JPS63102270A - 反転型高電子移動度トランジスタ - Google Patents
反転型高電子移動度トランジスタInfo
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- JPS63102270A JPS63102270A JP24731386A JP24731386A JPS63102270A JP S63102270 A JPS63102270 A JP S63102270A JP 24731386 A JP24731386 A JP 24731386A JP 24731386 A JP24731386 A JP 24731386A JP S63102270 A JPS63102270 A JP S63102270A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7781—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with inverted single heterostructure, i.e. with active layer formed on top of wide bandgap layer, e.g. IHEMT
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、反転型高電子移動度トランジスタに於いて、
チャネル層の構成材料としてＩｎを含有した化合物半導
体を用い、しかも、そのＩｎの組成値をキャリヤ供給層
側から電極がコンタクトする表面側に向けてグレーデッ
ドとすることに依り、表面空乏層の拡がりを抑止できる
ようにしてチャネル層の薄層化を可能とし、その結果、
相互コンダクタンスｇｌＩを高めることができるように
したものである。
チャネル層の構成材料としてＩｎを含有した化合物半導
体を用い、しかも、そのＩｎの組成値をキャリヤ供給層
側から電極がコンタクトする表面側に向けてグレーデッ
ドとすることに依り、表面空乏層の拡がりを抑止できる
ようにしてチャネル層の薄層化を可能とし、その結果、
相互コンダクタンスｇｌＩを高めることができるように
したものである。
本発明は、チャネル層がキャリヤ供給層よりも表面側に
在る、所謂、反転型の高電子移動度トランジスタ（ｈｉ
ｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）の改良に関する。
在る、所謂、反転型の高電子移動度トランジスタ（ｈｉ
ｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）の改良に関する。
ＨＥＭＴの基本的構成には二種類あって、その一つは基
板側から見て、チャネル層の上にキャリヤ供給層及び電
極が順に形成されている通常型のもの、もう一つは基板
側から見て、キャリヤ供給層の上にチャネル層及び電極
が順に形成されている反転型のものである。また、その
構成材料としては、所謂、Ａ ｅ Ｇ ａ Ａ ｓ ／
Ｇ ａ Ａ ｓ系が多く用いられ、その場合、チャネ
ル層はＧａＡｓで、そして、キャリヤ供給層はＡβＧａ
Ａｓでそれぞれ構成するようにしている。
板側から見て、チャネル層の上にキャリヤ供給層及び電
極が順に形成されている通常型のもの、もう一つは基板
側から見て、キャリヤ供給層の上にチャネル層及び電極
が順に形成されている反転型のものである。また、その
構成材料としては、所謂、Ａ ｅ Ｇ ａ Ａ ｓ ／
Ｇ ａ Ａ ｓ系が多く用いられ、その場合、チャネ
ル層はＧａＡｓで、そして、キャリヤ供給層はＡβＧａ
Ａｓでそれぞれ構成するようにしている。
一般に、反転型ＨＥＭＴは通常型ＨＥＭＴに比較して利
点が極めて少なく、例えば、電極がＧａＡｓの上に形成
されるので通常型ＨＥＭＴのようにＡＪＧａＡｓの上に
形成するものと比較してコンタクトが良好であることぐ
らいのものであり、むしろ、大きな欠点を抱えている為
、用いられることが少ない。
点が極めて少なく、例えば、電極がＧａＡｓの上に形成
されるので通常型ＨＥＭＴのようにＡＪＧａＡｓの上に
形成するものと比較してコンタクトが良好であることぐ
らいのものであり、むしろ、大きな欠点を抱えている為
、用いられることが少ない。
その欠点の一つとして、チャネル層を厚くしなければな
らないことが挙げられる。
らないことが挙げられる。
反転型ＨＥＭＴは、通常型ＨＥＭＴと異なり、チャネル
層の表面にゲート電極を形成することができる為、ゲー
ト電極と二次元キャリヤ・ガス層との距離が短（、従っ
て、そのキャリヤ濃度を効率良く制御できる筈であるに
も拘わらず、実際には、表面空乏層が災いして、期待通
りにはならないのである。
層の表面にゲート電極を形成することができる為、ゲー
ト電極と二次元キャリヤ・ガス層との距離が短（、従っ
て、そのキャリヤ濃度を効率良く制御できる筈であるに
も拘わらず、実際には、表面空乏層が災いして、期待通
りにはならないのである。
第３図は反転型ＨＥＭＴの従来例を表す要部切断側面図
である。
である。
図に於いて、２１は半絶縁性のＧａＡｓ基板、２２はｎ
型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ電子供給層、２３はアン・ド
ープＧａＡｓチャネル層、２４はゲート電極、２５は二
次元電子ガス層、２６は表面空乏層をそれぞれ示してい
る。
型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ電子供給層、２３はアン・ド
ープＧａＡｓチャネル層、２４はゲート電極、２５は二
次元電子ガス層、２６は表面空乏層をそれぞれ示してい
る。
反転型ＨＥＭＴでは、最上層の半導体層であるチャネル
層２３の表面に於けるフェルミ・レベルが表面準位に依
ってピニングされ、ゲート電極を形成しない状態でも表
面が空乏化している。これについては、チャネル層２３
に金属材料のゲート電極２４を形成しても、その下の空
乏層幅が表面空乏層２６に於けるそれと殆ど変わらない
ことからも理解されよう。
層２３の表面に於けるフェルミ・レベルが表面準位に依
ってピニングされ、ゲート電極を形成しない状態でも表
面が空乏化している。これについては、チャネル層２３
に金属材料のゲート電極２４を形成しても、その下の空
乏層幅が表面空乏層２６に於けるそれと殆ど変わらない
ことからも理解されよう。
その為、二次元電子ガス層に於ける電子濃度の減少を生
じ、これを補う為にチャネル層２３をその分だけ厚くし
なければならず、その結果、相互コンダクタンスｇ、の
低下を招来する。
じ、これを補う為にチャネル層２３をその分だけ厚くし
なければならず、その結果、相互コンダクタンスｇ、の
低下を招来する。
このようなことから、折角、ゲート電極２４がチャネル
層２３の表面に形成された構造になっていながら、チャ
ネル層２３を厚（形成しなければならないことから、二
次元電子ガス層２５に於ける電子濃度の制御効率は悪く
、相互コンダクタンスｇ１は著しく小さくなってしまう
旨の欠点がある。
層２３の表面に形成された構造になっていながら、チャ
ネル層２３を厚（形成しなければならないことから、二
次元電子ガス層２５に於ける電子濃度の制御効率は悪く
、相互コンダクタンスｇ１は著しく小さくなってしまう
旨の欠点がある。
然しなから、このような反転型ＨＥＭＴであっても、チ
ャネル層２３を薄くして、しかも、二次元電子ガス層２
５が表面空乏層２６を被らないようにすることができれ
ば、通常型ＨＥＭＴと比較して相互コンダクタンスｇ、
は高くすることができる筈である。
ャネル層２３を薄くして、しかも、二次元電子ガス層２
５が表面空乏層２６を被らないようにすることができれ
ば、通常型ＨＥＭＴと比較して相互コンダクタンスｇ、
は高くすることができる筈である。
本発明は、従来の反転型ＨＥＭＴに比較して充分に薄い
チャネル層を有し、相互コンダクタンスｇ、、を向上し
たそれを提供しようとするものである。
チャネル層を有し、相互コンダクタンスｇ、、を向上し
たそれを提供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段〕
本発明に依るＨＥＭＴに於いては、Ｉｎの組成値を電極
がコンタクトする表面側に向かって太き（なるようにグ
レーデッドとした化合物半導体からなるチャネル層（例
えばチャネル層５Ａ及び５Ｂ）を有してなる構成になっ
ている。
がコンタクトする表面側に向かって太き（なるようにグ
レーデッドとした化合物半導体からなるチャネル層（例
えばチャネル層５Ａ及び５Ｂ）を有してなる構成になっ
ている。
前記手段を採ることに依り、チャネル層には表面空乏層
が拡がることはなくなるので、二次元キャリヤ・ガス層
が表面空乏層の悪影響を受けることは無くなり、従って
、チャネル層を薄くすることが可能となり、ゲート電極
と二次元キャリヤ・ガス層との距離が短くなって、相互
コンダクタンスｇａを高めることができて低消費電力化
されると共に二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ
・ガス濃度を効率よく制御することができるものである
。
が拡がることはなくなるので、二次元キャリヤ・ガス層
が表面空乏層の悪影響を受けることは無くなり、従って
、チャネル層を薄くすることが可能となり、ゲート電極
と二次元キャリヤ・ガス層との距離が短くなって、相互
コンダクタンスｇａを高めることができて低消費電力化
されると共に二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ
・ガス濃度を効率よく制御することができるものである
。
第１図（Ａ）は本発明一実施例の要部切断側面図、同（
Ｂ）は第１図（Ａ）に見られる反転型ＨＥＭＴのエネル
ギ・バンド・ダイヤグラムを表している。
Ｂ）は第１図（Ａ）に見られる反転型ＨＥＭＴのエネル
ギ・バンド・ダイヤグラムを表している。
図に於いて、１は半絶縁性１ｎＰ基板、２はアン・ドー
プＩ ｎ、 Ａ ｌ ＋−ｙ Ａ ｓバフフッ層、３は
ｎ型１ ｎ、Ａｌｌ、−、Ａｓ電子供給層、４はアン・
ドープＩ ｎ、Ａｌｅ−、Ａｓスペーサ層、５Ａはアン
・ドープＩ ｎＸＧａｔ−ｘ、Ａｓチャネル層、５Ｂは
アン・ドープＩｎｕ Ｇａｐ−、Ａｓグレーデッド・チ
ャネル層、６はアン・ドープＡ Ｉ Ｂ Ｇ ａ Ｉ−
ｇＡｓコンタクト層、７はソース電極、８はドレイン電
極、９はゲート電極、１０は二次元電子ガス層、ＥＦは
フェルミ・レベル、Ｅ、はコンダクション・バンドの底
、Ｅｖはバレンス・バンドの頂をそれぞれ示している。
プＩ ｎ、 Ａ ｌ ＋−ｙ Ａ ｓバフフッ層、３は
ｎ型１ ｎ、Ａｌｌ、−、Ａｓ電子供給層、４はアン・
ドープＩ ｎ、Ａｌｅ−、Ａｓスペーサ層、５Ａはアン
・ドープＩ ｎＸＧａｔ−ｘ、Ａｓチャネル層、５Ｂは
アン・ドープＩｎｕ Ｇａｐ−、Ａｓグレーデッド・チ
ャネル層、６はアン・ドープＡ Ｉ Ｂ Ｇ ａ Ｉ−
ｇＡｓコンタクト層、７はソース電極、８はドレイン電
極、９はゲート電極、１０は二次元電子ガス層、ＥＦは
フェルミ・レベル、Ｅ、はコンダクション・バンドの底
、Ｅｖはバレンス・バンドの頂をそれぞれ示している。
前記各部分に於ける主要データを例示すると次の通りで
ある。
ある。
（１）基板１について
添加物：Ｆｅ
（２）バッファ層２について
ｙ値：０．５２
厚さ：Ｏ，Ｓ 〔μｍ〕
（３）電子供給層３について
ｙ値：０．５２
厚さ：３００ （人〕
不純物濃度：ｌＸ１０１８（値−３〕
（４） スペーサ層４について
ｙ値：０．５２
厚さ：５０ 〔人〕
（５）チャネル層５Ａについて
Ｘ値：０．５３
厚さ：３００ （人〕
（６） グレーデッド・チャネル層５ＢについてＵ値
：０．５３→０．８ 厚さ：３００ （人〕 （７） コンタクト層６について ２値：０．３ 厚さ：３００（人〕 （８） ソース電極７及びドレイン電極８材料：Ａｕ
Ｇｅ／Ａｕ 厚さ：５００（人）／２０００（人〕 （９） ゲート電極９ 材料：ＡＩｌ 厚さ：２０００ （人〕 本実施例に於いて、スペーサ層４は電子供給層３に於け
るイオン化不純物に依るキャリヤの散乱を抑制する為に
設けたものであり、必要に応じて形成すれば良く、また
、コンタクト層６は、その下地であるグレーデツド層５
ＢがＩ ｎ６，６ Ｇａｏ、ｚＡｓであって、そこにシ
ョットキ・ゲート電極９を形成したのでは、高いショッ
トキ耐圧を得ることはできないので、それを補償する為
に設けたものであり、これも必要に応じて形成すれば良
い。
：０．５３→０．８ 厚さ：３００ （人〕 （７） コンタクト層６について ２値：０．３ 厚さ：３００（人〕 （８） ソース電極７及びドレイン電極８材料：Ａｕ
Ｇｅ／Ａｕ 厚さ：５００（人）／２０００（人〕 （９） ゲート電極９ 材料：ＡＩｌ 厚さ：２０００ （人〕 本実施例に於いて、スペーサ層４は電子供給層３に於け
るイオン化不純物に依るキャリヤの散乱を抑制する為に
設けたものであり、必要に応じて形成すれば良く、また
、コンタクト層６は、その下地であるグレーデツド層５
ＢがＩ ｎ６，６ Ｇａｏ、ｚＡｓであって、そこにシ
ョットキ・ゲート電極９を形成したのでは、高いショッ
トキ耐圧を得ることはできないので、それを補償する為
に設けたものであり、これも必要に応じて形成すれば良
い。
さて、本実施例に於いては、チャネル層５Ａと連続して
形成されたグレーデッド・チャネル層５Ｂはチャネル層
５Ａ側から表面側に向かってＩｎの組成が次第に大きく
なるようにしである。
形成されたグレーデッド・チャネル層５Ｂはチャネル層
５Ａ側から表面側に向かってＩｎの組成が次第に大きく
なるようにしである。
このようにＩｎを含む化合物半導体を用いた場合、表面
空乏層は発生しないので、二次元電子ガス層１０が影響
を受けることはな（、従って、チャネル層５Ａ及びグレ
ーデッド・チャネル層５Ｂを薄くすることで二次元電子
ガス層ｌＯとゲート電極９との距離が短くなるようにし
て、二次元電子ガス層１０に於ける電子濃度を効率良く
制御することができる。
空乏層は発生しないので、二次元電子ガス層１０が影響
を受けることはな（、従って、チャネル層５Ａ及びグレ
ーデッド・チャネル層５Ｂを薄くすることで二次元電子
ガス層ｌＯとゲート電極９との距離が短くなるようにし
て、二次元電子ガス層１０に於ける電子濃度を効率良く
制御することができる。
ところで、ＨＥＭＴに於ける相互コンダクタンスｇ、は
ゲート電極９の下に存在するキャパシタンスＣに比例、
即ち、ｇ ｗａ ” Ｃであり、このキャパシタンスＣ
の大きさは、ゲート電極９からチャネルである二次元電
子ガス層１０までの距離に反比例するので、前記したよ
うに、チャネル層５Ａ及び５Ｂを薄くすることができれ
ば、キャパシタンスＣは大きくなり、その結果、相互コ
ンダクタンスｇｌＩも高くなる。
ゲート電極９の下に存在するキャパシタンスＣに比例、
即ち、ｇ ｗａ ” Ｃであり、このキャパシタンスＣ
の大きさは、ゲート電極９からチャネルである二次元電
子ガス層１０までの距離に反比例するので、前記したよ
うに、チャネル層５Ａ及び５Ｂを薄くすることができれ
ば、キャパシタンスＣは大きくなり、その結果、相互コ
ンダクタンスｇｌＩも高くなる。
第２図はグレーデッド・チャネル層５Ｂに於けるＩ ｎ
ｕＧａ、−、ＡｓのＵ値の決め方を説明する為のエネル
ギ・バンド・ダイヤグラムであり、第１図に於いて用い
た記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。
ｕＧａ、−、ＡｓのＵ値の決め方を説明する為のエネル
ギ・バンド・ダイヤグラムであり、第１図に於いて用い
た記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。
図に於いて、Ｍは金属部分、ＳはＩｎｕＧａ、−５Ａｓ
部分をそれぞれ示している。
部分をそれぞれ示している。
図から明らかなように、Ｕ値が０．５３の場合にはバン
ド・ギャップはコンダクション・ハンドの方に曲がりを
生じ、同じく０．８の場合には平坦となり、同じく１．
０の場合にはバレンス・ハンドの方に曲がりを生じてい
る。従って、表面空乏層を発生させない為にはＵ値を０
．８にすると良いことが判る。
ド・ギャップはコンダクション・ハンドの方に曲がりを
生じ、同じく０．８の場合には平坦となり、同じく１．
０の場合にはバレンス・ハンドの方に曲がりを生じてい
る。従って、表面空乏層を発生させない為にはＵ値を０
．８にすると良いことが判る。
本発明に依る反転型高電子移動度トランジスタに於いて
は、チャネル層の構成材料としてＩｎを含有した化合物
半導体を用い、しかも、そのＩｎの組成値をキャリヤ供
給層側から電極がコンタクトする表面側に向けてグレー
デッドとした構成になっている。
は、チャネル層の構成材料としてＩｎを含有した化合物
半導体を用い、しかも、そのＩｎの組成値をキャリヤ供
給層側から電極がコンタクトする表面側に向けてグレー
デッドとした構成になっている。
この構成を採ることに依り、チャネル層には表面空乏層
が拡がることはな（なるので、二次元キャリヤ・ガス層
が表面空乏層の悪影響を受けることは無くなり、従って
、チャネル層を薄くすることが可能となり、ゲート電極
と二次元キャリヤ・ガス層との距離が短くなって、相互
コンダクタンスｇ１を高めることができて低消費電力化
されると共に二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ
・ガス濃度を効率よく制御することができるものである
。
が拡がることはな（なるので、二次元キャリヤ・ガス層
が表面空乏層の悪影響を受けることは無くなり、従って
、チャネル層を薄くすることが可能となり、ゲート電極
と二次元キャリヤ・ガス層との距離が短くなって、相互
コンダクタンスｇ１を高めることができて低消費電力化
されると共に二次元キャリヤ・ガス層に於けるキャリヤ
・ガス濃度を効率よく制御することができるものである
。
第１図（Ａ）は本発明一実施例の要部切断側面図、同（
Ｂ）は第１図（Ａ）に見られる反転型ＨＥＭＴのエネル
ギ・バンド・ダイヤグラム、第２図はＩ ｎ ｕ Ｇ
ａ ｌ−ｕ Ａ ｓに於けるＵ値の決め方を説明する為
のエネルギ・ハンド・ダイヤクラム、第３図は従来例の
要部切断側面図を表している。 図に於いて、１は半絶縁性１ｎＰ基板、２はアン・ドー
プＩ ｎｙ Ａｌｌ−ｙ Ａｓバッファ層、３はｎ型１
ｎ、Ａｌｌ−、Ａｓ電子供給層、４はアン・ドープＩ
ｎ ｙ Ａ ｌ ｌ−ｙ Ａ Ｓスペーサ層、５Ａは
アン・ドープＩ ｎ ｘ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ ｓチャ
ネル層、５Ｂはアン・ドープＩ ｎ、Ｇａｐ−、Ａｓグ
レーデッド・チャネル層、６はアン・ドープＡ ｉ！ｇ
Ｇ ａ Ｉ−＊Ａｓコンタクト層、７はソース電極、
８はドレイン電極、９はゲート電極、１０は二次元電子
ガス層、ＥＦはフェルミ・レベル、ＥＣはコンダクショ
ン・バンドの底、Ｅｖはバレンス・バンドの頂をそれぞ
れ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 、ｉｎ’ｊａ臂品をぜｔ纜竺へεｉ宰÷Ｃ例あ第２図
Ｂ）は第１図（Ａ）に見られる反転型ＨＥＭＴのエネル
ギ・バンド・ダイヤグラム、第２図はＩ ｎ ｕ Ｇ
ａ ｌ−ｕ Ａ ｓに於けるＵ値の決め方を説明する為
のエネルギ・ハンド・ダイヤクラム、第３図は従来例の
要部切断側面図を表している。 図に於いて、１は半絶縁性１ｎＰ基板、２はアン・ドー
プＩ ｎｙ Ａｌｌ−ｙ Ａｓバッファ層、３はｎ型１
ｎ、Ａｌｌ−、Ａｓ電子供給層、４はアン・ドープＩ
ｎ ｙ Ａ ｌ ｌ−ｙ Ａ Ｓスペーサ層、５Ａは
アン・ドープＩ ｎ ｘ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ ｓチャ
ネル層、５Ｂはアン・ドープＩ ｎ、Ｇａｐ−、Ａｓグ
レーデッド・チャネル層、６はアン・ドープＡ ｉ！ｇ
Ｇ ａ Ｉ−＊Ａｓコンタクト層、７はソース電極、
８はドレイン電極、９はゲート電極、１０は二次元電子
ガス層、ＥＦはフェルミ・レベル、ＥＣはコンダクショ
ン・バンドの底、Ｅｖはバレンス・バンドの頂をそれぞ
れ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 、ｉｎ’ｊａ臂品をぜｔ纜竺へεｉ宰÷Ｃ例あ第２図
Claims (1)
- Ｉｎの組成値を電極がコンタクトする表面側に向かって
大きくなるようにグレーデッドとした化合物半導体から
なるチャネル層を有してなる反転型高電子移動度トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24731386A JPH0691110B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 反転型高電子移動度トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24731386A JPH0691110B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 反転型高電子移動度トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102270A true JPS63102270A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH0691110B2 JPH0691110B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17161541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24731386A Expired - Lifetime JPH0691110B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 反転型高電子移動度トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691110B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372637A (ja) * | 1989-03-20 | 1991-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH04162637A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| JPH05198600A (ja) * | 1991-08-21 | 1993-08-06 | Hughes Aircraft Co | 反転変調ドープされたヘテロ構造の製造方法 |
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| US5923056A (en) * | 1996-10-10 | 1999-07-13 | Lucent Technologies Inc. | Electronic components with doped metal oxide dielectric materials and a process for making electronic components with doped metal oxide dielectric materials |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP24731386A patent/JPH0691110B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372637A (ja) * | 1989-03-20 | 1991-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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| US5285087A (en) * | 1990-10-25 | 1994-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Heterojunction field effect transistor |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691110B2 (ja) | 1994-11-14 |
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