JPS6277461A - Backing plate for high frequency sputtering electrode - Google Patents
Backing plate for high frequency sputtering electrodeInfo
- Publication number
- JPS6277461A JPS6277461A JP21721085A JP21721085A JPS6277461A JP S6277461 A JPS6277461 A JP S6277461A JP 21721085 A JP21721085 A JP 21721085A JP 21721085 A JP21721085 A JP 21721085A JP S6277461 A JPS6277461 A JP S6277461A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- sputtering
- high frequency
- abnormal discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
艮生分髭
本発明は、高周波スパッタ電極のバッキングプレートに
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a backing plate for a high frequency sputtering electrode.
従】野緊遣貧−
高周波スパッタリングは、金属などの導電体ばかりか、
絶縁物もスパッタすることができ、種々な分野に広く用
いられている。第３図は、従来のスパッタ電極付近の構
造を示す断面図である。スパッタ電極１５のバッキング
プレート１７上にはターゲット２】が載せられており、
ターゲット２１の縁部に届く位置までアースシールド１
９が覆うようにして設けられている。バッキングプレー
ト１７は銅などの金属板で形成されており、冷却水によ
り冷却されている。冷却効率を高めるために、ターゲッ
ト２１がバッキングプレート１７に接着されている場合
もある。] High-frequency sputtering can be applied not only to conductive materials such as metals, but also to
Insulators can also be sputtered and are widely used in various fields. FIG. 3 is a sectional view showing a structure near a conventional sputter electrode. A target 2] is placed on the backing plate 17 of the sputtering electrode 15,
Earth shield 1 until it reaches the edge of target 21
9 is provided so as to cover it. The backing plate 17 is made of a metal plate such as copper, and is cooled by cooling water. In some cases, the target 21 is bonded to the backing plate 17 to increase cooling efficiency.
この状態で放電を行うと、金属ターゲットを用いたとき
は比較的安定に放電するが、Ｓ ｉ、Ｎ４＋ＴｉＯ２＋
Ａ１□０．、Ｔａ２０５＋Ｓｉ、Ｎ４などの誘電体をス
パッタしたときは、異常放電を起こしやすい傾向があっ
た。異常放電はアースシールド１９の近傍のターゲット
側面部２１ｂや周縁部２１ａで起こる。この異常放電は
、ターゲットの電力密度が増すほど激しくなる。If discharge is performed in this state, the discharge will be relatively stable when a metal target is used, but Si, N4 + TiO2+
A1□0. When sputtering dielectric materials such as , Ta205+Si, N4, etc., there was a tendency for abnormal discharge to occur. Abnormal discharge occurs at the target side surface 21b and peripheral edge 21a near the earth shield 19. This abnormal discharge becomes more intense as the power density of the target increases.
異常放電が起こると、放電が不安定になるばかりか、熱
により溶けた微粒子状の物質が飛び散って基板に損傷を
与えるという問題もあった。When abnormal discharge occurs, not only does the discharge become unstable, but there is also the problem that particulate matter melted by the heat scatters and damages the substrate.
また、一旦異常放電が発生すると連鎖的に継続し、なか
なか正常状態の放電に移行しないため。Furthermore, once an abnormal discharge occurs, it continues in a chain reaction and does not easily shift to a normal state of discharge.
整合がとれずに高周波回路部品の損傷を招くおそれもあ
る。There is also a risk that matching may not be achieved and damage to high frequency circuit components may occur.
このようなターゲットを観察してみると、異常放電が起
こしていたターゲットの周縁部２１ａおよび側面部２１
ｂでは、微少な凹部が形成されている。When observing such a target, it was found that the peripheral edge 21a and side surface 21 of the target where abnormal discharge had occurred were found.
In b, a minute recess is formed.
発明の目的
本発明は、誘電体を高周波スパッタする場合に生じる異
常放電を防止することができるバッキングプレート構造
を提供するものである。OBJECTS OF THE INVENTION The present invention provides a backing plate structure that can prevent abnormal discharge that occurs when high-frequency sputtering is performed on a dielectric material.
見所■量戒
本発明の高周波スパッタ電極のバッキングプレートは、
導電体からなり、高周波スパッタ電極におけるターゲッ
トの当接面を構成するバッキングプレートにおいて、周
縁部を残して中央部にターゲット収納用の凹部が形成さ
れ、ターゲットの側面をバッキングプレートにより覆う
ようになっていることを特徴とする。Highlights ■Quantity The backing plate of the high frequency sputter electrode of the present invention is
In the backing plate, which is made of a conductive material and constitutes the contact surface of the target in the high-frequency sputtering electrode, a recessed part for storing the target is formed in the center part, leaving the peripheral part, so that the side surface of the target is covered by the backing plate. It is characterized by the presence of
第１図は、本発明の実施例を示すスパッタ電極付近の断
面図である。真空槽のベースプレート１１に絶縁体１３
を介し電気的に浮かしてスパッタ電極１５が設けられて
いる。スパッタ電極１５のバッキングプレート１７の裏
面には、マグネトロンスパッタリングを行うための磁石
２３が配設されている。スパッタ電極１５は整合回路２
５を介して電源２７に接続されている。図示していない
が、スパッタ電極１５内には冷却水が流されており、こ
れによりバッキングプレート２１が冷却されている。ス
パッタ電極１５のバッキングプレート１７上にはターゲ
ット２１が載せられている。アースシールド１９がスパ
ッタ電極１５の側面部、さらにバッキングプレートを越
えてターゲット２１の縁部に届く位置まで覆うようにし
て設けられており、バッキングプレート１７の周壁部１
７ｂがスパッタされるのが防止される。アースシールド
１９はベースプレート１１を介してアースされている。FIG. 1 is a sectional view of the vicinity of a sputter electrode showing an embodiment of the present invention. Insulator 13 on the base plate 11 of the vacuum chamber
A sputter electrode 15 is provided so as to be electrically floating therebetween. A magnet 23 for performing magnetron sputtering is disposed on the back surface of the backing plate 17 of the sputter electrode 15. The sputter electrode 15 is a matching circuit 2
5 to a power source 27. Although not shown, cooling water is flowing into the sputtering electrode 15, thereby cooling the backing plate 21. A target 21 is placed on the backing plate 17 of the sputtering electrode 15. An earth shield 19 is provided to cover the side surface of the sputter electrode 15 and beyond the backing plate to a position reaching the edge of the target 21.
7b is prevented from being sputtered. The earth shield 19 is grounded via the base plate 11.
バッキングプレート１７の中央部には、載置されるター
ゲット２１の厚さとほぼ等しい深さの凹部１７ａが設け
られており、ターゲット２１はこの中にすっぽりと入る
ように収納されている。凹部１７ａの周囲の周壁部１７
ｂは、ターゲット２１の側面部２１ｂを覆っている。凹
部１７の形状は、円状、角状などいずれでもよい。A recess 17a having a depth approximately equal to the thickness of the target 21 to be placed is provided in the center of the backing plate 17, and the target 21 is housed in the recess 17a. Peripheral wall portion 17 around recess 17a
b covers the side surface portion 21b of the target 21. The shape of the recess 17 may be circular, square, or the like.
第２図は、本発明のバッキングプレートの他の実施例を
示す断面図である。なお、この図では、ターゲットを当
接しない状態を示している。FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the backing plate of the present invention. Note that this figure shows a state in which the target is not brought into contact.
バッキングプレート１７の周壁部１７ｂは段差を有さす
ほぼ水平に形成されており、この囲りにシールドギャッ
プを保ってアースシールド１９が設けられている。この
装置は通常の二極スパッタ装置であり、バッキングプレ
ート１７の裏面には磁石が設けられていない。A peripheral wall portion 17b of the backing plate 17 is formed substantially horizontally with a step, and an earth shield 19 is provided around the peripheral wall portion 17b with a shield gap maintained. This device is a normal two-pole sputtering device, and no magnet is provided on the back surface of the backing plate 17.
本発明のバッキングプレート１７を有するスパッタ装置
を用いてスパッタを行うには、ターゲットをバッキング
プレート１７の凹部１７ａに収納し、必要によりターゲ
ット裏面をバッキングプレート１７に接着し、スパッタ
すればよい。なお、各実施例ではターゲット表面が上を
向く構成を示したが、ターゲット表面が下あるいは横方
向を向くようにしてスパッタしてもよい。To perform sputtering using the sputtering apparatus having the backing plate 17 of the present invention, the target may be housed in the recess 17a of the backing plate 17, the back surface of the target may be adhered to the backing plate 17, and sputtering may be performed. Although each embodiment shows a configuration in which the target surface faces upward, sputtering may be performed with the target surface facing downward or laterally.
発明の効果
本発明によれば、ターゲットの側面がバッキングプレー
トで覆われるように、バッキングプレートにターゲット
収納用の凹部を形成することにより異常放電を防止して
安定な放電を行うことができる。Effects of the Invention According to the present invention, by forming a recess for housing the target in the backing plate so that the side surface of the target is covered with the backing plate, abnormal discharge can be prevented and stable discharge can be performed.
実験例
銅で形成した第１図、第２向および第３図に示すバッキ
ングプレートを用意し、直径９０ｍｍφ、厚さ５ｎｕｎ
のターゲット（Ｓ ｘ ３ Ｎ４ ＋ Ｔ ｘ○２＋Ａ
１□○、）を、次の条件でマグネトロンスパッタした。Experimental Example Backing plates shown in Figures 1, 2, and 3 made of copper were prepared, and had a diameter of 90 mmφ and a thickness of 5 nm.
target (S x 3 N4 + T x○2+A
1□○,) was subjected to magnetron sputtering under the following conditions.
スパッタ圧カニ ３ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ放ｆｆｉ電カ
ニ ５００Ｗ
スパッタ時間：１０分
この結果、第３図に示した従来例のバッキングプレート
では、異常放電が肉眼で観察され正常放電に移行しなか
ったのに対し、第１図および第２図に示した本発明のバ
ッキングプレートでは異常放電が起こらなかった。なぜ
異常放電が防止されるかそのメカニズムは明らかでない
が、アースシールド近傍の絶縁体ターゲット上には電荷
が蓄積しやすく、これが異常放電の原因となっていたの
に対し、本発明のバッキングプレート形状により、この
電荷の蓄積が防止されるためではないかと考えられる。Sputtering pressure crab 3 On the other hand, no abnormal discharge occurred with the backing plate of the present invention shown in FIGS. 1 and 2. The mechanism of why abnormal discharge is prevented is not clear, but electric charge tends to accumulate on the insulator target near the earth shield, which was the cause of abnormal discharge. It is thought that this is because this prevents the accumulation of charges.
第１図および第２図は本発明の実施例を示す断面図であ
る。
第３図は従来のバッキングプレートを示す断面図である
。
１５・・・スパッタ電極
１７・・・バッキングプレートFIGS. 1 and 2 are cross-sectional views showing embodiments of the present invention. FIG. 3 is a sectional view showing a conventional backing plate. 15... Sputter electrode 17... Backing plate
Claims (1)
ゲットの当接面を構成するバッキングプレートにおいて
、周縁部を残して中央部にターゲット収納用の凹部が形
成され、ターゲットの側面をバッキングプレートにより
覆うようになっていることを特徴とする高周波スパッタ
電極のバッキングプレート。1. In the backing plate, which is made of a conductive material and constitutes the contact surface of the target in the high-frequency sputtering electrode, a recessed part for storing the target is formed in the center part, leaving the peripheral part, so that the side surface of the target is covered by the backing plate. A backing plate for a high frequency sputter electrode, which is characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21721085A JPS6277461A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Backing plate for high frequency sputtering electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21721085A JPS6277461A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Backing plate for high frequency sputtering electrode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277461A true JPS6277461A (en) | 1987-04-09 |
Family
ID=16700588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21721085A Pending JPS6277461A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Backing plate for high frequency sputtering electrode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277461A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103249U (en) * | 1990-02-05 | 1991-10-28 | ||
| EP1125000A1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-08-22 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US7959776B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-06-14 | Applied Films Gmbh & Co. | Cooled backing plate for a sputtering target, and sputtering target comprising a plurality of backing plates |
| JP5265811B2 (en) * | 2010-06-03 | 2013-08-14 | 株式会社アルバック | Sputter deposition system |
| JP5282167B2 (en) * | 2010-06-03 | 2013-09-04 | 株式会社アルバック | Sputter deposition system |
| WO2017016575A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | Applied Materials, Inc. | Cooling and utilization optimization of heat sensitive bonded metal targets |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21721085A patent/JPS6277461A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103249U (en) * | 1990-02-05 | 1991-10-28 | ||
| EP1125000A1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-08-22 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| EP1125000A4 (en) * | 1998-10-14 | 2002-06-26 | Praxair Technology Inc | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US7959776B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-06-14 | Applied Films Gmbh & Co. | Cooled backing plate for a sputtering target, and sputtering target comprising a plurality of backing plates |
| JP5265811B2 (en) * | 2010-06-03 | 2013-08-14 | 株式会社アルバック | Sputter deposition system |
| JP5282167B2 (en) * | 2010-06-03 | 2013-09-04 | 株式会社アルバック | Sputter deposition system |
| WO2017016575A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | Applied Materials, Inc. | Cooling and utilization optimization of heat sensitive bonded metal targets |
| CN107851548A (en) * | 2015-07-24 | 2018-03-27 | 应用材料公司 | The cooling and utilization optimization for the metallic target that temperature-sensitive bonds |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5334298A (en) | Sputtering cathode | |
| JPH10121232A (en) | Sputtering target | |
| JPS6277461A (en) | Backing plate for high frequency sputtering electrode | |
| JP2844669B2 (en) | Reactive magnetron sputtering equipment | |
| TW201026872A (en) | RF sputtering arrangement | |
| JP2002115051A (en) | Bias sputtering device | |
| TWI772656B (en) | Sputtering film forming apparatus | |
| JP3769378B2 (en) | Electrostatic chuck | |
| JPH10204614A (en) | Production of semiconductor device and apparatus for producing semiconductor device | |
| JP2002373887A (en) | Etching system for high dielectric | |
| JPS6484407A (en) | Manufacture of thin film magnetic head | |
| JP3092884B2 (en) | Vacuum processing equipment | |
| JPH0860353A (en) | Sputtering cathode | |
| JP2002363743A (en) | Sputtering device | |
| JPS60135571A (en) | Method for attaching target in sputtering | |
| JPH01175738A (en) | Dry-etching equipment | |
| JP2750058B2 (en) | Sputtering equipment | |
| JP2606033Y2 (en) | Sputtering equipment | |
| JPS6176669A (en) | High-frequency sputtering device | |
| JPS63227772A (en) | Target for magnetron sputtering | |
| JP3805004B2 (en) | Sputtering equipment | |
| JPH02185965A (en) | Vacuum thin film forming device | |
| JPH04272172A (en) | Sputtering system | |
| JPS59118883A (en) | Sputtering device | |
| JPH10204616A (en) | Carbon sputtering device |