトレジス
ト試料３を得た。

比較例Ｉ Ｖ置部 Ａ）　　ＶＲ−６０（ビスフェノールＡ型エポキシアク
リレート、昭和高分子（株）製）６８．５％セロソルブ
アセテート溶液　　　　２５Ｂ）　　ＶＲ−９０（ビス
フェノールＡ型エポキシアクリレート、昭和高分子（株
）製）７６．６％セロソルブアセテート溶液　　　　２
５Ｃ）　ケミリンク９５０３　　　　　　　　　　　１
０Ｄ）　　Ｒ−６０４４ Ｅ）　　ＧＸ−６０９４４ Ｆ）　　５Ｐ−５００３４ Ｇ）ベンゾフェノン　　　　　　　　　　　　３日）　
ミヒラーズケトン　　　　　　　　　　　２工）シリコ
ーン消泡剤　　　　　　　　　　０．３５）　タルク　
　　　　　　　　　　　　　　　　０．５Ｋ）　フタロ
シアニングリーン　　　　　　　０．２Ｌ）セロソルブ
アセテート　　　　　　　　２２Ａ）〜Ｌ）を三本ロー
ルで均一に混練し、フォトレジスト比較試料１を得た。

比較例２ 重量部 Ａ）　　ＶＲ−６０６８，５％セロソルブアセテート溶
液　　　　　　　　　　　　　　　　　２０Ｂ）　　Ｖ
Ｒ−９０７６，６％ｆ＝ｏソ＃フ７セテート溶液　　　
　　　　　　　　　　　　　　１０Ｃ）　クレゾールボ
ラックエポキシアクリレート５０％セロソルブアセテー
ト溶液　　４０Ｄ）トリメチロールプロパントリアクリ
レート　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５Ｅ）
ベンゾフェノン　　　　　　　　　　　　３Ｆ）　ミヒ
ラーズケトン　　　　　　　　　　　２Ｇ）　シリコー
ン消泡剤　　　　　　　　　　Ｑ、３１４）　　タルク
　　　　　　　　　　　　　　　　　ｏ、５Ｘ）　フタ
ロシアニングリーン　　　　　　　　０．２Ｊ）セロソ
ルブアセテート１９ Ａ）〜Ｊ）を三木ロールで均一に混練し、フォトレジス
ト比較試料２を得た。

試験例 以上の実施例および比較例におけるフォトレジストは、
フォトレジスト試料２はドライフィルムラミネーターで
、その他はロールコータ−で乾燥膜厚が３０μｍ１にな
るように、０．３Ｇｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．
９＋ａ＋ａのドリルで貫通穴をあけた１、６ｔガラス工
ポキシ銅張積層板および１．６ｔガラス工ポキシｖｉ層
板に塗布し、フォトレジスト試料２は室温で３０分間、
他は８０℃温風下に４０分間放置し、３０〜２００μｍ
のラインアンドスペースパターン、直径０．１〜１　、
４ｍｍの丸形抜きパターンを含むネガ形フィルムマスク
をレジストに密着させ、超高圧水銀灯を用いて２００ａ
Ｊ／ａｊの光量で露光した。露光量マスクを取り除き、
室温に３０分間放置した後エターナＩＲ（主成分１．１
．１−トリクロロエタン旭化成工業（株）製）を用いて
１．５ｋｇ／ｃｎｆの圧力でスプレー現像を行った後、
水洗して良く水を切って８０℃で２０分間乾燥させ。

次に高圧水銀灯で２Ｊ／ａｉの後露光を行った後１３０
℃で１時間後加熱させ、フォトレジストを完全に硬化さ
せ、以下の評価を行った。

く現像時間〉 穴あき基板は各径の穴の中のレジストが完全に除去され
るまでの時間、他は１００μｍのラインアンドスペース
パターンが現像されるまでの時間を現像時間とした。

〈解像度〉 光学顕微鏡を用いラインアンドスペースパターンが変形
や現像残りすることなくパターニングされている最少幅
を解像度とした。

く密着性〉 レジスト膜のゴバン目クロスカット・セロハン剥離テー
プ試験（ＪＩＳ−００２０２）に従った。

く硬　度〉 鉛筆硬度試験（ＩＰＣ−ＳＭ−８４０Ａ）に従った。

〈電気特性〉 エツチング法によりくし型電極（、］ｌ５−Ｚ３１９７
）を形成し、５ｏｏｖ　ｉ分の印加電圧により絶縁抵抗
値を測定した。

〈半田耐熱性〉 ２６０℃±５℃の半田浴に６０秒浸漬して外観変化、密
着性変化を評価した。

く耐無電解メッキ浴性〉 ａ）　　Ｃｕ５Ｏ４ｒ５Ｈ，，０１０ｇｂ）エチレンジ
アミン四酢酸　　　　　　３０ｇＣ）ホルマリン（３７
％）　　　　　　　　　　　３ｍｊｌｄ）ポリエチレン
グリ：２−＃（Ｍｗ＝６００）　　２０ｇｅ）　　２，
２’−ジピリジル　　　　　　　　　　０．０３ｇｆ）
　　ＮａＯＨｌ１ｇ ｇ）水　　　　　　　　全体が１０００ｄになる量以上
の組成から成る無電解メッキ浴を８０’Ｃに保温し、あ
らかじめメッキ核を付着しである基板上にレジストを塗
付、パターニング、後硬化させた試料を２４時間浸漬し
た後取り出して水洗し、レジストの外観変化、密着性変
化を評価した。

これらの結果を表１に示す。

表１から明らかなように、フォトレジスト試料工ないし
３は比較試料１および２に比べて現像時間が短く、小径
穴のおいている基板の現像も可能である。また比較試料
２はクレゾールノボラック型エポキシアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレートなどの硬化収縮
の大きいものを用いているため、可撓性に欠け、クラッ
クやはがれが発生しやすく、銅表面への密着性も悪い。

比較試料１は現像液に対するレジストの溶解性が悪いた
め、１００μｍより細いパターニングができない。電気
物性、硬度はフォトレジスト試料、比較試料ともに、ソ
ルダーレジストとして充分な数値を示している。

以上の結果より、Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシ
アクリレートを用いたフォトレジストは小径スルホール
基板のソルダーレジストとして有効であり、かつ耐無電
解メッキ浴性があるため、パートリ−アディティブ法プ
リント基板のソルダーレジストとしても有効であること
が明らかである。

〔発明の効果〕

以上の通り、この発明によれば、バインダー成分として
Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレートを用
いたので、現像時間が短く、小径スルホールを有するプ
リント基板のソルダーレジストに適用可能なフォトレジ
スト組成物が得られる効果がある。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）（Ａ）感光性成分と、 （Ｂ）エポキシ当量が３５０以上で含Ｂｒ率が全体の３
   ０％以上であるＢｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹
   脂 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （ただしｎは０〜５の整数である） の両末端をアクリレートまたはメタクリレート変性した
   Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （ただしＲはＣＨ＿３またはＨ、ｎは０〜５の整数であ
   る） のうち少なくとも一種からなるバインダー成分とを含む
   ことを特徴とする写真製版可能なフォトレジスト組成物
   。
2. （２）Ｂｒ変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレー
   トを樹脂分全体の１５〜９０重量％含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載のフォトレジスト組成物。
3. （３）脂肪族ウレタンジアクリレート、ダイマー酸ジア
   クリレート、ネオペンチルグリコール変成トリメチロー
   ルプロパンジアクリレート、カプロラクトン変成ジペン
   タエリスリトールヘキサアクリレートおよび炭素数１０
   以上の長鎖脂肪族アクリレートのうち少なくとも一種を
   樹脂分全体の５〜７０重量％含むことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項または第２項記載のフォトレジスト組
   成物。
4. （４）感光性成分として含Ｂｒ率が全体の３５％以上で
   ある光重合性モノマーを樹脂分全体の５〜７０重量％含
   むことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
   のいずれかに記載のフォトレジスト組成物。