JPS6295739A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6295739A JPS6295739A JP23811085A JP23811085A JPS6295739A JP S6295739 A JPS6295739 A JP S6295739A JP 23811085 A JP23811085 A JP 23811085A JP 23811085 A JP23811085 A JP 23811085A JP S6295739 A JPS6295739 A JP S6295739A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- voltage
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は垂直記録に適した磁気記録媒体の製造方法に
関する。
関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録として垂直記録がある
。これにおいては、媒体の膜面に垂直方向が磁化容易軸
である垂直記録媒体が必要となる。
。これにおいては、媒体の膜面に垂直方向が磁化容易軸
である垂直記録媒体が必要となる。
このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜
面に垂直方向を向き、従って、信号が短波長になる程媒
体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直
記録媒体は現在非磁性基体上にパーマロイ等の高透磁率
磁性体薄膜を介してC。
面に垂直方向を向き、従って、信号が短波長になる程媒
体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直
記録媒体は現在非磁性基体上にパーマロイ等の高透磁率
磁性体薄膜を介してC。
とCr t−主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層をスパッタリング等で形成されたものが多く開発
されている。
磁性層をスパッタリング等で形成されたものが多く開発
されている。
しかしながら、磁気記録では電子計算機用大容量磁気デ
ィスク装置のように、データの転送レートを高めるため
に磁気ディスクを高速で回転させ、磁気ヘッドを媒体か
ら一定のスペーシング量だけ浮上させて用いる場合が多
く、その場合スペーシング量が大きくなると、記録時に
は媒体に加わるヘッド磁界強度が弱まり、その分布が広
がるために媒体を飽和記録することや媒体に急峻な磁化
転移を残すことが困難になったり、再生時には再生ヘッ
ドの巻き線に鎖交する磁束量が減少し、再生電圧が低下
するということになる。従って、良好な記録再生特性を
得るためには、ヘッド・媒体間スペーシングは小さい方
が望ましい。
ィスク装置のように、データの転送レートを高めるため
に磁気ディスクを高速で回転させ、磁気ヘッドを媒体か
ら一定のスペーシング量だけ浮上させて用いる場合が多
く、その場合スペーシング量が大きくなると、記録時に
は媒体に加わるヘッド磁界強度が弱まり、その分布が広
がるために媒体を飽和記録することや媒体に急峻な磁化
転移を残すことが困難になったり、再生時には再生ヘッ
ドの巻き線に鎖交する磁束量が減少し、再生電圧が低下
するということになる。従って、良好な記録再生特性を
得るためには、ヘッド・媒体間スペーシングは小さい方
が望ましい。
このヘッド争媒体間スペーシングを出来る限シ小さくな
るようにするためには、記録媒体の表面性を良くしたり
、ヘッドの先端の形状及びヘッド・媒体間の潤滑などに
工夫をこらすことが必要である。
るようにするためには、記録媒体の表面性を良くしたり
、ヘッドの先端の形状及びヘッド・媒体間の潤滑などに
工夫をこらすことが必要である。
しかしながら、従来の製法による磁気記録媒体、特に磁
気ディスクの基板においては、その表面性はアルミ合金
基板上をアルマイト処理したものを研磨して仕上けたり
、N1−Pメッキを施した後、研磨して仕上げているが
、突起等によシ必ずしも表面性としては十分でなく、安
定した浮上を得るためには、スペーシング量が0.25
〜0.3−mと大きくなり、十分な再生電圧を得ること
ができないという問題点があった。
気ディスクの基板においては、その表面性はアルミ合金
基板上をアルマイト処理したものを研磨して仕上けたり
、N1−Pメッキを施した後、研磨して仕上げているが
、突起等によシ必ずしも表面性としては十分でなく、安
定した浮上を得るためには、スペーシング量が0.25
〜0.3−mと大きくなり、十分な再生電圧を得ること
ができないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、垂直磁気記録媒体の表面性が良好になシ、磁
気ヘッドと媒体間のスペーシング量が小さくなるように
した磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
たもので、垂直磁気記録媒体の表面性が良好になシ、磁
気ヘッドと媒体間のスペーシング量が小さくなるように
した磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
この発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、基体に高周
波バイヤス電圧を印加した状態で高透磁率磁性体膜を形
成するようにしたものである。
波バイヤス電圧を印加した状態で高透磁率磁性体膜を形
成するようにしたものである。
この発明においては、基体にスパッタ法により高透磁率
磁性膜を形成する際、基体に高周波バイヤス電圧を加え
ることにより、基体の突起部に成長した膜が選択的に再
スパツタされ表面が平滑化される。
磁性膜を形成する際、基体に高周波バイヤス電圧を加え
ることにより、基体の突起部に成長した膜が選択的に再
スパツタされ表面が平滑化される。
以下、図面〈よシこの発明の詳細な説明する。
図面はこの発明、の一実施例の磁気記録媒体の製造方法
において使用するスパッタリング装置を示す断面構成図
で、図において、(1)はターゲット電極、(2)は高
透磁率磁性体膜形成用のilのターゲット、この場合F
e−Niターゲッ)、(3)はスパッタ電源、(4)は
表面にアルマイト処理を施したアルミ合金基板、即ち基
体、(5)は電極兼用の導電性基板ホルダー、(6)は
高周波電源、(7)はシールド板、(8)は真空槽、(
9)はシャッター、σQは高透磁率磁性体膜の膜面と垂
直方向に磁化容易軸を有する磁性体膜形成用の第2のタ
ーゲット、この場合Co −Crターゲットである。
において使用するスパッタリング装置を示す断面構成図
で、図において、(1)はターゲット電極、(2)は高
透磁率磁性体膜形成用のilのターゲット、この場合F
e−Niターゲッ)、(3)はスパッタ電源、(4)は
表面にアルマイト処理を施したアルミ合金基板、即ち基
体、(5)は電極兼用の導電性基板ホルダー、(6)は
高周波電源、(7)はシールド板、(8)は真空槽、(
9)はシャッター、σQは高透磁率磁性体膜の膜面と垂
直方向に磁化容易軸を有する磁性体膜形成用の第2のタ
ーゲット、この場合Co −Crターゲットである。
次に動作について説明する。
真空槽(8]内t” 1O−7Torr台まで排気した
後、純アルゴン(Ar)ガスを導入し一定の真空度(例
えば1〜2 X 10 Torr )に保ち、スパッ
タ電源(3)によりターゲット電極(1)に負の直流高
電圧又は高周波電圧を印加するとプラズマが発生しFe
−Niターゲット(2)からスパッタされて、表面にア
ルマイト処理を施したアルミ合金基板(4)上に高透磁
率磁性体膜即ち、高透磁率Fe−Ni合金膜が成長する
。
後、純アルゴン(Ar)ガスを導入し一定の真空度(例
えば1〜2 X 10 Torr )に保ち、スパッ
タ電源(3)によりターゲット電極(1)に負の直流高
電圧又は高周波電圧を印加するとプラズマが発生しFe
−Niターゲット(2)からスパッタされて、表面にア
ルマイト処理を施したアルミ合金基板(4)上に高透磁
率磁性体膜即ち、高透磁率Fe−Ni合金膜が成長する
。
この際、導電性基板ホルダー(電極兼用)(5)に高周
波電源(6)により高周波電圧を印加すると、プラズマ
から最初に電子だけが基板(4)に到着し、次第に電子
が蓄積されてくる。これによシ基板(4)は負のバイア
ス電圧を印加されたのと同じ状態になり、その結果今後
はプラズマ中の電子はバイアスによる反撥音叉けて基板
(4)に到着するのが難しくなる。それに対してプラズ
マ中のAr+イオンは負のバイアスの加速を受けて基板
(4)に到着する。
波電源(6)により高周波電圧を印加すると、プラズマ
から最初に電子だけが基板(4)に到着し、次第に電子
が蓄積されてくる。これによシ基板(4)は負のバイア
ス電圧を印加されたのと同じ状態になり、その結果今後
はプラズマ中の電子はバイアスによる反撥音叉けて基板
(4)に到着するのが難しくなる。それに対してプラズ
マ中のAr+イオンは負のバイアスの加速を受けて基板
(4)に到着する。
この結果、−周期の間に基板(4)K到着する電子とイ
オンの量が約9合うところで、基板(4)付近では平衡
状態になり、平均的な負の直流バイアスとして定まって
くる。誘起される直流バイアス電圧は高周波電源(6)
により印加するピークツーピーク電圧の半分にほぼ等し
い。
オンの量が約9合うところで、基板(4)付近では平衡
状態になり、平均的な負の直流バイアスとして定まって
くる。誘起される直流バイアス電圧は高周波電源(6)
により印加するピークツーピーク電圧の半分にほぼ等し
い。
ここで基板に到着したAr+イオンによシ基板の突起部
に成長した膜が選択的に再スパツタされ、表面を平滑化
し、良好な表面性が得られることになる。
に成長した膜が選択的に再スパツタされ、表面を平滑化
し、良好な表面性が得られることになる。
なお、基板(4)に誘起される直流バイアスの値がター
ゲットに印加される電圧に等しいか若しくは大きいと、
磁性膜の成長は起こらなくなるので、それより低く抑え
なければならない。
ゲットに印加される電圧に等しいか若しくは大きいと、
磁性膜の成長は起こらなくなるので、それより低く抑え
なければならない。
このようにして、高透磁率磁性体膜、この場合Fe−N
i合金膜を成膜した後、次にCo−CrターゲットσC
により Co−Cr t−スパッタして高透磁率磁性体
膜面と垂直方向に磁化容易軸を磁性体膜を形成し、表面
性の良い垂直磁気記録ディスクを作成する。
i合金膜を成膜した後、次にCo−CrターゲットσC
により Co−Cr t−スパッタして高透磁率磁性体
膜面と垂直方向に磁化容易軸を磁性体膜を形成し、表面
性の良い垂直磁気記録ディスクを作成する。
このようにして作成したディスクは従来のディスクでは
安定した浮上が得られないような0.054m〜0.1
μmの小さいスペーシングで駆動させることができた。
安定した浮上が得られないような0.054m〜0.1
μmの小さいスペーシングで駆動させることができた。
なお、上記実施例において高透磁率材料としてFe−N
i合金を用いたが、MO−Fe−Ni合金、 Mo−C
u−Fe−Ni合金、 Co−Tiなどの非晶質合金で
あってもよい。
i合金を用いたが、MO−Fe−Ni合金、 Mo−C
u−Fe−Ni合金、 Co−Tiなどの非晶質合金で
あってもよい。
以上のように、この発明によれば基体に高周波バイヤス
電圧を印加した状態で高透磁率磁性体膜を形成するよう
にしたので、垂直磁気記録媒体の表面性が良好になシス
ベーシング量を小さくすることができ、十分な再生電圧
を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法を得ること
ができるという効果がある。
電圧を印加した状態で高透磁率磁性体膜を形成するよう
にしたので、垂直磁気記録媒体の表面性が良好になシス
ベーシング量を小さくすることができ、十分な再生電圧
を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法を得ること
ができるという効果がある。
図はこの発明の一実施例の磁気記録媒体の製造方法で使
用されるスパッタリング装置を示す断面構成図である。 (1)・・・ターゲット電極、(2)・・・Fe−Ni
ターゲット、(3)・・・スパッタ電源、(4)・・・
アルミ合金基板、(5)・・・導電性基板ホルダー、(
6)・・・高周波電源、(7)・・・シールド板、(3
)・・・真空槽、(9)・・・シャッター、α0・・・
co−Crターゲット
用されるスパッタリング装置を示す断面構成図である。 (1)・・・ターゲット電極、(2)・・・Fe−Ni
ターゲット、(3)・・・スパッタ電源、(4)・・・
アルミ合金基板、(5)・・・導電性基板ホルダー、(
6)・・・高周波電源、(7)・・・シールド板、(3
)・・・真空槽、(9)・・・シャッター、α0・・・
co−Crターゲット
Claims (2)
- (1)基体にスパッタ法により高透磁率磁性体膜を形成
し、この高透磁率磁性体膜にそれの膜面と垂直方向に磁
化容易軸を有する磁性体膜を形成するものにおいて、上
記基体に高周波バイヤス電圧を印加した状態で高透磁率
磁性体膜を形成するようにしたことを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。 - (2)高透磁率磁性体膜の膜面と垂直方向に磁化容易軸
を有する磁性体膜はCoとCrを主成分とするものであ
る特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23811085A JPS6295739A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23811085A JPS6295739A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6295739A true JPS6295739A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=17025323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23811085A Pending JPS6295739A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6295739A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002115051A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Anelva Corp | バイアススパッタリング装置 |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP23811085A patent/JPS6295739A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002115051A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Anelva Corp | バイアススパッタリング装置 |
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