JPS6241738A - 気相沈積された酸化生成物の合成方法 - Google Patents

気相沈積された酸化生成物の合成方法

Info

Publication number
JPS6241738A
JPS6241738A JP61187046A JP18704686A JPS6241738A JP S6241738 A JPS6241738 A JP S6241738A JP 61187046 A JP61187046 A JP 61187046A JP 18704686 A JP18704686 A JP 18704686A JP S6241738 A JPS6241738 A JP S6241738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor
burner
sub
magnesium
flame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61187046A
Other languages
English (en)
Inventor
ピーター ローレンス ボッコ
ウィリアム ジョセフ ウェイン
チャールズ エルバート ヤング
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Glass Works
Original Assignee
Corning Glass Works
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Glass Works filed Critical Corning Glass Works
Publication of JPS6241738A publication Critical patent/JPS6241738A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/401Oxides containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • C03B37/0142Reactant deposition burners
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00Type of glass produced
    • C03B2201/06Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/32Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00Type of glass produced
    • C03B2201/06Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/54Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with beryllium, magnesium or alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/04Multi-nested ports
    • C03B2207/06Concentric circular ports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/04Multi-nested ports
    • C03B2207/08Recessed or protruding ports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/04Multi-nested ports
    • C03B2207/12Nozzle or orifice plates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/20Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/20Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
    • C03B2207/26Multiple ports for glass precursor
    • C03B2207/28Multiple ports for glass precursor for different glass precursors, reactants or modifiers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/30For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/30For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
    • C03B2207/32Non-halide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C03B2207/86Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C03B2207/87Controlling the temperature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/90Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from solid glass precursors, i.e. by sublimation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガラスとセラミックの合成の分野に関し、特に
ガラスまたはセラミック生成物のためのマグネシウム・
アルミノケイ酸塩(M g O−Alzoy  S i
 O2)組成を気相合成する改良された方法に関する。
マグネシウム・アルミノケイ酸塩ガラスは、高強度ファ
イバ補強や蒸気通信または他の特殊化された光学応用分
野を含む現在のまたは将来予測される用途に対しては、
比較的安定なガラスであって良好な光学品質ならびに所
望の蒸気的および弾性的な時性を有している。マグネシ
ウム・アルミノケイ酸塩ガラス・セラミックスは現在レ
ードーム(radome)を製造するために利用されて
おり、他方、結晶fのMgo−AAzOi −3i O
zセラミックスのtたる用途は低膨張キン青石ハネカム
触媒支持体である。
MgO−A7!zOi −s io、ガラスおよびセラ
ミックスの特殊な用途では、組成を厳密に制御すること
およびその用途にとって有害な不純物の1]成を除去す
ることが必要とされる。例えば、光ファイバとしての用
途の場合には、一般に、使用に耐えうる程度に透明なガ
ラスを得るために、Fe、CrおよびMnのような光吸
収性の金属不純物を組成からほぼ完全に除去することが
必要とされる。
このような用途に対する必要な純度レヘルは、ガラス形
成化合物の注意深く抽出された揮発性の塩化物からガラ
スが合成される気相沈積法によって最も良く達成される
。光ファイバを作成するために用いられる透明度の高い
ガラスを得るためには、S i Ce a 、T i 
Cll a 、G e Cl aおよびPOCl、のよ
うな純粋な原材料化合物が現在では用いられている。1
つの特に存用な合成法では、米国特許第2272342
号および第 2326059号に教示されているように、それらの塩
化物を炎酸化(flame oxidation) L
、次にその炎酸化生成物を焼結(consolidat
ion) して透明なガラスとすることが行なわれる。
揮発性の塩化物を形成しない金属元素の酸化物を含有す
るガラスを合成する方法が長い間関心をもたれていた。
米国特許第3801294号には、A I Cl 3、
Z r C1mおよびTa C1sを含むガラス合成の
ための固体塩化物の蒸気を発生する方法と装置が記載さ
れている。米国特許第4501602には、ガラス合成
のために、アルミニウム、マグネシウムおよび他の金属
元素のある種の揮発性ではあるが安定な有機金属化合物
を用いることが記載されている。その特許では、アルミ
ニウムとマグネシウムの揮発性ヘータジケトン錯体(c
omplexes)を炎酸化することによってγ−Ae
103およびM gOS i Ozガラスが合成され、
その場合、SIO!は通常のごとく5iC1,の酸化に
よって得られる。
従来の方法では、ガラスを合成するための揮発性金属原
材料化合物はガス・酸素バーナに中央オリフィスを通じ
て蒸気として供給することによって酸化される。その蒸
気は、送り温度に適応しかつその温度で相互作用しない
場合には、通常、中央オリフィスまたはフユーム・チュ
ーブ(fumetubes)を通じて炎内に注入される
前に、均質な藤気混合物を形成するためにバーナで混合
される。
それらの蒸気が相互作用しない場合には、反応物を別々
にバーナに送り込むために同心状のフユーム・チューブ
を用いることが提冨されている。しかしながら、現在で
は、商業的に製造される気相沈積ガラスはすべてSiC
/4と、適合しうる量のTiC,14、GeC1,、P
OCj!3、BC6xおよびフッ素のうちの1つまたは
それ以上のものとで作成されたドープされたシリカガラ
スであるから、このような商業的に製造される気相沈積
ガラスでは、上述した相互作用は大した問題ではない。
市販の気相沈積ガラスではマグネシウムもアルミニウム
もまったく用いられておらず、それらの金属のための適
当な原材料化合物が開発されたのは比較的最近のことで
あり、そのような原材料化合物はコストが非常に高い。
本発明は、気相沈積法によってM g OA e 20
 s5−3inガラスを合成するための実用的な方法を
提供する。本発明の方法は、アルミニウム原材料として
有機金属アルミニウムのかわりに市販純度のAICε3
または7i、 j! B r yを用いることによって
大量の高価な有機金属原材料の必要性を軽減する。適当
な高温ハロゲン化アルミニウム蒸気発生系と新規な炎酸
化法を用いることによって、焼結して光学的に透明なM
gOAlzOz −5iOzガラスまたは結晶質のMg
O−AIto。
−3iOzセラミツクスとするのに適したMgOA 1
 toa −S i O□酸化物生成物を得ることがで
きる。
微粒子またはスート(soot)の形で従来の態様で合
成される酸化物生成物を得るために、ハロゲン化アルミ
ニウムCAlC1yまたはAlBr5)と有機金属マグ
ネシウム化合物が最初に発生され、炎酸化バーナに供給
される。そのハロゲン化アルミニウムと有機金属マグネ
シウム化合物の蒸気が発生され、炎酸化工程における以
後の処理を制御するために別々の蒸気流として供給され
る。
このようにして得られたケイ素、アルミニウムおよびマ
グネシウムの蒸気が次に炎酸化バーナのフェースから放
出され、そのバーナにより供給される酸化炎内に入れ込
まれる。しかしながら、バーナ・フェース上に堆積する
のを回避するために、ハロゲン化アルミニウムと有機金
属マグぶシウムの蒸気は別々の蒸気流出して放出され、
がっフユーム・シールド(fume 5hield)と
呼ばれる第3の蒸気流がアルミニウムの流れとマグネシ
ウムの流れとの間でバーナ・フェースから放出される。
この間に介在するフユーム・シールドの流れはハロゲン
化アルミニウムおよび有機金属マグネシウムの蒸気のい
ずれをも実質的に含有していないが、必要に応して、5
iCf4i気を含有していてもよい。
上記のように放出される蒸気を炎酸化して得られた生成
物、すなわち粒状のM g OA 1 z O3−3i
O□酸化物生成物またはスートがさらに処理されるため
に収集される。このスートは適当な支持体上に直接集め
られ、焼結されてガラスまたはセラミック生成物となさ
れてもよく、あるいはゆるい形態で集められ、続いて整
形され、そして焼結されて生成物となされてもよい。こ
の生成物は、気相沈積によって形成されるから、望まし
くない光吸収や他の望ましくない性質をガラスまたはセ
ラミックスに導入しうるFe、、Mn、Crおよび他の
元素のような不純物を一般に含有していない。
以下本発明の実施例につき図面を参照しながら説明する
本発明に従ってMgOA#zO*  S iozガラス
を気相合成するための好ましいアルミニウム原材料は塩
化アルミニウムである。この材料は現在人手可能な有機
金属アルミニウム原材料よりも安価であり、しかも高純
度のものが商業的に入手できる。しかしながら、それは
大気圧では溶融しないから、5iCn4のような従来の
液体塩化物よりも蒸気の発生がある程度複雑である。
160〜180℃の温度で固体のAlCl3からA I
 C13の蒸気を都合よく発生させることができ、その
温度範囲では、A I C(13の蒸気圧は100mm
(l(g)よりも高い。適当な蒸気発生器は、平坦な底
を有する壁厚の大きいステンレススチール製容器よりな
り、この場合、底は、所定量のへIcρ、粉末を配置さ
れたフリットガラスのディスクで裏張りされる。酸素の
ような適当なキャリアガスがフリットガラスのディスク
を通じて十記容器の底に導入され、そしてAlCl、を
通して上方に拡散せしめられてAlICff、蒸気を拾
い、頂部の排気口を通じて上記ステンレススチール製容
器から外に出て、加熱された蒸気送り管を通じてバーナ
に入る。このように設計されたA 1. CI *蒸気
発生器はAl1IC7!、原材料との十分な熱的接触を
与えるとともに、AlCl、の量が大幅に欠乏する点ま
で酸素キャリアガスにおける蒸気飽和レベルを適切に制
御する。
他のアルミニウム原材料としては、液体A7!Br、 
、AIBrC(!、 、およびAlC7!3: NaC
1の共融混合物のような他の蒸発可能なアルミニウム化
合物があり、その場合、上記共融混合物は約110℃で
溶融し、1〜10mm(Hg)のオーダの分圧でAeC
Ilzi気を生ずる。しかしながら、最後に述べた2種
の原材料は蒸気発生器の動作時に組成変化を受けて、分
圧制御を困難にし、他方、AlBr1は毒性のある臭素
を発生し、かつ従来の液体蒸気送り系統を詰まらせる傾
向がある。従って、これらのアルミニウム奈気発生原材
料を用いるのは好ましくない。
5iC7!a茅気の送りは、従来のS iCl a泡立
て器(bubbler)’Witを用いて行なわれるこ
とが好ましい。ガラス・バブラ内の液体S i C1m
は蒸発させるのに通した温度、例えば40℃に加熱され
、そして酸素のようなキャリアガスがその加熱されたS
 i Cl a中で泡立ちされ、そこでそのキャリアガ
スは塩化物の寒気で飽和される。このS + Ci m
で飽和されたキャリアガスが加熱された送り管を通して
酸化バーナに送られる。
本発明において使用するのに好ましいマグネシウム奈気
原材料はMg(hfa)z・1.2−DME(1,2−
ジメトキシエタン・アダクトを伴なったマグネシウム・
ヘキサフルオロアセチルアセトネート)である。この化
合物は約70℃で溶融し、優れた熱的安定性を呈し、か
つ約200℃までのT全温度で揮発する。この化合物は
170°Cで効率的に発揮し1.その温度では50++
m(Hg)のオーダの蒸気圧を有する。
Mg(hfa)2・1.2−DMEは、茎留されたヘキ
叶フルオロアセチルアセトン(hfa)を塩基性炭酸マ
グネシウム((MgC○、)4・M g (OH)2・
51(,0)と反応させ、前者を滴状にして後者のエチ
ル・エーテル溶液に添加し、続いて還流させることによ
って都合よく合成されうる。その結果得られた水和物(
M g (hfa)z ・2820)は、過剰1,2−
ジメトキシエタン内で還流させることによってD M 
Eアダクトに変換されうる。この化合物とそれの合成に
ついては1984年10月19日に出願された米国特許
出願第662829号に詳細に記載されている。
もし所望されるならば、M g (hfa) z・1.
2=DMEに代えて他の有機金属マグネシラノ、化合物
を用いてもよい。マグネシウム・へ、キサフルオロアセ
チルアセトネートは、米国特許第 4500722号および第4501602号に記載され
ているように、例えばM g (hfa)z・2THF
(M g (hfaLのテトラヒドロフラン・アダクト
)を含むルイス塩基を有した他の揮発性アダクトを形成
する。米国特許第4501602号には、使用しうる他
のマグネシウムのヘータ・ジケトネートについて記載さ
れている。最後に、ジメチル・マグネシウムのような他
の有機金属マグネシウム化合物も、自然発火性ではある
が、使用できる。
Mg(hfa)z・1.2  DMEからマグネシウム
茶気を発生するのに適した仄発装置は、油浴ヒータ、加
熱マントル等によって加熱しうるガラス泡立て容器を具
備しうるちのであり、その容器にマ。
グネシウム化合物が装填される。上記容器はその化合物
の溶融温度以上に加熱され、溶融化合物の表面の下方に
延長したキャリアガス供給管がアルゴンのようなキャリ
アガスをその溶融化合物内に注入する。茶気で飽和した
キャリアガスは泡立て器の頂部開口から、加熱された送
り管を通じて、炎酸化バーナに供給される。
気相沈積によってMgO−A 1 zoy −S iO
□を合成する場合に克服すべき大きな問題は、炎酸化バ
ーナのフェースにバーナ堆積が生じ、その堆積によって
バーナの詰まりが生じかつ/またはその堆積された材料
の沈積された片から生ずるガラスに大きな介在物が生じ
るという問題である。この問題は、有機金属マグネシウ
ム原材料とバーナフェースにおける加熱されたA A 
C1y g気流との間に過早反応が生じ、バーナにMg
(1,が形成されることに基因する。
従来技術において多成分ガラスを合成するのに適合した
炎酸化バーナが第2a図および第2b図に示されている
。これらの図において、バーナ50はフユーム・チュー
ブ40を具備しており、これを通じてS icI!、 
、TiQ、等のような原材料化合物の蒸気がバーナ炎内
に注入される。このバーナはさらに燃焼ガス噴射口44
を有しており、それらの噴射口44を通じてガスの可燃
性のプレミックス(premix)が放出される。フユ
ーム・チューブ40とガス/#I素噴射口44との間に
内側シールド・アウトレフト42が配置されており、フ
ユームがバーナから離れる方向にある距離だけ移行する
まで、炎の作用からそのフユームを遮蔽する。外側シー
ルド噴射口46は炎の外側にガス流を与えるものであり
、その炎の領域における温度を制御するために用いられ
うる。
MgOAltOx  S i Ozを合成するために従
来のバーナを用いた場合におけるバーナ堆積の問題は、
他の適合しない原材料化合物に対して提案されているよ
うにマグネシウムとアルミニウムの蒸気を別々の流れと
してバーナに送るだけでは解決することはできない。バ
ーナへの蒸気の流れを制御することによっては堆積を回
避することもできず、従って、バーナにおけるフユーム
送り流出口からより離れた位置で反応物の実際の酸化が
生ずる。Mg#よびAl原材料に対する別々の同心状フ
ユーム・チューブを有するバーナにおいてさえ、MgO
Aeto3 S i O2合成時に、非常に高い内側シ
ールドガス流速において詰りか生ずることが観察された
このような堆積(bui 1dup)を回避しかつ良質
の酸化物沈積物を形成するためには、Axc13とf機
金属マグネシウム蒸気を含む流れの間にシールドガス流
を配置する必要のあることが認められた。本発明に対す
る特定の動作原理に拘束されることなしに、フユーム・
シールドと呼ばれるこのシールドガス流が塩化アルミニ
ウムと有機金属マグネシウムとのf見間の相互作用を遅
延させ、これらの蒸気が相互作用して望ましくない塩化
物を形成する前に酸化が進行するようにするものと現在
では考えられている。
フユーム・シールド・ガス流の組成は、それがAeCl
、、と有機金属マグネシウムを両方とも含存していなけ
れば、重要であるようにはみえない。
他の揮発性塩化物が存在していてもよい。つまり、Si
Cβ4は、もし所望されれば、バーナ上に塩化マグネシ
ウムを顕著に形成することなしに、フユーム・シールド
の主成分となりうる。
第3a図と第3b図は修正されたフユーム・チューブ4
0aのオリフィス形状を概略的に示しており、この修正
されたフユーム・チューブ40aは第2a図および第2
b図におけるフユーム・チューブ40に代えて使用され
うるちのであり、本発明に従ってMgO−Altos−
Si0g酸化物スートを発生させるのに適したフユーム
・シールドガス流を与える。
特にフユーム・チューブ40aに対する好ましいフユー
ム送り方式を示している第3a図では、Mg(hfa)
z・1.2  DMEのような有機金属マグネシウム化
合物が中央のフユーム・チューブチャンネル41を通し
て送られ、/ltj!(1!、−3iCj!、混合物が
外側フユーム・チューブチャンネル45を通して送られ
、そして酸素のようなシールドガスが中央と外側のフユ
ーム・チューブ間のフユーム・シールド・チャンネルを
通って送られる。内側のマグネシウム有機金属澤気流か
ら外側のS + C1m  A 7ICj! 3蒸気流
を分離するために酸素ガスフユーム・シールドを用いる
のが、本発明の方法を実施するために現在知られている
態様のうちの最良の態様である。
第3b図において、フユーム・チューブ40aからの有
機金属マグネシウム化合物が中央のチューブ・チャンネ
ルを通じて再び送られるが、AICβ、はキャリアガス
と一緒に外側のフユーム・チューブ・チャンネル45を
通って送られ、他方、5iCj!aはキャリアガスと一
緒にフユーム・シールド・チャンネル43を通って送う
レ、後の混合物がAlCl、と有機金属マグ7シウムを
含有した蒸気流間に介在するシールドを形成する。
MgOA1zO2S ioz スートを発生するのに適
した装置が第1図に示されている。この装置はSiC/
4g気発生器10、A I CIt 3蒸気発生器20
、および有機金属マグネシウム蒸気発生器30を具備し
ており、これらの発生器がそれぞれフユーム・チューブ
40aとバーナ50に蒸気流を供給する。
5iC12a蒸気発生器10は液体S i CI Jが
入ったガラスフラスコを具備しており、このガラスフラ
スコにキャリアガス送り管14が酸素供給源からの酸素
キャリアガスを注入する。このガラスフラスコは、液体
5iCi!、の蒸気圧を適当レベルに上昇させるために
、加熱マントル、油浴等(図示せず)によって加熱され
うる。S iCl a蒸気で飽和された酸素がそのフラ
スコから出て送り管16内に入る。この場合、その送り
管16は、その中での蒸気の凝縮を防止するために例え
ば電熱テープで加熱されることが好ましい。送り管16
は主塩化物送り管1゛8に送り込むが、送り管18も好
ましくは管16の温度より高い温度に加熱される。
塩化アルミニウム蒸気発生器20は、所定量の純粋な塩
化アルミニウムの入ったステンレススチール容器よりな
っている。。この容器の底面上には、キャリアガス管2
6から上記容器内への酸素キャリアガスの流れを拡散さ
せる作用をする粗フリフトガラス・ディスク24が配置
されている。
酸素はそのAl2Cf3の所定量22中を上方に拡散す
る。この場合、その所定量の塩化アルミニウムと発生器
20全体は、その発生器内のAncl。
の蒸気圧を増大させるために、加熱マントルによって少
なくとも約150 ’Cの温度まで加熱されうる。 A
ll!(1!、で飽和された酸素が容器20を出て加軌
された送り管28内に入り、そこから主塩化物送り管1
8に入り、フユーム・チューブ40aに達する。好まし
くは、送り管28は加熱テープ17によってAβC13
g気発生器20よりも高い温度に維持され、そして主塩
化物送り管18は、少なくとも管28からフユーム・チ
ューブ40aまでのA I Ce 3送り管28よりも
高い温度に維持され、それらの管内でA E C1*が
凝縮する可能性を最小限に抑制するようになされる。
有機金属マグネシウム蒸気発生器または泡立て器30は
、Mg(hfa)z・1.2  DMEのような有機金
属マグネシウム化合物の所定量32の入ったガラス容器
よりなっている。このガラス容器は、マグネシウム化合
物の蒸気圧を適当なレベルまで上昇させるのに十分な温
度、典型的には好ましい化合物に対しては少なくとも約
150℃の温度に、シリコーン油浴(図示せず)によっ
て加熱されうる。
キャリアガス流人管34はアルゴンキャリアガスの流れ
をマグネシウム化合物(融点より高い温度に維持されて
いる)に注入し、そしてマグネシウム茶気で飽和したア
ルゴンが上記容器から出て加熱された送り管36内に入
る。好ましくは、送り管36は加りへテープ17によっ
て容器30よりも高い温度に加熱され、その送り管内で
凝結が生じないようになされる。
バーナ50の基部では、上記送り管18および36が酸
素シールドガス管38と組合わされて3チヤンネルフユ
ーム・チューブ40aを形成し、このフユーム・チュー
ブ40aはバーナ50内に入り、それのフェースで終端
している。マグネシウム茶気がフユーム・チューブの中
央チャンネルを通して送られ、かつS 1Cl a +
A I Cl 3芸気が最外側のチャンスルを通じて送
られ、他方、それらの中央および最外側のチャンネル間
のチャンスルを通して酸素が送られる。バーナには、内
、外側シールドガスおよび燃料ガス/酸素供給口(図示
せず)が設けられており、それらの供給口は、フユーム
・チューブ40aの外部(第2a図に示されているよう
に一般にフユーム・チューブ40の外部)に配置されて
おり、かつそのフユーム・チューブから蒸気が注入され
るバーナ・フェース上にガス・酸素炎を支持する。
M g OA (l toz  S i Ox酸化物生
成物を製造するための京気送り装置を設計する場合には
、その装置内での蒸気の凝縮を回避するために特に注意
を払わなければならない。なぜならば、使用される蒸気
はすべて容易に凝縮し、しかもあるものは室温で凝固す
るからである。実際に、蒸気送り通路に沿って蒸気の凝
縮がいったん開始されると、それが迅速に加速し、そし
て完全な妨害が迅速に生ずる。
米国特許第3801294号により公知なように、高温
蒸気送りのために設計された装置の蒸気送り管は加熱可
能でかつ熱的に伝導性でなければならない。ステンレス
スチールはそのような管を製造するのに適した材料であ
る。しかしながら、その装置は、酸化バーナに送られる
各蒸気の温度と空間速度が両方とも蒸気発生器における
よりもバーナにおいて高くなるように設計されなげれば
ならない。各蒸気流の温度と空間速度が、それらの蒸気
の発生時点からバーナに到達する時点まで、徐々にまた
はステップ状に上昇するのが最も好ましい。このことは
、送り装置内の死空間を排除すること、送り管の急激な
曲げを回避すること、バーナに接近するにつれて送り管
の断面寸法を小さくすること、およびバーナに接近する
につれて蒸気の温度を上昇させることによって最も良く
達成される。
本発明に従って酸化物生成物とガラスを合成した実施例
について以下説明する。
男施例 j(MgO−Ai2.Q。
S i Ozガラス) 蒸気加熱マントルを設けられた3リツトルの丸底フラス
コにS iCl aが入れられる。そのフラスコは、加
熱されたステンレススチール製送り管によって、炎酸化
バーナに連結され、かつそのフラスコに酸素ガス流入管
が設けられ、S iCl a中で酸素を泡立たせるよう
になされる。
第2のフラスコにMg(hfa)z・l、2  DME
が1 kK入れられ、このフラスコはシリコーン油加熱
浴に浸漬されかつそのフラスコを加熱されたステンレス
スチール製送り管によって炭酸素バーナに連結される。
そのフラスコには泡立て用ガラス管が設けられ、そのガ
ラス管がマグネシウム化合物中に浸漬されかつアルゴン
供給源に連結してその化合物内にアルゴンキャリアガス
が噴射されるようになされる。泡立て用ガラス管の浸漬
された部分にはアルゴンを流出させるための多数の細孔
が設けられている。
壁厚が太き(かつ平坦な頂部と底部を有するステンレス
スチール製容器に、アメリカ合衆国テキサス用ヒユース
トンのホイットコ・ケミカル・コーポレーションからA
CL−0099塩化アルミニウムとして市販されている
純粋な無水塩化アルミニウム500グラムが入れられる
。この容器は酸素キャリアガスを導入するための底部供
給口を具備しており、この供給口は粗フリットガラス・
ディスクで被われていて、この容器に入るキャリアガス
流を離散させるようになされている。この容器は加熱マ
ントルにより蒸気的に加熱され、かつ加熱されたステン
レススチール製送す管によって前述の炎酸化バーナに連
結されている。
上記容器からの各ステンレススチール製送り管にはファ
イバガラスで絶縁された蒸気加熱テープが巻きつけられ
ているe S + Cl 4およびAlc13の容器か
らの送り管は、バーナに到達する前に結合されてハロゲ
ン化物送り管を形成しており、そのハロゲン化物送り管
にも加熱テープが巻きつけられている。各送り管は、そ
れらが連結されている泡立て器または蒸気発生器の温度
よりも少なくとも20℃だけ高い温度に維持される3ス
テンレススチール製の送り管が連結された炎酸化バーナ
は小型の実験室用バーナであり、第2a図に示されたの
と同じ一般的なオリフィス構造を存し、かつフユーム・
チューブに対する流入口のほかに、燃料ガス、燃焼酸素
、および内、外側シールドガスに対する流入口を有して
いる。このバーナは、外側シールド・オリフィスリング
4Gが113mの直径を有するような寸法となされてい
る。ステンレススチール製の蒸気送り管ヲフユーム・チ
ー1−ブに連結する場合、第1図および第3a図に一般
的に示されているように、ハロゲン化物送り管は最外側
のフユーム・チューブ・チャンネルに連結され、そして
マグネシウム蒸気管は中央のフユーム・チューブ・チャ
ンネルに連結される。中間のフユーム・チューブ・チャ
ンネルは酸素供給源に連結される。
炎酸化バーナは予備加熱のために着火されるが、この場
合の燃料ガスは、毎分4.6標準リツトル(slm)の
流量のメタン天然ガスと、5.Qslmの流量の燃焼酸
素とよりなるものである。内側シールド酸素流は2.2
51mに設定され、外側シールド流は用いられない。次
にSiCβ4泡立て器が40゛Cに、A I CII!
 x蒸気発生器が175℃に、そしてMg(hfa)z
・1.2  DME泡立て器が170℃にそれぞれ加熱
される。
各泡立て器およびA7ICI、発生器へのキャリアガス
流が開始され、この場合、酸素はS:C1a泡立て器お
よびA I! Ce x i気発生器に供給され、そし
てアルゴンはマグネシウムを含む泡立て器に供給される
。各場合において、キャリアガスは、原材料化合物中に
噴射される前に泡立て器または寒気発生器の温度に予備
加熱される。S i Ci m泡立て器への酸素の流れ
はl  slmに、A、 J Cf !蒸気発生器への
酸素の流れは0.05051mに、そしてMg(hfa
llz・1.2  DME泡立て器へのアルゴンの流れ
は0.25051mにそれぞれ設定されている。炭酸素
バーナへの蒸気の流れが開始すると、それにともなって
M g O−A、 j! z 03−3 i Ozスー
トが炎内で形成されそしてその炎から放出される。
このようにして発生されたMgO−/1.0゜−3iO
□スートは回転アルミナマンドレル上に収集され、重さ
約200グラムの多孔質スートプリフォームを形成する
。次にこのスートプリフォームは、1450℃で動作し
ている蒸気炉内で焼結(consol 1dated)
されて透明なガラスとなされるやこのようにして得られ
た透明なガラスは延伸されて分析用のガラスロッドとな
される。
このガラスロッドはMgOが約0,37%、Aβ、0.
が約1.39%、残部がSiO□で、それにフッ素をあ
るパーセント(0,02%)だけ加えた被分析組成を有
している。そのフッ素は、フッ素を含有したマグネシウ
ム原材料化合物を燃焼した際の副産物としてガラスに導
入される。このMgOAl1z03  S iOtガラ
スは熱膨張係数が 7.4X 10−”/℃、密度が2
.211 g/c11F、歪み温度が約966℃、焼き
なまし温度が約1067℃、そして屈折率(n+、)が
約1.4594である。
上述のようにして作成されたガラスロッドは光ファイバ
を製造するのに適した純度と光学的品質を有している。
このガラスロッドは延伸してそして次にシリコーン・ポ
リマーのような低屈折率プラスチフク・クラッドを被覆
することにより、あるいはまずMg OA 1zOx 
 S i O,ガラスロッドにフッ素をドープしたシリ
カのガラスクラッド層を添着し、そして次にその複合ガ
ラスプリフォームを延伸してファイバとすることによっ
て、2光フアイバとなされうる。いずれの場合にも、光
減衰が15db/kn+より小さい光ファイバが得られ
る。
尖−施一夛12二」J 実施例1に記載された蒸気送りおよび炎酸化装置を利用
して、一連の7種のMgO−Al20゜−S + 02
 Mi成が合成される。第1表および第1A表はこれら
の合成の結果を示している。第1表(反応物流れ)は使
用される各キャリアガスの流量をslmで示しており、
これらの流れはバーナの蒸気流内に存在するMg、AI
!およびSiを含存した反応物の相対濃度を総体的に示
している。第1A表(組成)は、得られた9種の生成物
につき、第1表に示されたキャリア流量のもとで収集さ
れる粒状酸化物スートの被分析組成を重量部で示してい
る。はとんどの場合、それらのスートは後で焼結されて
ガラスとなされるが、第1A表には個々のガラスサンプ
ルにつき記録された屈折率n0も示されている。
これらの表の合成例2〜4の場合には、蒸気温度とバー
ナ燃料およびシールドガス流れは実施例1で用いられた
のと実質的に同一であるが、合成例5〜10の場合には
、ガス流れはほぼ次のように選定された。すなわち、天
然ガス、3.951m;燃焼用酸素、4.251m;内
側シールド酸素、2.451m;フユーム・シールド酸
素、0.28 slm;および外側シールド酸素、3.
751mである。しかしながら、スートの組成はこれら
のバーナの流れパラメータによって強くは左右されない
。というより、組成に第TA表に示されているような目
標値からのずれを生じさせる最も大きい要因は、蒸気発
生器における反応物のレベルと、アルミニウム蒸気を発
生ずるために用いられるA I C(130粒子寸法で
ある。
玉土人二反廠立虫逍塁 金底灸豆 Mg(Ar)   AI(Oz)   5t(Ox)2
    1.0    0.02   1.03   
 1.0    0.05   1.04    4.
0    0.02   1.05    1.0  
  0.05   1.06    1.0    0
.04   1.07    1.0    0.08
   1.08    1.0    0.12   
1.09    1.0    0.10   1.0
10    1.0    0.08   0.75第
1A表−組成 匍幻IJ− ム虹−酊」h−錘シーーL ユL 2  2.66 10.9 85.8 0.62  −
3  2.05 17.4 79.8 0.71  −
4  7.39 11.7 77.7 3.18  −
5  2.08 3.23 93.8 0.88 1.
4646  2.81 2.72 94.2 0.28
 1.46997  2.41 5.64 91.7 
0.26 1.46968  3.33 11.4 8
5.1 0.20 1.48069  3.88 7.
44  B8.4 0.26 1.476410  3
.77 10.0  B6.0 0.21 1.478
7第1A表は、本発明によればMgO−A、I!zox
−3iO□ガラス形成領域において比較的広い範囲のM
 g OA 1 toy  S i O□組成が得られ
ることを示しており、かつガラス質の生成物を得るため
の焼結を必要としないセラミック用途のために、さらに
他のMgO−At’、03−3 io□組成が容易に合
成されうろことが予想される。従って、上記の表は特許
請求の範囲内で実施されうる酸化物組成と合成方法を例
示しているにすぎない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に従ってMgO−,1M!、○、−3 
i Oを生成物を合成するために用いうる7気発生およ
び送り装置の概略図、第2a図および第2b図は従来の
炎酸化バーナを示す概略図、第3a図および第3b図は
本発明を実施するために炎酸化バーナに組込むのに適し
たフユーム・チューブ構造の概略断面図である。 図面において、4aはフユーム・チューブ、41は中央
のフユーム・チューブ・チャンネル、45は外側フユー
ム・チューブ・チャンネル、50はバーナ、10はS 
i CA h蒸気発生器、20はA CA y蒸気発生
器、30は有機金属マグネシウム蒸気発生器をそれぞれ
示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、気相沈積されたMgO−Al_2O_3−SiO_
    2酸化生成物を合成する方法であって、 (a)SiCl_4、ハロゲン化アルミニウム、および
    マグネシウム有機金属化合物のそれぞれの蒸気を発生し
    そしてそれら蒸気を炎酸化バーナに供給し、この場合、
    ハロゲン化アルミニウムの蒸気とマグネシウム有機金属
    蒸気とを別々の蒸気流として供給し、 (b)バーナにより支持された酸化用燃焼炎内に前記蒸
    気を噴射し、この場合、前記ハロゲン化アルミニウム蒸
    気と有機金属マグネシウム蒸気を別々の蒸気流としてバ
    ーナから炎内に放出させ、そしてハロゲン化アルミニウ
    ム蒸気とマグネシウム有機金属蒸気を両方とも含まない
    中間のシールドガス流を、ハロゲン化アルミニウムおよ
    びマグネシウム有機金属蒸気を含む流れの間の炎内に放
    出させ、そして (c)前記炎による前記蒸気の燃焼から生じたMgO−
    Al_2O_3−SiO_2粒状酸化生成物を収集する
    ことよりなる気相沈積された酸化生成物の合成方法。 2、特許請求の範囲第1項記載の方法において、前記ハ
    ロゲン化アルミニウム蒸気が本質的にAlCl_3より
    なる前記方法。 3、特許請求の範囲第2項記載の方法において、前記中
    間のシールドガス流がSiCl_4蒸気よりなる前記方
    法。 4、特許請求の範囲第2項記載の方法において、前記中
    間のシールドガス流が本質的に酸素よりなる前記方法。 5、気相沈積されたMgO−Al_2O_3−SiO_
    1ガラスを合成する方法であって、 (a)SiCl_4、ハロゲン化アルミニウム、および
    マグネシウム有機金属化合物のそれぞれの蒸気を発生し
    そしてそれら蒸気を炎酸化バーナに供給し、この場合、
    ハロゲン化アルミニウムの蒸気とマグネシウム有機金属
    蒸気とを別々の蒸気流として供給し、 (b)バーナにより支持された酸化用燃焼炎内に前記蒸
    気を噴射し、この場合、前記ハロゲン化アルミニウム蒸
    気と有機金属マグネシウム蒸気を別々の蒸気流としてバ
    ーナから炎内に放出させ、そしてハロゲン化アルミニウ
    ム蒸気とマグネシウム有機金属蒸気を両方とも含まない
    中間のシールドガス流を、ハロゲン化アルミニウムおよ
    びマグネシウム有機金属蒸気を含む流れの間の炎内に放
    出させ、 (c)前記炎による前記蒸気の燃焼から生じたMgO−
    Al_2O_3−SiO_2粒状酸化生成物を収集し、
    そして (d)前記収集されたMgO−Al_2O_3−SiO
    _2粒状酸化生成物を加熱して焼結させ、透明なガラス
    とすることよりなる方法。 6、特許請求の範囲第5項記載の方法において、前記ハ
    ロゲン化アルミニウムが本質的にAlCl_3よりなる
    前記方法。 7、特許請求の範囲第6項記載の方法において、前記中
    間シールドガス流がSiCl_4蒸気よりなる前記方法
    。 8、特許請求の範囲第6項記載の方法において、前記中
    間シールドガス流が本質的に酸素よりなる前記方法。
JP61187046A 1985-08-13 1986-08-11 気相沈積された酸化生成物の合成方法 Pending JPS6241738A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/765,199 US4604118A (en) 1985-08-13 1985-08-13 Method for synthesizing MgO--Al2 O3 --SiO2 glasses and ceramics
US765199 1985-08-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6241738A true JPS6241738A (ja) 1987-02-23

Family

ID=25072914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61187046A Pending JPS6241738A (ja) 1985-08-13 1986-08-11 気相沈積された酸化生成物の合成方法

Country Status (16)

Country Link
US (1) US4604118A (ja)
EP (1) EP0213715B1 (ja)
JP (1) JPS6241738A (ja)
KR (1) KR870002026A (ja)
AT (1) ATE73433T1 (ja)
AU (1) AU581335B2 (ja)
BR (1) BR8603795A (ja)
CA (1) CA1249305A (ja)
DE (1) DE3684204D1 (ja)
DK (1) DK382586A (ja)
ES (1) ES2000608A6 (ja)
FI (1) FI79687C (ja)
IL (1) IL79563A0 (ja)
IN (1) IN167640B (ja)
MX (1) MX168670B (ja)
NO (1) NO863248L (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002537147A (ja) * 1999-02-18 2002-11-05 コーニング インコーポレイテッド シリカスートの押出し成形によるシリカガラスハニカム構造体

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0695554B2 (ja) * 1987-10-12 1994-11-24 工業技術院長 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法
US5203897A (en) * 1989-11-13 1993-04-20 Corning Incorporated Method for making a preform doped with a metal oxide
EP0428068B1 (en) * 1989-11-13 1998-03-25 Corning Incorporated Method and apparatus for making a preform doped with a metal oxide
IT1245412B (it) * 1991-02-22 1994-09-20 Sip Apparecchiatura per la preparazione di miscele di polveri di composti chimici con alto grado di mescolamento ed in composizioni percentuali prefissate
US5268337A (en) * 1991-11-18 1993-12-07 The Johns Hopkins University Ceramic oxide powders and the formation thereof
US5236481A (en) * 1992-02-21 1993-08-17 Corning Incorporated Method of doping porous glass preforms
US5699183A (en) * 1993-02-10 1997-12-16 Nikon Corporation Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production
JPH0781965A (ja) * 1993-07-22 1995-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd ガス生成装置並びに光導波路及び光ファイバ母材を製造する方法及び装置
US5599371A (en) * 1994-12-30 1997-02-04 Corning Incorporated Method of using precision burners for oxidizing halide-free, silicon-containing compounds
CA2259691A1 (en) 1996-07-11 1998-01-22 The University Of Cincinnati Electrically assisted synthesis of particles and films with precisely controlled characteristics
WO1998027140A1 (en) 1996-12-16 1998-06-25 Corning Incorporated Germanium doped silica forming feedstock and method
JP2001509469A (ja) * 1997-07-08 2001-07-24 コーニング インコーポレイテッド シリカガラスを形成するための塩化ゲルマニウムとシロキサンとからなる原料ならびにシリカガラス形成方法
EP1224047B1 (en) * 1999-02-18 2009-10-28 Corning Incorporated Titanium-containing silica glass honeycomb structure from silica soot extrusion
US6179897B1 (en) 1999-03-18 2001-01-30 Brookhaven Science Associates Method for the generation of variable density metal vapors which bypasses the liquidus phase
US6363746B1 (en) * 2000-03-15 2002-04-02 Corning Incorporated Method and apparatus for making multi-component glass soot
US7494927B2 (en) 2000-05-15 2009-02-24 Asm International N.V. Method of growing electrical conductors
US20040216494A1 (en) * 2000-09-19 2004-11-04 Shinichi Kurotani Burner for combustion or flame hydrolysis, and combustion furnace and process
AU2002220726A1 (en) * 2001-11-26 2003-06-10 Pirelli & C. S.P.A. Burner for a vapour deposition process
US6910352B2 (en) * 2002-04-24 2005-06-28 Corning Incorporated Deposition of high fluorine content silica soot
EP2360709B1 (en) * 2003-09-26 2013-11-20 Panasonic Corporation Plasma display panel and method of manufacturing same
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
US8025922B2 (en) * 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
KR101544198B1 (ko) * 2007-10-17 2015-08-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 루테늄 막 형성 방법
US7799674B2 (en) 2008-02-19 2010-09-21 Asm Japan K.K. Ruthenium alloy film for copper interconnects
US8084104B2 (en) 2008-08-29 2011-12-27 Asm Japan K.K. Atomic composition controlled ruthenium alloy film formed by plasma-enhanced atomic layer deposition
US8133555B2 (en) 2008-10-14 2012-03-13 Asm Japan K.K. Method for forming metal film by ALD using beta-diketone metal complex
US9379011B2 (en) 2008-12-19 2016-06-28 Asm International N.V. Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
JP4750867B2 (ja) * 2009-02-24 2011-08-17 信越化学工業株式会社 多孔質ガラス母材製造用バーナ及び多孔質ガラス母材の製造方法
US8329569B2 (en) 2009-07-31 2012-12-11 Asm America, Inc. Deposition of ruthenium or ruthenium dioxide
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
CN103842303B (zh) * 2011-09-29 2018-07-03 住友电气工业株式会社 玻璃微粒沉积体以及玻璃预制件的制造方法
US9607842B1 (en) 2015-10-02 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming metal silicides
EP3950610A1 (de) * 2020-08-06 2022-02-09 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Alternative fluorierungsmittel ii: fluosil und sootaufbau

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS565339A (en) * 1979-06-26 1981-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of high purity quartz glass
US4310341A (en) * 1980-09-12 1982-01-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Removal of --OH impurities from fiber optic precursor materials
US4378985A (en) * 1981-06-04 1983-04-05 Corning Glass Works Method and apparatus for forming an optical waveguide fiber
US4501602A (en) * 1982-09-15 1985-02-26 Corning Glass Works Process for making sintered glasses and ceramics
JPS59232934A (ja) * 1983-06-17 1984-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 光フアイバ母材の製造方法
US4537864A (en) * 1983-08-31 1985-08-27 Corning Glass Works Metal fluoride glasses in the CdF2 -PbF2 -AlF3 -(LiF) system
US4558144A (en) * 1984-10-19 1985-12-10 Corning Glass Works Volatile metal complexes
US4666247A (en) * 1985-02-08 1987-05-19 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Multiconstituent optical fiber
US4664473A (en) * 1985-04-01 1987-05-12 Corning Glass Works Optical fiber formed of MgO--Al2 O3 --SiO2 glass

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002537147A (ja) * 1999-02-18 2002-11-05 コーニング インコーポレイテッド シリカスートの押出し成形によるシリカガラスハニカム構造体

Also Published As

Publication number Publication date
EP0213715A3 (en) 1988-07-06
AU6102586A (en) 1987-02-19
NO863248D0 (no) 1986-08-12
BR8603795A (pt) 1987-03-17
IL79563A0 (en) 1986-10-31
US4604118A (en) 1986-08-05
DK382586D0 (da) 1986-08-11
EP0213715A2 (en) 1987-03-11
DE3684204D1 (de) 1992-04-16
FI863275A0 (fi) 1986-08-12
IN167640B (ja) 1990-11-24
FI863275A (fi) 1987-02-14
KR870002026A (ko) 1987-03-28
CA1249305A (en) 1989-01-24
ATE73433T1 (de) 1992-03-15
NO863248L (no) 1987-02-16
EP0213715B1 (en) 1992-03-11
FI79687C (fi) 1990-02-12
DK382586A (da) 1987-02-14
FI79687B (fi) 1989-10-31
AU581335B2 (en) 1989-02-16
ES2000608A6 (es) 1988-03-01
MX168670B (es) 1993-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6241738A (ja) 気相沈積された酸化生成物の合成方法
KR100317414B1 (ko) 유리질실리카제조방법및실리카합성버어너
CA2037102C (en) Method of making fused silica
US5395413A (en) Method for producing fused silica with low sodium ion contamination level
JPH0425214B2 (ja)
US3644607A (en) Use of vapor phase deposition to make fused silica articles having titanium dioxide in the surface layer
EP0198980B1 (en) Method for making sodium-containing glass or ceramic
AU717947B2 (en) Organometallics for lightwave optical circuit applications
JPH0459254B2 (ja)
GB2023129A (en) Method and apparatus for making optical glass articles
KR870001277B1 (ko) 광파이버용 프리포옴의 제조방법
EP0105325B1 (en) Doped optical fiber
KR20030005387A (ko) 티타니아 도핑된 용융 실리카 예형의 제조 방법
US6735981B2 (en) High heat capacity burners for producing fused silica boules
JPS59162143A (ja) 合成石英の製造方法
KR930001938B1 (ko) 광파이버용 다공질모재의 제조방법
JPS605029A (ja) 光学ガラス製造用気化原料供給方法
JPH0524875A (ja) フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置
JPS5688835A (en) Preparation of porous preform for optical fiber
JPH07300333A (ja) 光ファイバ母材の製造方法
JPS62113717A (ja) 塩化アルミニウム供給方法
JPS5722136A (en) Preparation of optical fiber preform
JPH0459253B2 (ja)
MXPA99005561A (en) Organometallics for lightwave optical circuit applications