JPS6254209B2 - - Google Patents
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- JPS6254209B2 JPS6254209B2 JP55037346A JP3734680A JPS6254209B2 JP S6254209 B2 JPS6254209 B2 JP S6254209B2 JP 55037346 A JP55037346 A JP 55037346A JP 3734680 A JP3734680 A JP 3734680A JP S6254209 B2 JPS6254209 B2 JP S6254209B2
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Description
本発明は少なくともガラス質相およびセラミツ
ク相を有し、容量で85〜60%のガラス質相および
15〜40%のセラミツク相(S)を有し、かつかか
るガラス質相は珪酸亜鉛およびアルカリ土類珪酸
塩からなる誘電体組成物用出発混合物に関する。
本発明はミクロ電子工学、特に受動構成部分およ
び受動回路、および厚いフイルム技術の分野に利
用される。 誘電体組成物についてのこの種の出発混合物は
従来から、特に米国特許第4152282号明細書に記
載され、この米国特許にはガラス質相としてシヨ
ート非自発的失透タイプ(Short、non−spon−
taneously devitrifiable type)のガラスおよびセ
ラミツク相として酸化アルミニウムを含有してい
ることが記載されている。有機ビヒクルに分散し
た後スクリーン印刷ペーストとして用いられるこ
れらの混合物は競争安定(Comptetitive firms)
により与えられる他のペーストに対して極めて有
利であり、おそらく多層堆積物の場合に窒素雰囲
気における順次焼成(firing)操作は層の電気的
特性に望ましくない流れまたは劣化を生起させる
ことがない。しかし、一方においてかかる層に存
在する炭素質残留物および他方において層の圧縮
性を向上して高品質のスクリーン印刷を可能にす
る必要がある。 最初に記載された欠点は米国特許出願第72945
号に記載されている方法により解決され、この米
国特許出願には、例えば酸化アルミニウム粉末に
よる有機ビヒクルの吸着の結果としてこれらの汚
染炭素残留物を除去するために、容量で1〜10%
の割合で添加する金属酸化物、おそらくは酸化プ
ラセオジム(Pr6O11、PrO2)または酸化セリウム
が記載されている。しかしながら、炭素質残留物
を完全に除去するには、かかる添加物を比較的多
量の割合で必要とする。 本発明の目的は窒素雰囲気において生じさせる
必要があり、このために焼成後コンパクトでかつ
非汚染層を得ることができる本特許出願人により
保護する種々のペーストと相容しうる絶縁スクリ
ーン印刷ペーストにより上述する欠点を除去する
ことである。 本発明の誘電体組成物のための出発混合物はセ
ラミツク相の少なくとも1相を酸化亜鉛とするこ
とに特徴がある。セラミツク相について次に示す
ように、セラミツク相の混合物、例えば酸化亜
鉛、酸化コバルトおよび酸化プラセオジムの混合
物を意味する。 このために、セラミツク相の表面活性を粉砕酸
化アルミニウムの表面活性より小さくし、これに
より有機フラクシヨンを少ない程度に吸収させ、
これに対して更にガラス質相を失透させる目的に
より酸化亜鉛のセラミツク相からガラス質相への
転移は粉末の粉砕の小さい程度に影響し、このた
めに特許出願第7825860号に記載されている炭素
質残留物を除去することのできる酸化剤の添加を
極めて少量、例えば0.5〜5容量%に制限するこ
とができる。 本発明の1例においては、誘電体組成物用出発
混合物はガラス質相を30〜55モル%SiO2、20〜
40モル%ZnO、0〜20モル%B2O3、0〜10モル
%Al2O3、5〜40モル%CaO+SrO+BaOおよび
必要ならば着色酸化物として0〜10モル%C0Oか
らなることを特徴とする。 本発明の好適例においては、50%SiO2、20%
ZnO、5%B2O3、5%Al2O3、15%BaOおよび着
色酸化物として5%C0Oのモル%からなる。 このために、ガラスは窒素中で焼成するのに極
めて適当である。他方において酸化亜鉛による一
層速やかに進行する反応においては高い軟化点を
有し、かつ酸化アルミニウムを選択する場合より
粘性であるガラスを選択し、一方において酸化剤
によりその作用を一層満足に達成でき、他方にお
いて焼成後スクリーン印刷パターンの良好な鮮明
度を得るようにする。 本発明の1例の誘電体組成物用出発混合物にお
いては、ガラス質相を自然的に失透しうる1種の
ガラスの混合物からなる。 実験において、焼成後に得られる相はよりコン
パクトであり、この結果、上層のスクリーン印刷
を著しく向上することを確めた。本発明の他の例
の誘電体組成物用出発混合物においては、数種類
のセラミツク相を含有させ、その第1セラミツク
相を酸化亜鉛とし、第2セラミツク相を酸化コバ
ルトとする。 次に、本発明の例を添付図面を参照して説明す
る。 一般に、70〜40%のガラス質相および30〜60%
のセラミツク相からなる容量で比較的多量のガラ
ス質およびセラミツク相からなるスクリーン印刷
ペーストを製造する誘電体組成物についてはすで
に知られている。 上述する米国特許第4152282号明細書には非酸
化雰囲気において焼成操作を必要とする銅含有ペ
ーストからなる本特許出願人により開発したペー
ストのシステムを相容する誘電体組成物用出発混
合物について記載されており、そのガラス質相は
シヨートタイプ、特に硼珪酸亜鉛であり、セラミ
ツク相は酸化アルミニウムである。 本発明の新規性はセラミツク相として酸化亜
鉛、または酸化亜鉛と酸化コバルトの混合物を使
用し、これに対してガラスの組成物を幾分相違さ
せ、特に軟化点および粘度を著しく高くすること
にある。 これらの本発明の新規な組成物を次の表に示
す。
ク相を有し、容量で85〜60%のガラス質相および
15〜40%のセラミツク相(S)を有し、かつかか
るガラス質相は珪酸亜鉛およびアルカリ土類珪酸
塩からなる誘電体組成物用出発混合物に関する。
本発明はミクロ電子工学、特に受動構成部分およ
び受動回路、および厚いフイルム技術の分野に利
用される。 誘電体組成物についてのこの種の出発混合物は
従来から、特に米国特許第4152282号明細書に記
載され、この米国特許にはガラス質相としてシヨ
ート非自発的失透タイプ(Short、non−spon−
taneously devitrifiable type)のガラスおよびセ
ラミツク相として酸化アルミニウムを含有してい
ることが記載されている。有機ビヒクルに分散し
た後スクリーン印刷ペーストとして用いられるこ
れらの混合物は競争安定(Comptetitive firms)
により与えられる他のペーストに対して極めて有
利であり、おそらく多層堆積物の場合に窒素雰囲
気における順次焼成(firing)操作は層の電気的
特性に望ましくない流れまたは劣化を生起させる
ことがない。しかし、一方においてかかる層に存
在する炭素質残留物および他方において層の圧縮
性を向上して高品質のスクリーン印刷を可能にす
る必要がある。 最初に記載された欠点は米国特許出願第72945
号に記載されている方法により解決され、この米
国特許出願には、例えば酸化アルミニウム粉末に
よる有機ビヒクルの吸着の結果としてこれらの汚
染炭素残留物を除去するために、容量で1〜10%
の割合で添加する金属酸化物、おそらくは酸化プ
ラセオジム(Pr6O11、PrO2)または酸化セリウム
が記載されている。しかしながら、炭素質残留物
を完全に除去するには、かかる添加物を比較的多
量の割合で必要とする。 本発明の目的は窒素雰囲気において生じさせる
必要があり、このために焼成後コンパクトでかつ
非汚染層を得ることができる本特許出願人により
保護する種々のペーストと相容しうる絶縁スクリ
ーン印刷ペーストにより上述する欠点を除去する
ことである。 本発明の誘電体組成物のための出発混合物はセ
ラミツク相の少なくとも1相を酸化亜鉛とするこ
とに特徴がある。セラミツク相について次に示す
ように、セラミツク相の混合物、例えば酸化亜
鉛、酸化コバルトおよび酸化プラセオジムの混合
物を意味する。 このために、セラミツク相の表面活性を粉砕酸
化アルミニウムの表面活性より小さくし、これに
より有機フラクシヨンを少ない程度に吸収させ、
これに対して更にガラス質相を失透させる目的に
より酸化亜鉛のセラミツク相からガラス質相への
転移は粉末の粉砕の小さい程度に影響し、このた
めに特許出願第7825860号に記載されている炭素
質残留物を除去することのできる酸化剤の添加を
極めて少量、例えば0.5〜5容量%に制限するこ
とができる。 本発明の1例においては、誘電体組成物用出発
混合物はガラス質相を30〜55モル%SiO2、20〜
40モル%ZnO、0〜20モル%B2O3、0〜10モル
%Al2O3、5〜40モル%CaO+SrO+BaOおよび
必要ならば着色酸化物として0〜10モル%C0Oか
らなることを特徴とする。 本発明の好適例においては、50%SiO2、20%
ZnO、5%B2O3、5%Al2O3、15%BaOおよび着
色酸化物として5%C0Oのモル%からなる。 このために、ガラスは窒素中で焼成するのに極
めて適当である。他方において酸化亜鉛による一
層速やかに進行する反応においては高い軟化点を
有し、かつ酸化アルミニウムを選択する場合より
粘性であるガラスを選択し、一方において酸化剤
によりその作用を一層満足に達成でき、他方にお
いて焼成後スクリーン印刷パターンの良好な鮮明
度を得るようにする。 本発明の1例の誘電体組成物用出発混合物にお
いては、ガラス質相を自然的に失透しうる1種の
ガラスの混合物からなる。 実験において、焼成後に得られる相はよりコン
パクトであり、この結果、上層のスクリーン印刷
を著しく向上することを確めた。本発明の他の例
の誘電体組成物用出発混合物においては、数種類
のセラミツク相を含有させ、その第1セラミツク
相を酸化亜鉛とし、第2セラミツク相を酸化コバ
ルトとする。 次に、本発明の例を添付図面を参照して説明す
る。 一般に、70〜40%のガラス質相および30〜60%
のセラミツク相からなる容量で比較的多量のガラ
ス質およびセラミツク相からなるスクリーン印刷
ペーストを製造する誘電体組成物についてはすで
に知られている。 上述する米国特許第4152282号明細書には非酸
化雰囲気において焼成操作を必要とする銅含有ペ
ーストからなる本特許出願人により開発したペー
ストのシステムを相容する誘電体組成物用出発混
合物について記載されており、そのガラス質相は
シヨートタイプ、特に硼珪酸亜鉛であり、セラミ
ツク相は酸化アルミニウムである。 本発明の新規性はセラミツク相として酸化亜
鉛、または酸化亜鉛と酸化コバルトの混合物を使
用し、これに対してガラスの組成物を幾分相違さ
せ、特に軟化点および粘度を著しく高くすること
にある。 これらの本発明の新規な組成物を次の表に示
す。
【表】
上記表に示すように、この表には組成の外に密
度(Kg/m3)、20〜320℃の範囲の膨脹率、アニー
ル点(ann.p.)(℃)および膨張軟化点(sof.p.)
(℃)を示している。 本発明においては、上表に示す範囲のモル量の
ガラスを生成し、この好適組成物は表の中央部に
示す組成からなる。このガラスまたはこの範囲内
のガラスの1種は同じ系統のガラス質組成物(亜
鉛およびアルカリ土類珪酸塩)と混合することが
できるが、しかしその組成により試験条件(ガラ
スフリツトを再溶融させる)において自然失透す
る。本発明の誘電体組成物用出発混合物はかよう
にして得たガラスフリツトを85〜60容量%のガラ
ス質相と15〜40容量%のセラミツク相との割合の
セラミツク粉末と緊密に混合することによつて得
る。好ましくは、78容量%のガラス質相および22
容量%のセラミツク相の量(11%ZnO、7%CoO
および4%PrO2)を選択することができ、これら
の割合によりこれかられ得られた層の機械的挙動
および電気的挙動に関する最適結果を得ることが
できた。 本発明のスクリーン印刷ペーストは誘電体組成
物用出発混合物をスクリーン印刷に適当な有機ビ
ヒクルに分散することによつて得る。この目的の
ために、エチルセルロースをテルピネオール
(tarpineol)に溶解した溶液またはテルピネオー
ルからなる混合物はしばしば用いられている。燃
焼前に、有機ビヒクルはスクリーン印刷ペースト
の10〜40重量%存在させ、ビヒクルおよびその割
合は所望とする流動学的挙動により選択する。 次いでペーストを、例えば第1図に示す多層パ
ターン2が代表的な酸化アルミニウムの基体1上
に得られるようにシルク−スクリーンに通す。か
かるパターン2の平面を第1a図に示し、かかる
第1a図の−線上における断面を第1b図に
示す。本発明の誘電体組成物用出発混合物により
得られたかかるパターン2は下側導体3,4、お
よび5と上側導体6との間に位置させ、この導体
6を導体3および5から絶縁し、これに対してく
ぼみ部分7のために導体4と導体5との間に接続
を形成する。 このパターンにより形成した層を窒素雰囲気に
おいて850〜950℃の範囲の温度で第2図に示すサ
イクルに従つて焼成する。第2図の横軸は約10分
の平坦域を有する焼成操作(約1時間)の経過時
間を示しており、および縦軸は温度を示してい
る。 焼成操作の温度範囲は選択する必要があり、こ
のために少なくとも失透領域を達成し、この領域
は関連混合物の示差熱分析グラフから誘導でき、
この一般的な変化を第3図の線図に示す(この第
3図には失透領域Dおよび酸化剤Cの分解領域を
示している)。このグラフの横軸は温度を示し、
縦軸は任意単位の熱量Qを示している。失透が不
規則構造から規則構造に転移する場合、これは熱
放出(発熱反応)により達成し、曲線は第3図に
Pで示す広いポジテイブピークを示す。さらに、
このピークは2つの異なるサブ−ピークに分れ
る。この一方のサブ−ピークはガラス(好ましい
組成物)と酸化亜鉛との反応に相当し、他のサブ
−ピークは自然的失透組成物の結晶化に相当し、
ピークPの巾は失透領域に相当する。 本発明においては、本発明において得られた好
適組成の絶縁層について正確な電気測定を行つて
その誘電特性を測定し、この測定結果を次表に示
す:
度(Kg/m3)、20〜320℃の範囲の膨脹率、アニー
ル点(ann.p.)(℃)および膨張軟化点(sof.p.)
(℃)を示している。 本発明においては、上表に示す範囲のモル量の
ガラスを生成し、この好適組成物は表の中央部に
示す組成からなる。このガラスまたはこの範囲内
のガラスの1種は同じ系統のガラス質組成物(亜
鉛およびアルカリ土類珪酸塩)と混合することが
できるが、しかしその組成により試験条件(ガラ
スフリツトを再溶融させる)において自然失透す
る。本発明の誘電体組成物用出発混合物はかよう
にして得たガラスフリツトを85〜60容量%のガラ
ス質相と15〜40容量%のセラミツク相との割合の
セラミツク粉末と緊密に混合することによつて得
る。好ましくは、78容量%のガラス質相および22
容量%のセラミツク相の量(11%ZnO、7%CoO
および4%PrO2)を選択することができ、これら
の割合によりこれかられ得られた層の機械的挙動
および電気的挙動に関する最適結果を得ることが
できた。 本発明のスクリーン印刷ペーストは誘電体組成
物用出発混合物をスクリーン印刷に適当な有機ビ
ヒクルに分散することによつて得る。この目的の
ために、エチルセルロースをテルピネオール
(tarpineol)に溶解した溶液またはテルピネオー
ルからなる混合物はしばしば用いられている。燃
焼前に、有機ビヒクルはスクリーン印刷ペースト
の10〜40重量%存在させ、ビヒクルおよびその割
合は所望とする流動学的挙動により選択する。 次いでペーストを、例えば第1図に示す多層パ
ターン2が代表的な酸化アルミニウムの基体1上
に得られるようにシルク−スクリーンに通す。か
かるパターン2の平面を第1a図に示し、かかる
第1a図の−線上における断面を第1b図に
示す。本発明の誘電体組成物用出発混合物により
得られたかかるパターン2は下側導体3,4、お
よび5と上側導体6との間に位置させ、この導体
6を導体3および5から絶縁し、これに対してく
ぼみ部分7のために導体4と導体5との間に接続
を形成する。 このパターンにより形成した層を窒素雰囲気に
おいて850〜950℃の範囲の温度で第2図に示すサ
イクルに従つて焼成する。第2図の横軸は約10分
の平坦域を有する焼成操作(約1時間)の経過時
間を示しており、および縦軸は温度を示してい
る。 焼成操作の温度範囲は選択する必要があり、こ
のために少なくとも失透領域を達成し、この領域
は関連混合物の示差熱分析グラフから誘導でき、
この一般的な変化を第3図の線図に示す(この第
3図には失透領域Dおよび酸化剤Cの分解領域を
示している)。このグラフの横軸は温度を示し、
縦軸は任意単位の熱量Qを示している。失透が不
規則構造から規則構造に転移する場合、これは熱
放出(発熱反応)により達成し、曲線は第3図に
Pで示す広いポジテイブピークを示す。さらに、
このピークは2つの異なるサブ−ピークに分れ
る。この一方のサブ−ピークはガラス(好ましい
組成物)と酸化亜鉛との反応に相当し、他のサブ
−ピークは自然的失透組成物の結晶化に相当し、
ピークPの巾は失透領域に相当する。 本発明においては、本発明において得られた好
適組成の絶縁層について正確な電気測定を行つて
その誘電特性を測定し、この測定結果を次表に示
す:
【表】
この層は、1cm2の平面および40μmの厚さにつ
いて50V電圧で測定して1010Ωより高い抵抗を有
していた。多孔性は普通の手段(液体拡散、着色
等)によつて検出できなかつた。 層の正確な結晶学的分析から焼成処理中に形成
した主結晶相を確めることができた。最初のガラ
ス質相における酸化物を溶解することによつて、
この相は失透し、これにより1つの結晶相または
多くの結晶相を生じ、誘電層の構造が強化され、
かつ順次の焼成操作中に増大した。この場合にウ
イレマイト(Willemite)(Zn2SiO4:亜鉛のオル
トシリケート)およびハージストナイト
(ZnCa2Si2O7:珪酸カルシウム亜鉛)を形成した
ことを意味し、ハージスナイトにおいてカルシウ
ムをバリウムで置換することができる。 また、他の誘電体組成物について試験したが良
好な結果は得られなかつた。 上述する組成範囲を種々変えることができ、ま
た回路の1例に本発明の誘電体組成物を用いるこ
とができ、また本発明は本明細書および特許請求
の範囲を逸脱しない限り種々変更を加えることが
できる。
いて50V電圧で測定して1010Ωより高い抵抗を有
していた。多孔性は普通の手段(液体拡散、着色
等)によつて検出できなかつた。 層の正確な結晶学的分析から焼成処理中に形成
した主結晶相を確めることができた。最初のガラ
ス質相における酸化物を溶解することによつて、
この相は失透し、これにより1つの結晶相または
多くの結晶相を生じ、誘電層の構造が強化され、
かつ順次の焼成操作中に増大した。この場合にウ
イレマイト(Willemite)(Zn2SiO4:亜鉛のオル
トシリケート)およびハージストナイト
(ZnCa2Si2O7:珪酸カルシウム亜鉛)を形成した
ことを意味し、ハージスナイトにおいてカルシウ
ムをバリウムで置換することができる。 また、他の誘電体組成物について試験したが良
好な結果は得られなかつた。 上述する組成範囲を種々変えることができ、ま
た回路の1例に本発明の誘電体組成物を用いるこ
とができ、また本発明は本明細書および特許請求
の範囲を逸脱しない限り種々変更を加えることが
できる。
第1a図は代表的な酸化アルミニウムの基体上
の多層スクリーン印刷構造上の平面図、第1b図
は第1a図の−線上の断面図、第2図はスク
リーン印刷層の時間に対してプロツトした焼成サ
イクルの曲線図および第3図は本発明の混合物の
示差熱分析グラフである。 1……基体、2……パターン、3,4,5……
下側導体、6……上側導体、7……くぼみ部分、
C……酸化剤の分解領域、D……失透領域、P…
…ポジテイブピーク。
の多層スクリーン印刷構造上の平面図、第1b図
は第1a図の−線上の断面図、第2図はスク
リーン印刷層の時間に対してプロツトした焼成サ
イクルの曲線図および第3図は本発明の混合物の
示差熱分析グラフである。 1……基体、2……パターン、3,4,5……
下側導体、6……上側導体、7……くぼみ部分、
C……酸化剤の分解領域、D……失透領域、P…
…ポジテイブピーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 85〜60%のガラス質相および15〜40%のセラ
ミツク相の容量割合の少なくともガラス質相およ
びセラミツク相からなり、前記ガラス質相を珪酸
亜鉛およびアルカリ土類珪酸塩とする誘電体組成
物用出発混合物において、前記セラミツク相の少
なくとも1相を酸化亜鉛としたことを特徴とする
誘電体組成物用出発混合物。 2 ガラス質相は30〜55%のSiO2、20〜40%の
ZnO、0〜20%のB2O3、0〜10%のAl2O3、5〜
40%のCaO+SrO+BaOおよび0〜10%の着色酸
化物としてのC0Oの主成分の酸化物からなる特許
請求の範囲第1項記載の誘電体組成物用出発混合
物。 3 ガラス質相は50%のSiO2、20%のZnO、5%
のAl2O3、15%のBaOおよび5%のC0Oのモル量
の酸化物からなる特許請求の範囲第2項記載の誘
電体組成物用出発混合物。 4 ガラス質相はガラスの混合物からなり、この
混合物の1種のガラスを自然的に失透しうるよう
にした特許請求の範囲第1項記載の誘電体組成物
用出発混合物。 5 自然的に失透しうるガラスは48%SiO、29%
ZnOおよび23%CaOのモル量の酸化物を含有する
特許請求の範囲第4項記載の誘電体組成物用出発
混合物。 6 22容量%のセラミツク相および78容量%のガ
ラス質相からなる特許請求の範囲第1〜5項のい
ずれか一つの項記載の誘電体組成物用出発混合
物。 7 セラミツク相の1つを酸化コバルトとする特
許請求の範囲第1〜6項のいずれか一つの項記載
の誘電体組成物用出発混合物。 8 85〜60%のガラス質相および15〜40%のセラ
ミツク相の容量割合の少なくともガラス質相およ
びセラミツク相からなり、前記ガラス質相を珪酸
亜鉛およびアルカリ土類珪酸塩とし、前記セラミ
ツク相の少なくとも1相を酸化亜鉛とした誘電体
組成物用出発混合物を有機ビヒクルに分散して得
たスクリーン印刷ペースト。 9 Pr6O11、PrO2、CrO2、CeO2の群から選択し
た酸化物を0.5〜5容量%の割合で含有させた特
許請求の範囲第8項記載のスクリーン印刷ペース
ト。 10 85〜60%のガラス質相および15〜40%のセ
ラミツク相の容量割合の少なくともガラス質相お
よびセラミツク相からなり、前記ガラス質相を珪
酸亜鉛およびアルカリ土類珪酸塩とし、前記セラ
ミツク相の少なくとも1相を酸化亜鉛とした誘電
体組成物用出発混合物を有機ビヒクルに分散して
得たスクリーン印刷ペーストを、シルク−スクリ
ーンを通して代表的な酸化アルミニウムの基体上
に堆積し、この堆積したペーストを焼成して得た
誘電体層。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7907355A FR2451899A1 (fr) | 1979-03-23 | 1979-03-23 | Composition dielectrique, encre serigraphiable comportant une telle composition, et produits obtenus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55130009A JPS55130009A (en) | 1980-10-08 |
JPS6254209B2 true JPS6254209B2 (ja) | 1987-11-13 |
Family
ID=9223482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3734680A Granted JPS55130009A (en) | 1979-03-23 | 1980-03-24 | Starting mixture for dielectric composition* screen printing paste made of same and electric component thereof |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4323652A (ja) |
EP (1) | EP0016498B1 (ja) |
JP (1) | JPS55130009A (ja) |
DE (1) | DE3066340D1 (ja) |
FR (1) | FR2451899A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60221358A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-06 | 日本碍子株式会社 | 電気絶縁体用セラミック組成物 |
FR2564455B1 (fr) * | 1984-05-18 | 1986-09-19 | Labo Electronique Physique | Melange de depart pour une composition isolante, encre serigraphiable comportant un tel melange et utilisation de cette encre pour la realisation de microcircuits hybrides sur substrat colamine |
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US4853349A (en) * | 1988-05-26 | 1989-08-01 | Corning Glass Works | Glass-ceramics suitable for dielectric substrates |
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US7176152B2 (en) * | 2004-06-09 | 2007-02-13 | Ferro Corporation | Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes |
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US8309844B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-11-13 | Ferro Corporation | Thick film pastes for fire through applications in solar cells |
CN102354687B (zh) * | 2011-07-19 | 2013-08-14 | 彩虹集团公司 | 一种用于厚膜电路的阻挡介质材料及其制备方法 |
CN102280162A (zh) * | 2011-07-19 | 2011-12-14 | 彩虹集团公司 | 一种用于厚膜电路的隔离介质材料及其制备方法 |
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RU2753522C1 (ru) * | 2020-12-18 | 2021-08-17 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский политехнический университет» | Низкотемпературный стеклокерамический материал для электронной техники |
CN113121119B (zh) * | 2021-04-25 | 2022-04-08 | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 | 一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉 |
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JPS5110844B2 (ja) * | 1973-04-24 | 1976-04-07 | ||
FR2388381A1 (fr) * | 1976-12-27 | 1978-11-17 | Labo Electronique Physique | Composition dielectrique, pate serigraphiable comportant une telle composition et produits obtenus |
-
1979
- 1979-03-23 FR FR7907355A patent/FR2451899A1/fr active Granted
-
1980
- 1980-03-10 DE DE8080200230T patent/DE3066340D1/de not_active Expired
- 1980-03-10 EP EP80200230A patent/EP0016498B1/fr not_active Expired
- 1980-03-14 US US06/130,282 patent/US4323652A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-24 JP JP3734680A patent/JPS55130009A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE3066340D1 (en) | 1984-03-08 |
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FR2451899A1 (fr) | 1980-10-17 |
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EP0016498A1 (fr) | 1980-10-01 |
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