JPS6295739A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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Publication number
JPS6295739A
JPS6295739A JP23811085A JP23811085A JPS6295739A JP S6295739 A JPS6295739 A JP S6295739A JP 23811085 A JP23811085 A JP 23811085A JP 23811085 A JP23811085 A JP 23811085A JP S6295739 A JPS6295739 A JP S6295739A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
magnetic
voltage
recording medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP23811085A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Dai
提 和彦
Hiroshi Sugawara
宏 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP23811085A priority Critical patent/JPS6295739A/ja
Publication of JPS6295739A publication Critical patent/JPS6295739A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は垂直記録に適した磁気記録媒体の製造方法に
関する。
〔従来の技術〕
短波長記録特性の優れた磁気記録として垂直記録がある
。これにおいては、媒体の膜面に垂直方向が磁化容易軸
である垂直記録媒体が必要となる。
このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜
面に垂直方向を向き、従って、信号が短波長になる程媒
体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直
記録媒体は現在非磁性基体上にパーマロイ等の高透磁率
磁性体薄膜を介してC。
とCr t−主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層をスパッタリング等で形成されたものが多く開発
されている。
しかしながら、磁気記録では電子計算機用大容量磁気デ
ィスク装置のように、データの転送レートを高めるため
に磁気ディスクを高速で回転させ、磁気ヘッドを媒体か
ら一定のスペーシング量だけ浮上させて用いる場合が多
く、その場合スペーシング量が大きくなると、記録時に
は媒体に加わるヘッド磁界強度が弱まり、その分布が広
がるために媒体を飽和記録することや媒体に急峻な磁化
転移を残すことが困難になったり、再生時には再生ヘッ
ドの巻き線に鎖交する磁束量が減少し、再生電圧が低下
するということになる。従って、良好な記録再生特性を
得るためには、ヘッド・媒体間スペーシングは小さい方
が望ましい。
このヘッド争媒体間スペーシングを出来る限シ小さくな
るようにするためには、記録媒体の表面性を良くしたり
、ヘッドの先端の形状及びヘッド・媒体間の潤滑などに
工夫をこらすことが必要である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、従来の製法による磁気記録媒体、特に磁
気ディスクの基板においては、その表面性はアルミ合金
基板上をアルマイト処理したものを研磨して仕上けたり
、N1−Pメッキを施した後、研磨して仕上げているが
、突起等によシ必ずしも表面性としては十分でなく、安
定した浮上を得るためには、スペーシング量が0.25
〜0.3−mと大きくなり、十分な再生電圧を得ること
ができないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、垂直磁気記録媒体の表面性が良好になシ、磁
気ヘッドと媒体間のスペーシング量が小さくなるように
した磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とし
ている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、基体に高周
波バイヤス電圧を印加した状態で高透磁率磁性体膜を形
成するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、基体にスパッタ法により高透磁率
磁性膜を形成する際、基体に高周波バイヤス電圧を加え
ることにより、基体の突起部に成長した膜が選択的に再
スパツタされ表面が平滑化される。
〔実施例〕
以下、図面〈よシこの発明の詳細な説明する。
図面はこの発明、の一実施例の磁気記録媒体の製造方法
において使用するスパッタリング装置を示す断面構成図
で、図において、(1)はターゲット電極、(2)は高
透磁率磁性体膜形成用のilのターゲット、この場合F
e−Niターゲッ)、(3)はスパッタ電源、(4)は
表面にアルマイト処理を施したアルミ合金基板、即ち基
体、(5)は電極兼用の導電性基板ホルダー、(6)は
高周波電源、(7)はシールド板、(8)は真空槽、(
9)はシャッター、σQは高透磁率磁性体膜の膜面と垂
直方向に磁化容易軸を有する磁性体膜形成用の第2のタ
ーゲット、この場合Co −Crターゲットである。
次に動作について説明する。
真空槽(8]内t” 1O−7Torr台まで排気した
後、純アルゴン(Ar)ガスを導入し一定の真空度(例
えば1〜2 X 10  Torr )に保ち、スパッ
タ電源(3)によりターゲット電極(1)に負の直流高
電圧又は高周波電圧を印加するとプラズマが発生しFe
−Niターゲット(2)からスパッタされて、表面にア
ルマイト処理を施したアルミ合金基板(4)上に高透磁
率磁性体膜即ち、高透磁率Fe−Ni合金膜が成長する
この際、導電性基板ホルダー(電極兼用)(5)に高周
波電源(6)により高周波電圧を印加すると、プラズマ
から最初に電子だけが基板(4)に到着し、次第に電子
が蓄積されてくる。これによシ基板(4)は負のバイア
ス電圧を印加されたのと同じ状態になり、その結果今後
はプラズマ中の電子はバイアスによる反撥音叉けて基板
(4)に到着するのが難しくなる。それに対してプラズ
マ中のAr+イオンは負のバイアスの加速を受けて基板
(4)に到着する。
この結果、−周期の間に基板(4)K到着する電子とイ
オンの量が約9合うところで、基板(4)付近では平衡
状態になり、平均的な負の直流バイアスとして定まって
くる。誘起される直流バイアス電圧は高周波電源(6)
により印加するピークツーピーク電圧の半分にほぼ等し
い。
ここで基板に到着したAr+イオンによシ基板の突起部
に成長した膜が選択的に再スパツタされ、表面を平滑化
し、良好な表面性が得られることになる。
なお、基板(4)に誘起される直流バイアスの値がター
ゲットに印加される電圧に等しいか若しくは大きいと、
磁性膜の成長は起こらなくなるので、それより低く抑え
なければならない。
このようにして、高透磁率磁性体膜、この場合Fe−N
i合金膜を成膜した後、次にCo−CrターゲットσC
により Co−Cr t−スパッタして高透磁率磁性体
膜面と垂直方向に磁化容易軸を磁性体膜を形成し、表面
性の良い垂直磁気記録ディスクを作成する。
このようにして作成したディスクは従来のディスクでは
安定した浮上が得られないような0.054m〜0.1
μmの小さいスペーシングで駆動させることができた。
なお、上記実施例において高透磁率材料としてFe−N
i合金を用いたが、MO−Fe−Ni合金、 Mo−C
u−Fe−Ni合金、 Co−Tiなどの非晶質合金で
あってもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば基体に高周波バイヤス
電圧を印加した状態で高透磁率磁性体膜を形成するよう
にしたので、垂直磁気記録媒体の表面性が良好になシス
ベーシング量を小さくすることができ、十分な再生電圧
を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法を得ること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例の磁気記録媒体の製造方法で使
用されるスパッタリング装置を示す断面構成図である。 (1)・・・ターゲット電極、(2)・・・Fe−Ni
ターゲット、(3)・・・スパッタ電源、(4)・・・
アルミ合金基板、(5)・・・導電性基板ホルダー、(
6)・・・高周波電源、(7)・・・シールド板、(3
)・・・真空槽、(9)・・・シャッター、α0・・・
co−Crターゲット

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基体にスパッタ法により高透磁率磁性体膜を形成
    し、この高透磁率磁性体膜にそれの膜面と垂直方向に磁
    化容易軸を有する磁性体膜を形成するものにおいて、上
    記基体に高周波バイヤス電圧を印加した状態で高透磁率
    磁性体膜を形成するようにしたことを特徴とする磁気記
    録媒体の製造方法。
  2. (2)高透磁率磁性体膜の膜面と垂直方向に磁化容易軸
    を有する磁性体膜はCoとCrを主成分とするものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体の製造方法
JP23811085A 1985-10-22 1985-10-22 磁気記録媒体の製造方法 Pending JPS6295739A (ja)

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JP23811085A JPS6295739A (ja) 1985-10-22 1985-10-22 磁気記録媒体の製造方法

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JP23811085A JPS6295739A (ja) 1985-10-22 1985-10-22 磁気記録媒体の製造方法

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JPS6295739A true JPS6295739A (ja) 1987-05-02

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ID=17025323

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JP (1) JPS6295739A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002115051A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Anelva Corp バイアススパッタリング装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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