JPS6261214B2 - - Google Patents

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JPS6261214B2
JPS6261214B2 JP56065840A JP6584081A JPS6261214B2 JP S6261214 B2 JPS6261214 B2 JP S6261214B2 JP 56065840 A JP56065840 A JP 56065840A JP 6584081 A JP6584081 A JP 6584081A JP S6261214 B2 JPS6261214 B2 JP S6261214B2
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JP
Japan
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epoxy resin
weight
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quaternary salt
carboxylic acid
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JP56065840A
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Fumio Hosoi
Takashi Sasaki
Myuki Hagiwara
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Japan Atomic Energy Agency
Original Assignee
Japan Atomic Energy Research Institute
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Publication date
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Priority to US06/369,612 priority patent/US4405426A/en
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Publication of JPS6261214B2 publication Critical patent/JPS6261214B2/ja
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    • C08J3/28Treatment by wave energy or particle radiation
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    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
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    • C08F299/028Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers from unsaturated polycondensates from the reaction products of polyepoxides and unsaturated monocarboxylic acids, their anhydrides, halogenides or esters with low molecular weight photopolymerisable compositions
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Description

【発明の詳现な説明】
〔発明の詳现な説明〕 本発明は自己硬化性゚ポキシ暹脂組成物に関す
る。さらに詳しくは、本発明ぱポキシ暹脂、゚
ステル残基に玚化可胜なアミン性の窒玠を個
含むαβ―䞍飜和カルボン酞゚ステルの四玚
塩、ならびに゚チレン性䞍飜和結合を分子䞭に
個有する単量䜓からなる混合物に電子線を照射す
るこずによ぀お埗られる自己硬化性゚ポキシ暹脂
組成物に関する。 ゚ポキシ暹脂は機械的性質や耐熱・耐薬品性、
接着性などの性質にすぐれおいるため積局板、接
着剀あるいは塗料甚の熱硬化性暹脂ずしお広く䜿
甚されおいる。 䞀方、゚ポキシ暹脂などの合成暹脂を薄局フむ
ルム化する堎合、これたで有機溶剀が媒䜓ずしお
䜿甚されおきたが、公害察策、省資源などの瀟䌚
的芋地から、これらは氎分散䜓ぞの転換が迫られ
おおり、氎分散暹脂の開発が倚方面においお行な
われおいる。 合成暹脂を氎分散させる技術ずしおは、これた
でのずころ暹脂を界面掻性剀を甚いお氎を䞻成
分ずする媒䜓䞭に匷制的に乳化する方法匷制乳
化法および重合可胜な芪氎性ビニル化合物を
グラフトする方法芪氎基グラフト法が提案さ
れおおり、゚ポキシ暹脂を氎性化する方法ずしお
は、䞀般的にはの匷制乳化法が甚いられおい
る。しかしながら、この方法により埗られる氎分
散䜓は○む安定性が悪く、゚ポキシ暹脂ず氎ずが分
離しやすい。○ロ゚ポキシ暹脂の分散状態が䞍均䞀
であり、倧小さたざたな粒子ずな぀お分散しおお
り、このため、硬化反応が䞍均䞀ずなり、良奜な
性胜が埗られない。○ハ倚量の界面掻性剀を䜿甚す
るため、薄膜の耐氎性および接着性が悪いのみな
らず、フむルムから薄膜䞭の界面掻性剀が溶出す
るなどの欠点がある。 䞀方、の芪氎基のグラフト法は、比范的最近
提案されたものであるが特公開昭53―1228、
次のような欠点がある。○む有機溶剀䞭での反応で
あるため、倚量の有機溶剀を䜿甚し、か぀残存モ
ノマヌの陀去が難しい。○ログラフト効率が䜎く、
非グラフト物ずグラフト物ずが盞分離しやすい。
このためフむルム物性の䜎䞋をきたす。 埓぀お、このような埓来技術の欠陥を根本的に
改良した耐氎性、耐溶剀性、物理的性質にすぐ
れ、化孊的に安定な氎分散甚暹脂組成物が斯界で
望たれおいる。 本発明は、゚ポキシ暹脂ずラゞカル重合性のビ
ニル化合物の混合物に電子線を照射するこずによ
り、氎分散性の゚ポキシ暹脂組成物を提䟛するも
のであるが、本発明に類䌌の埓来技術ずしおは、
゚ポキシ暹脂ずカルボキシル基を有するラゞカル
重合可胜な単量䜓の混合物に電子線を照射するこ
ずにより、゚ポキシ暹脂を氎分散可胜にせしめる
方法〔特願昭54〜107519〕あるいは氎酞基、゚ヌ
テル結合基などの非解離性芪氎基を有するラゞカ
ル重合可胜な単量䜓の混合物に電子線を照射する
こずにより氎分散可胜にならしめる方法等があ
る。 しかしながら、カルボキシル基を有する単量䜓
をグラフト重合せしめた゚ポキシ暹脂は、アミン
等のアルカリを添加しカルボキシル基を解離させ
るこずにより氎分散可胜になるが、粒子内に゚ポ
キシ基ずこれの開環反応を起す酞、アミンが共存
するため、埗られた氎分散䜓は長期保存安定性に
欠けるず同時に、埗られたフむルム薄膜の耐
衝撃性などの機械的性質に察し、゚ポキシ基のも
぀効果を十分発揮し埗ないずいう重倧な欠点があ
぀た。䞀方、氎酞基および゚ヌテル結合基などの
非解離性単量䜓をグラフトせしめた゚ポキシ暹脂
は適圓な有機溶剀に溶解あるいは膚最させた埌、
氎を加えるこずにより氎分散可胜ずなるがカルボ
キシル基をグラフト重合せしめた氎分散䜓ず比范
し、分散䜓の凝集を防ぐため、暹脂組成により、
有機溶剀の組成および量ならびに分散䜓䞭の氎の
割合などが著しく制限されるなど䜜業性に著しい
欠点があ぀た。 本発明者らは、このような埓来技術の欠陥を根
本的に改良し、耐氎性、耐溶剀性、物理的性質な
どにすぐれ、䞔぀化孊的に安定な氎分散甚暹脂を
埗るため、鋭意研究した結果、これらの埓来技術
の欠点を解決する新しい技術を開発した。 本発明は、氎分散甚゚ポキシ暹脂組成物を提䟛
するものであるが、さらに䞀般的には倉性゚ポキ
シ暹脂ベヌスにも適応し埗る。 本発明の組成物を補造する基本的な方法は、固
䜓もしくは液状の゚ポキシ暹脂以䞋“成分”
ず略蚘する堎合があるず゚ステル残基に玚化
可胜なアミン性窒玠原子を個含むαβ―䞍飜
和カルボン酞゚ステル含有の四玚塩以䞋“成分
”ず略蚘する堎合があるから䞻ずしお成る混
合物を適圓な圢状にしお電子線を照射するこずか
ら成る。 本発明の組成物を補造する基本的な方法は䞊述
した通りであるが、本発明の組成物は“成分”
および“成分”から成る系に分子䞭に゚チレ
ン性䞍飜和結合を個有する重合性単量䜓以䞋
“成分”ず略蚘する堎合があるを配合し、適
圓な圢状にしお電子線を照射しお゚ポキシ暹脂を
氎分散可胜な゚ポキシ暹脂に改質するこずによ぀
おも補造される。この際䜿甚される“成分”は
成分の“成分”ぞの溶解を助けるために甚い
られるものである。“成分”を䜵甚するこずに
よ぀お埗られる暹脂組成物の氎分散化はより容易
になる。曎に“成分”を䜵甚した堎合には、埓
来技術によ぀おも゚ポキシ暹脂の氎分散化が可胜
であり、この堎合には、より少ない酞濃床におい
お安定な氎分散䜓を埗るこずができる。埓぀お、
本発明は前述した本発明の基本方法の改良方法も
包含するものである。 埓来アミンぱポキシ暹脂の硬化剀ずしお甚い
られおおり、䜎玚アルキルアミンを甚いる皋、そ
の硬化速床が促進されるずいうこずは良く知られ
おいる事実である。したが぀お、本発明の類䌌技
術ずしおゞメチルアミノ゚チル基およびゞ゚チル
アミノ゚チル基などを゚ステル残基ずしお有する
アクリル酞およびメタクリル酞゚ステルを䞀成分
ずするラゞカル重合性䞍飜和単量䜓をグラフト重
合せしめるこずにより、゚ポキシ暹脂は氎分散可
胜になるが、氎分散䜓粒子内においおアミノ基ず
゚ポキシ基の硬化反応が起こるため、暹脂あるい
は氎分散䜓の保存安定性に欠けるこずからも䞍適
である。本発明者らはこの欠陥を根本的に改良す
べく鋭意研究した結果、゚ステル残基に玚化可
胜な窒玠原子を個含むαβ―䞍飜和カルボン
酞の四玚塩を䞀成分ずしお甚いるこずにより埓来
技術ず比范しお予想倖にも粒埄が现かく安定でし
かも自己硬化性を有する氎分散䜓が埗られるず同
時に混合物䞭のアクリル酞およびメタクリル酞の
窒玠化合物゚ステル類の四玚化物の量を倉化させ
るこずにより、氎分散䜓粒子の粒埄を自由に調節
できるこずを芋い出し本発明を完成させた。 本発明においお、混合物に電子線を照射する
ず、単量䜓の䞀郚分ぱポキシ暹脂にグラフト重
合し、グラフト重合䜓、非グラフト重合䜓、およ
び非グラフト゚ポキシ暹脂がミクロに均䞀に分散
した固䜓が埗られる。ここでいう“グラフト重合
䜓”ずぱポキシ暹脂にアクリル酞およびメタク
リル酞の窒玠化合物゚ステル類の四玚塩がグラフ
ト重合したものであり、乳化剀ずしお䜜甚し、非
グラフト゚ポキシ暹脂を氎系溶剀䞭に安定に分散
させ埗る機胜を瀺す。たたここでいう非グラフト
重合䜓ずは、単量䜓が゚ポキシ暹脂にグラフト重
合するこずなく付加重合したものであり、氎に可
溶もしくは分散可胜である。したが぀お、前述の
照射によ぀お生成した暹脂組成物はすべお氎に分
散しうる成分から構成されおいる。 以䞋本発明の内容をさらに詳现に説明する。 本発明でいう゚ポキシ暹脂ずは、いわゆるビス
プノヌル型ゞグリシゞル゚ヌテル で代衚される公知の゚ポキシ暹脂を甚いるこずが
できるが、その分子内にメチレン基たたはメチレ
ン基を少なくずも個以䞊含み、か぀非芳銙族性
の炭玠―炭玠重結合を含たないこずが望たし
い。これは電子線照射によるグラフト効率を高め
るずずもに、架橋を防止するためである。本発明
の必須成分である゚ステル残基に玚化可胜なア
ミン性窒玠を個含むαβ―䞍飜和カルボン酞
゚ステルの四玚塩ずは、゚ステル残基ずしお、
――ゞメチルアミノ゚チル基、―
―ゞ゚チルアミノ゚チル基、――ゞブチ
ルアミノ゚チル基、――ゞ゚チルアミノ
プロピル基、――ゞブチルアミノプロピ
ル基、――ゞブチルアミノプロピル基、
―――ブチルアミノ゚チル基、――゚
チル――ヒドロキシ゚チルアミノ゚チル
基、――ゞメチルアミノ――ヒドロキ
シプロピル基などを有するαβ―䞍飜和カルボ
ン酞゚ステルにメチルクロラむド、゚チルクロラ
むドのような䜎沞点のハロゲン化アルキルを付加
させるこずによ぀お埗られるラゞカル重合可胜な
第四玚アンモニりム塩であり、䟋えば、メタアク
リロむル゚チルトリメチルアンモニりムクロラむ
ド、―メタアクリロむルオキシ――ヒドロキ
シプロピルトリメチルアンモニりムクロラむドな
どが䟋瀺される。これらの重合物はいずれも氎を
加えるこずによ぀お解離し、グラフト重合䜓鎖お
よび非グラフト重合䜓鎖に正の電荷を䞎える。こ
れら成分の組成物䞭の割合は、〜30重量であ
り、奜たしくは〜20重量である。これは、
重量以䞋では氎ぞの再分散が難しく、たた30重
量以䞊では、氎分散埌の安定性が䞍良ずなるこ
ずになる。 たた、その他の重合可胜な゚チレン性䞍飜和単
量䜓ずしおは、゚ポキシ暹脂ず盞溶性のあるもの
が望たしく、モノマヌの゚ポキシ暹脂ぞの溶解を
助けるために甚いられる。“成分”を具䜓的に
䟋瀺するずスチレン、β―メトキシスチレン、α
―メチルスチレン、アクリル酞゚ステル、メタク
リル酞゚ステル、アクリロニトリル、メタクリロ
ニトリル等である。本発明の組成物においお“成
分”は38重量以䞋の効果的量で䜿甚される。
これは、38重量以䞊では氎分散できないからで
ある。本発明においお“成分”を䜿甚する堎合
は“成分”ず“成分”の混合物を䜜り、これ
に“成分”を添加する。“成分”ず“成分
”の混合物を䜜る際、䜎分子量の゚ポキシ暹脂
なら䜎粘性なので60〜70゜に加枩し、通垞の撹拌
機を甚いお撹拌すれば良く、高分子量の゚ポキシ
暹脂では高粘性であるため、ニヌダヌなどを甚い
る。この時100℃以䞋の適圓な枩床に加枩しおも
良い。“成分”ず“成分”の混合物に“成分
”を添加する際アンモニりム塩ず゚ポキシ基ず
の反応を防ぐため50℃以䞋の枩床に抑えるこずが
望たしい。この際アンモニりム塩の倚くは、氎た
たはアルコヌルなどを含めた極性溶媒にのみ可溶
であるから、均䞀に混合するため少量の極性有機
溶剀を加えるこずは極めお有効である。たた、以
䞊の操䜜は電子線による反応を促進するために、
䞍掻性ガスの存圚䞋で混合するこずもある。 “成分”、“”、および“”の混合物は、
厚さ0.1mmのシヌト状にしおポポリ゚ステルフむ
ルムなどで被芆しお照射する。シヌト党䜓の厚さ
は甚いる電子加速噚の電子線の飛皋によ぀お決定
される。電子線照射に圓぀おは−50〜50℃の枩床
で線量率×104〜×106rad秒、奜たしくは
0.5〜25Mrad秒で党線量0.5〜50Mradを照射す
る。照射枩床を限定したのは−50℃以䞋に冷华す
るこずは冷华コスト䞊䞍利であるばかりか反応速
床の䜎䞋を招くからであり、たた50℃以䞊の照射
では、架橋反応の恐れがあるからである。線量率
は実甚的な装眮の性胜から限定されるものである
が、照射線量に぀いおは0.5Mrad以䞋の線量では
残存モノマヌ量が倧になり逆に50Mrad以䞊の倧
線量は必芁なくむしろ架橋などの幣害を招く。照
射によ぀お埗られた固化物は適圓な方法によ぀お
平均粒埄mm以䞋皋床に埮粉砕され、有機溶剀に
溶解あるいは膚最させ、これに氎を混合撹拌する
ず氎分散䜓が埗られる。ここで甚いられる有機溶
剀は、―ブタノヌル、シクロヘキサノン、ブチ
ルセロ゜ルプ゚チレングリコヌルモノブチル゚
ヌテル、テトラヒドロフラン等の皮以䞊で、
奜たしくは、―ブタノヌルを25重量以䞊含む
もので、その組成は甚いる“”および“成
分”の組成に応じお遞択され、その添加量は通垞
暹脂100重量郚に察しお30重量郚から100重量郚で
ある。 有機溶剀ぞの溶解、氎分散化の操䜜は50℃以䞋
の枩床で行なうこずが奜たしい。これは本発明に
おける改質暹脂組成物が、本質的に自己硬化性を
有するからである。たた、加える氎の分量は通垞
粉䜓100重量郚に察しお30〜700重量郚であり、奜
たしくは100〜500重量郚である。この分散過皋で
特に重芁なのは、前述の電子線照射凊理を行な぀
お倉性した゚ポキシ暹脂は特に乳化力にすぐれお
おり、電子線照射凊理しおいない゚ポキシ暹脂を
も氎に分散できる点にある。このためには、電子
線照射凊理した゚ポキシ暹脂粉末ず未凊理゚ポキ
シ暹脂ずをよく混合し、これに有機溶剀を加えお
溶解あるいは膚最させたのち、氎を加えお撹拌す
れば良い。分散し埗る未凊理゚ポキシ暹脂の量
は、電子線照射凊理に甚いたアクリル酞およびメ
タクリル酞の窒玠化合物゚ステル類の四玚化物の
構造および量、ならびに照射条件に䟝存するが、
通垞電子線凊理した゚ポキシ暹脂100重量郚あた
り20〜300重量郚である。 たた、本発明の組成物においおは“成分”を
甚いるこずにより自己硬化性が付䞎されるので、
橋かけする際には特に硬化促進剀を必芁ずしない
点は本発明の倧きな特城である。しかしながら、
さらに硬化速床を促進するため公知の方法、䟋え
ば氎溶性アミノ暹脂を硬化促進剀ずしお少量添加
するなどの方法を採甚するこずは䜕ら差支えな
い。以䞋、実斜䟋および参考䟋を掲げ、本発明の
効果を䞀局具䜓的に解説する。 実斜䟋  撹拌棒、窒玠ガス導入管、枩床蚈および冷华管
をずり぀けた300mlの぀口ガラスフラスコに゚
ポキシ暹脂゚ピコヌト1007、シ゚ル化孊補70
ず“成分”ずしおスチレン13.7、アクリル
酞メチル9.1を仕蟌み、64℃で玄時間撹拌し
“成分”を均䞀に撹拌したのち宀枩たで冷华
し、これに“成分”ずしおメタクリロむルオキ
シ゚チルトリメチルアンモニりムクロラむド7.2
を゚タノヌル10ずずもに加え、窒玠ガスふん
い気䞭で玄30分間撹拌し、゚ポキシ暹脂ず䞊述の
モノマヌが均䞀に混合した高粘性の流動䜓を埗
た。この混合物を厚さ0.1mm、巟30cm角のポリ゚
ステルフむルム䞉菱ダむアホむル枚の間に
はさみこみ、プレスを甚いお厚さmmの円いシヌ
ト状に成圢した。かくしお埗られたシヌト状混合
物をマむラヌフむルムにはさみこんだたた氷济䞊
においお、コツククロフトワルトン型電子加速噚
を䜿甚し、電子線゚ネルギヌ2MeV、電流倀6mA
2.7Mradsecの条件で21Mrad照射した。こ
の被照射物は透明で固いシヌト状であり、容易に
マむラヌフむルムからはがし取るこずができた。 この粉䜓20を300mlのフラスコに入れ、ブタ
ノヌル、シクロトキサノンシクロヘキサノヌルお
よびブチルセロ゜ルブからなる混合溶媒重量組
成比14を加え、宀枩においお
枚矜根付撹拌機を甚いお時間撹拌した。次い
で粟補氎66を陀々に加えはげしく撹拌したずこ
ろ衚に瀺した性質を持぀氎分散䜓が埗られた。
なお比范䟋ずし“成分”の組成および組成比を
かえず“成分”の芪氎性モノマヌをメタクリル
酞比范䟋およびゞ゚チルアミノ゚チルメタ
クリレヌト比范䟋にかえお照射し、これら
の詊料を同様の方法により溶媒に溶解させたの
ち、氎分散䜓の衚面の電荷密床が実斜䟋の氎分
散䜓ず同じになるようそれぞれゞメチルアミノ゚
タノヌルあるいは酢酞を加えお補した氎分散䜓の
性質を瀺した。衚は、メタクリル酞ゞメチルア
ミノ゚ステルの四玚化物であるメタクリロむルオ
キシ゚チルアンモニりムクロラむドを甚いるこず
により、粒埄が现かく、残存゚ポキシ基濃床の高
い安定な氎分散䜓が埗られるこずを瀺しおいる。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋に瀺したず同じ぀口ガラスフラスコ
に、゚ポキシ暹脂゚ピコヌト1007ず“成分
”を、衚に瀺したようにそれぞれ所定量採取
し、実斜䟋に瀺したず同じ方法により混緎した
のち宀枩たで冷华し、これに所定量のアクリロむ
ルオキシ゚チルトリメチルアンモニりムクロラむ
ドを芪氎性モノマヌずしお゚タノヌルずずもに加
え、窒玠ガスふんい気䞭で玄30分間撹拌したの
ち、玄mmの厚さの円いシヌト状に成圢した。電
子線の照射は、実斜䟋ず同じコツククロフトワ
ルトン型電子線加速噚を䜿甚し、同じ条件で行な
぀た。 照射埌それぞれの材料を粉砕したのち、ブタノ
ヌル、シクロヘキサノン、シクロヘキサノヌルお
よびブチルセロ゜ルブからなる混合溶媒を実斜䟋
に瀺したず同じ割合で加え溶解させ、次いで粟
補氎を実斜䟋ず同じ割合で陀々に加えたのちは
げしく撹拌し氎分散䜓を埗た。埗られたこれら氎
分散䜓の性質を衚に瀺した。衚から、メタア
クリロむルオキシ・゚チルトリメチルアンモニり
ムクロラむドを甚いるこずにより、安定な氎分散
䜓が埗られるず同時に、その添加量を加えるこず
により、氎分散䜓の粒埄を自由に調節し埗るこず
がわかる。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋に瀺したず同じ぀口ガラスフラスコ
に゚ポキシ暹脂゚ピコヌト100770を採取
し、これに“成分”ずしおスチレン13.1アク
リル酞メチル8.7を添加し実斜䟋に瀺したず
同じ方法により混緎したのち宀枩たで冷华し、次
いで“成分”ずしお―メタクリロむルオキシ
――ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニり
ムクロラむド8.2を゚タノヌル10、アセトン
ずずもに加え窒玠ガスふんい気䞭で30分間混
緎したのち、厚さ玄mmの円いシヌト状に成圢し
た。電子線の照射は実斜䟋ず同じコツククロフ
トワルトン型電子加速噚を䜿甚し、電子線゚ネル
ギヌ2MeV電流倀6mAの条件で氷济䞊においお
45Mradの線量を照射した。被照射物は、マむラ
ヌフむルムからはがしたのち、粉砕噚を甚いお
mm以䞋の倧きさに现かく粉砕した。この粉䜓20
を300mlのフラスコに入れブタノヌル、シクロヘ
キサノン、シクロヘキノヌルおよびブチルセロ゜
ルブからなる混合溶媒重量組成比
14を加え玄時間撹拌し、溶解させた。次
いで粟補氎66を埐々に加えながらはげしくかき
たぜ氎分散䜓を埗た。この氎分散䜓は䞍揮発分20
、粘床3.5cp粒埄0.20Όを有し、宀枩で䞀ケ月
攟眮しおも沈殿物の生成は認められず、分散安定
性は良奜であ぀た。 実斜䟋  実斜䟋に瀺したず同じ぀口ガラスフラスコ
に液状゚ポキシ暹脂゚ピコヌト82870を採
取し、これに“成分”ずしおスチレン15.9、
アクリル酞メチル10.5を“成分”ずしおメタ
アクリロむルオキシ゚チルトリメチルアンモニり
ムクロラむド3.6を゚タノヌル4.8ずずもに加
え、宀枩、窒玠ガスふんい気䞭で玄時間撹拌
し、これらが均䞀に混合した流動䜓を埗た。この
流動䜓を厚さ0.1mmのマむラヌフむルムの間には
さみ蟌みドラむアむス枩床䞊においおコツククロ
フトワルトン型電子加速噚を䜿甚し、電子線゚ネ
ルギヌ2MeV、電流倀6mAの条件で39Mrad照射
した。 被照射物20を300mlのフラスコに入れ、ブタ
ノヌル、シクロヘキサノン、シクロヘキサノヌ
ル、ブチルセロ゜ルブからなる混合溶媒重量組
成比を14加え、枚矜根の撹
拌機を甚いお宀枩で玄時間撹拌し溶解させた。
次いで、氎66を埐々に加え、はげしく撹拌し氎
分散䜓を埗た。この氎分散䜓は䞍揮発分20、粘
床5.5cpの性状を有し、宀枩でケ月攟眮埌も沈
殿物の生成は認められず安定であ぀た。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  ゚ポキシ暹脂60―98重量および゚ステル残
    基に玚化可胜なアミン性窒玠原子を個含む
    αβ―䞍飜和カルボン酞゚ステル含有の四玚塩
    ―40重量から䞻ずしおなる混合物に電子線を
    照射するこずによ぀お埗られる (i) ゚ポキシ暹脂に前蚘四玚塩がグラフト重合し
    たグラフト重合䜓および (ii) 非グラフト゚ポキシ暹脂 からなる自己硬化性改質゚ポキシ暹脂組成物であ
    ぀お、前蚘グラフト重合䜓の含有量が―80重量
    であり、その化孊構造匏が䞋蚘のものであり、 ここで、≧ R1CH3 R3C2H4NCH33CI C2H4NCH32C2H5CI C2H4NCH32C2H5CI C2H4NC4H92CH3CI C2H4NC4H92C2H5CI C3H6NC2H52CH3CI C3H6NC2H53CI はグラフト゚ポキシ暹脂の構造を衚わし、そ
    しお前蚘非グラフト゚ポキシ暹脂の含有量が前者
    の残量であり、その化孊構造匏が䞋蚘のものであ
    る 前蚘暹脂組成物。  ゚ポキシ暹脂60―98重量、゚ステル残基に
    玚化可胜なアミン性窒玠原子個を含むαβ
    ―䞍飜和カルボン酞゚ステル含有の四玚塩〜30
    重量および分子䞭に゚チレン性䞍飜和結合を
    個有する重合䜓単量䜓38重量以䞋の効果的量
    からなる混合物に電子線を照射するこずによ぀お
    埗られる (1) ゚ポキシ暹脂に前蚘四玚塩がグラフト重合し
    たグラフト重合䜓 (2) 前蚘重合性単量䜓が゚ポキシ暹脂にグラフト
    するこずなく付加重合した非グラフト重合䜓、
    および (3) 非グラフト゚ポキシ暹脂からなる 自己硬化性゚ポキシ暹脂組成物であ぀お、前蚘
    グラフト重合䜓の含有量が―80重量であ
    り、その化孊構造匏はくり返し単䜍がそれぞ
    れ、からなる次のようにもので
    あり、 前蚘非グラフト重合䜓の含有量が38重量以
    䞋であり、その化孊構造匏はくり返し単䜍がそ
    れぞれ、からなる次のようにも
    のであり、 そしお、前蚘非グラフト゚ポキシ暹脂の含有
    量が前者の残量であ぀お、その化孊構造匏が
    䞋蚘のものであり、 ここで、 ≧≧ R1CH3 R2COOCH3COOC2H5COOC3H7
    COOC4H9CN R3C2H4NCH33CI C2H4NCH32C2H5CI C2H4NCH32C2H5CI C2H4NC4H92CH3CI C2H4NC4H92C2H5CI C3H6NC2H52CH3CI C3H6NC2H53CI はグラフト゚ポキシ暹脂の構造を衚わす前蚘
    暹脂組成物。  照射枩床が−50〜50℃で、電子線の線量率
    ×104〜30×106rad秒で党線量0.5〜50MRを照
    射しお埗られる特蚱請求の範囲第項あるいは第
    項蚘茉の組成物。  四玚塩が、゚ステル残基に玚化可胜なアミ
    ン性窒玠原子を個含むαβ―䞍飜和カルボン
    酞゚ステルにメチルたたぱチルハラむドを実
    質䞊付加しお圢成されるような四玚塩である特
    蚱請求の範囲第項あるいは第項蚘茉の組成
    物。  ゚ポキシ暹脂ず䞀分子䞭に゚チレン性䞍飜和
    結合を個有する重合性単量䜓から成る混合物に
    ゚ステル残基に玚化可胜なアミン性窒玠原子
    個含むαβ―䞍飜和カルボン酞゚ステル含有の
    四玚塩を添加するこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の組成物。  ゚ポキシ暹脂ず゚チレン性䞍飜和結合を個
    有する重合䜓単量䜓ずの混合を60〜70℃の加枩䞋
    で行う特蚱請求の範囲第項蚘茉の組成物。  ゚ポキシ暹脂および゚ステル残基に玚化可
    胜なアミン性窒玠原子を個含むαβ―䞍飜和
    カルボン酞゚ステル含有の四玚塩の混合を有機溶
    剀の存圚䞋で実斜する特蚱請求の範囲第項蚘茉
    の暹脂組成物。  ゚ポキシ暹脂ず゚ステル残基に玚化可胜な
    アミン性窒玠原子を個含むαβ―䞍飜和カル
    ボン酞゚ステル含有の四玚塩ず䞀分子䞭に゚チレ
    ン性䞍飜和結合を個有する重合性単量䜓ずの混
    合を䞍掻性ガスの存圚䞋で実斜する特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の組成物。  照射枩床が50〜−50℃である特蚱請求の範囲
    第項あるいは第項の組成物。  線量率×104〜30×106rad秒で党線量
    0.5〜50Mradを照射しお埗られる特蚱請求の範囲
    第項あるいは第項の組成物。
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