JPS6290960A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6290960A JPS6290960A JP23171685A JP23171685A JPS6290960A JP S6290960 A JPS6290960 A JP S6290960A JP 23171685 A JP23171685 A JP 23171685A JP 23171685 A JP23171685 A JP 23171685A JP S6290960 A JPS6290960 A JP S6290960A
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- resistor
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- polysilicon resistor
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- polysilicon
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 34
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔竜業上の利用分舒〕
この発明は、半導体装置に係り、特に静電気から内部回
路を保護する入力保護回路を含む半導体装置如関する。
路を保護する入力保護回路を含む半導体装置如関する。
従来、この種の入力保護回路は、第２図に示す様に回路
の入出力端子と内部回路との間にポリシリコンで形成さ
れた抵抗器を挿入する事によっていた。
の入出力端子と内部回路との間にポリシリコンで形成さ
れた抵抗器を挿入する事によっていた。
第２図は従来例でありｆｉ＋は入出力パラＦ、（２）は
入出力パッド側端子、（３１はコンタクト、ｔ４）は入
力保護ポリシリコン抵抗、（５）は内部回路側端子、（
６）は入力保護トランジスタ、（７）は入力保護拡散抵
抗である。入力保護回路に必要な特性は、半導体装置の
正常な動作範囲においては電流を流さず、異常電圧に対
しては内部回路の破壊電圧よりも充分低い電圧で電流を
流して入力回路をクランプし。
入出力パッド側端子、（３１はコンタクト、ｔ４）は入
力保護ポリシリコン抵抗、（５）は内部回路側端子、（
６）は入力保護トランジスタ、（７）は入力保護拡散抵
抗である。入力保護回路に必要な特性は、半導体装置の
正常な動作範囲においては電流を流さず、異常電圧に対
しては内部回路の破壊電圧よりも充分低い電圧で電流を
流して入力回路をクランプし。
更にサージ電圧に対して速やかに応答することである。
これらの条件を？ＩＡたすものとして、例えばｎチャネ
ルＭＯ３においては、前記ｇＩＪ２９に示す回路があっ
た。従来例の動作を、第２図の等価回路である第３図に
おいて説明する。この回路では、入出力パッド側端子（
２）と内部回路ｆＩＩＩｌ 幼子（５）との間に入力保
護ポリシリコン抵抗（４１があり、内部回路側端子（６
１と内部回路との間に入力保護トランジスタ（６）、入
力保護拡散抵抗（７）、前２抵抗（７）と基板（Ｐ型）
とのｐｎ接合によるダイオード（８）とがあり、基板電
位（ＧＮＤ）に対して負電圧が入出力パッド側端子（２
１に加わった時には入力保護トランジスタ（６）とダイ
オード（８）との順方向特性によってこれをクランプし
、正電圧が加わった時には入力保護トランジスタ（６）
内ｐｎ接合と、ダイオード（８）との回復可能なブレー
クダウンによってこれをクランプし、更に１１列抵抗＋
６１ 、 ＋７１の分圧効果を利用してそのクランプ効
果′５−更に向上させている。
ルＭＯ３においては、前記ｇＩＪ２９に示す回路があっ
た。従来例の動作を、第２図の等価回路である第３図に
おいて説明する。この回路では、入出力パッド側端子（
２）と内部回路ｆＩＩＩｌ 幼子（５）との間に入力保
護ポリシリコン抵抗（４１があり、内部回路側端子（６
１と内部回路との間に入力保護トランジスタ（６）、入
力保護拡散抵抗（７）、前２抵抗（７）と基板（Ｐ型）
とのｐｎ接合によるダイオード（８）とがあり、基板電
位（ＧＮＤ）に対して負電圧が入出力パッド側端子（２
１に加わった時には入力保護トランジスタ（６）とダイ
オード（８）との順方向特性によってこれをクランプし
、正電圧が加わった時には入力保護トランジスタ（６）
内ｐｎ接合と、ダイオード（８）との回復可能なブレー
クダウンによってこれをクランプし、更に１１列抵抗＋
６１ 、 ＋７１の分圧効果を利用してそのクランプ効
果′５−更に向上させている。
上記従来の構造においては、入力保護ポリシリコン抵抗
（４１の抵抗値を大きく、かつ占有する面精を小さくす
る必要性から、入力保護ポリシリコン抵抗（４）の形状
を屈曲させていた。そのため、入出力パッドｆｉ＋に静
電気等の高電圧が印加された際に屈曲部（９１の内側部
に電界が集中するので、入力保護ポリシリコン抵抗（４
）の屈曲部（９１の内側部が破壊されるという問題点が
あった。
（４１の抵抗値を大きく、かつ占有する面精を小さくす
る必要性から、入力保護ポリシリコン抵抗（４）の形状
を屈曲させていた。そのため、入出力パッドｆｉ＋に静
電気等の高電圧が印加された際に屈曲部（９１の内側部
に電界が集中するので、入力保護ポリシリコン抵抗（４
）の屈曲部（９１の内側部が破壊されるという問題点が
あった。
本発明の目的は、上記のような問題点を解消する念めに
なされたもので、入力保護ポリシリコン抵抗内での電界
集中を軽減することにより、入力保護ポリシリコン抵抗
の破壊限界を耳くする事を目的とする。
なされたもので、入力保護ポリシリコン抵抗内での電界
集中を軽減することにより、入力保護ポリシリコン抵抗
の破壊限界を耳くする事を目的とする。
この発明に係る半導体装置は、入力保護ポリシリコン抵
抗内の屈曲した部分に、この入力保護ポリシリコン抵抗
より電気抵抗が低い金属を形成したものである。
抗内の屈曲した部分に、この入力保護ポリシリコン抵抗
より電気抵抗が低い金属を形成したものである。
この発明における半導体装置は、前記入力保護ポリシリ
コン抵抗内での電界集中を軽減され、前記入力保護ポリ
シリコン抵抗の破壊限界を高める。
コン抵抗内での電界集中を軽減され、前記入力保護ポリ
シリコン抵抗の破壊限界を高める。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（ｌＯ）は入力保護ポリシリコン抵抗（４
）の屈曲部（９１の上層部に櫃まれた金属（例えばアル
ミニウム層）である。０１）は前記入力保時ポリシリコ
ン抵抗（４１の屈曲部（９１と前記入力係挿ポリシリコ
ン抵抗（４１の屈曲部（９１の上層部に積まれた金属（
例えばアルミニウム） （１０１とのコンタクトである
。
図において、（ｌＯ）は入力保護ポリシリコン抵抗（４
）の屈曲部（９１の上層部に櫃まれた金属（例えばアル
ミニウム層）である。０１）は前記入力保時ポリシリコ
ン抵抗（４１の屈曲部（９１と前記入力係挿ポリシリコ
ン抵抗（４１の屈曲部（９１の上層部に積まれた金属（
例えばアルミニウム） （１０１とのコンタクトである
。
上ゲ借造においては、入出力パッド（１）に印加された
静電気等の瞬時的高電圧は、入出力パッド（１１に接続
している入力係蹄ポリシリコン抵抗（４）の屈曲部（９
）を通過する際、入力保護ポリシリコン抵抗（４）の屈
曲部（９１の上層部にコンタクトαυをもって接続され
た金属（例えばアルミニウム層） （１０１を経て。
静電気等の瞬時的高電圧は、入出力パッド（１１に接続
している入力係蹄ポリシリコン抵抗（４）の屈曲部（９
）を通過する際、入力保護ポリシリコン抵抗（４）の屈
曲部（９１の上層部にコンタクトαυをもって接続され
た金属（例えばアルミニウム層） （１０１を経て。
再び入力保護ポリシリコン抵抗（４１の１１線部分に放
出されるので、入力保護ポリシリコン抵抗（４）の屈曲
部（９１における電界集中は軽減される。
出されるので、入力保護ポリシリコン抵抗（４）の屈曲
部（９１における電界集中は軽減される。
なお、上記実症例の構造を形成する際に、電界集中を峰
減する目的で入力保護ポリシリコン抵抗（４１の屈曲部
（９１の上層部にコンタクトαυをもって接続される金
属ｔｌｏｌはシリサイド等ポリシリコンより抵抗の小さ
い物質で、上記作用をするものならばよい。またコンタ
クトα℃の個数は上記実症例に示した個数に限定される
ものではない。
減する目的で入力保護ポリシリコン抵抗（４１の屈曲部
（９１の上層部にコンタクトαυをもって接続される金
属ｔｌｏｌはシリサイド等ポリシリコンより抵抗の小さ
い物質で、上記作用をするものならばよい。またコンタ
クトα℃の個数は上記実症例に示した個数に限定される
ものではない。
以上のように、この発明によれば、入出力パッドに印加
された静電気等の開時高電圧は、入力保護ポリシリコン
抵抗の屈曲部に集中せず、入力保時ポリシリコン抵抗の
破壊限界が高められる。
された静電気等の開時高電圧は、入力保護ポリシリコン
抵抗の屈曲部に集中せず、入力保時ポリシリコン抵抗の
破壊限界が高められる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す上
面図、第２図は従来の半導体装置を示す上面図、第３図
は従来の半導体装置を示す上面図第２図の等価回路図で
ある。 図において、（！１は入出力パッド、（２）は入出力パ
ッド側端子、（３）はコンタクト、（４１は入力保護ポ
リシリコン抵抗、（５）は内部回路側端子、（６）は入
力保護トランジスタ、（７）は入力保護拡散抵抗、（８
）は入力保護拡散抵抗（７）と基板とのｐｎ接合による
ダイオード、（９１は入力保護ポリシリコン抵抗（４）
の屈曲部、（１０）は入力保護ポリシリコン抵抗（４１
の屈曲部（９１の上層部に槽ま拘た金属、０℃は前記入
力保循ポリシリコン抵抗の屈曲部（９１と前記入力保護
ポリシリコン抵抗（４）の屈曲部（９１の上層部に稍ま
ね、た金属ｔ＋０１とのコンタクト、（２）は基準電位
の金属である。 図中、同一符号は相当部分を示す。
面図、第２図は従来の半導体装置を示す上面図、第３図
は従来の半導体装置を示す上面図第２図の等価回路図で
ある。 図において、（！１は入出力パッド、（２）は入出力パ
ッド側端子、（３）はコンタクト、（４１は入力保護ポ
リシリコン抵抗、（５）は内部回路側端子、（６）は入
力保護トランジスタ、（７）は入力保護拡散抵抗、（８
）は入力保護拡散抵抗（７）と基板とのｐｎ接合による
ダイオード、（９１は入力保護ポリシリコン抵抗（４）
の屈曲部、（１０）は入力保護ポリシリコン抵抗（４１
の屈曲部（９１の上層部に槽ま拘た金属、０℃は前記入
力保循ポリシリコン抵抗の屈曲部（９１と前記入力保護
ポリシリコン抵抗（４）の屈曲部（９１の上層部に稍ま
ね、た金属ｔ＋０１とのコンタクト、（２）は基準電位
の金属である。 図中、同一符号は相当部分を示す。
Claims (1)
- 入力保護ポリシリコン抵抗内の屈曲した部分に上記入力
保護ポリシリコン抵抗より電気抵抗値の低い金属を形成
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23171685A JPS6290960A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23171685A JPS6290960A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290960A true JPS6290960A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16927894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23171685A Pending JPS6290960A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290960A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63275158A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6482662A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | Input protective circuit of semiconductor |
| US5019883A (en) * | 1987-01-28 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Input protective apparatus of semiconductor device |
| JP2008177466A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置およびその表示装置を備えた電子機器 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP23171685A patent/JPS6290960A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019883A (en) * | 1987-01-28 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Input protective apparatus of semiconductor device |
| JPS63275158A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6482662A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | Input protective circuit of semiconductor |
| JP2008177466A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置およびその表示装置を備えた電子機器 |
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