JPH0793738A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0793738A JPH0793738A JP23621493A JP23621493A JPH0793738A JP H0793738 A JPH0793738 A JP H0793738A JP 23621493 A JP23621493 A JP 23621493A JP 23621493 A JP23621493 A JP 23621493A JP H0793738 A JPH0793738 A JP H0793738A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周方向にテキスチャーを施したNiPメッキ
被覆アルミニウム合金基板を用いた磁気記録媒体の高密
度記録領域でのノイズを低減する。 【構成】 ほぼ周方向にテキスチャーを施したNiPめ
っき被覆アルミニウム合金基板上にCu,Al,Ge又
はAgの不連続な下地膜層を設け、該下地膜層の上にバ
イアス電圧を印加しながらCr合金中間膜層及びCo合
金磁性層を順次設ける。 【効果】 予めテキスチャーを施した基板表面に特定の
金属よりなる不連続な層を設け、更にCr合金中間膜
層、Co合金磁性層を順次積層することにより、周方向
の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁気膜となると
ともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込ん
だ場合のノイズの急激な増加が防止される。バイアス成
膜により高保磁力化が図れる。成膜後の表面でもテキス
チャー形状が保持され、耐久性が保たれる。
被覆アルミニウム合金基板を用いた磁気記録媒体の高密
度記録領域でのノイズを低減する。 【構成】 ほぼ周方向にテキスチャーを施したNiPめ
っき被覆アルミニウム合金基板上にCu,Al,Ge又
はAgの不連続な下地膜層を設け、該下地膜層の上にバ
イアス電圧を印加しながらCr合金中間膜層及びCo合
金磁性層を順次設ける。 【効果】 予めテキスチャーを施した基板表面に特定の
金属よりなる不連続な層を設け、更にCr合金中間膜
層、Co合金磁性層を順次積層することにより、周方向
の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁気膜となると
ともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込ん
だ場合のノイズの急激な増加が防止される。バイアス成
膜により高保磁力化が図れる。成膜後の表面でもテキス
チャー形状が保持され、耐久性が保たれる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘッドとの
間において情報の記録及び再生を行うための磁気記録媒
体に関するものであり、特に周方向にテキスチャーを施
したNiPメッキ被覆アルミニウム合金基板を用いた磁
気記録媒体であって、高密度記録領域でのノイズを低減
した磁気記録媒体に関する。
間において情報の記録及び再生を行うための磁気記録媒
体に関するものであり、特に周方向にテキスチャーを施
したNiPメッキ被覆アルミニウム合金基板を用いた磁
気記録媒体であって、高密度記録領域でのノイズを低減
した磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、一般的に使用されているハードデ
ィスクドライブ用の磁気記録媒体は、NiPめっきを被
覆したアルミニウム合金基板上に、Cr合金層、Co合
金磁性層、保護膜層を、順次スパッタリング成膜法によ
り積層した構造となっている。なお、NiPめっき被覆
アルミニウム合金基板表面は、予めスパッタリング成膜
の前にラッピングテープ又は遊離砥粒によりテキスチャ
ー加工が施され、概ねディスク基板の周方向にテキスチ
ャー溝が形成される。このテキスチャー溝形状は、磁気
記録媒体とヘッドとの間で生じる摩擦摩耗等の耐久性の
向上に重要な役割を果している。このように周方向にテ
キスチャー加工を施した基板を用いた磁気ディスクの磁
気特性は、一般に、周方向に強い磁気異方性を示し、デ
ィスク径方向に比べ保持力や角形比が大きくなり、記録
再生において高い出力や優れた周波数特性が得られるこ
とが知られている。
ィスクドライブ用の磁気記録媒体は、NiPめっきを被
覆したアルミニウム合金基板上に、Cr合金層、Co合
金磁性層、保護膜層を、順次スパッタリング成膜法によ
り積層した構造となっている。なお、NiPめっき被覆
アルミニウム合金基板表面は、予めスパッタリング成膜
の前にラッピングテープ又は遊離砥粒によりテキスチャ
ー加工が施され、概ねディスク基板の周方向にテキスチ
ャー溝が形成される。このテキスチャー溝形状は、磁気
記録媒体とヘッドとの間で生じる摩擦摩耗等の耐久性の
向上に重要な役割を果している。このように周方向にテ
キスチャー加工を施した基板を用いた磁気ディスクの磁
気特性は、一般に、周方向に強い磁気異方性を示し、デ
ィスク径方向に比べ保持力や角形比が大きくなり、記録
再生において高い出力や優れた周波数特性が得られるこ
とが知られている。
【0003】近年、磁気記録媒体の高密度化傾向は益々
高まると共に、書き込み周波数の高周波数化が進み、記
録ビット当たりの長さが短くなっている。現行のハード
ディスク装置では、再生信号の品質を確保する観点か
ら、低周波数での書き込み時の出力の大きさが約70%
程度に低下するような高周波数が書き込み周波数として
記録に用いられている。その一方で、記録再生分離型ヘ
ッド(誘導型ヘッドと磁気抵抗型ヘッドの複合ヘッド)
と新しい記録信号処理(PRML:Partial r
esponse maximum likelihoo
d)を用いることにより、低周波数での書き込み時の出
力に比べ50%(D50と称する)以下になる様な高周
波数での書き込み領域でも実用的に記録再生可能となっ
ている。
高まると共に、書き込み周波数の高周波数化が進み、記
録ビット当たりの長さが短くなっている。現行のハード
ディスク装置では、再生信号の品質を確保する観点か
ら、低周波数での書き込み時の出力の大きさが約70%
程度に低下するような高周波数が書き込み周波数として
記録に用いられている。その一方で、記録再生分離型ヘ
ッド(誘導型ヘッドと磁気抵抗型ヘッドの複合ヘッド)
と新しい記録信号処理(PRML:Partial r
esponse maximum likelihoo
d)を用いることにより、低周波数での書き込み時の出
力に比べ50%(D50と称する)以下になる様な高周
波数での書き込み領域でも実用的に記録再生可能となっ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、周方向
にテキスチャーを基板に施すことによって耐久性を改善
すると共に、テキスチャー方向に沿って周方向に磁気異
方性を持たせた従来の磁気記録媒体では、D50以下の
高周波数書き込み領域から急激にノイズが増加する傾向
がある。この急激なノイズの増加を抑えるためには、テ
キスチャーの無い平滑基板を用いればよいことが判って
いるが、この場合には、保磁力と耐久性に問題が生じ
る。平滑基板の耐久性を向上させるために、平滑基板、
例えばガラス基板の表面をエッチングする方法や、粒状
形状のテキスチャーを形成する方法(特開平5−206
59号公報,特開平5−20680号公報,特開平5−
20681号公報)が示されているが、十分満足し得る
効果は得られていない。
にテキスチャーを基板に施すことによって耐久性を改善
すると共に、テキスチャー方向に沿って周方向に磁気異
方性を持たせた従来の磁気記録媒体では、D50以下の
高周波数書き込み領域から急激にノイズが増加する傾向
がある。この急激なノイズの増加を抑えるためには、テ
キスチャーの無い平滑基板を用いればよいことが判って
いるが、この場合には、保磁力と耐久性に問題が生じ
る。平滑基板の耐久性を向上させるために、平滑基板、
例えばガラス基板の表面をエッチングする方法や、粒状
形状のテキスチャーを形成する方法(特開平5−206
59号公報,特開平5−20680号公報,特開平5−
20681号公報)が示されているが、十分満足し得る
効果は得られていない。
【0005】本発明は上記従来の問題点を解決し、周方
向にテキスチャーを施したNiPメッキ被覆アルミニウ
ム合金基板を用いた磁気記録媒体であって、高密度記録
領域でのノイズを低減した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
向にテキスチャーを施したNiPメッキ被覆アルミニウ
ム合金基板を用いた磁気記録媒体であって、高密度記録
領域でのノイズを低減した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、ほぼ周方向にテキスチャーを施したNiPめっき被
覆アルミニウム合金基板上に、Cu,Al,Ge及びA
gからなる群から選ばれる金属よりなる不連続な下地膜
層を設け、該下地膜層の上にバイアス電圧を印加しなが
らCr合金中間膜層及びCo合金磁性層を順次設けてな
ることを特徴とする。
は、ほぼ周方向にテキスチャーを施したNiPめっき被
覆アルミニウム合金基板上に、Cu,Al,Ge及びA
gからなる群から選ばれる金属よりなる不連続な下地膜
層を設け、該下地膜層の上にバイアス電圧を印加しなが
らCr合金中間膜層及びCo合金磁性層を順次設けてな
ることを特徴とする。
【0007】なお、本発明において、不連続な下地膜層
とは、次のようなものである。即ち、スパッタ法等によ
り金属の蒸着層を形成する際に、初期の段階で基板上に
金属原子が付着堆積して核ができ、更にスパッタを継続
することによりこの核が成長してクラスターと称される
散点状ないし多島状の不連続な堆積層が形成される。こ
のような不連続な堆積層は、スパッタ温度、スパッタ時
間等を適宜調節することにより形成できる。本発明にお
いては、下地膜層としてこのような散点状ないし多島状
の不連続な層を形成する。この不連続の程度は、基板の
表面の50〜90%とりわけ60〜85%程度を下地膜
層で覆う程度とするのが好ましい。
とは、次のようなものである。即ち、スパッタ法等によ
り金属の蒸着層を形成する際に、初期の段階で基板上に
金属原子が付着堆積して核ができ、更にスパッタを継続
することによりこの核が成長してクラスターと称される
散点状ないし多島状の不連続な堆積層が形成される。こ
のような不連続な堆積層は、スパッタ温度、スパッタ時
間等を適宜調節することにより形成できる。本発明にお
いては、下地膜層としてこのような散点状ないし多島状
の不連続な層を形成する。この不連続の程度は、基板の
表面の50〜90%とりわけ60〜85%程度を下地膜
層で覆う程度とするのが好ましい。
【0008】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。
る。
【0009】本発明者らはテキスチャーを施した基板を
用いた場合の、高周波領域でのノイズを低減するべく鋭
意検討した結果、予めテキスチャーを施した基板表面に
特定の金属よりなる不連続な層を設け、更にCr合金中
間膜層、Co合金磁性層を順次積層することにより、周
方向の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層とな
るとともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き
込んだ場合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記
録媒体が得られ、更に、バイアス成膜により高保磁力化
が図れ、なおかつ、テキスチャー基板のテキスチャー形
状が成膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記
録媒体が得られることを見出し本発明を完成させた。
用いた場合の、高周波領域でのノイズを低減するべく鋭
意検討した結果、予めテキスチャーを施した基板表面に
特定の金属よりなる不連続な層を設け、更にCr合金中
間膜層、Co合金磁性層を順次積層することにより、周
方向の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層とな
るとともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き
込んだ場合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記
録媒体が得られ、更に、バイアス成膜により高保磁力化
が図れ、なおかつ、テキスチャー基板のテキスチャー形
状が成膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記
録媒体が得られることを見出し本発明を完成させた。
【0010】本発明で使用する基板は、NiPめっきを
施したアルミニウム合金基板上に、ほぼ周方向にテキス
チャーを施したものである。NiPメッキ被膜は公知の
無電解めっき法により、アルミニウム合金基板上に20
μm前後の膜厚に成膜して形成することができる。その
後、基板表面を機械研磨により、Ra(中心線平均粗
さ)で好ましくは20〜30Åに仕上げた後、ラッピン
グテープや遊離砥粒によるテキスチャー加工を施し、R
aで好ましくは30〜130Å、より好ましくは40〜
100Åのテキスチャー溝を、同心円状、又は、周方向
に好ましくは10〜50°、より好ましくは15〜30
°の角度で交差するクロスパターンとなるように形成す
る。
施したアルミニウム合金基板上に、ほぼ周方向にテキス
チャーを施したものである。NiPメッキ被膜は公知の
無電解めっき法により、アルミニウム合金基板上に20
μm前後の膜厚に成膜して形成することができる。その
後、基板表面を機械研磨により、Ra(中心線平均粗
さ)で好ましくは20〜30Åに仕上げた後、ラッピン
グテープや遊離砥粒によるテキスチャー加工を施し、R
aで好ましくは30〜130Å、より好ましくは40〜
100Åのテキスチャー溝を、同心円状、又は、周方向
に好ましくは10〜50°、より好ましくは15〜30
°の角度で交差するクロスパターンとなるように形成す
る。
【0011】本発明においては、このようにして作製し
た基板上に、まず、不連続な下地膜層を形成する材料と
して、Cu,Al,Ge及びAgよりなる群から選ばれ
た金属を用い、不連続な下地膜層を成膜速度から鑑定し
た値で10〜500Å、好ましくは10〜200Åの厚
さに成膜する。成膜は、通常のスパッタ法で行うことが
でき、例えば、直流式スパッタ装置や交流スパッタ装置
を使用して成膜することができる。成膜に際しては、ま
ず、基板を予め2×10-3Pa以下に排気した真空装置
内で100〜280℃、更に好ましくは150〜250
℃の範囲で加熱する。これにより前述の散点状ないし多
島状の不連続な膜を得ることができる。この加熱温度が
280℃を超えると、NiPが磁化して記録再生特性に
悪影響を及ぼし、100℃未満では基板に到達した金属
原子が基板温度が低いと移動しづらく、核を中心とした
集合体(粒)が出来づらい。
た基板上に、まず、不連続な下地膜層を形成する材料と
して、Cu,Al,Ge及びAgよりなる群から選ばれ
た金属を用い、不連続な下地膜層を成膜速度から鑑定し
た値で10〜500Å、好ましくは10〜200Åの厚
さに成膜する。成膜は、通常のスパッタ法で行うことが
でき、例えば、直流式スパッタ装置や交流スパッタ装置
を使用して成膜することができる。成膜に際しては、ま
ず、基板を予め2×10-3Pa以下に排気した真空装置
内で100〜280℃、更に好ましくは150〜250
℃の範囲で加熱する。これにより前述の散点状ないし多
島状の不連続な膜を得ることができる。この加熱温度が
280℃を超えると、NiPが磁化して記録再生特性に
悪影響を及ぼし、100℃未満では基板に到達した金属
原子が基板温度が低いと移動しづらく、核を中心とした
集合体(粒)が出来づらい。
【0012】この基板加熱の後、スパッタ用ガスとして
アルゴンガスを2×10-1〜5×10-1Pa導入し、好
ましくは基板にバイアス電圧を印加しながら下地膜層を
成膜する。バイアス電圧の印加には、直接基板側に負の
電圧を印加しても、公知(特公平5−26250号公
報)の方法に従ってターゲット近傍に設けた中間電極を
基板に対し正の電位に印加してバイアス効果を得ても良
い。なお、基板に負のバイアス電圧を印加する場合、そ
の電圧は−20〜−300Vが好ましく、また中間電極
を用いる場合は+50V〜+500Vとするのが好まし
い。
アルゴンガスを2×10-1〜5×10-1Pa導入し、好
ましくは基板にバイアス電圧を印加しながら下地膜層を
成膜する。バイアス電圧の印加には、直接基板側に負の
電圧を印加しても、公知(特公平5−26250号公
報)の方法に従ってターゲット近傍に設けた中間電極を
基板に対し正の電位に印加してバイアス効果を得ても良
い。なお、基板に負のバイアス電圧を印加する場合、そ
の電圧は−20〜−300Vが好ましく、また中間電極
を用いる場合は+50V〜+500Vとするのが好まし
い。
【0013】このようにして、不連続な下地膜層を形成
した後は、この下地膜層の上にCr合金中間膜層を上記
と同様の方法で成膜する。このCr合金中間膜層として
は、Crが好適であり、通常の場合、厚さ500〜30
00Å程度に成膜される。
した後は、この下地膜層の上にCr合金中間膜層を上記
と同様の方法で成膜する。このCr合金中間膜層として
は、Crが好適であり、通常の場合、厚さ500〜30
00Å程度に成膜される。
【0014】次に、このCr合金中間膜層の上にCo合
金磁性層を、Cr合金中間膜層の成膜に連続して上記と
同様の方法で成膜する。ここで、磁性層のCo合金とし
ては、CoNiCr系合金、CoCr系合金、CoPt
系合金等が挙げられ、これらは更にNi,Cr,Pt,
Ta,B等の元素を含んでいても良い。特に、Crを含
有する合金の場合は、バイアス成膜により、強磁性のC
o濃縮相が非磁性のCr濃縮相で仕切られた偏析構造が
生じ、保磁力の増加とノイズの低減の効果が高く望まし
い。Co合金磁性層としては、例えば、Co−30原子
%Ni−7.5原子%Cr,Co−12原子%Cr−2
原子%Ta,Co−12原子%Ni−10原子%Ptな
どよりなるものが一般的であり、通常の場合200〜1
000Å程度の厚さに成膜される。
金磁性層を、Cr合金中間膜層の成膜に連続して上記と
同様の方法で成膜する。ここで、磁性層のCo合金とし
ては、CoNiCr系合金、CoCr系合金、CoPt
系合金等が挙げられ、これらは更にNi,Cr,Pt,
Ta,B等の元素を含んでいても良い。特に、Crを含
有する合金の場合は、バイアス成膜により、強磁性のC
o濃縮相が非磁性のCr濃縮相で仕切られた偏析構造が
生じ、保磁力の増加とノイズの低減の効果が高く望まし
い。Co合金磁性層としては、例えば、Co−30原子
%Ni−7.5原子%Cr,Co−12原子%Cr−2
原子%Ta,Co−12原子%Ni−10原子%Ptな
どよりなるものが一般的であり、通常の場合200〜1
000Å程度の厚さに成膜される。
【0015】本発明において、下地膜層、Cr合金中間
膜層及びCo合金磁性層の成膜は、それぞれ成膜条件を
適宜選定したり、また、下地膜層成膜後、一旦大気中に
取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、
Cr合金中間膜層、Co合金磁性層を成膜することもで
きるが、本発明の磁気記録媒体は、下地膜層成膜後、一
旦大気に取り出すことなく、引き続きCr合金中間膜
層、Co合金磁性層を連続スパッタ成膜することにより
製造可能であり、この場合には、磁気特性及び耐久性を
良好に保ちながら、インライン装置による大量生産を図
り、製品のコストダウンが可能である。
膜層及びCo合金磁性層の成膜は、それぞれ成膜条件を
適宜選定したり、また、下地膜層成膜後、一旦大気中に
取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、
Cr合金中間膜層、Co合金磁性層を成膜することもで
きるが、本発明の磁気記録媒体は、下地膜層成膜後、一
旦大気に取り出すことなく、引き続きCr合金中間膜
層、Co合金磁性層を連続スパッタ成膜することにより
製造可能であり、この場合には、磁気特性及び耐久性を
良好に保ちながら、インライン装置による大量生産を図
り、製品のコストダウンが可能である。
【0016】なお、上記Co合金磁性層の成膜後は、通
常の場合、引き続きインライン装置でアモルファスカー
ボン保護膜や水素化カーボン保護膜を100〜300Å
程度の膜厚で成膜し、その後、フッ素系液体潤滑剤など
を10〜50Å程度の厚さに塗布するのが一般的であ
る。
常の場合、引き続きインライン装置でアモルファスカー
ボン保護膜や水素化カーボン保護膜を100〜300Å
程度の膜厚で成膜し、その後、フッ素系液体潤滑剤など
を10〜50Å程度の厚さに塗布するのが一般的であ
る。
【0017】
【作用】予めテキスチャーを施した基板表面に特定の金
属よりなる不連続な層を設け、更にCr合金中間膜層、
Co合金磁性層を順次積層することにより、周方向の磁
気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層となるととも
に、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込んだ場
合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記録媒体が
得られる。また、バイアス成膜により高保磁力化が図れ
る。しかも、テキスチャー基板のテキスチャー形状は成
膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
属よりなる不連続な層を設け、更にCr合金中間膜層、
Co合金磁性層を順次積層することにより、周方向の磁
気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層となるととも
に、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込んだ場
合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記録媒体が
得られる。また、バイアス成膜により高保磁力化が図れ
る。しかも、テキスチャー基板のテキスチャー形状は成
膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
【0018】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、以下の実施例により何ら限定されるものでない。
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、以下の実施例により何ら限定されるものでない。
【0019】実施例1 予め3μm径のアルミナ砥粒付きのラッピングテープで
Raが100Åのテキスチャー加工を周方向に施した
後、1μm径のダイヤの遊離砥粒により周方向に30°
の角度でRaが60Åからなるテキスチャーパターンを
施したNiPメッキ被覆アルミニウム合金基板を用い、
交流マグネトロンスパッタ装置によりこの基板上に、下
地膜層、中間膜層、磁性層をアルゴン雰囲気下、次の条
件で連続スパッタ成膜した。
Raが100Åのテキスチャー加工を周方向に施した
後、1μm径のダイヤの遊離砥粒により周方向に30°
の角度でRaが60Åからなるテキスチャーパターンを
施したNiPメッキ被覆アルミニウム合金基板を用い、
交流マグネトロンスパッタ装置によりこの基板上に、下
地膜層、中間膜層、磁性層をアルゴン雰囲気下、次の条
件で連続スパッタ成膜した。
【0020】到達真空度:4×10-4Pa アルゴン分圧:3.5×10-1Pa 基板加熱温度:基板ホルダーで約270℃ 下地膜層用Cuターゲット:純度99.9%以上 中間膜層用Crターゲット:純度99.9%以上 磁性層用Coターゲット:59.5原子%Co-30原子%Ni-7.5
原子%Cr-3 原子%B 下地膜層膜厚:100Å 中間膜層膜厚:700Å 磁性層膜厚:500Å 基板側バイアス電圧:−100V(ただしCu下地層成
膜時は0V) 表1に、成膜後の表面粗さを触針式粗さ計(商品名:タ
リステップ触針:0.2×0.2 μm)で測定した結
果を示す。
原子%Cr-3 原子%B 下地膜層膜厚:100Å 中間膜層膜厚:700Å 磁性層膜厚:500Å 基板側バイアス電圧:−100V(ただしCu下地層成
膜時は0V) 表1に、成膜後の表面粗さを触針式粗さ計(商品名:タ
リステップ触針:0.2×0.2 μm)で測定した結
果を示す。
【0021】また、表2に、試料振動型磁力計(VSM
(最大印加磁界:50kOe))で磁気特性を測定した
結果を示す。
(最大印加磁界:50kOe))で磁気特性を測定した
結果を示す。
【0022】更に、図1に、ディスクに信号を書き込ん
だ時の周波数に対する媒体ノイズを示す。なお、この測
定に使用した磁気ヘッドは薄膜ヘッドで、ディスクとの
スペーシングは500Åである。媒体ノイズの測定は、
スペクトルアナライザーを用い、予め機器のノイズを0
MHzから30MHzの帯域で測定しておき、ディスク
を回転させ、書き込んだ信号を再生したときの全ノイズ
から機器のノイズを差し引きして求めた。
だ時の周波数に対する媒体ノイズを示す。なお、この測
定に使用した磁気ヘッドは薄膜ヘッドで、ディスクとの
スペーシングは500Åである。媒体ノイズの測定は、
スペクトルアナライザーを用い、予め機器のノイズを0
MHzから30MHzの帯域で測定しておき、ディスク
を回転させ、書き込んだ信号を再生したときの全ノイズ
から機器のノイズを差し引きして求めた。
【0023】比較例1 Cu下地膜層を設けなかったこと以外は実施例1と同様
に成膜を行ない、同様に、成膜後の表面粗さ、磁気特性
及び媒体ノイズを測定し、結果を各々表1,表2及び図
1に示した。
に成膜を行ない、同様に、成膜後の表面粗さ、磁気特性
及び媒体ノイズを測定し、結果を各々表1,表2及び図
1に示した。
【0024】比較例2 各層の成膜時のバイアス電圧を0Vとしたこと以外は実
施例1と同様に成膜を行ない、同様に磁気特性及び媒体
ノイズを測定し、結果を表2に示した。
施例1と同様に成膜を行ない、同様に磁気特性及び媒体
ノイズを測定し、結果を表2に示した。
【0025】
【表1】
【0026】
【表2】
【0027】表1より、Cuの下地膜層を設けた実施例
1でも、径方向の粗さは周方向の粗さより大きく、テキ
スチャー形状が保存されていることが分かる。
1でも、径方向の粗さは周方向の粗さより大きく、テキ
スチャー形状が保存されていることが分かる。
【0028】また、表2より明らかなように、Cu下地
膜層のないディスクは強い異方性を示し、テキスチャー
方向に保磁力が大きく、径方向の保磁力が小さい。しか
し、Cu下地膜層を設けた実施例1では、異方性が失わ
れ、高保磁力を有する等方膜となり、かつ、テキスチャ
ーが保存されることによって、耐久性及び磁気特性の良
好な磁気記録媒体が得られる。一方、比較例2に示すよ
うに、Cu下地膜層を有していても、成膜時に基板バイ
アス電圧を印加しないと、磁性層内での組成編析が生じ
ず保磁力が低い。
膜層のないディスクは強い異方性を示し、テキスチャー
方向に保磁力が大きく、径方向の保磁力が小さい。しか
し、Cu下地膜層を設けた実施例1では、異方性が失わ
れ、高保磁力を有する等方膜となり、かつ、テキスチャ
ーが保存されることによって、耐久性及び磁気特性の良
好な磁気記録媒体が得られる。一方、比較例2に示すよ
うに、Cu下地膜層を有していても、成膜時に基板バイ
アス電圧を印加しないと、磁性層内での組成編析が生じ
ず保磁力が低い。
【0029】更に、図1より比較例1に示すテキスチャ
ー基板を用いたディスクは、高周波領域で媒体ノイズが
急激に増加するのに対し、Cu下地膜層を設け、更に基
板バイアス電圧を印加して成膜した実施例1のディスク
では、高周波領域でも媒体ノイズの急激な増加は認めら
れず、高密度記録に適していることがわかる。
ー基板を用いたディスクは、高周波領域で媒体ノイズが
急激に増加するのに対し、Cu下地膜層を設け、更に基
板バイアス電圧を印加して成膜した実施例1のディスク
では、高周波領域でも媒体ノイズの急激な増加は認めら
れず、高密度記録に適していることがわかる。
【0030】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒
体によれば、テキスチャー基板を用い、これに不連続な
下地膜層を設けた上で基板バイアス成膜することによ
り、耐久性に必要なテキスチャー形状を保ちつつ、磁気
記録媒体が等方膜化し、高周波領域でも媒体雑音を低く
押えることができ、しかも、高保磁力の磁気記録媒体が
提供される。
体によれば、テキスチャー基板を用い、これに不連続な
下地膜層を設けた上で基板バイアス成膜することによ
り、耐久性に必要なテキスチャー形状を保ちつつ、磁気
記録媒体が等方膜化し、高周波領域でも媒体雑音を低く
押えることができ、しかも、高保磁力の磁気記録媒体が
提供される。
【図1】実施例1及び比較例1で製造したディスクの書
き込み周波数に対する媒体ノイズの測定結果を示すグラ
フである。
き込み周波数に対する媒体ノイズの測定結果を示すグラ
フである。
Claims (1)
- 【請求項1】 ほぼ周方向にテキスチャーを施したNi
Pめっき被覆アルミニウム合金基板上に、Cu,Al,
Ge及びAgからなる群から選ばれる金属よりなる不連
続な下地膜層を設け、該下地膜層の上にバイアス電圧を
印加しながらCr合金中間膜層及びCo合金磁性層を順
次設けてなることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23621493A JPH0793738A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23621493A JPH0793738A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0793738A true JPH0793738A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16997474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23621493A Pending JPH0793738A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0793738A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
US6804822B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using same |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP23621493A patent/JPH0793738A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
US6804822B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using same |
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