JPS6246447A - Photomagnetic recording medium - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a photomagnetic recording medium having good characteristics and excellent durability by forming a thin amorphous vertical magnetic film layer and plasma-polymerized film protective layer directly or via an intermediate layer on a plasma-polymerized film underlying layer on a substrate. CONSTITUTION:The photomagnetic recording medium 1 has the plasma- polymerized film underlying layer 31 on the substrate 2 and if necessary, has the intermediate layer 35 thereon. The medium has the thin amorphous vertical magnetic film layer 4 consisting of a rare earth-transition metal thereon and further has the plasma-polymerized film protective layer 51 and, if necessary, a protective layer 55. Writing sensitivity and S/N ratio of reading out are improved by constituting the medium in the above-mentioned manner; in addition, the control signal of tracking is made larger and the photomagnetic recording medium having extremely good durability and shelf life in a high-humidity atmosphere in particular is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。Detailed Description of the Invention (1) Background Technical Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium that records and reproduces information using heat and light such as laser light.

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ　ｉ　、ＭｎＡＪＩＧｅ、ＭｎＳ　ｂ。Prior art and its problems As a recording medium for magneto-optical memory, MnB i, MnAJIGe, MnS b.

ＭｎＣｕＢ１．ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、 ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、　　ＧｄＦｅＣｏ　　、ＴｂＦｅＯ３、
ＧｄＩＧ、　　ＧｄＴｂＦｅ。MnCuB1. GdFe, TbFe, GdCo, PtCo, TbCo, TbFeCo, GdFeCo, TbFeO3,
GdIG, GdTbFe.

ＧｄＴｂＦｅＣｏ１３ｉ、ＣｏＦｅ２０４等の材料が知
られている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング
法等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板上に
薄膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体に共
通している特性としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向
にあり、さらにカー効果やファラデー効果が大きいとい
う点をあげることができる。Materials such as GdTbFeCo13i and CoFe204 are known. These are formed as a thin film on a transparent substrate such as plastic or glass by a method such as a vacuum evaporation method or a sputtering method. Common characteristics of these magneto-optical recording media include the fact that the axis of easy magnetization is perpendicular to the film surface, and that the Kerr effect and Faraday effect are large.

この性質を利用して、光磁気記録媒体の方法としては、
例えば次の方法がある。Taking advantage of this property, the method for magneto-optical recording media is as follows:
For example, there is the following method.

まず、最初に膜全体を“Ｏ”すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）、　つ　ぎに、“ｌ”を記録し
たい部分にレーザービームを照射する。　　レーザービ
ームが照射されたところは温度が上昇し、キューリ一点
に近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた時に
は、保磁力Ｈｃは０に近づく、　そして、レーザービー
ムを消し、室温にもどせば１反磁場のエネルギーにより
磁化は反転し、さらには、レーザービームの照射の際、
外部磁場を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと、
磁化反転し、′１”なる信号が記録される。First, the entire film is uniformly magnetized to "O" (this is called erasing), and then a laser beam is irradiated to the part where "I" is to be recorded. The temperature of the area irradiated with the laser beam rises, and when it approaches the Curie point, and then exceeds the Curie point, the coercive force Hc approaches 0. Then, when the laser beam is turned off and the temperature is returned to room temperature, the coercive force Hc decreases to 1. The magnetization is reversed by the energy of the magnetic field, and furthermore, when irradiated with a laser beam,
When an external magnetic field is applied in the opposite direction to the initial one and the temperature is returned to room temperature,
The magnetization is reversed and a signal of '1' is recorded.

また、記録は初期状態が“０”であるから、レーザービ
ームを照射しない部分は“０”のまま残る。Furthermore, since the initial state of recording is "0", the portions that are not irradiated with the laser beam remain as "0".

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光学
効果を利用して行われる。Reading of a recorded magneto-optical memory is similarly performed by using a laser beam and by rotating the plane of polarization of the reflected light depending on the direction of magnetization of the laser beam irradiation light, that is, by utilizing the magneto-optic effect.

このような媒体に要求されることは、第１に、キューリ
一点が１００〜２００℃程度で補償点が室温付近・であ
ること。The first requirement for such a medium is that the Curie point be around 100 to 200°C and the compensation point be around room temperature.

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。Second, defects such as grain boundaries that cause noise are relatively small.

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的１機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。Thirdly, a magnetically and mechanically uniform film can be obtained over a relatively large area without using methods such as high-temperature film formation or long-time film formation.

このような要求に答え、上記材料のなかで。In response to these demands, among the above materials.

近年、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな
注目を集めている。In recent years, amorphous perpendicular magnetic thin films of rare earth-transition metals have attracted much attention.

しかし、このような希土類−遷移金属品質薄膜からなる
光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接したま
ま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選択
的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再生
が不可能となる。However, in magneto-optical recording media made of rare earth-transition metal quality thin films, if the magnetic thin film layer is stored in contact with the atmosphere, the rare earths may be selectively corroded or oxidized by oxygen and water in the atmosphere. As a result, it becomes impossible to record or reproduce information.

そこで、一般には、前記磁性層薄膜と基板との間に保護
層を設けた構成を有するものが多く研究されている。Therefore, in general, many researches have been made on devices having a structure in which a protective layer is provided between the magnetic layer thin film and the substrate.

これらの保護層としては、例えばＳ　ｉ　Ｏ。Examples of these protective layers include SiO.

５ｔｏ２等の無機系の真空蒸着膜あるいは常温硬化性の
樹脂の塗膜保護層等がある。Examples include an inorganic vacuum-deposited film such as 5to2, a coating film protective layer of room-temperature curable resin, and the like.

しかしながら、これらの保護層では、十分な防湿性は得
られず、保存劣化等の問題がある。However, these protective layers do not provide sufficient moisture resistance and have problems such as storage deterioration.

このような問題に対処するために、本発明者らは基板上
にプラズマ重合膜を形成させる旨の提案を行っている（
昭和６０年８月１７日付特許出願）。In order to deal with such problems, the present inventors have proposed forming a plasma polymerized film on a substrate (
Patent application dated August 17, 1985).

また、媒体の特性の向上や耐久性の向上、特に基板と磁
性薄膜層との接着力の向上をはかるために、プラズマ処
理をほどこした基板上にプラズマ重合膜を形成し、この
上に磁性薄膜層を設ける旨の提案を行っている（昭和６
０年８月１９日付特許出願）。In addition, in order to improve the characteristics and durability of the medium, especially the adhesion between the substrate and the magnetic thin film layer, a plasma polymerized film is formed on the plasma-treated substrate, and a magnetic thin film layer is formed on the plasma-treated substrate. Proposal was made to establish a layer (Showa 6)
(Patent application dated August 19, 2013).

さらには、媒体の磁性薄膜層表面からの水分等による劣
化を防止する目的で、？ａ性薄膜層表面にプラズマ重合
膜を形成し、これを保護層として用いたりあるいはさら
にこのプラズマ重合膜の上に放射線硬化型化合物を含有
する保護層を設ける旨の提案を行っている（昭和６０年
８月２０日および２１日付特許出願）。Furthermore, for the purpose of preventing deterioration due to moisture etc. from the surface of the magnetic thin film layer of the medium? They proposed forming a plasma polymerized film on the surface of the a-type thin film layer and using this as a protective layer, or further providing a protective layer containing a radiation-curable compound on the plasma polymerized film (1980). Patent applications dated August 20 and 21).

しかしながら、これらの提案では要求特性を必ずしも満
足せず、より一層優れた特性を有する光磁気記録媒体が
要求されている。However, these proposals do not necessarily satisfy the required characteristics, and a magneto-optical recording medium with even better characteristics is required.

ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、特性、特に耐久性、高湿度雰囲気中に
おける保存性がきわめてすぐれた光磁気記録媒体を提供
することにある。II. OBJECTS OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium that has excellent properties, particularly durability and storage stability in a high humidity atmosphere.

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。■Disclosure of invention Such objects are achieved by the invention described below.

すなわち、本発明は、基板トにプラズマ重合膜下地層を
有し、このプラズマ重合膜下地層の上に、直接あるいは
下地層を介して、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄
膜層を有し、この磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層
を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体である。That is, the present invention has a plasma polymerized film base layer on a substrate, and an amorphous perpendicular magnetic thin film layer of rare earth-transition metal directly or through the base layer on the plasma polymerized film base layer. This magneto-optical recording medium is characterized in that a plasma polymerized film protective layer is formed on the magnetic thin film layer.

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。■Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

未発明の好適実施例としての光磁気記録媒体が第１図に
示されている。A preferred embodiment of an uninvented magneto-optical recording medium is shown in FIG.

本発明の光磁気記録媒体１は基板の２上にプラズマ重合
膜下地層３１、および必要に応じ中間層３５を有し、こ
の上に磁性薄膜層４を有し、さらにはプラズマ重合膜保
護層５１および必要に応じ保護層５５を有している。The magneto-optical recording medium 1 of the present invention has a plasma polymerized film base layer 31 and an intermediate layer 35 if necessary on a substrate 2, has a magnetic thin film layer 4 thereon, and further has a plasma polymerized film protective layer. 51 and a protective layer 55 if necessary.

本発明の光磁気記録媒体に用いられる基板２は１通常、
樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂
等から形成するが、その他、ガラス等であってもよい。The substrate 2 used in the magneto-optical recording medium of the present invention usually includes:
It is made of resin, such as olefin resin such as acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, and polymethylpentene, but it may also be made of glass or the like.

なお、記録は基板をとおして行うことが好ましいので、
書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８６％以
上必要である。Note that it is preferable to record through the substrate, so
The transmittance for writing light or reading light is required to be 86% or more.

また、基板は、通常、ディスク状とし、１．２〜１．５
ｍｍ程度の厚さとする。In addition, the substrate is usually disk-shaped and has a diameter of 1.2 to 1.5
The thickness should be about mm.

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。Tracking grooves may be formed on the magnetic thin film layer forming surface of such a disk-shaped substrate.

溝の深さは、入／　８　ｎ程度、特に入／　７　ｎ〜入
／１２ｎ（ここに、ｎは基板の屈折率である）とされる
。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。The depth of the groove is approximately 1/8 n, particularly 1/7 n to 12 n (where n is the refractive index of the substrate). Further, the width of the groove is approximately the width of a track.

そして、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記録トラ
ンク部として、書き込み光および読み出し光を基板裏面
側から照射することが好ましい。It is preferable that writing light and reading light are irradiated from the back side of the substrate, using the magnetic thin film layer located in the recessed part of the groove as a recording trunk part.

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向上し、しかもトラ、キングの制御信号
は大きくなる。With this configuration, the writing sensitivity and the reading S/N ratio are improved, and the control signals for the tiger and the king become large.

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。In addition, other shapes of the substrate may be used, such as a tape or a drum.

本発明のプラズマ重合膜下地層３１は、Ｃを含む薄膜で
あることが好ましく、この場合、Ｃ単独で形成してもよ
いし、Ｃとその他の元素を含有させて形成してもよい。The plasma-polymerized film base layer 31 of the present invention is preferably a thin film containing C. In this case, it may be formed of C alone or may be formed by containing C and other elements.

　Ｃとその他の元素を含有させてプラズマ重合膜下地層
３１を形成する場合、その他の元素として、Ｈ，Ｎ、０
の１種以上を含有させることが好ましい。When forming the plasma polymerized film base layer 31 by containing C and other elements, the other elements include H, N, 0
It is preferable to contain one or more of the following.

原料ガスとしては、通常操作性の良いことから、常温で
気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、
エチレン、プロピレン、フテン、ブタジェン、アセチレ
ン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の炭
化水素の１種以上を用に’るが、必要に応じて常温で液
体の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成さ
れてもよい。As raw material gases, methane, ethane, propane, butane, pentane, and
One or more of ethylene, propylene, phthene, butadiene, acetylene, methylacetylene, and other saturated or unsaturated hydrocarbons are used, but if necessary, it is formed by plasma polymerization using hydrocarbons that are liquid at room temperature as raw materials. may be done.

このような炭化水素の１種以上に、Ｈ２，０２，０３、
Ｈ２０，Ｎ２　、ＮＯ，Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ　
、ＮＨ３、Ｃｏ、ｃｏ２等の１種以上を加えたものを原
料ガスとして用いても好適である。One or more of these hydrocarbons include H2,02,03,
NOx such as H20, N2, NO, N20, NO2
, NH3, Co, co2, etc., may be preferably used as the raw material gas.

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。Furthermore, sources such as Si, B, P, and S may be added to the raw materials as trace components, if necessary.

なお、プラズマ重合膜下地層３１をＣ単独で形成する場
合には、炭化水素ガスに対して大量の水素を加えた混合
ガスに対してプラズマ重合を行うことによって炭素膜が
生成可能である。Note that when the plasma polymerized film base layer 31 is formed of C alone, a carbon film can be generated by plasma polymerizing a mixed gas in which a large amount of hydrogen is added to a hydrocarbon gas.

この炭素膜は混合ガス比、プラズマパワー、基板温度等
の条件により、炭素の構造が変化する。The carbon structure of this carbon film changes depending on conditions such as mixed gas ratio, plasma power, and substrate temperature.

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合博下地
層３１の膜厚は、一般にｌＯ〜１０００人程度である。The thickness of the plasma-polymerized base layer 31 formed using such raw materials is generally about 10 to 1,000.

この膜厚を１０００Å以上にしても本発明の効果に差異
はなく、この値以上にする必要がない。There is no difference in the effect of the present invention even if this film thickness is made to be 1000 Å or more, and there is no need to make it more than this value.

また、１０１未満であると、本発明の実効がなくなる。Moreover, if it is less than 101, the effectiveness of the present invention will be lost.

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。Note that the film thickness may be measured using an ellipsometer or the like.

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜下地層３１形
成時の反応時間、原料ガス流量等を制御すればよい。Such film thickness can be controlled by controlling the reaction time, raw material gas flow rate, etc. when forming the plasma polymerized film base layer 31.

プラズマ重合膜下地層３１は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。The plasma polymerized film base layer 31 is a polymerized film formed by bringing discharge plasma of the above-mentioned raw material gas into contact with the substrate.

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子・温
度）を獲得する。To give an overview of the principle of plasma polymerization, when a gas is kept at a low pressure and an electric field is applied, the free electrons present in small amounts in the gas are accelerated by the electric field due to the very large intermolecular distance compared to normal pressure, and are accelerated at 5 to 10 eV. Obtain the kinetic energy (electron/temperature) of

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など１通常の状態では不安定の化学種に解離させる。When these accelerated electrons collide with atoms and molecules, they disrupt atomic and molecular orbits and dissociate them into chemical species that are unstable under normal conditions, such as electrons, ions, and neutral radicals.

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。The dissociated electrons are accelerated by the electric field again, causing them to dissociate from other atoms or molecules, and this chain reaction quickly turns the gas into a highly ionized state. And this is called plasma gas.

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。Gas molecules have fewer chances of collision with electrons, so they do not absorb much energy and are kept at a temperature close to room temperature.

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と１分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており１本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。　なお低温プラズマを利用
するため、基板への熱影響は全くない。A system in which the kinetic energy of electrons (electron temperature) and the thermal motion of one molecule (gas temperature) are separated is called a low-temperature plasma. The present invention attempts to utilize this situation to form a plasma polymerized film on a substrate. Note that since low-temperature plasma is used, there is no thermal effect on the substrate.

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第２図に
示しである。　第２図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。An example of an apparatus for forming a plasma polymerized film on a substrate surface is shown in FIG. FIG. 2 shows a plasma polymerization apparatus using a frequency variable power source.

第２図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。In FIG. 2, raw material gas is supplied to the reaction vessel R from a raw material gas source 511 or 512 via mass flow controllers 521 and 522, respectively. Gas source 5
When separate gases are supplied from 11 or 512, they are mixed in a mixer 53 and supplied.

原料ガスは、各々１〜２５０ｓ＋Ｊｌ／分の流量範囲を
とりうる−０ 反応容器Ｒ内には、被処理基板１１１が一方の回転式電
極５５２に支持される。Each source gas can have a flow rate range of 1 to 250 s+Jl/min. In the reaction vessel R, a substrate to be processed 111 is supported by one rotary electrode 552.

そして被処理基板１１１を挟むように回転式電極５５２
に対向する電極５５１が設けられている。Rotary electrodes 552 are placed across the substrate 111 to be processed.
An electrode 551 facing the is provided.

一方の電極５５１は、例えば周波数可変型の電源５４に
接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地声れて
いる。One electrode 551 is connected to, for example, a variable frequency power source 54, and the other rotary electrode 552 is grounded at 8.

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ５６、液
体窒素トラップ５７．油拡散ポンプ５８および真空コン
トローラ５９を含む、　これら真空系統は１反応容器内
を０．０１〜ｌ０Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。Furthermore, a vacuum system for evacuating the inside of the reaction vessel R is provided, and this system includes an oil rotary pump 56, a liquid nitrogen trap 57, and a liquid nitrogen trap 57. These vacuum systems, including an oil diffusion pump 58 and a vacuum controller 59, maintain a vacuum degree within one reaction vessel within a range of 0.01 to 10 Torr.

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。In the operation, the inside of the reaction vessel R is first set at 1O-5 Torr.
The inside of the container is evacuated until the amount is below, and then the processing gas is supplied into the container in a mixed state at a predetermined flow rate.

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。At this time, the vacuum inside the reaction vessel is 0.01 to 10 Torr.
managed within the range of

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにさ終る。　
こうして、基板上にプラズマ重合膜が形成される。When the flow rate of the source gas becomes stable, the power is turned on.
In this way, a plasma polymerized film is formed on the substrate.

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ　＋　Ｈ
２などを使用してもよい。In addition, as a carrier gas, Ar, N2゜He + H
2 etc. may be used.

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。Further, the applied current, processing time, etc. may be set to normal conditions.

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。As the plasma generation source, in addition to high frequency discharge, microwave discharge, direct current discharge, alternating current discharge, etc. can be used.

このように形成されるプラズマ重合膜下地層３１は、前
述したように、ＣまたはＣとＨｌＮ、Ｏの１種以上を含
有しており、Ｃの含有量はプラズマ重合膜下地層３１中
に３Ｏ−１００ａｔ％、より好ましくは３０〜９０ａｔ
％である。The plasma-polymerized film base layer 31 formed in this way contains C or one or more of C, HlN, and O, as described above, and the content of C is 3O in the plasma-polymerized film base layer 31. -100at%, more preferably 30 to 90at%
%.

Ｃの含有量が３０ａｔ％未満であると、プラズマ重合膜
下地層３１の膜強度が低下し、実用に耐えない。If the C content is less than 30 at %, the film strength of the plasma polymerized film base layer 31 decreases and is not suitable for practical use.

また、Ｃに加えて１種以上含有されるＨ９Ｎ、Ｏの含有
量は、水素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が１以下、特に
、１／６〜ｌ、窒素と炭素の原子比（Ｎ／Ｃ比）が３／
１０以下、特に、１７２０〜３／１０．酸素と炭素の原
子比（０７Ｃ比）が３／１０以下、特に、１／２０〜３
／１０の範囲が好適である。　このようにＣに加えてＨ
，Ｎ、Ｏの１種以上を含有させることによって耐スクラ
ッチ性が向上する。In addition, the content of H9N and O, which are one or more types in addition to C, is such that the atomic ratio of hydrogen to carbon (N/C ratio) is 1 or less, especially 1/6 to 1, and the atomic ratio of nitrogen to carbon is 1 or less. (N/C ratio) is 3/
10 or less, especially 1720 to 3/10. The atomic ratio of oxygen and carbon (07C ratio) is 3/10 or less, especially 1/20 to 3
A range of /10 is preferred. In this way, in addition to C
, N, and O, the scratch resistance is improved.

なお、プラズマ重合膜下地層３１中のＣ２Ｈ，Ｎ、０お
よびその他の元素の含有量の分析は、５ＩＮＳ（２次イ
オン質量分析）等に従えばよい、　　ＳＩＭＳを用いる
場合、プラズマ重合膜下地層３１表面にて、Ｃ，Ｈ，Ｎ
、Ｏおよびその他の元素をカウントして算出さればよい
。The content of C2H, N, 0, and other elements in the plasma polymerized film base layer 31 may be analyzed in accordance with 5INS (secondary ion mass spectrometry). 31 surface, C, H, N
, O, and other elements may be counted.

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
，Ｈ，Ｎ、Ｏおよびその他の元素のプロファイルを測定
して算出してもよい。Alternatively, while performing ion etching with Ar etc.,
, H, N, O, and other elements may be measured and calculated.

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３巻
（１９８４）表面分析の基礎と応用（ｐ７０）　　“Ｓ
ＩＭＳおよびＬＡＭＭＡ’の記載に従えばよい。For SIMS measurements, see Surface Science Basic Course Volume 3 (1984) Basics and Applications of Surface Analysis (p70) “S
The descriptions of IMS and LAMMA' may be followed.

このようなプラズマ重合膜下地層３１は、プラズマ処理
された基板２上に形成されることが好ましい。Such a plasma polymerized film base layer 31 is preferably formed on the plasma-treated substrate 2.

基板２表面をプラズマ処理することによって、基板２と
の接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重合膜
下地層３１との接着力が向上する 基板２表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条
件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的にはほぼ
同一である。Principle, method, and formation of plasma treatment method for the surface of the substrate 2 in which the adhesive force with the substrate 2 is improved by plasma treating the surface of the substrate 2, and the adhesive force between this substrate and the plasma polymerized film base layer 31 is improved. The conditions and the like are basically almost the same as those of the plasma polymerization method described above.

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜下地層３１の形成には原則として、有機ガ
ス（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を原
料ガスとして用いる。However, in principle, plasma processing uses an inorganic gas as a processing gas, and on the other hand, in the formation of the plasma polymerized film base layer 31 by the plasma polymerization method described above, in principle, an organic gas (in some cases, an inorganic gas may also be mixed). (good) is used as the raw material gas.

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。There are no particular limitations on the plasma processing gas of the present invention.

すなわち、Ｈ２、Ａ　ｒ　、　Ｈｅ’＋　０２　　ｒ　
Ｎ２　　＋空気、ＮＨ３，０３、Ｈ２０，Ｎｏ、Ｎ２０
゜ＮＯ２などのＮＯｘ等の中から適宜選定し、これらの
単独ないし混合したちのいずれであってもよい。That is, H2, A r , He'+ 02 r
N2 + air, NH3,03, H20, No, N20
It may be appropriately selected from NOx such as NO2, and may be used alone or in combination.

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
Ｉはなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであっても
よい。Further, the frequency of the plasma processing power source is not particularly limited, and may be any of direct current, alternating current, microwave, etc.

このようにプラズマ処理された基板２上には、前述した
ようなプラズマ重合膜下地層３１が形成され、さらに、
このプラズマ重合膜下地層３１の上には、直接あるいは
中間層３５を介して磁性薄膜層４が形成される。On the substrate 2 subjected to plasma treatment in this way, the plasma polymerized film base layer 31 as described above is formed, and further,
On this plasma polymerized film base layer 31, a magnetic thin film layer 4 is formed either directly or via an intermediate layer 35.

この磁性薄膜層４は、変調された熱ビームあるいは変調
された磁界により、情報が磁気的に記録されるものであ
り、記録情報を磁気−光変換して再生するものである。Information is magnetically recorded in this magnetic thin film layer 4 by a modulated heat beam or a modulated magnetic field, and the recorded information is reproduced by magneto-optical conversion.

このような磁性薄膜層４として、希土類金属と遷移金属
の合金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として通
常の厚さに形成する。As such a magnetic thin film layer 4, an alloy of a rare earth metal and a transition metal is formed as an amorphous film with a normal thickness by sputtering, vapor deposition, or the like.

希土類金属および遷移金属としては種々のものがあるが
、特に前者としてはＧｄ　、　Ｔｂ　、また後者として
はＦｅ、Ｃｏが好適である。There are various rare earth metals and transition metals, but the former are preferably Gd and Tb, and the latter are preferably Fe and Co.

そして、その好適例としては、ＧｄＦｅ　。A suitable example thereof is GdFe.

ＴｂＦｅ　、ＴｂＦｅＣｏ　、ＧｄＦｅＣｏ　。TbFe, TbFeCo, GdFeCo.

ＧｄＴｂＦｅ等がある。There are GdTbFe and the like.

これらの場合、希土類金属は１５〜３５ａｔ％、遷移金
属は６５〜８５ａｔ％程度とする。In these cases, the rare earth metal content is about 15 to 35 at%, and the transition metal content is about 65 to 85 at%.

また磁性薄膜層４の厚さは０．０５〜０．１ｇｍ程度と
する。Further, the thickness of the magnetic thin film layer 4 is approximately 0.05 to 0.1 gm.

なお、上述したように中間層３５を介して、磁性薄膜層
４を設層することもできる。　この場合、中間層３５の
材質としては、５ｉ０２゜ＳｉＯ，ＡｕＮ、Ｓｉ３　Ｎ
４　　、ＺｎＳ等を真空蒸着、スパッタリング等によっ
て形成したものが挙げられる。Note that, as described above, the magnetic thin film layer 4 can also be provided via the intermediate layer 35. In this case, the material of the intermediate layer 35 is 5i02°SiO, AuN, Si3N
4, ZnS or the like formed by vacuum evaporation, sputtering, etc. can be mentioned.

このような中間層３５は、０．０５〜０．２＃Ｌｍの厚
さとする。Such an intermediate layer 35 has a thickness of 0.05 to 0.2 #Lm.

磁性薄膜層４上には、防湿性をさらに向上させるために
前述したようなプラズマ重合膜からなるプラズマ重合膜
保護層５１が形成される。A plasma polymerized film protective layer 51 made of a plasma polymerized film as described above is formed on the magnetic thin film layer 4 in order to further improve moisture resistance.

このプラズマ重合膜保護層５１の形成方法、形成条件、
ならびに重合膜の組成、膜厚等は前述したプラズマ重合
膜下地層３１の場合と同様にすればよい。Formation method and formation conditions of this plasma polymerized film protective layer 51,
The composition, thickness, etc. of the polymer film may be the same as those for the plasma polymer film base layer 31 described above.

このようなプラズマ重合膜保護層５１の上に、さらに別
の材質の保護層５５を設層することが好ましい。Preferably, a protective layer 55 made of another material is further provided on the plasma polymerized film protective layer 51.

保護層５５の材質については、特に制限はなく、放射線
硬化型化合物、熱硬化型樹脂、二液反応硬化型化合物、
熱可塑性樹脂等の有機系の保護層、あるいは酸化ケイ素
、窒化ケイ素等の無機系の保護層など種々使用可能であ
る。There are no particular limitations on the material of the protective layer 55, and examples include radiation-curable compounds, thermosetting resins, two-component reaction-curing compounds,
A variety of organic protective layers such as thermoplastic resin or inorganic protective layers such as silicon oxide and silicon nitride can be used.

これらの中では放射線硬化型化合物を放射線で硬化させ
たものが好ましい。Among these, those obtained by curing radiation-curable compounds with radiation are preferred.

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸部導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。The radiation-curable compounds to be used include acrylic acid, methacrylic acid, and acrylic double bonds such as ester compounds thereof, which have unsaturated double bonds that are sensitive to ionization energy and exhibit radical polymerizability, and diallylphthalate. Examples include monomers, oligomers, and polymers that contain or introduce into their molecules groups that can be crosslinked or polymerized and dried by radiation irradiation, such as allylic double bonds, maleic acid, unsaturated double bonds such as maleic acid moiety conductors, etc. I can do it.

放射線硬化型モノマーとしては１分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。As a radiation-curable monomer, a compound with a molecular weight of less than 2,000 is used, and as an oligomer, a compound with a molecular weight of 2,000 to 100 is used.
00 is used.

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．８−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート　（メ
タクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（
メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリ
レート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジ
アクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステ
ルアクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００，Ｍ−５５００、Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４　Ｑ）のアクリル変性体、ある
いはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたも
の、フェノールエチレンオキシド付加物の７クリレート
（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリ
スリトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）または
ε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ００Ｈ２）　３　　ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）　３−ＣＣＨ２Ｃ
Ｈ３（特殊アクリレ−）Ｂ） ３）　　（ＣＨ２＝ＣＨ０Ｃ（ＯＣ３Ｈａ　）　ｎ　　
０ＣＨ２）　３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレ−）Ｃ
） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１．ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３（７）化合物（以下、特殊ペン
タエリスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、
ｂ＝ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合
物Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６．ｂ＝ｏの化合物（以下
、特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および
下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げら
れる。These include styrene, ethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,8-hexane glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, etc., but particularly preferred ones are These include pentaerythritol tetraacrylate (methacrylate), pentaerythritol acrylate (
methacrylate), trimethylolpropane triacrylate (methacrylate), trimethylolpropane diacrylate (methacrylate), polyfunctional oligoester acrylate (Aronix M-7100, M-5400, M-5500, M-5700
, M-6250, M-6500, M-8030, M-8
060, M-8100, etc., Toagosei), acrylic modified products of Tuborane 404 Q) in urethane elastomers, or functional groups such as C0OH introduced into these, 7-acrylate (methacrylate) of phenol ethylene oxide adducts, A compound with an acrylic group (methacrylic group) or ε-caprolactone-acrylic group attached to a pentaerythritol condensed ring represented by the following general formula, 1) (CH2=CHC00H2) 3 CCH2
0H (special acrylate A) 2) (CH2=CHC0OH2) 3-CCH2C
H3 (special acrylic) B) 3) (CH2=CH0C(OC3Ha) n
0CH2) 3-CCH2CH3 (special acrylic) C
) (Special acrylate D) (Special acrylate E) (Special acrylate F) In the formula, m=1. a=2, b=4 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate A), m=1, a=3, b=3 (7) compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate B), m= 1, a=6,
A compound where b=o (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate C), m=2, a=6. Examples include compounds where b=o (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensates), and special acrylates represented by the following general formula.

８）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）　４
−ＣＯＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） （特殊アクリレ−）Ｉ） （特殊アクリレートＪ） Ａ：アクリノＬ＃、　　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多
塩基酸　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　　
　Ａ（−Ｍ−Ｎ−）−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　　Ｍ
：２価アルコールＮ：２塩基酸　　　　　（特殊アクリ
レートＬ）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下
記一般式で示される多官能オリゴエステルアクリレート
やウレタンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこ
れらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が
挙げられる。8) CH2=CHCOO-(CH2CH20) 4
-COCH=CH2 (Special acrylate H) (Special acrylate) I) (Special acrylate J) A: Acryno L#, X: Polyhydric alcohol Y: Polybasic acid (Special acrylate K) 12)
A(-M-N-)-M-AA Niacrylic acid, M
: Dihydric alcohol N: Dibasic acid (Special acrylate L) In addition, radiation-curable oligomers include polyfunctional oligoester acrylates represented by the general formula below, acrylic modified urethane elastomers, or combinations of these with C0OH, etc. Examples include those into which functional groups have been introduced.

拭中Ｒ，，Ｒ２：アルキル、ｎ：整釦 また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。In addition, a radiation-curable compound obtained by radiation-sensitizing a thermoplastic resin may also be used.

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレモノ醜、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。Specific examples of such radiation-curable resins include acrylic acid, methacrylic acid, or acrylic double bonds such as ester compounds thereof, and diallylphthalate, which exhibits an unsaturated double bond that has radical polymerizability. It is a thermoplastic resin that contains or introduces groups that can be crosslinked or polymerized by radiation irradiation, such as allylic double bonds, malemono-ugly bonds, and unsaturated bonds such as maleic acid derivatives, into the molecules of thermoplastic resins.

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテ樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。Examples of thermoplastic resins that can be modified into radiation-curable resins include vinyl chloride copolymers, saturated polyester resins, polyvinyl alcohol resins, epoxy resins, phenoxy resins, and cellulose derivatives.

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ＰＶＰ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。Other resins that can be used for radiation sensitivity modification include polyfunctional polyester resins, polyether ester resins, polyvinylpyrrolidone resins, and derivatives (PVP
Also effective are acrylic resins containing at least one of olefin copolymers), polyamide resins, polyimide resins, phenol resins, spiroacetal resins, hydroxyl group-containing acrylic esters, and methacrylic esters as polymerization components.

このような保ｗ１層５５の厚さは０．１〜３０ＩＬｍで
あり、より好ましくは１〜ｉｏ＃Ｌｍである。The thickness of such a retaining w1 layer 55 is 0.1 to 30 ILm, more preferably 1 to io#Lm.

この膜厚がＯ，ｌＪＬｍ未満になると、一様な膜を形成
できず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく
、磁性薄膜層４の耐久性が向上しない、　また、３０Ｉ
Ｌｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記
録媒体の反りや保護層中のクラックが生じ、実用に酎え
ない。If the film thickness is less than 0,1JLm, a uniform film cannot be formed, the moisture-proofing effect in a humid atmosphere will not be sufficient, and the durability of the magnetic thin film layer 4 will not improve.
If Lm is exceeded, the recording medium may warp or cracks may occur in the protective layer due to shrinkage during curing of the resin film, making it unsuitable for practical use.

このような塗膜は１通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート等、種々の公知の方法で設層すれ
ばよい、　この時の塗膜の設層条件は、塗膜組成のポリ
マーの粘度、基板表面の状態、目的とする塗膜厚さ等を
考慮して適宜決定すればよい。Such a coating film can be deposited using various known methods such as spinner coating, gravure coating, and spray coating. It may be determined as appropriate, taking into consideration the condition of the substrate surface, the intended coating film thickness, etc.

また、このような塗膜を電子線または紫外線によって硬
化させるには、公知の種々の方法に従えばよい。In addition, various known methods may be used to cure such a coating film using electron beams or ultraviolet rays.

なお、硬化に際して、紫外線を用いる場合、上述したよ
うな、放射線硬化型化合物の中には、光重合増感剤が加
えられる。Note that when ultraviolet rays are used for curing, a photopolymerization sensitizer is added to the radiation-curable compound as described above.

この光重合増感剤としては、従来のものでよく、例えば
、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾ
インのベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン
、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、
アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類、ベ
ンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフ
ィド等のスルフィト類、等を挙げることができる。　光
重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％の
範囲が望ましい。As this photopolymerization sensitizer, conventional ones may be used, such as benzoin series such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, α-chlordeoxybenzoin, and ketones such as benzophenone, acetophenone, and bisdialkylaminobenzophenone. kind,
Examples include quinones such as acedraquinone and phenanthraquinone, and sulfites such as benzyl disulfide and tetramethylthiuram monosulfide. The photopolymerization sensitizer is desirably in a range of 0.1 to 10% by weight based on the solid content of the resin.

紫外線照射は、例えば、キセノン放電管、水素放電管な
どの紫外線電球等を用いればよい。For the ultraviolet irradiation, for example, an ultraviolet light bulb such as a xenon discharge tube or a hydrogen discharge tube may be used.

一方、電子線を用いる場合には、放射線特性としては、
加速電圧ｌＯＯ〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３０
０ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０
メガラツドになるように照射するのが好都合である。On the other hand, when using an electron beam, the radiation characteristics are as follows:
Accelerating voltage lOO~750KV, preferably 150~30
Using a 0KV radiation accelerator, the absorbed dose is 0.5-20
It is convenient to irradiate in a megadose manner.

特に照射線源としては、吸収線量の制御、製造工程ライ
ンへの導入、電離放射線の遮　等の見地から、放射線加
熱器により電子線を使用する方法および前述した紫外線
を使用する方法が有利である。In particular, as an irradiation source, the method of using an electron beam with a radiation heater and the method of using ultraviolet rays mentioned above are advantageous from the viewpoint of controlling the absorbed dose, introducing it into the manufacturing process line, blocking ionizing radiation, etc. .

この他、前述したような酸化物、窒化物の保護層５５で
あってもよい。In addition, the protective layer 55 of oxide or nitride as described above may be used.

鹸化物としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタン、ａ＃化亜鉛等が好適である。As the saponified product, -silicon oxide, silicon dioxide, aluminum oxide, titanium oxide, zinc chloride, etc. are suitable.

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム
、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。Further, as the nitride, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, boron nitride, etc. are suitable.

本発明は、上述したように形成して構成してもよい、　
また磁性薄膜層４を有する１対の基板を用い、磁性薄膜
層を内側にして対向させ。The present invention may be formed and configured as described above.
Further, a pair of substrates having magnetic thin film layers 4 are used and are placed facing each other with the magnetic thin film layers inside.

接着剤等を用いて貼り合わせて、基板２の裏面側からの
書き込みを行う、いわゆる両面記録のタイプとしてもよ
い。It may also be a so-called double-sided recording type in which writing is performed from the back side of the substrate 2 by pasting them together using an adhesive or the like.

また、片面記録の場合、上述したような媒体上に保護板
を接着してもよい。Furthermore, in the case of single-sided recording, a protection plate may be adhered onto the medium as described above.

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、必要に応じてプラズマ処理された基板
上にプラズマ重合ｎ！下地層を有し、この上に希土類−
遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有し、さらにこの上
にプラズマ重合膜保護層を有し、必要に応じてこの上に
保護層を形成して光磁気記録媒体を構成する。■Specific effects of the invention According to the present invention, plasma polymerization n! It has a base layer, on which rare earth
A magneto-optical recording medium is constructed by having an amorphous perpendicular magnetic thin film layer of a transition metal, further having a plasma polymerized film protective layer thereon, and forming a protective layer thereon as necessary.

従って、得られた媒体は、特性がより向上し、しかも耐
久性、高湿度雰囲気中における保存性にもすぐれた効果
を有するものである。Therefore, the obtained medium has improved properties and also has excellent durability and storage stability in a high humidity atmosphere.

なお、本発明の光磁気記録媒体は、各種情報記録媒体と
して種々の用途に用いられ有用である。The magneto-optical recording medium of the present invention is useful as a variety of information recording media for various purposes.

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。(2) Specific Examples of the Invention Hereinafter, specific examples of the present invention will be shown and the present invention will be explained in more detail.

［実施例］ 直径２０ｃｍのＰＭＭＡ製の基板２を真空チャンバ中に
入れ、一旦１０’Ｔｏｒｒの真空に引いた後、処理ガス
としてＡｒを用い。[Example] A PMMA substrate 2 with a diameter of 20 cm was placed in a vacuum chamber, and after the vacuum was once evacuated to 10' Torr, Ar was used as a processing gas.

流ｌ：５０ｍＪＬ／分にてガス圧０　、１　Ｔｏｒｒに
保ちながら１３．５６ＭＨｚの高周波電圧をかけてプラ
ズマを発生させ、基板２表面をプラズマ処理した。Plasma was generated by applying a high frequency voltage of 13.56 MHz while maintaining the gas pressure at 0 and 1 Torr at a flow rate of 50 mJL/min, and the surface of the substrate 2 was plasma-treated.

その後、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜下地層３
１を基板２上に形成した。After that, under the following conditions, the plasma polymerized film base layer 3
1 was formed on the substrate 2.

これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで測定し
、また膜厚はエリプソメーターによって測定した。Elemental analysis of these plasma polymerized films was measured by SIMS, and film thickness was measured by an ellipsometer.

結果を表１に示す。The results are shown in Table 1.

このように形成されたプラズマ重合膜下地層３１上にＳ
ｉ３Ｎ４の中間層３５を高周波マグネトロンスパッタに
よって膜厚９００人に設層した。S is applied on the plasma polymerized film base layer 31 formed in this way.
An intermediate layer 35 of i3N4 was formed to a thickness of 900 mm by high frequency magnetron sputtering.

さらにこの上に下記に示される磁性薄膜層４を設層した
後、この磁性薄膜層４上に下地層と同様にプラズマ重合
膜保護層５１を形成し、さらにこの上に必要に応じて下
記に示されるような保護層５５を設けた。Furthermore, after forming a magnetic thin film layer 4 shown below on this, a plasma polymerized film protective layer 51 is formed on this magnetic thin film layer 4 in the same manner as the base layer, and further on this, as necessary, the following A protective layer 55 as shown was provided.

なお、同一基板に形成されたプラズマ重合膜下地層３１
とプラズマ重合膜保護層５１の膜組成および膜厚は同一
とした。Note that the plasma polymerized film base layer 31 formed on the same substrate
The film composition and film thickness of the plasma-polymerized film protective layer 51 were the same.

（Ｎｉ性薄膜層の形成） ＴｂＦｅＣｏの合金薄膜をスパッタリングにより厚さ０
．１ルｍに設層し、磁性薄膜層とした。(Formation of Ni-based thin film layer) A TbFeCo alloy thin film is sputtered to a thickness of 0.
．． A layer with a thickness of 1 lumen was formed to form a magnetic thin film layer.

なお、ターゲットは、Ｆｅターゲットに　　　ｉ：□１
１′ Ｔｂ、ＣＯチップをのせたものを用いた。１１：１・１ （保護層の形成） プラズマ重合膜保護層５１上に、多官能オリ　　　　□
ゴエステルアクリレート（アロニツクスＭ−８０３０）
１００重量部、光増感剤（バイキュア５５）５重量部か
らなる塗布組成物をスピンナーコートで設層し、その後
、１２０　Ｗ　／　ｃ　ｍ　　　　　′の紫外線を１５
ＳｅＣ照射し、架橋・硬化させ　　　□た。　この時の
膜厚はｌｏｏｍとした。In addition, the target is Fe target i:□1
1' Tb, one on which a CO chip was mounted was used. 11:1.1 (Formation of protective layer) Multifunctional layer □ on the plasma polymerized film protective layer 51
Goester acrylate (Aronix M-8030)
A coating composition consisting of 100 parts by weight and 5 parts by weight of a photosensitizer (Bicure 55) was applied using a spinner coat, and then 15 parts of ultraviolet light at 120 W/cm' was applied.
It was irradiated with SeC to crosslink and harden it. The film thickness at this time was set to loom.

このようにして下記１表１に示される各種光磁気ディス
クを作製し、以下に示すような特性値を測定した。In this way, various magneto-optical disks shown in Table 1 below were produced, and the characteristic values shown below were measured.

（１）Ｃ／Ｎ比（保存劣化） 初期のＣ／Ｎ比と、６０℃、９０％ＲＨにて３００時間
保存後のＣ／Ｎ比の変化量を下記の条件で測定した。(1) C/N ratio (deterioration on storage) The initial C/N ratio and the amount of change in the C/N ratio after storage at 60° C. and 90% RH for 300 hours were measured under the following conditions.

回転スピード　　　　　　　４ｍ／ｓｅｃ搬送周波数　
　　　　　　　５００ＫＨｚ分解能　　　　　　　　　
　　３０ＫＨｚ記録パワー（８３０ｎｍ）　　　３〜４
ｍＷ再生パワー（８３０ｎｍ）　　　　　　１ｍＷ（２
）接着強度 作製した光磁気ディスクの磁性薄Ｍ層側に接着テープを
一定の圧力で接着させ、この接着テープを１８０°の角
度方向に一定の速度で引き離し、剥離に要した力を測定
した。Rotation speed 4m/sec Carrier frequency
500KHz resolution
30KHz recording power (830nm) 3~4
mW reproduction power (830nm) 1mW (2
) Adhesive Strength An adhesive tape was adhered to the magnetic thin M layer side of the prepared magneto-optical disk with a constant pressure, and the adhesive tape was separated at a constant speed in an angular direction of 180°, and the force required for peeling was measured.

そして、サンプルＮｏ、９（ブランク）の接着強度の値
Ｗｏに対する、各サンプルの接着強度の値Ｗを以下に示
す向上率（％）として表わした。The adhesive strength value W of each sample was expressed as the improvement rate (%) shown below with respect to the adhesive strength value Wo of sample No. 9 (blank).

（３）ピットエラーレート 初期と、６０℃、９０％ＲＨにて３ｏＯ時間保存後のＥ
ＦＭ信号のピットエラーレートを測定した。(3) Initial pit error rate and E after storage for 3oO hours at 60℃ and 90%RH
The pit error rate of the FM signal was measured.

結果を表１に示す。The results are shown in Table 1.

表１に示される結果より１本発明の効果が明らかである
。From the results shown in Table 1, the effects of the present invention are clear.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は１本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 第２図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、２・・・基板、３１・・・プ
ラズマ重合膜下地層、３５・・・中間層、４・・・磁性
薄膜層、５１・・・プラズマ重合膜保護層、５５・・・
保護層、５３・・・混合器、５４・・・直流、交流およ
び周波数可変型電源、５６・・・油回転ポンプ。 ５７・・・液体窒素トラップ、５８・・・油拡散ポンプ
、５９・・・真空コントローラ、１１１・・・被処理基
板、５１１．５１２・・・原料ガス源、５２１．５２２
・・・マスフローコントローラ、５５１．５５２・・・
電極１ 、ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２ 手続ネ甫正書（自発）　　　　　　　　　　　１昭和６
１年　５月２７日　　　： 特許庁長官　　宇　賀　道　部　殿 ！、事件の表示 昭和６０年特許願第１８４７９９号 ２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　　所　　東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名　
　称　（３０６）　　ティーディーケイ株式会社代表者
　　大　歳　　　寛 ４、代理人　〒１０１ 住　　所　　東京都千代田区岩本町３丁目２番２号千代
田岩本ビル　４階 ！！！８６４−４４９８　　Ｆａｘ、８６４−６２８０
氏　　名　　（８２８６）　　弁理士　　石　井　陽　
−□プ″′：５−５、補正により増加する発明の数　　
　　　　　ｔ　　　　　　　＝１　−”６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および 「発明の詳細な説明」の各欄 ７、補正の内容 （１）明細書の［２、特許請求の範囲」の項の記載を別
紙のとおり補正する。 （２）明細書の「３、発明の詳細な説明」の項の記載を
下記のとおり補正する。 １）第７ページ９行目の「下地層」をｒ中間層１と補正
する。 ２）第１７ページ４〜５行目の「基板２との接着力が向
上し、ひいてはこの基板とプラズマ重合膜下地層３１Ｊ
をｒ基板２とプラズマ重合膜下地層３１との接着力が向
上し、ひしＡてはこの基板２と磁性薄膜層４１と補正す
る。 ３）第２２ページを別添の第２２ページに差しかえる。 ４）第２３ページを別添の第２３ページに差しかえる。 ５）第２６ページを別添の第２６ページに差しかえる。 １−　Ｘ哨すｒｓ　−＋　　＞゛＞　Ｑ　４＋ｒ　ｌ”
ｌ　ハｒ　Ｊｆｆ　　算＋　ｌｙ　ｒ　Ｊ蔽等１と補正
する。 ７１００、　Ｍ−５４００、Ｍ−５５００，Ｍ−５７０
０、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−
８０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラ
ストマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、ある
いはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたも
の、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート
（メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリ
スリトール縮金環にアクリル基（メタクリル基）または
ε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）：１−ｃｃ）
Ｉ２０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
ＣＨ・３４鴇アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈ６）ｎ−ＯＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＦ） １２）　　　Ａ（−Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−Ａ Ａニアクリル酸、　　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化
型オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オ
リゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのア
クリル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官
能基が導入されたもの等が挙げられる。 （式中Ｒ，、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）２、特許請求
の範囲 （１）基板上にプラズマ重合膜下地層を有し、このプラ
ズマ重合膜下地層の上に、直接あるいは曳側層を介して
、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有し、こ
の磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層を形成したこと
を特徴とする光磁気記録媒体。 （２）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
層がそれぞれＣ１またはＣとＨ，Ｎおよび０のうちの少
なくとも１種を含む特許請求の範囲第１項に記載の光磁
気記録媒体。 （３）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
層中のＣ含有量がそれぞれ３０〜１００ａｔ％である特
許請求の範囲第２項に記載の光磁気記録媒体。 （４）プラズマ重合膜保護層が表面に保護層を有する特
許請求の範囲第１項ないし一第１項のいずれかに記載の
光磁気記録媒体。FIG. 1 is a sectional view of a magneto-optical recording medium showing an example of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma polymerization apparatus. Explanation of symbols 1... Magneto-optical recording medium, 2... Substrate, 31... Plasma polymerized film base layer, 35... Intermediate layer, 4... Magnetic thin film layer, 51... Plasma polymerized film Protective layer, 55...
Protective layer, 53... Mixer, 54... DC, AC and variable frequency power supply, 56... Oil rotary pump. 57... Liquid nitrogen trap, 58... Oil diffusion pump, 59... Vacuum controller, 111... Processed substrate, 511.512... Source gas source, 521.522
...mass flow controller, 551.552...
Electrode 1, FIG, 1 FIG, 2 Procedure Nefusho (spontaneous) 1 Showa 6
May 27, 2016: Mr. Michibu Uga, Commissioner of the Patent Office! , Indication of the case 1985 Patent Application No. 184799 2 Name of the invention Magneto-optical recording medium 3 Person making the amendment Relationship to the case Patent applicant Address 13-1 Nihonbashi-chome, Chuo-ku, Tokyo
Name (306) TDC Co., Ltd. Representative Hiroshi Otoshi 4, Agent 101 Address 4th floor, Chiyoda Iwamoto Building, 3-2-2 Iwamoto-cho, Chiyoda-ku, Tokyo! ! ! 864-4498 Fax, 864-6280
Name (8286) Patent attorney Yo Ishii
−□pu″′: 5-5, number of inventions increased by amendment
t = 1 - "6, column 7 of "Claims" and "Detailed Description of the Invention" of the specification subject to amendment, content of amendment (1) "2. Scope of claims" of the specification The description in the paragraph is amended as shown in the attached sheet. (2) The statement in the section “3. Detailed Description of the Invention” of the specification is amended as follows. 1) Correct the "base layer" on the 9th line of the 7th page to r intermediate layer 1. 2) Page 17, lines 4 to 5, "The adhesion to the substrate 2 is improved, and as a result, this substrate and the plasma polymerized film base layer 31J
The adhesion between the substrate 2 and the plasma polymerized film base layer 31 is improved, and the adhesive force between the substrate 2 and the magnetic thin film layer 41 is corrected. 3) Replace page 22 with the attached page 22. 4) Replace page 23 with the attached page 23. 5) Replace page 26 with the attached page 26. 1-X rs −+ >゛> Q 4+r l”
Correct as l har r Jff calculation + ly r J declination etc. 1. 7100, M-5400, M-5500, M-570
0, M-6250, M-6500, M-8030, M-
8060, M-8100, etc., Toagosei), acrylic modified products of Tuboran 4040) in urethane elastomers, or those into which functional groups such as C0OH are introduced, acrylates (methacrylates) of phenol ethylene oxide adducts, the following general A compound with an acrylic group (methacrylic group) or ε-caprolactone-acrylic group attached to a pentaerythritol condensed ring represented by the formula, 1) (CH2=CHCOOCH2): 1-cc)
I20H (special acrylate A) 2) (CH2=CHCOOCH2)3-CCH2
CH・34acrylate B) 3) (CH2=CHCO(OC3H6)n-OC
H2) 3-CCH2CH3 (Special acrylate C) (Special acrylate D) (Special acrylate E) CH2CH2C00CH=CH2 (Special acrylate F) 12) A(-M-N+-M-A A Niacrylic acid, M: Dihydric alcohol N : Dibasic acid (special acrylate) In addition, radiation-curable oligomers include polyfunctional oligoester acrylates represented by the general formula below, acrylic modified products of urethane elastomers, or functional groups such as C0OH introduced into these. (wherein R,, R2: alkyl, n: integer) 2. Claims (1) A plasma polymerized film base layer is provided on the substrate, and a plasma polymerized film base layer is provided on the substrate. A magneto-optical recording medium characterized in that it has an amorphous perpendicular magnetic thin film layer of a rare earth-transition metal directly or via a drag-side layer, and a plasma polymerized film protective layer is formed on the magnetic thin film layer. (2) The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the plasma polymerized film base layer and the plasma polymerized film protective layer each contain C1 or C and at least one of H, N, and 0. 3) The magneto-optical recording medium according to claim 2, wherein the plasma polymerized film underlayer and the plasma polymerized film protective layer each have a C content of 30 to 100 at%. (4) The plasma polymerized film protective layer is A magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 1, which has a protective layer on its surface.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）基板上にプラズマ重合膜下地層を有し、このプラ
ズマ重合膜下地層の上に、直接あるいは下地層を介して
、希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有し、こ
の磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層を形成したこと
を特徴とする光磁気記録媒体。(1) A plasma-polymerized film base layer is provided on the substrate, and an amorphous perpendicular magnetic thin film layer of a rare earth-transition metal is provided directly or via the base layer on the plasma-polymerized film base layer. A magneto-optical recording medium comprising a plasma polymerized film protective layer formed on a magnetic thin film layer. （２）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
層がそれぞれＣ、またはＣとＨ、ＮおよびＯのうちの少
なくとも１種を含む特許請求の範囲第１項に記載の光磁
気記録媒体。(2) The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the plasma polymerized film base layer and the plasma polymerized film protective layer each contain C, or C and at least one of H, N, and O. （３）プラズマ重合膜下地層およびプラズマ重合膜保護
層中のＣ含有量がそれぞれ３０〜 １００ａｔ％である特許請求の範囲第２項に記載の光磁
気記録媒体。(3) The magneto-optical recording medium according to claim 2, wherein the plasma polymerized film base layer and the plasma polymerized film protective layer each have a C content of 30 to 100 at%. （４）プラズマ重合膜下地層と非晶質垂直磁性薄膜層と
の間に中間層を有する特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかに記載の光磁気記録媒体。(4) Claims 1 to 3 have an intermediate layer between the plasma polymerized film base layer and the amorphous perpendicular magnetic thin film layer.
2. The magneto-optical recording medium according to any one of the items. （５）プラズマ重合膜保護層が表面に保護層を有する特
許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光
磁気記録媒体。(5) The magneto-optical recording medium according to any one of claims 1 to 4, wherein the plasma polymerized film protective layer has a protective layer on the surface.