JPS6246447A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ　ｉ　、ＭｎＡＪＩＧｅ、ＭｎＳ　ｂ。

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、　　ＧｄＦｅＣｏ　　、ＴｂＦｅＯ３、
ＧｄＩＧ、　　ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏ１３ｉ、ＣｏＦｅ２０４等の材料が知
られている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング
法等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に
薄膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共
通している特性としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向
にあり、さらにカー効果やファラデー効果が大きいとい
う点をあげることができる。

この性質を利用して、光磁気記録媒体の方法としては、
例えば次の方法がある。

まず、最初に膜全体を“Ｏ”すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）、　つ　ぎに、“ｌ”を記録し
たい部分にレーザービームを照射する。　　レーザービ
ームが照射されたところは温度が上昇し、キューリ一点
に近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた時に
は、保磁力Ｈｃは０に近づく、　そして、レーザービー
ムを消し、室温にもどせば１反磁場のエネルギーにより
磁化は反転し、さらには、レーザービームの照射の際、
外部磁場を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと、
磁化反転し、′１”なる信号が記録される。

また、記録は初期状態が“０”であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は“０”のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光学
効果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、第１に、キューリ
一点が１００〜２００℃程度で補償点が室温付近・であ
ること。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的１機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで。

近年、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな
注目を集めている。

しかし、このような希土類−遷移金属品質薄膜からなる
光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接したま
ま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選択
的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再生
が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性層薄膜と基板との間に保護
層を設けた構成を有するものが多く研究されている。

これらの保護層としては、例えばＳ　ｉ　Ｏ。

５ｔｏ２等の無機系の真空蒸着膜あるいは常温硬化性の
樹脂の塗膜保護層等がある。

しかしながら、これらの保護層では、十分な防湿性は得
られず、保存劣化等の問題がある。

このような問題に対処するために、本発明者らは基板上
にプラズマ重合膜を形成させる旨の提案を行っている（
昭和６０年８月１７日付特許出願）。

また、媒体の特性の向上や耐久性の向上、特に基板と磁
性薄膜層との接着力の向上をはかるために、プラズマ処
理をほどこした基板上にプラズマ重合膜を形成し、この
上に磁性薄膜層を設ける旨の提案を行っている（昭和６
０年８月１９日付特許出願）。

さらには、媒体の磁性薄膜層表面からの水分等による劣
化を防止する目的で、？ａ性薄膜層表面にプラズマ重合
膜を形成し、これを保護層として用いたりあるいはさら
にこのプラズマ重合膜の上に放射線硬化型化合物を含有
する保護層を設ける旨の提案を行っている（昭和６０年
８月２０日および２１日付特許出願）。

しかしながら、これらの提案では要求特性を必ずしも満
足せず、より一層優れた特性を有する光磁気記録媒体が
要求されている。

ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、特性、特に耐久性、高湿度雰囲気中に
おける保存性がきわめてすぐれた光磁気記録媒体を提供
することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基板トにプラズマ重合膜下地層を
有し、このプラズマ重合膜下地層の上に、直接あるいは
下地層を介して、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄
膜層を有し、この磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層
を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

未発明の好適実施例としての光磁気記録媒体が第１図に
示されている。

本発明の光磁気記録媒体１は基板の２上にプラズマ重合
膜下地層３１、および必要に応じ中間層３５を有し、こ
の上に磁性薄膜層４を有し、さらにはプラズマ重合膜保
護層５１および必要に応じ保護層５５を有している。

本発明の光磁気記録媒体に用いられる基板２は１通常、
樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂
等から形成するが、その他、ガラス等であってもよい。

なお、記録は基板をとおして行うことが好ましいので、
書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８６％以
上必要である。

また、基板は、通常、ディスク状とし、１．２〜１．５
ｍｍ程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、入／　８　ｎ程度、特に入／　７　ｎ〜入
／１２ｎ（ここに、ｎは基板の屈折率である）とされる
。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記録トラ
ンク部として、書き込み光および読み出し光を基板裏面
側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向上し、しかもトラ、キングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明のプラズマ重合膜下地層３１は、Ｃを含む薄膜で
あることが好ましく、この場合、Ｃ単独で形成してもよ
いし、Ｃとその他の元素を含有させて形成してもよい。

　Ｃとその他の元素を含有させてプラズマ重合膜下地層
３１を形成する場合、その他の元素として、Ｈ，Ｎ、０
の１種以上を含有させることが好ましい。

原料ガスとしては、通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、フテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用に’るが、必要に応じて常温で液
体の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成さ
れてもよい。

このような炭化水素の１種以上に、Ｈ２，０２，０３、
Ｈ２０，Ｎ２　、ＮＯ，Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ　
、ＮＨ３、Ｃｏ、ｃｏ２等の１種以上を加えたものを原
料ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。

なお、プラズマ重合膜下地層３１をＣ単独で形成する場
合には、炭化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合
ガスに対してプラズマ重合を行うことによって炭素膜が
生成可能である。

この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、基板温度等
の条件により、炭素の構造が変化する。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合博下地
層３１の膜厚は、一般にｌＯ〜１０００人程度である。

この膜厚を１０００Å以上にしても本発明の効果に差異
はなく、この値以上にする必要がない。

また、１０１未満であると、本発明の実効がなくなる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜下地層３１形
成時の反応時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜下地層３１は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子・温
度）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など１通常の状態では不安定の化学種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と１分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており１本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。　なお低温プラズマを利用
するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第２図に
示しである。　第２図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。

第２図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０ｓ＋Ｊｌ／分の流量範囲を
とりうる−０ 反応容器Ｒ内には、被処理基板１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地声れて
いる。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７．油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む、　これら真空系統は１反応容器内
を０．０１〜ｌ０Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにさ終る。　
こうして、基板上にプラズマ重合膜が形成される。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ　＋　Ｈ
２などを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

このように形成されるプラズマ重合膜下地層３１は、前
述したように、ＣまたはＣとＨｌＮ、Ｏの１種以上を含
有しており、Ｃの含有量はプラズマ重合膜下地層３１中
に３Ｏ−１００ａｔ％、より好ましくは３０〜９０ａｔ
％である。

Ｃの含有量が３０ａｔ％未満であると、プラズマ重合膜
下地層３１の膜強度が低下し、実用に耐えない。

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨ９Ｎ、Ｏの含有
量は、水素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が１以下、特に
、１／６〜ｌ、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３／
１０以下、特に、１７２０〜３／１０．酸素と炭素の原
子比（０７Ｃ比）が３／１０以下、特に、１／２０〜３
／１０の範囲が好適である。　このようにＣに加えてＨ
，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させることによって耐スクラ
ッチ性が向上する。

なお、プラズマ重合膜下地層３１中のＣ２Ｈ，Ｎ、０お
よびその他の元素の含有量の分析は、５ＩＮＳ（２次イ
オン質量分析）等に従えばよい、　　ＳＩＭＳを用いる
場合、プラズマ重合膜下地層３１表面にて、Ｃ，Ｈ，Ｎ
、Ｏおよびその他の元素をカウントして算出さればよい
。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素のプロファイルを測定
して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３巻
（１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）　　“Ｓ
ＩＭＳおよびＬＡＭＭＡ’の記載に従えばよい。

このようなプラズマ重合膜下地層３１は、プラズマ処理
された基板２上に形成されることが好ましい。

基板２表面をプラズマ処理することによって、基板２と
の接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重合膜
下地層３１との接着力が向上する 基板２表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条
件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的にはほぼ
同一である。

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜下地層３１の形成には原則として、有機ガ
ス（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を原
料ガスとして用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

すなわち、Ｈ２、Ａ　ｒ　、　Ｈｅ’＋　０２　　ｒ　
Ｎ２　　＋空気、ＮＨ３，０３、Ｈ２０，Ｎｏ、Ｎ２０
゜ＮＯ２などのＮＯｘ等の中から適宜選定し、これらの
単独ないし混合したちのいずれであってもよい。

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
Ｉはなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであっても
よい。

このようにプラズマ処理された基板２上には、前述した
ようなプラズマ重合膜下地層３１が形成され、さらに、
このプラズマ重合膜下地層３１の上には、直接あるいは
中間層３５を介して磁性薄膜層４が形成される。

この磁性薄膜層４は、変調された熱ビームあるいは変調
された磁界により、情報が磁気的に記録されるものであ
り、記録情報を磁気−光変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層４として、希土類金属と遷移金属
の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として通
常の厚さに形成する。

希土類金属および遷移金属としては種々のものがあるが
、特に前者としてはＧｄ　、　Ｔｂ　、また後者として
はＦｅ、Ｃｏが好適である。

そして、その好適例としては、ＧｄＦｅ　。

ＴｂＦｅ　、ＴｂＦｅＣｏ　、ＧｄＦｅＣｏ　。

ＧｄＴｂＦｅ等がある。

これらの場合、希土類金属は１５〜３５ａｔ％、遷移金
属は６５〜８５ａｔ％程度とする。

また磁性薄膜層４の厚さは０．０５〜０．１ｇｍ程度と
する。

なお、上述したように中間層３５を介して、磁性薄膜層
４を設層することもできる。　この場合、中間層３５の
材質としては、５ｉ０２゜ＳｉＯ，ＡｕＮ、Ｓｉ３　Ｎ
４　　、ＺｎＳ等を真空蒸着、スパッタリング等によっ
て形成したものが挙げられる。

このような中間層３５は、０．０５〜０．２＃Ｌｍの厚
さとする。

磁性薄膜層４上には、防湿性をさらに向上させるために
前述したようなプラズマ重合膜からなるプラズマ重合膜
保護層５１が形成される。

このプラズマ重合膜保護層５１の形成方法、形成条件、
ならびに重合膜の組成、膜厚等は前述したプラズマ重合
膜下地層３１の場合と同様にすればよい。

このようなプラズマ重合膜保護層５１の上に、さらに別
の材質の保護層５５を設層することが好ましい。

保護層５５の材質については、特に制限はなく、放射線
硬化型化合物、熱硬化型樹脂、二液反応硬化型化合物、
熱可塑性樹脂等の有機系の保護層、あるいは酸化ケイ素
、窒化ケイ素等の無機系の保護層など種々使用可能であ
る。

これらの中では放射線硬化型化合物を放射線で硬化させ
たものが好ましい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸部導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型モノマーとしては１分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．８−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（
メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリ
レート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジ
アクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステ
ルアクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００，Ｍ−５５００、Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４　Ｑ）のアクリル変性体、ある
いはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたも
の、フェノールエチレンオキシド付加物の７クリレート
（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリ
スリトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）または
ε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００Ｈ２）　３　　ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）　３−ＣＣＨ２Ｃ
Ｈ３（特殊アクリレ−）Ｂ） ３）　　（ＣＨ２＝ＣＨ０Ｃ（ＯＣ３Ｈａ　）　ｎ　　
０ＣＨ２）　３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレ−）Ｃ
） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１．ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３（７）化合物（以下、特殊ペン
タエリスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、
ｂ＝ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合
物Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６．ｂ＝ｏの化合物（以下
、特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および
下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げら
れる。

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）　４
−ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） （特殊アクリレ−）Ｉ） （特殊アクリレートＪ） Ａ：アクリノＬ＃、　　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多
塩基酸　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　　
　Ａ（−Ｍ−Ｎ−）−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　　Ｍ
：２価アルコールＮ：２塩基酸　　　　　（特殊アクリ
レートＬ）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下
記一般式で示される多官能オリゴエステルアクリレート
やウレタンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこ
れらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が
挙げられる。

拭中Ｒ，，Ｒ２：アルキル、ｎ：整釦 また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレモノ醜、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテ樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ＰＶＰ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような保ｗ１層５５の厚さは０．１〜３０ＩＬｍで
あり、より好ましくは１〜ｉｏ＃Ｌｍである。

この膜厚がＯ，ｌＪＬｍ未満になると、一様な膜を形成
できず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく
、磁性薄膜層４の耐久性が向上しない、　また、３０Ｉ
Ｌｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記
録媒体の反りや保護層中のクラックが生じ、実用に酎え
ない。

このような塗膜は１通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート等、種々の公知の方法で設層すれ
ばよい、　この時の塗膜の設層条件は、塗膜組成のポリ
マーの粘度、基板表面の状態、目的とする塗膜厚さ等を
考慮して適宜決定すればよい。

また、このような塗膜を電子線または紫外線によって硬
化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。

なお、硬化に際して、紫外線を用いる場合、上述したよ
うな、放射線硬化型化合物の中には、光重合増感剤が加
えられる。

この光重合増感剤としては、従来のものでよく、例えば
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾ
インのベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン
、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、
アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類、ベ
ンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフ
ィド等のスルフィト類、等を挙げることができる。　光
重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％の
範囲が望ましい。

紫外線照射は、例えば、キセノン放電管、水素放電管な
どの紫外線電球等を用いればよい。

一方、電子線を用いる場合には、放射線特性としては、
加速電圧ｌＯＯ〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３０
０ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０
メガラツドになるように照射するのが好都合である。

特に照射線源としては、吸収線量の制御、製造工程ライ
ンへの導入、電離放射線の遮　等の見地から、放射線加
熱器により電子線を使用する方法および前述した紫外線
を使用する方法が有利である。

この他、前述したような酸化物、窒化物の保護層５５で
あってもよい。

鹸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタン、ａ＃化亜鉛等が好適である。

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。

本発明は、上述したように形成して構成してもよい、　
また磁性薄膜層４を有する１対の基板を用い、磁性薄膜
層を内側にして対向させ。

接着剤等を用いて貼り合わせて、基板２の裏面側からの
書き込みを行う、いわゆる両面記録のタイプとしてもよ
い。

また、片面記録の場合、上述したような媒体上に保護板
を接着してもよい。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、必要に応じてプラズマ処理された基板
上にプラズマ重合ｎ！下地層を有し、この上に希土類−
遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有し、さらにこの上
にプラズマ重合膜保護層を有し、必要に応じてこの上に
保護層を形成して光磁気記録媒体を構成する。

従って、得られた媒体は、特性がより向上し、しかも耐
久性、高湿度雰囲気中における保存性にもすぐれた効果
を有するものである。

なお、本発明の光磁気記録媒体は、各種情報記録媒体と
して種々の用途に用いられ有用である。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

［実施例］ 直径２０ｃｍのＰＭＭＡ製の基板２を真空チャンバ中に
入れ、一旦１０’Ｔｏｒｒの真空に引いた後、処理ガス
としてＡｒを用い。

流ｌ：５０ｍＪＬ／分にてガス圧０　、１　Ｔｏｒｒに
保ちながら１３．５６ＭＨｚの高周波電圧をかけてプラ
ズマを発生させ、基板２表面をプラズマ処理した。

その後、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜下地層３
１を基板２上に形成した。

これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで測定し
、また膜厚はエリプソメーターによって測定した。

結果を表１に示す。

このように形成されたプラズマ重合膜下地層３１上にＳ
ｉ３Ｎ４の中間層３５を高周波マグネトロンスパッタに
よって膜厚９００人に設層した。

さらにこの上に下記に示される磁性薄膜層４を設層した
後、この磁性薄膜層４上に下地層と同様にプラズマ重合
膜保護層５１を形成し、さらにこの上に必要に応じて下
記に示されるような保護層５５を設けた。

なお、同一基板に形成されたプラズマ重合膜下地層３１
とプラズマ重合膜保護層５１の膜組成および膜厚は同一
とした。

（Ｎｉ性薄膜層の形成） ＴｂＦｅＣｏの合金薄膜をスパッタリングにより厚さ０
．１ルｍに設層し、磁性薄膜層とした。

なお、ターゲットは、Ｆｅターゲットに　　　ｉ：□１
１′ Ｔｂ、ＣＯチップをのせたものを用いた。１１：１・１ （保護層の形成） プラズマ重合膜保護層５１上に、多官能オリ　　　　□
ゴエステルアクリレート（アロニツクスＭ−８０３０）
１００重量部、光増感剤（バイキュア５５）５重量部か
らなる塗布組成物をスピンナーコートで設層し、その後
、１２０　Ｗ　／　ｃ　ｍ　　　　　′の紫外線を１５
ＳｅＣ照射し、架橋・硬化させ　　　□た。　この時の
膜厚はｌｏｏｍとした。

このようにして下記１表１に示される各種光磁気ディス
クを作製し、以下に示すような特性値を測定した。

（１）Ｃ／Ｎ比（保存劣化） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨにて３００時間
保存後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で測定した。

回転スピード　　　　　　　４ｍ／ｓｅｃ搬送周波数　
　　　　　　　５００ＫＨｚ分解能　　　　　　　　　
　　３０ＫＨｚ記録パワー（８３０ｎｍ）　　　３〜４
ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ）　　　　　　１ｍＷ（２
）接着強度 作製した光磁気ディスクの磁性薄Ｍ層側に接着テープを
一定の圧力で接着させ、この接着テープを１８０°の角
度方向に一定の速度で引き離し、剥離に要した力を測定
した。

そして、サンプルＮｏ、９（ブランク）の接着強度の値
Ｗｏに対する、各サンプルの接着強度の値Ｗを以下に示
す向上率（％）として表わした。

（３）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％ＲＨにて３ｏＯ時間保存後のＥ
ＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。

結果を表１に示す。

表１に示される結果より１本発明の効果が明らかである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 第２図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、２・・・基板、３１・・・プ
ラズマ重合膜下地層、３５・・・中間層、４・・・磁性
薄膜層、５１・・・プラズマ重合膜保護層、５５・・・
保護層、５３・・・混合器、５４・・・直流、交流およ
び周波数可変型電源、５６・・・油回転ポンプ。 ５７・・・液体窒素トラップ、５８・・・油拡散ポンプ
、５９・・・真空コントローラ、１１１・・・被処理基
板、５１１．５１２・・・原料ガス源、５２１．５２２
・・・マスフローコントローラ、５５１．５５２・・・
電極１ 、ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２ 手続ネ甫正書（自発）　　　　　　　　　　　１昭和６
１年　５月２７日　　　： 特許庁長官　　宇　賀　道　部　殿 ！、事件の表示 昭和６０年特許願第１８４７９９号 ２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　　所　　東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名　
　称　（３０６）　　ティーディーケイ株式会社代表者
　　大　歳　　　寛 ４、代理人　〒１０１ 住　　所　　東京都千代田区岩本町３丁目２番２号千代
田岩本ビル　４階 ！！！８６４−４４９８　　Ｆａｘ、８６４−６２８０
氏　　名　　（８２８６）　　弁理士　　石　井　陽　
−□プ″′：５−５、補正により増加する発明の数　　
　　　　　ｔ　　　　　　　＝１　−”６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および 「発明の詳細な説明」の各欄 ７、補正の内容 （１）明細書の［２、特許請求の範囲」の項の記載を別
紙のとおり補正する。 （２）明細書の「３、発明の詳細な説明」の項の記載を
下記のとおり補正する。 １）第７ページ９行目の「下地層」をｒ中間層１と補正
する。 ２）第１７ページ４〜５行目の「基板２との接着力が向
上し、ひいてはこの基板とプラズマ重合膜下地層３１Ｊ
をｒ基板２とプラズマ重合膜下地層３１との接着力が向
上し、ひしＡてはこの基板２と磁性薄膜層４１と補正す
る。 ３）第２２ページを別添の第２２ページに差しかえる。 ４）第２３ページを別添の第２３ページに差しかえる。 ５）第２６ページを別添の第２６ページに差しかえる。 １−　Ｘ哨すｒｓ　−＋　　＞゛＞　Ｑ　４＋ｒ　ｌ”
ｌ　ハｒ　Ｊｆｆ　　算＋　ｌｙ　ｒ　Ｊ蔽等１と補正
する。 ７１００、　Ｍ−５４００、Ｍ−５５００，Ｍ−５７０
０、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−
８０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラ
ストマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、ある
いはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたも
の、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート
（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリ
スリトール縮金環にアクリル基（メタクリル基）または
ε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）：１−ｃｃ）
Ｉ２０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
ＣＨ・３４鴇アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈ６）ｎ−ＯＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＦ） １２）　　　Ａ（−Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オ
リゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官
能基が導入されたもの等が挙げられる。 （式中Ｒ，、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）２、特許請求
の範囲 （１）基板上にプラズマ重合膜下地層を有し、このプラ
ズマ重合膜下地層の上に、直接あるいは曳側層を介して
、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有し、こ
の磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層を形成したこと
を特徴とする光磁気記録媒体。 （２）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
層がそれぞれＣ１またはＣとＨ，Ｎおよび０のうちの少
なくとも１種を含む特許請求の範囲第１項に記載の光磁
気記録媒体。 （３）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
層中のＣ含有量がそれぞれ３０〜１００ａｔ％である特
許請求の範囲第２項に記載の光磁気記録媒体。 （４）プラズマ重合膜保護層が表面に保護層を有する特
許請求の範囲第１項ないし一第１項のいずれかに記載の
光磁気記録媒体。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にプラズマ重合膜下地層を有し、このプラ
   ズマ重合膜下地層の上に、直接あるいは下地層を介して
   、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有し、こ
   の磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層を形成したこと
   を特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
   層がそれぞれＣ、またはＣとＨ、ＮおよびＯのうちの少
   なくとも１種を含む特許請求の範囲第１項に記載の光磁
   気記録媒体。
3. （３）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
   層中のＣ含有量がそれぞれ３０〜 １００ａｔ％である特許請求の範囲第２項に記載の光磁
   気記録媒体。
4. （４）プラズマ重合膜下地層と非晶質垂直磁性薄膜層と
   の間に中間層を有する特許請求の範囲第１項ないし第３
   項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
5. （５）プラズマ重合膜保護層が表面に保護層を有する特
   許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光
   磁気記録媒体。