JPH01175738A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH01175738A JPH01175738A JP33591687A JP33591687A JPH01175738A JP H01175738 A JPH01175738 A JP H01175738A JP 33591687 A JP33591687 A JP 33591687A JP 33591687 A JP33591687 A JP 33591687A JP H01175738 A JPH01175738 A JP H01175738A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はドライエツチング装置に関するもので、特に
、金属電極を保護し、ウェハの金属汚染を防止すること
のできるドライエツチング装置に関するものである。
、金属電極を保護し、ウェハの金属汚染を防止すること
のできるドライエツチング装置に関するものである。
〔従来の技術]
第3図は従来のドライエツチング装置の全体を示す図で
ある。従来のドライエツチング装置はプラズマを発生さ
せるために対向して配置された上部、および下部電極6
.1と、ウェハを保護するための保護板3とそれらを収
容する反応容器5とを含む。反応容器5にはエツチング
ガスを供給するエツチングガス配管9と、底部に真空排
気用の真空排気口Bとが設けられている。下部電極1の
上には保護板3が配置され、この上に被エツチング部材
であるウェハ2が載置される。上部電極6にも保護板3
が配置される場合もある。下部電極1は高周波電源7に
接続され、ウェハ2の冷却用の冷却水が循環される冷却
水配管11が接続されている。
ある。従来のドライエツチング装置はプラズマを発生さ
せるために対向して配置された上部、および下部電極6
.1と、ウェハを保護するための保護板3とそれらを収
容する反応容器5とを含む。反応容器5にはエツチング
ガスを供給するエツチングガス配管9と、底部に真空排
気用の真空排気口Bとが設けられている。下部電極1の
上には保護板3が配置され、この上に被エツチング部材
であるウェハ2が載置される。上部電極6にも保護板3
が配置される場合もある。下部電極1は高周波電源7に
接続され、ウェハ2の冷却用の冷却水が循環される冷却
水配管11が接続されている。
ドライエツチング装置でエツチングが行なわれる場合、
次のように行なわれる。被エツチング部材であるウェハ
2が下部電極上に載置される。エツチングガスがエツチ
ングガス配管9を介して反応容器5の中に導入される。
次のように行なわれる。被エツチング部材であるウェハ
2が下部電極上に載置される。エツチングガスがエツチ
ングガス配管9を介して反応容器5の中に導入される。
同時に真空排気口8からガスが排気される。その結果容
器内が一定の圧力に保持される。その状態で高周波電源
7により下部電極1に高周波電力が印加される。その結
果電極1と6との間に高周波放電によるプラズマ−10
が形成される。このプラズマによってウエノ12のドラ
イエツチングが行なわれる。
器内が一定の圧力に保持される。その状態で高周波電源
7により下部電極1に高周波電力が印加される。その結
果電極1と6との間に高周波放電によるプラズマ−10
が形成される。このプラズマによってウエノ12のドラ
イエツチングが行なわれる。
第4図、第5図、第6図、第7図、第8A図、第8B図
はそれぞれ従来のドライエツチング装置におけるウェハ
の下部電極上への載置状態の例を示す断面図である。
はそれぞれ従来のドライエツチング装置におけるウェハ
の下部電極上への載置状態の例を示す断面図である。
第4図、第5図はたとえばステンレス、アルミなどの金
属電極1の上に直接ウエノ\2を載置した場合の断面図
である。第6図、第7図はたとえば石英、テフロン、カ
ーボンなどからなる保護板3を金属電極1に密着させて
おき、保護板3上に直接ウェハ2を載置した場合の断面
図である。第5図、第7図ともウェハ2の径に合わせて
ウェハ載置部に座ぐり加工を施したものである。これは
、ウェハ2の位置決めとウェハ周辺の電界の不均一性を
緩和するためのものである。
属電極1の上に直接ウエノ\2を載置した場合の断面図
である。第6図、第7図はたとえば石英、テフロン、カ
ーボンなどからなる保護板3を金属電極1に密着させて
おき、保護板3上に直接ウェハ2を載置した場合の断面
図である。第5図、第7図ともウェハ2の径に合わせて
ウェハ載置部に座ぐり加工を施したものである。これは
、ウェハ2の位置決めとウェハ周辺の電界の不均一性を
緩和するためのものである。
第8A図はウェハ2の径に合わせて開口した保護板3を
金属電極1に密着させておき、その開口部にウェハ2を
載置した場合の平面図であり、第8B図は第8A図の■
B−■B線で示す部分の断面図である。
金属電極1に密着させておき、その開口部にウェハ2を
載置した場合の平面図であり、第8B図は第8A図の■
B−■B線で示す部分の断面図である。
[発明が解決しようとする問題点]
ドライエツチング装置を用いて行なわれる反応性イオン
エツチングでは、イオンが自己バイアス電圧で電極材料
をスパッタする他、プラズマ電位(通常20〜50eV
)でもイオンが加速され、反応容器の内壁材料をもスパ
ッタする。
エツチングでは、イオンが自己バイアス電圧で電極材料
をスパッタする他、プラズマ電位(通常20〜50eV
)でもイオンが加速され、反応容器の内壁材料をもスパ
ッタする。
特にエツチング電極は最もスパッタされやすい。
そのため第4図、第5図、第8A図、第8B図に示すよ
うに、エツチング電極に金属電極の露出部分が存在する
と、電極からたたき出されたFe。
うに、エツチング電極に金属電極の露出部分が存在する
と、電極からたたき出されたFe。
N I SCrなどの重金属が、ウェハ上に堆積し、深
い不純物準位を形成する。その結果デバイスの電気的特
性が劣化されるという問題点があった。
い不純物準位を形成する。その結果デバイスの電気的特
性が劣化されるという問題点があった。
これを避けるためには第6図、第7図のようにウェハ下
部を含む全領域で、保護板にて金属電極を被覆すればよ
い。しかしこの場合は金属汚染は防止できるがウェハと
金属電極とが直接接触しないためウェハの冷却性能が悪
くなりやすいという問題点があった。
部を含む全領域で、保護板にて金属電極を被覆すればよ
い。しかしこの場合は金属汚染は防止できるがウェハと
金属電極とが直接接触しないためウェハの冷却性能が悪
くなりやすいという問題点があった。
またウェハ径に合わせて開口した保護板を設けるという
方法もあるが、第8A図、第8B図に示すようにウェハ
処理に不可欠なファセット部では保護板とウェハとの間
に金属電極の露出部が残るという問題点がある。
方法もあるが、第8A図、第8B図に示すようにウェハ
処理に不可欠なファセット部では保護板とウェハとの間
に金属電極の露出部が残るという問題点がある。
また最近のドライエツチング装置では、エツチング電極
上の座ぐり部に、ウェハを自動的に搬送する場合が多く
、その位置決め余裕をとるため、ウェハ径よりも若干大
きめに座ぐり加工を行なう必要があり、どうしても金属
電極の露出部分を大きくとる傾向がある。
上の座ぐり部に、ウェハを自動的に搬送する場合が多く
、その位置決め余裕をとるため、ウェハ径よりも若干大
きめに座ぐり加工を行なう必要があり、どうしても金属
電極の露出部分を大きくとる傾向がある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、冷却性能を損うことなく、かつ電極のスパッ
タによる金属汚染が生じないドライエツチング装置を提
供することを目的とする。
たもので、冷却性能を損うことなく、かつ電極のスパッ
タによる金属汚染が生じないドライエツチング装置を提
供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係るドライエツチング装置は下部電極の露出
部をウェハの平面状への投影寸法より小さくし、露出部
以外を保護板で覆ったものである。
部をウェハの平面状への投影寸法より小さくし、露出部
以外を保護板で覆ったものである。
[作用]
この発明に係るドライエツチング装置の下部電極の露出
部はウェハの平面上への投影寸法より小さくしたため、
ウェハが直接電極に接触するある程度の面積が確保され
、冷却能力が損われない。
部はウェハの平面上への投影寸法より小さくしたため、
ウェハが直接電極に接触するある程度の面積が確保され
、冷却能力が損われない。
しかもスバ;ツタされるウェハ領域は従来と同様に確保
される。
される。
[発明の実施例]
以下、この発明の実施例を図について説明する。
ドライエツチング装置自体は下部電極1と保護板3の形
状以外は従来のドライエツチング装置と同様であるので
同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
状以外は従来のドライエツチング装置と同様であるので
同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
第1A図は、この発明に係るドライエツチング装置の下
部電極へのウェハの載置状態を示す平面図であり、第1
B図は、第1A図のIB−IB線で示す部分の断面図で
ある。第1A図、第1B図を参照して電極1の露出部の
径が、ウェハ2の平面状への投影寸法よりも小さくされ
ている。そうすることによって、電極上にウェハが載置
されたとき、金属電極はウェハによって完全に覆われ、
表面上に露出することはない。また金属電極1とウェハ
2とは一定の接触面積を有しているため冷却能力が損わ
れることもない。
部電極へのウェハの載置状態を示す平面図であり、第1
B図は、第1A図のIB−IB線で示す部分の断面図で
ある。第1A図、第1B図を参照して電極1の露出部の
径が、ウェハ2の平面状への投影寸法よりも小さくされ
ている。そうすることによって、電極上にウェハが載置
されたとき、金属電極はウェハによって完全に覆われ、
表面上に露出することはない。また金属電極1とウェハ
2とは一定の接触面積を有しているため冷却能力が損わ
れることもない。
第2A図は第1図の実施例に座ぐり加工を施したときの
実施例におけるウェハの載置状態を示す平面図である。
実施例におけるウェハの載置状態を示す平面図である。
第2B図は第2A図のnB−IB線における断面図であ
る。第1A図、第1B図の保護板3と同様の働きをする
保護リング4が電極内に埋め込まれる。保護板3は座ぐ
りの側面を形成している。
る。第1A図、第1B図の保護板3と同様の働きをする
保護リング4が電極内に埋め込まれる。保護板3は座ぐ
りの側面を形成している。
こうすれば第1図の場合と同様に電極は表面に露出しな
い。また電極1とウェハ2とは一定の接触面積を有しな
がら接触しているため冷却能力が損われることもない。
い。また電極1とウェハ2とは一定の接触面積を有しな
がら接触しているため冷却能力が損われることもない。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、ドライエツチング装置
のウェハ載置台となる下部電極の露出部をウェハの平面
上の投影寸法より小さくしたため、ウェハが下部電極上
に載置されたとき、下部電極とウェハのような被エツチ
ング材とが直接接触されるとともに金属電極が露出しな
い。その結果冷却能力を損うことなく金属電極のスパッ
タによるウェハのような被エツチング材の金属汚染が生
じないドライエツチング装置を得ることができるという
効果がある。
のウェハ載置台となる下部電極の露出部をウェハの平面
上の投影寸法より小さくしたため、ウェハが下部電極上
に載置されたとき、下部電極とウェハのような被エツチ
ング材とが直接接触されるとともに金属電極が露出しな
い。その結果冷却能力を損うことなく金属電極のスパッ
タによるウェハのような被エツチング材の金属汚染が生
じないドライエツチング装置を得ることができるという
効果がある。
第1A図はこの発明に係るドライエツチング装置の下部
電極上へのウェハの載置状態を示す平面図であり、第1
B図は第1A図のI B−I B線における断面図であ
り、第2A図は第1A図、第1B図の実施例に座ぐり加
工を施した場合のウェハ載置状態を示す平面図であり、
第2B図は第2A図のnB−nB線における断面図であ
り、第3図は従来のドライエツチング装置の全体図であ
り、第4図、第5図、第6図、第7図、第8A図、第8
B図は従来のドライエツチング装置の下部電極上へのウ
ェハの載置状態を示す図である。 図において1は下部電極、2はウェハ、3は保護板、4
は保護リング、5は反応容器、6は上部電極、7は高周
波電源、8は真空排気口、9はエツチングガス配管、1
0はプラズマ、11は冷却水配管である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 (ほか2名) 萬1A図 第2A図 3;碍、it狼 第30 Q 萬4図 8S図 萬6図 第ワ図
電極上へのウェハの載置状態を示す平面図であり、第1
B図は第1A図のI B−I B線における断面図であ
り、第2A図は第1A図、第1B図の実施例に座ぐり加
工を施した場合のウェハ載置状態を示す平面図であり、
第2B図は第2A図のnB−nB線における断面図であ
り、第3図は従来のドライエツチング装置の全体図であ
り、第4図、第5図、第6図、第7図、第8A図、第8
B図は従来のドライエツチング装置の下部電極上へのウ
ェハの載置状態を示す図である。 図において1は下部電極、2はウェハ、3は保護板、4
は保護リング、5は反応容器、6は上部電極、7は高周
波電源、8は真空排気口、9はエツチングガス配管、1
0はプラズマ、11は冷却水配管である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 (ほか2名) 萬1A図 第2A図 3;碍、it狼 第30 Q 萬4図 8S図 萬6図 第ワ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハ等の被エッチング材をプラズマを用いてエッチ
ングするドライエッチング装置であって、少なくとも前
記被エッチング材の平面上の投影寸法より小さい平面領
域を露出し、前記平面領域で前記被エッチング材と接触
しながら前記被エッチング材を載置するための下部電極
と、 前記下部電極の前記平面領域以外を覆って前記下部電極
上に設けられた保護板と、 前記下部電極に対向して設けられ、その間で前記プラズ
マを発生させるための上部電極と、前記下部電極に接続
され、前記下部電極を冷却するための冷却手段と、 前記上部電極、下部電極のいずれか一方に接続され、前
記プラズマを発生させるためのエネルギを供給するため
の高周波電源と、 前記上部電極、下部電極を収容するための反応容器とを
含むドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33591687A JPH01175738A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33591687A JPH01175738A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01175738A true JPH01175738A (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=18293797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33591687A Pending JPH01175738A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01175738A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5792376A (en) * | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
WO2003075334A1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Hyosang Kang | Method for dry etching a semiconductor wafer |
WO2013047575A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極、プラズマ処理装置及び電界強度分布の制御方法 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP33591687A patent/JPH01175738A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5792376A (en) * | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
WO2003075334A1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Hyosang Kang | Method for dry etching a semiconductor wafer |
WO2013047575A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極、プラズマ処理装置及び電界強度分布の制御方法 |
JPWO2013047575A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極、プラズマ処理装置及び電界強度分布の制御方法 |
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