JPS628513B2 - - Google Patents
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- JPS628513B2 JPS628513B2 JP960080A JP960080A JPS628513B2 JP S628513 B2 JPS628513 B2 JP S628513B2 JP 960080 A JP960080 A JP 960080A JP 960080 A JP960080 A JP 960080A JP S628513 B2 JPS628513 B2 JP S628513B2
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- oxide film
- silicon oxide
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- resist
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- Expired
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化シリコン膜を選択的に除去し、
所定形状にパターニングする方法に関する。
所定形状にパターニングする方法に関する。
従来半導体装置の製造方法等において、基板上
の酸化シリコン膜を選択的に除去し、所定の微細
パターン形状にパターニングするには酸化シリコ
ン膜上にネガ型又はポジ型の感光性樹脂（フオ
ト・レジスト）を塗布し、この上に所定パターン
を有するフオト・マスクなどをのせ、紫外線など
を照射し、現像液で現像することにより、該感光
性樹脂を選択的に除去し、該感光性樹脂をマスク
として該酸化シリコン膜を通常の湿式又は乾式エ
ツチング法により選択的に除去している。このよ
うな方法では感光性樹脂を現像する工程が必要で
あり、特に半導体基板上の酸化シリコン膜をパタ
ーニングする際には該現像液により半導体基板が
汚染する問題がある。また感光性樹脂としてネガ
型レジストを使用する場合、ネガ型レジストは、
一般に現像液に浸漬することにより膨潤する傾向
があるため、１μ程度の微細パターンの形式を精
度良く行なうことが、困難である問題がある。
の酸化シリコン膜を選択的に除去し、所定の微細
パターン形状にパターニングするには酸化シリコ
ン膜上にネガ型又はポジ型の感光性樹脂（フオ
ト・レジスト）を塗布し、この上に所定パターン
を有するフオト・マスクなどをのせ、紫外線など
を照射し、現像液で現像することにより、該感光
性樹脂を選択的に除去し、該感光性樹脂をマスク
として該酸化シリコン膜を通常の湿式又は乾式エ
ツチング法により選択的に除去している。このよ
うな方法では感光性樹脂を現像する工程が必要で
あり、特に半導体基板上の酸化シリコン膜をパタ
ーニングする際には該現像液により半導体基板が
汚染する問題がある。また感光性樹脂としてネガ
型レジストを使用する場合、ネガ型レジストは、
一般に現像液に浸漬することにより膨潤する傾向
があるため、１μ程度の微細パターンの形式を精
度良く行なうことが、困難である問題がある。
本発明は上記問題点を解決する酸化シリコン膜
の選択蝕刻法を提案するもので、基板上に形成さ
れた酸化シリコン膜上にネガレジストを塗布し、
選択的に紫外線露光し、次いで、該基板全表面を
フツ素系ガスプラズマ雰囲気中に所定時間露呈し
た後、該ネガレジストを剥離することにより、非
露光部に対応する該酸化シリコン膜を選択的に除
去することを特徴とする。
の選択蝕刻法を提案するもので、基板上に形成さ
れた酸化シリコン膜上にネガレジストを塗布し、
選択的に紫外線露光し、次いで、該基板全表面を
フツ素系ガスプラズマ雰囲気中に所定時間露呈し
た後、該ネガレジストを剥離することにより、非
露光部に対応する該酸化シリコン膜を選択的に除
去することを特徴とする。
本発明は、基板上に形成された酸化シリコン膜
上にネガ型レジストを塗布し、選択的に紫外線を
露光した後、ネガ型レジストを現像液に浸漬する
ことなく、全面に該レジストが塗布された状態
で、フツ素系ガス雰囲気中に露呈すると、紫外線
露光部と紫外線非露光部とでは、該レジスト下の
該酸化シリコン膜が除去される速度が異なる現象
を発見したことに基づくものである。
上にネガ型レジストを塗布し、選択的に紫外線を
露光した後、ネガ型レジストを現像液に浸漬する
ことなく、全面に該レジストが塗布された状態
で、フツ素系ガス雰囲気中に露呈すると、紫外線
露光部と紫外線非露光部とでは、該レジスト下の
該酸化シリコン膜が除去される速度が異なる現象
を発見したことに基づくものである。
次に実施例に基づき、本発明を詳細に説明す
る。
る。
半導体基板上の多結晶シリコン層をパターニン
グし、配線パターンを形成する際、該多結晶シリ
コン層上に酸化シリコン膜を形成し、該酸化シリ
コン膜を所定のパターンに形成し、該パターニン
グされた酸化シリコン膜をマスクとして、多結晶
シリコン層を選択的に除去し、パターニングする
工程を一例として説明する。
グし、配線パターンを形成する際、該多結晶シリ
コン層上に酸化シリコン膜を形成し、該酸化シリ
コン膜を所定のパターンに形成し、該パターニン
グされた酸化シリコン膜をマスクとして、多結晶
シリコン層を選択的に除去し、パターニングする
工程を一例として説明する。
（第１図参照）
シリコン半導体基板１上に厚さ3000乃至5000Å
程度の多結晶シリコン層２を化学気相成長法等に
より形成し、次いで、熱酸化法等により該多結晶
シリコン層２上に厚さ400Å程度の酸化シリコン
膜３を形成する。
程度の多結晶シリコン層２を化学気相成長法等に
より形成し、次いで、熱酸化法等により該多結晶
シリコン層２上に厚さ400Å程度の酸化シリコン
膜３を形成する。
（第２図参照）
次に該酸化シリコン膜３上にネガ型レジスト４
例えばOMR（東京応化製）を厚さ8000乃至9000
Åに塗布し、所定のパターン５を有するフオト・
マスク６を介して選択的に紫外線露光し、該レジ
スト膜４を選択的に化学変化させる。露光時間及
び露光強度は、レジスト膜４厚によるが紫外線露
光により、レジスト膜に化学変化を生ずるのに充
分な程度に選択する。
例えばOMR（東京応化製）を厚さ8000乃至9000
Åに塗布し、所定のパターン５を有するフオト・
マスク６を介して選択的に紫外線露光し、該レジ
スト膜４を選択的に化学変化させる。露光時間及
び露光強度は、レジスト膜４厚によるが紫外線露
光により、レジスト膜に化学変化を生ずるのに充
分な程度に選択する。
（第３図参照）
次にネガ型レジスト４が、該酸化シリコン膜上
に全面塗布された状態で、フツ化水素ガス雰囲気
中に所定時間露呈する。一例としてトリフロロメ
タン（CHF3）ガスを用い、流量40〔c.c.／分〕圧
力0.2〔torr〕、出力1250〔Ｗ〕で約40分間イオン
照射を行なう。このとき、非電光部領域に対応す
るネガレジスト下の酸化シリコン膜は、１分間に
約10Å程度の速さで消失するのに対し、露光部領
域に対応するネガレジスト下の酸化シリコン膜
は、１分間に約４Å程度の速さで消失していく。
従つて、約40分間の上記イオン照射を行なえば非
露光部領域に対応するネガレジスト下の該酸化シ
リコン膜は完全に消失するのに対し、露光部領域
に対応する該酸化シリコン膜は残存している。フ
ツ素系ガスとしてトリフロロメタン（CHF3）の
他、フツ化メチル（CH3F）等、フツ素系ガスが
適する。
に全面塗布された状態で、フツ化水素ガス雰囲気
中に所定時間露呈する。一例としてトリフロロメ
タン（CHF3）ガスを用い、流量40〔c.c.／分〕圧
力0.2〔torr〕、出力1250〔Ｗ〕で約40分間イオン
照射を行なう。このとき、非電光部領域に対応す
るネガレジスト下の酸化シリコン膜は、１分間に
約10Å程度の速さで消失するのに対し、露光部領
域に対応するネガレジスト下の酸化シリコン膜
は、１分間に約４Å程度の速さで消失していく。
従つて、約40分間の上記イオン照射を行なえば非
露光部領域に対応するネガレジスト下の該酸化シ
リコン膜は完全に消失するのに対し、露光部領域
に対応する該酸化シリコン膜は残存している。フ
ツ素系ガスとしてトリフロロメタン（CHF3）の
他、フツ化メチル（CH3F）等、フツ素系ガスが
適する。
次いで、通常の酸素プラズマ照射灰化処理によ
り該ネガ型レジストを剥離すると、非露光部に対
応する酸化シリコン膜が選択的に除去され、所定
パターンに形成された酸化シリコン膜３′が得ら
れる。
り該ネガ型レジストを剥離すると、非露光部に対
応する酸化シリコン膜が選択的に除去され、所定
パターンに形成された酸化シリコン膜３′が得ら
れる。
このようにして、所定パターンに形成された該
酸化シリコン膜３′をマスクとして、該酸化シリ
コン膜３′下の該多結晶シリコン層２を通常の湿
式又は乾式エツチング法により、選択的にエツチ
ング除去する。
酸化シリコン膜３′をマスクとして、該酸化シリ
コン膜３′下の該多結晶シリコン層２を通常の湿
式又は乾式エツチング法により、選択的にエツチ
ング除去する。
以上説明したように、本発明によれば、レジス
ト膜を現像液に浸漬して現像する工程がないた
め、レジストパターンの膨潤や現像液による汚染
を生ずることがないため精度良く微細パターンを
形成することができ、又、歩留りが向上する利点
がある。
ト膜を現像液に浸漬して現像する工程がないた
め、レジストパターンの膨潤や現像液による汚染
を生ずることがないため精度良く微細パターンを
形成することができ、又、歩留りが向上する利点
がある。
第１図乃至第４図は本発明による一部工程図を
示す。 １……シリコン基板、２……多結晶シリコン
層、３……酸化シリコン膜、４……レジスト層。
示す。 １……シリコン基板、２……多結晶シリコン
層、３……酸化シリコン膜、４……レジスト層。
Claims (1)
- １ 基板上に形成された酸化シリコン膜上にネガ
レジストを塗布し、選択的に紫外線露光し、次い
で該基板全表面をフツ素系ガスプラズマ雰囲気中
に所定時間露呈した後、該ネガレジストを剥離す
ることにより、非露光部に対応する該酸化シリコ
ン膜を選択的に除去することを特徴とする酸化シ
リコン膜の選択蝕刻法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP960080A JPS56108880A (en) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | Selectively etching method for silicon oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP960080A JPS56108880A (en) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | Selectively etching method for silicon oxide film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56108880A JPS56108880A (en) | 1981-08-28 |
| JPS628513B2 true JPS628513B2 (ja) | 1987-02-23 |
Family
ID=11724801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP960080A Granted JPS56108880A (en) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | Selectively etching method for silicon oxide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56108880A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0718012B2 (ja) * | 1985-11-13 | 1995-03-01 | 日本電気株式会社 | 表面選択処理方法 |
-
1980
- 1980-01-30 JP JP960080A patent/JPS56108880A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56108880A (en) | 1981-08-28 |
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