JPS6277461A - 高周波スパツタ電極のバツキングプレ−ト - Google Patents
高周波スパツタ電極のバツキングプレ−トInfo
- Publication number
- JPS6277461A JPS6277461A JP21721085A JP21721085A JPS6277461A JP S6277461 A JPS6277461 A JP S6277461A JP 21721085 A JP21721085 A JP 21721085A JP 21721085 A JP21721085 A JP 21721085A JP S6277461 A JPS6277461 A JP S6277461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- sputtering
- high frequency
- abnormal discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
艮生分髭
本発明は、高周波スパッタ電極のバッキングプレートに
関する。
関する。
従】野緊遣貧−
高周波スパッタリングは、金属などの導電体ばかりか、
絶縁物もスパッタすることができ、種々な分野に広く用
いられている。第３図は、従来のスパッタ電極付近の構
造を示す断面図である。スパッタ電極１５のバッキング
プレート１７上にはターゲット２】が載せられており、
ターゲット２１の縁部に届く位置までアースシールド１
９が覆うようにして設けられている。バッキングプレー
ト１７は銅などの金属板で形成されており、冷却水によ
り冷却されている。冷却効率を高めるために、ターゲッ
ト２１がバッキングプレート１７に接着されている場合
もある。
絶縁物もスパッタすることができ、種々な分野に広く用
いられている。第３図は、従来のスパッタ電極付近の構
造を示す断面図である。スパッタ電極１５のバッキング
プレート１７上にはターゲット２】が載せられており、
ターゲット２１の縁部に届く位置までアースシールド１
９が覆うようにして設けられている。バッキングプレー
ト１７は銅などの金属板で形成されており、冷却水によ
り冷却されている。冷却効率を高めるために、ターゲッ
ト２１がバッキングプレート１７に接着されている場合
もある。
この状態で放電を行うと、金属ターゲットを用いたとき
は比較的安定に放電するが、Ｓ ｉ、Ｎ４＋ＴｉＯ２＋
Ａ１□０．、Ｔａ２０５＋Ｓｉ、Ｎ４などの誘電体をス
パッタしたときは、異常放電を起こしやすい傾向があっ
た。異常放電はアースシールド１９の近傍のターゲット
側面部２１ｂや周縁部２１ａで起こる。この異常放電は
、ターゲットの電力密度が増すほど激しくなる。
は比較的安定に放電するが、Ｓ ｉ、Ｎ４＋ＴｉＯ２＋
Ａ１□０．、Ｔａ２０５＋Ｓｉ、Ｎ４などの誘電体をス
パッタしたときは、異常放電を起こしやすい傾向があっ
た。異常放電はアースシールド１９の近傍のターゲット
側面部２１ｂや周縁部２１ａで起こる。この異常放電は
、ターゲットの電力密度が増すほど激しくなる。
異常放電が起こると、放電が不安定になるばかりか、熱
により溶けた微粒子状の物質が飛び散って基板に損傷を
与えるという問題もあった。
により溶けた微粒子状の物質が飛び散って基板に損傷を
与えるという問題もあった。
また、一旦異常放電が発生すると連鎖的に継続し、なか
なか正常状態の放電に移行しないため。
なか正常状態の放電に移行しないため。
整合がとれずに高周波回路部品の損傷を招くおそれもあ
る。
る。
このようなターゲットを観察してみると、異常放電が起
こしていたターゲットの周縁部２１ａおよび側面部２１
ｂでは、微少な凹部が形成されている。
こしていたターゲットの周縁部２１ａおよび側面部２１
ｂでは、微少な凹部が形成されている。
発明の目的
本発明は、誘電体を高周波スパッタする場合に生じる異
常放電を防止することができるバッキングプレート構造
を提供するものである。
常放電を防止することができるバッキングプレート構造
を提供するものである。
見所■量戒
本発明の高周波スパッタ電極のバッキングプレートは、
導電体からなり、高周波スパッタ電極におけるターゲッ
トの当接面を構成するバッキングプレートにおいて、周
縁部を残して中央部にターゲット収納用の凹部が形成さ
れ、ターゲットの側面をバッキングプレートにより覆う
ようになっていることを特徴とする。
導電体からなり、高周波スパッタ電極におけるターゲッ
トの当接面を構成するバッキングプレートにおいて、周
縁部を残して中央部にターゲット収納用の凹部が形成さ
れ、ターゲットの側面をバッキングプレートにより覆う
ようになっていることを特徴とする。
第１図は、本発明の実施例を示すスパッタ電極付近の断
面図である。真空槽のベースプレート１１に絶縁体１３
を介し電気的に浮かしてスパッタ電極１５が設けられて
いる。スパッタ電極１５のバッキングプレート１７の裏
面には、マグネトロンスパッタリングを行うための磁石
２３が配設されている。スパッタ電極１５は整合回路２
５を介して電源２７に接続されている。図示していない
が、スパッタ電極１５内には冷却水が流されており、こ
れによりバッキングプレート２１が冷却されている。ス
パッタ電極１５のバッキングプレート１７上にはターゲ
ット２１が載せられている。アースシールド１９がスパ
ッタ電極１５の側面部、さらにバッキングプレートを越
えてターゲット２１の縁部に届く位置まで覆うようにし
て設けられており、バッキングプレート１７の周壁部１
７ｂがスパッタされるのが防止される。アースシールド
１９はベースプレート１１を介してアースされている。
面図である。真空槽のベースプレート１１に絶縁体１３
を介し電気的に浮かしてスパッタ電極１５が設けられて
いる。スパッタ電極１５のバッキングプレート１７の裏
面には、マグネトロンスパッタリングを行うための磁石
２３が配設されている。スパッタ電極１５は整合回路２
５を介して電源２７に接続されている。図示していない
が、スパッタ電極１５内には冷却水が流されており、こ
れによりバッキングプレート２１が冷却されている。ス
パッタ電極１５のバッキングプレート１７上にはターゲ
ット２１が載せられている。アースシールド１９がスパ
ッタ電極１５の側面部、さらにバッキングプレートを越
えてターゲット２１の縁部に届く位置まで覆うようにし
て設けられており、バッキングプレート１７の周壁部１
７ｂがスパッタされるのが防止される。アースシールド
１９はベースプレート１１を介してアースされている。
バッキングプレート１７の中央部には、載置されるター
ゲット２１の厚さとほぼ等しい深さの凹部１７ａが設け
られており、ターゲット２１はこの中にすっぽりと入る
ように収納されている。凹部１７ａの周囲の周壁部１７
ｂは、ターゲット２１の側面部２１ｂを覆っている。凹
部１７の形状は、円状、角状などいずれでもよい。
ゲット２１の厚さとほぼ等しい深さの凹部１７ａが設け
られており、ターゲット２１はこの中にすっぽりと入る
ように収納されている。凹部１７ａの周囲の周壁部１７
ｂは、ターゲット２１の側面部２１ｂを覆っている。凹
部１７の形状は、円状、角状などいずれでもよい。
第２図は、本発明のバッキングプレートの他の実施例を
示す断面図である。なお、この図では、ターゲットを当
接しない状態を示している。
示す断面図である。なお、この図では、ターゲットを当
接しない状態を示している。
バッキングプレート１７の周壁部１７ｂは段差を有さす
ほぼ水平に形成されており、この囲りにシールドギャッ
プを保ってアースシールド１９が設けられている。この
装置は通常の二極スパッタ装置であり、バッキングプレ
ート１７の裏面には磁石が設けられていない。
ほぼ水平に形成されており、この囲りにシールドギャッ
プを保ってアースシールド１９が設けられている。この
装置は通常の二極スパッタ装置であり、バッキングプレ
ート１７の裏面には磁石が設けられていない。
本発明のバッキングプレート１７を有するスパッタ装置
を用いてスパッタを行うには、ターゲットをバッキング
プレート１７の凹部１７ａに収納し、必要によりターゲ
ット裏面をバッキングプレート１７に接着し、スパッタ
すればよい。なお、各実施例ではターゲット表面が上を
向く構成を示したが、ターゲット表面が下あるいは横方
向を向くようにしてスパッタしてもよい。
を用いてスパッタを行うには、ターゲットをバッキング
プレート１７の凹部１７ａに収納し、必要によりターゲ
ット裏面をバッキングプレート１７に接着し、スパッタ
すればよい。なお、各実施例ではターゲット表面が上を
向く構成を示したが、ターゲット表面が下あるいは横方
向を向くようにしてスパッタしてもよい。
発明の効果
本発明によれば、ターゲットの側面がバッキングプレー
トで覆われるように、バッキングプレートにターゲット
収納用の凹部を形成することにより異常放電を防止して
安定な放電を行うことができる。
トで覆われるように、バッキングプレートにターゲット
収納用の凹部を形成することにより異常放電を防止して
安定な放電を行うことができる。
実験例
銅で形成した第１図、第２向および第３図に示すバッキ
ングプレートを用意し、直径９０ｍｍφ、厚さ５ｎｕｎ
のターゲット（Ｓ ｘ ３ Ｎ４ ＋ Ｔ ｘ○２＋Ａ
１□○、）を、次の条件でマグネトロンスパッタした。
ングプレートを用意し、直径９０ｍｍφ、厚さ５ｎｕｎ
のターゲット（Ｓ ｘ ３ Ｎ４ ＋ Ｔ ｘ○２＋Ａ
１□○、）を、次の条件でマグネトロンスパッタした。
スパッタ圧カニ ３ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ放ｆｆｉ電カ
ニ ５００Ｗ スパッタ時間：１０分 この結果、第３図に示した従来例のバッキングプレート
では、異常放電が肉眼で観察され正常放電に移行しなか
ったのに対し、第１図および第２図に示した本発明のバ
ッキングプレートでは異常放電が起こらなかった。なぜ
異常放電が防止されるかそのメカニズムは明らかでない
が、アースシールド近傍の絶縁体ターゲット上には電荷
が蓄積しやすく、これが異常放電の原因となっていたの
に対し、本発明のバッキングプレート形状により、この
電荷の蓄積が防止されるためではないかと考えられる。
ニ ５００Ｗ スパッタ時間：１０分 この結果、第３図に示した従来例のバッキングプレート
では、異常放電が肉眼で観察され正常放電に移行しなか
ったのに対し、第１図および第２図に示した本発明のバ
ッキングプレートでは異常放電が起こらなかった。なぜ
異常放電が防止されるかそのメカニズムは明らかでない
が、アースシールド近傍の絶縁体ターゲット上には電荷
が蓄積しやすく、これが異常放電の原因となっていたの
に対し、本発明のバッキングプレート形状により、この
電荷の蓄積が防止されるためではないかと考えられる。
第１図および第２図は本発明の実施例を示す断面図であ
る。 第３図は従来のバッキングプレートを示す断面図である
。 １５・・・スパッタ電極 １７・・・バッキングプレート
る。 第３図は従来のバッキングプレートを示す断面図である
。 １５・・・スパッタ電極 １７・・・バッキングプレート
Claims (1)
- １、導電体からなり、高周波スパッタ電極におけるター
ゲットの当接面を構成するバッキングプレートにおいて
、周縁部を残して中央部にターゲット収納用の凹部が形
成され、ターゲットの側面をバッキングプレートにより
覆うようになっていることを特徴とする高周波スパッタ
電極のバッキングプレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21721085A JPS6277461A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 高周波スパツタ電極のバツキングプレ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21721085A JPS6277461A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 高周波スパツタ電極のバツキングプレ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277461A true JPS6277461A (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=16700588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21721085A Pending JPS6277461A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 高周波スパツタ電極のバツキングプレ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277461A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103249U (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-28 | ||
| EP1125000A1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-08-22 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US7959776B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-06-14 | Applied Films Gmbh & Co. | Cooled backing plate for a sputtering target, and sputtering target comprising a plurality of backing plates |
| JP5265811B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2013-08-14 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置 |
| JP5282167B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2013-09-04 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置 |
| WO2017016575A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | Applied Materials, Inc. | Cooling and utilization optimization of heat sensitive bonded metal targets |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21721085A patent/JPS6277461A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103249U (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-28 | ||
| EP1125000A1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-08-22 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| EP1125000A4 (en) * | 1998-10-14 | 2002-06-26 | Praxair Technology Inc | SPUTTER TARGET / CARRIER PLATE ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US7959776B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-06-14 | Applied Films Gmbh & Co. | Cooled backing plate for a sputtering target, and sputtering target comprising a plurality of backing plates |
| JP5265811B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2013-08-14 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置 |
| JP5282167B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2013-09-04 | 株式会社アルバック | スパッタ成膜装置 |
| WO2017016575A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | Applied Materials, Inc. | Cooling and utilization optimization of heat sensitive bonded metal targets |
| CN107851548A (zh) * | 2015-07-24 | 2018-03-27 | 应用材料公司 | 热敏粘结的金属靶的冷却和利用优化 |
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