JPH0135478Y2 - - Google Patents
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- JPH0135478Y2 JPH0135478Y2 JP10643584U JP10643584U JPH0135478Y2 JP H0135478 Y2 JPH0135478 Y2 JP H0135478Y2 JP 10643584 U JP10643584 U JP 10643584U JP 10643584 U JP10643584 U JP 10643584U JP H0135478 Y2 JPH0135478 Y2 JP H0135478Y2
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、半導体チツプが支持板と共に樹脂モ
ールドされた樹脂封止形半導体装置に関連する。
ールドされた樹脂封止形半導体装置に関連する。
従来の技術
樹脂封止形半導体装置では、半導体チツプを支
持する支持板を外部に対して電気的に絶縁するた
め、支持板とこれに接続された細条とを樹脂で封
止する技術が開発されたが、このような技術は、
例えば特開昭57−178352号公報及び特開昭57−
188858号公報に開示されている。上記の樹脂封止
を行う場合、支持板を含むいわゆるリードフレー
ムが金型内に装着され、金型のキヤビテイ内にエ
ポキシ樹脂等の融解樹脂が圧入される。このと
き、融解樹脂の注入圧力によつて金型内で移動し
ないように、リードフレームを所定の位置に保持
する必要がある。その1例として、支持板に連結
された細条を金型を構成する上型と下型で挾持す
る方法が採用された。この方法では、キヤビテイ
内に融解樹脂が圧入され固化したのち、リードフ
レームを金型から取出し、その後に、封止樹脂の
端面近傍で細条を切断する工程が行われる。最終
的に製造される半導体装置では、半導体チツプと
電気的に接続された細条の切断端部が封止樹脂の
表面に露出するので、他の素子、キヤビネツト又
は人体等を含む周囲との接触による短絡事故や外
部放熱体との間で絶縁不良が発生した。そこで、
前記特許公報に示される通り、封止樹脂に切欠部
又は凹所を形成し、切欠部又は凹所内で細条を切
断する技術が提案された。
持する支持板を外部に対して電気的に絶縁するた
め、支持板とこれに接続された細条とを樹脂で封
止する技術が開発されたが、このような技術は、
例えば特開昭57−178352号公報及び特開昭57−
188858号公報に開示されている。上記の樹脂封止
を行う場合、支持板を含むいわゆるリードフレー
ムが金型内に装着され、金型のキヤビテイ内にエ
ポキシ樹脂等の融解樹脂が圧入される。このと
き、融解樹脂の注入圧力によつて金型内で移動し
ないように、リードフレームを所定の位置に保持
する必要がある。その1例として、支持板に連結
された細条を金型を構成する上型と下型で挾持す
る方法が採用された。この方法では、キヤビテイ
内に融解樹脂が圧入され固化したのち、リードフ
レームを金型から取出し、その後に、封止樹脂の
端面近傍で細条を切断する工程が行われる。最終
的に製造される半導体装置では、半導体チツプと
電気的に接続された細条の切断端部が封止樹脂の
表面に露出するので、他の素子、キヤビネツト又
は人体等を含む周囲との接触による短絡事故や外
部放熱体との間で絶縁不良が発生した。そこで、
前記特許公報に示される通り、封止樹脂に切欠部
又は凹所を形成し、切欠部又は凹所内で細条を切
断する技術が提案された。
考案が解決しようとする問題点
しかし、前記特許公報に示される技術では、切
欠部又は凹所の形状が単純であるため上記短絡事
故を十分に防止できない。更に細条の切断端部と
外部放熱体との距離が短く、上記絶縁不良に対し
ては特に対策が施されていなかつた。
欠部又は凹所の形状が単純であるため上記短絡事
故を十分に防止できない。更に細条の切断端部と
外部放熱体との距離が短く、上記絶縁不良に対し
ては特に対策が施されていなかつた。
そこで本考案は、短絡事故や絶縁不良を確実に
防止できる樹脂封止形半導体装置を提供すること
を目的とする。
防止できる樹脂封止形半導体装置を提供すること
を目的とする。
問題点を解決するための手段
本考案による樹脂封止形半導体装置は、半導体
チツプを支持する支持板とこの支持板の互いに異
なる側に連結された外部リード及び細条とを有す
るリードフレームを使用して製作され、前記支持
板の両主面が実質的に露出しないように封止樹脂
が形成されておりかつ封止樹脂の端面に凹部が形
成されている。この凹部は支持板側に形成された
底面と、封止樹脂の背面側に形成された防護面と
を有する。凹部の底面に対向する面と防護面に対
向する面とは開放している。凹部の底面と防護面
との交差部において、細条の除去跡として凹部の
底面に開口する孔が封止樹脂に形成されており、
細条の切断端部は凹部の底面よりも孔の内側に位
置している。
チツプを支持する支持板とこの支持板の互いに異
なる側に連結された外部リード及び細条とを有す
るリードフレームを使用して製作され、前記支持
板の両主面が実質的に露出しないように封止樹脂
が形成されておりかつ封止樹脂の端面に凹部が形
成されている。この凹部は支持板側に形成された
底面と、封止樹脂の背面側に形成された防護面と
を有する。凹部の底面に対向する面と防護面に対
向する面とは開放している。凹部の底面と防護面
との交差部において、細条の除去跡として凹部の
底面に開口する孔が封止樹脂に形成されており、
細条の切断端部は凹部の底面よりも孔の内側に位
置している。
作 用
細条の切断端部が封止樹脂に形成された凹部の
支持板側の壁面よりも支持板側の内部に位置する
とともに、凹部には封止樹脂の背面側の壁面が形
成されている。したがつて、細条の切断端部は、
外部放熱体に対し大きな沿面距離を確保し、かつ
外部との接触が起こり難い。
支持板側の壁面よりも支持板側の内部に位置する
とともに、凹部には封止樹脂の背面側の壁面が形
成されている。したがつて、細条の切断端部は、
外部放熱体に対し大きな沿面距離を確保し、かつ
外部との接触が起こり難い。
実施例
以下本考案の実施例を第1図〜第8図について
説明する。
説明する。
本考案による樹脂封止形半導体装置は、第3図
に示すリードフレーム20から作られる。リード
フレーム20は、半導体チツプ(トランジスタチ
ツプ)15を支持する支持板16を有する。半導
体チツプ15は、必要に応じて、保護コート18
を形成するシリコン樹脂で被覆される。支持板1
6には、コレクタリード24が一体成形される。
コレクタリード24は、ベースリード23とエミ
ツタリード25と共に外部リードと総称され、タ
イバー26及び共通細条27により直角方向で互
いに連結される。ベースリード23とエミツタリ
ード25は、それぞれアルミニウム線17aと1
7bにより半導体チツプ15の所定位置へ接続さ
れる。
に示すリードフレーム20から作られる。リード
フレーム20は、半導体チツプ(トランジスタチ
ツプ)15を支持する支持板16を有する。半導
体チツプ15は、必要に応じて、保護コート18
を形成するシリコン樹脂で被覆される。支持板1
6には、コレクタリード24が一体成形される。
コレクタリード24は、ベースリード23とエミ
ツタリード25と共に外部リードと総称され、タ
イバー26及び共通細条27により直角方向で互
いに連結される。ベースリード23とエミツタリ
ード25は、それぞれアルミニウム線17aと1
7bにより半導体チツプ15の所定位置へ接続さ
れる。
一対の細条30と31は支持板16に一体に成
形されかつコレクタリード24に対し反対側へ伸
びる。各細条30,31の外端は、共通細条32
により直角方向で互いに連結される。各細条30
と31には、孔33と34が穿設される。孔33
と34の形状は、丸又は矩形のほか任意形状に形
成でき、又、小幅寸法となる切欠きでもよい。な
お、支持板16、外部リード及び細条30,31
等を有するリードフレーム20は、第3図ではト
ランジスタ1個分のみを示しているが、実際に
は、多数の支持板、外部リード及び細条が、タイ
バー26と共通細条27,32により平行に支持
された金属製フレームである。
形されかつコレクタリード24に対し反対側へ伸
びる。各細条30,31の外端は、共通細条32
により直角方向で互いに連結される。各細条30
と31には、孔33と34が穿設される。孔33
と34の形状は、丸又は矩形のほか任意形状に形
成でき、又、小幅寸法となる切欠きでもよい。な
お、支持板16、外部リード及び細条30,31
等を有するリードフレーム20は、第3図ではト
ランジスタ1個分のみを示しているが、実際に
は、多数の支持板、外部リード及び細条が、タイ
バー26と共通細条27,32により平行に支持
された金属製フレームである。
リードフレーム20は、第4図及び第5図に示
す金型40内に装着される。第4図はコレクタリ
ード24の中心線に沿う断面を示し、第5図は細
条31の中心線に沿う断面を示す。金型40は、
下型41と上型42で構成され、リードフレーム
20を収容するキヤビテイ43が形成される。
す金型40内に装着される。第4図はコレクタリ
ード24の中心線に沿う断面を示し、第5図は細
条31の中心線に沿う断面を示す。金型40は、
下型41と上型42で構成され、リードフレーム
20を収容するキヤビテイ43が形成される。
上述の通り、金型40にリードフレーム20が
装着された後、融解エポキシ樹脂(加熱されて粘
液状となつた熱硬化性エポキシ樹脂)が公知のト
ランスフアモールド法によりゲート(図示せず)
からキヤビテイ43内に圧入され、リードフレー
ム20の1部が樹脂21により封止される。
装着された後、融解エポキシ樹脂(加熱されて粘
液状となつた熱硬化性エポキシ樹脂)が公知のト
ランスフアモールド法によりゲート(図示せず)
からキヤビテイ43内に圧入され、リードフレー
ム20の1部が樹脂21により封止される。
樹脂21が固化した後、リードフレーム20が
金型40から取出され、その時点での細条31の
状態を第6図に示す。即ち支持板16等を封止す
る樹脂21の端面28には、金型の突部44によ
り凹部29が形成される。
金型40から取出され、その時点での細条31の
状態を第6図に示す。即ち支持板16等を封止す
る樹脂21の端面28には、金型の突部44によ
り凹部29が形成される。
樹脂21から突出する細条30,31は、引張
りにより孔33と34の中心で切断され、共通細
条32と共に除去される。各外部リードを連結す
るタイバー26と共通細条27も公知のように製
造上の一工程で除去される。
りにより孔33と34の中心で切断され、共通細
条32と共に除去される。各外部リードを連結す
るタイバー26と共通細条27も公知のように製
造上の一工程で除去される。
このように製造された本考案の半導体装置の1
例を第1図、第2図及び第7図に示す。樹脂21
の端面28に形成された一対の凹部29各々は、
底面50と、左右側面51,52と、防護面53
とで形成される。細条30,31の切断端部30
a,30b,31a,31bは、底面50のやや
内側に位置する。即ち、細条30,31の切断工
程において、底面50のやや内側で細条30,3
1が引きちぎられ、細条30,31の除去跡56
が形成されている。このとき、細条30,31の
周囲に付着した樹脂が少し剥離することもある
が、実用上は剥離が少ないので問題はない。凹部
29の一面である防護面53は、細条30,31
と樹脂21の背面54との間において細条の切断
端部30a,30b,31a,31b、から外側
に伸びる防護突部55で形成される。
例を第1図、第2図及び第7図に示す。樹脂21
の端面28に形成された一対の凹部29各々は、
底面50と、左右側面51,52と、防護面53
とで形成される。細条30,31の切断端部30
a,30b,31a,31bは、底面50のやや
内側に位置する。即ち、細条30,31の切断工
程において、底面50のやや内側で細条30,3
1が引きちぎられ、細条30,31の除去跡56
が形成されている。このとき、細条30,31の
周囲に付着した樹脂が少し剥離することもある
が、実用上は剥離が少ないので問題はない。凹部
29の一面である防護面53は、細条30,31
と樹脂21の背面54との間において細条の切断
端部30a,30b,31a,31b、から外側
に伸びる防護突部55で形成される。
上記実施例では、半導体装置としてトランジス
タを示したが、ダイオード、サイリスタ等他の半
導体装置にも応用できることは明らかである。
タを示したが、ダイオード、サイリスタ等他の半
導体装置にも応用できることは明らかである。
考案の効果
本考案の半導体装置を前述の通り構成したの
で、種々の利点を得ることができる。即ち従来の
半導体装置の部分的断面図を示す第9図から明ら
かなように、樹脂21で封止された細条31′の
切断端面31′aと外部放熱体60とのいわゆる
沿面距離lはl=l0で短いため、絶縁不良が発生
し易かつた。これに対し、第8図に示す本考案の
半導体装置では、沿面距離lはl=l0+l1+l2と
長くなるため、外部放熱体60との絶縁不良は事
実上発生しなくなつた。更に、細条30,31の
切断端部30a,30b,31a,31bが防護
突部55の内側かつ樹脂の表面から奥まつた位置
にあるため、周囲と接触し難くなり、短絡事故を
防止することができる。これは、細条30,31
の切断端部30a,30b,31a,31bを樹
脂外部に露出しないことを望む業界の厳格な要求
に対し実用上充分に合致できるものである。
で、種々の利点を得ることができる。即ち従来の
半導体装置の部分的断面図を示す第9図から明ら
かなように、樹脂21で封止された細条31′の
切断端面31′aと外部放熱体60とのいわゆる
沿面距離lはl=l0で短いため、絶縁不良が発生
し易かつた。これに対し、第8図に示す本考案の
半導体装置では、沿面距離lはl=l0+l1+l2と
長くなるため、外部放熱体60との絶縁不良は事
実上発生しなくなつた。更に、細条30,31の
切断端部30a,30b,31a,31bが防護
突部55の内側かつ樹脂の表面から奥まつた位置
にあるため、周囲と接触し難くなり、短絡事故を
防止することができる。これは、細条30,31
の切断端部30a,30b,31a,31bを樹
脂外部に露出しないことを望む業界の厳格な要求
に対し実用上充分に合致できるものである。
又、第5図に示す通り、細条30と31の上面
は、支持板16の上面と同一平面であるため、リ
ードフレーム20の寸法精度が高く、リードフレ
ーム20の製造コストも安い。即ち、第9図の沿
面距離l0を長くとるため、細条30,31を外部
リードと同様に支持板16より上方に偏位させる
ことも考えられる。しかし、このように支持板1
6の両側で上面に上方が偏位したリードフレーム
を作成するのは、加工技術的に困難な面があり、
結果として寸法精度が悪くなり易いし、コストア
ツプにもなる。その点、本考案の半導体装置で
は、上記のように問題のあるリードフレームを使
用する必要はない。
は、支持板16の上面と同一平面であるため、リ
ードフレーム20の寸法精度が高く、リードフレ
ーム20の製造コストも安い。即ち、第9図の沿
面距離l0を長くとるため、細条30,31を外部
リードと同様に支持板16より上方に偏位させる
ことも考えられる。しかし、このように支持板1
6の両側で上面に上方が偏位したリードフレーム
を作成するのは、加工技術的に困難な面があり、
結果として寸法精度が悪くなり易いし、コストア
ツプにもなる。その点、本考案の半導体装置で
は、上記のように問題のあるリードフレームを使
用する必要はない。
更に、高耐圧半導体装置では、細条30,31
の切断端部30a,30b,31a,31bが最
終的には露出しないように、トランスフアモール
ド法による成形後にこれらの露出部をシリコンラ
バー等の絶縁物で被覆することを要求されること
がある。本考案の半導体装置では、防護突部55
によつて形成される凹部29に液状のシリコンラ
バー等を注入して除去跡56の凹部29への開口
部を封じればよいので、絶縁の効果が確実である
とともに被覆作業が行い易い。
の切断端部30a,30b,31a,31bが最
終的には露出しないように、トランスフアモール
ド法による成形後にこれらの露出部をシリコンラ
バー等の絶縁物で被覆することを要求されること
がある。本考案の半導体装置では、防護突部55
によつて形成される凹部29に液状のシリコンラ
バー等を注入して除去跡56の凹部29への開口
部を封じればよいので、絶縁の効果が確実である
とともに被覆作業が行い易い。
第1図〜第8図は本考案の実施例を示し、第1
図は本考案による半導体装置の斜視図、第2図は
この端面図、第3図はリードフレームの平面図、
第4図はリードフレームを装着した金型の断面
図、第5図はこの金型の他の断面図、第6図は封
止樹脂に形成された凹部の部分的拡大斜視図、第
7図は凹部の部分的断面図、第8図は樹脂凹部の
部分的断面図、第9図は従来の半導体装置の部分
的断面図である。 15……半導体チツプ、16……支持板、20
……リードフレーム、29……凹部、30,31
……細条、30a,30b,31a,31b……
切断端部、50……底面(凹部の支持板側の壁
面)、53……防護面(凹部の封止樹脂背面側の
壁面)、54……背面、55……防護突部、56
……細条の除去跡。
図は本考案による半導体装置の斜視図、第2図は
この端面図、第3図はリードフレームの平面図、
第4図はリードフレームを装着した金型の断面
図、第5図はこの金型の他の断面図、第6図は封
止樹脂に形成された凹部の部分的拡大斜視図、第
7図は凹部の部分的断面図、第8図は樹脂凹部の
部分的断面図、第9図は従来の半導体装置の部分
的断面図である。 15……半導体チツプ、16……支持板、20
……リードフレーム、29……凹部、30,31
……細条、30a,30b,31a,31b……
切断端部、50……底面(凹部の支持板側の壁
面)、53……防護面(凹部の封止樹脂背面側の
壁面)、54……背面、55……防護突部、56
……細条の除去跡。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体チツプを支持する支持板と該支持板の互
いに異なる側に連結された外部リード及び細条と
を有するリードフレームを使用して製作され、前
記支持板の両主面が実質的に露出しないように封
止樹脂が形成されておりかつ該封止樹脂の端面に
凹部が形成された樹脂封止形半導体装置におい
て、 前記凹部は前記支持板側に形成された底面と、
前記封止樹脂の背面側に形成された防護面とを有
し、前記底面に対向する面と前記防護面に対向す
る面とが開放しており、前記凹部の底面と防護面
との交差部において、前記細条の除去跡として前
記凹部の底面に開口する孔が前記封止樹脂に形成
されており、前記細条の切断端部は前記凹部の底
面よりも前記孔の内側に位置していることを特徴
とする樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10643584U JPS6122351U (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10643584U JPS6122351U (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6122351U JPS6122351U (ja) | 1986-02-08 |
JPH0135478Y2 true JPH0135478Y2 (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=30665723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10643584U Granted JPS6122351U (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6122351U (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH079917B2 (ja) * | 1987-05-11 | 1995-02-01 | サンケン電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
JPH04132734U (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-09 | 日本電気株式会社 | 圧電振動子 |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP10643584U patent/JPS6122351U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6122351U (ja) | 1986-02-08 |
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