JPH0459254B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0459254B2 JPH0459254B2 JP19827083A JP19827083A JPH0459254B2 JP H0459254 B2 JPH0459254 B2 JP H0459254B2 JP 19827083 A JP19827083 A JP 19827083A JP 19827083 A JP19827083 A JP 19827083A JP H0459254 B2 JPH0459254 B2 JP H0459254B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- quartz
- gas
- glass
- dopant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 115
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 61
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 15
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910020818 PH 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010016754 Flashback Diseases 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光伝送用石英ガラス母材の製造方法、
特には内付けMCVAD法により元素状または化
合物状の塩素を含有しない光伝送用石英ガラス母
材を製造する方法に関するものである。
特には内付けMCVAD法により元素状または化
合物状の塩素を含有しない光伝送用石英ガラス母
材を製造する方法に関するものである。
光伝送用石英ガラス母材の製造方法については
各種の方法が知られているが、これにはそれが純
度の極めて高いものとする必要があり、さらには
断面方向の屈折率制御を行なう必要があるという
ことから化学反応を利用した化学気相沈積法
（CVD法）が汎用されている。そして、この
CVD法については、けい素化合物の酸化により
得られるシリカを石英管内に透明なガラス膜とし
て形成させる内付け法（MCVD法）、芯材の外表
面にけい素化合物の火炎加水分解で作つたシリカ
を堆積させる外付け法、さらには回転しつつある
耐火性物資にけい素化合物の火炎加水分解で作つ
たシリカを堆積してこれを棒状体とする気相軸付
法（VAD法）が知られているが、この外付け法、
VAD法はMCVD法とは異なり、その反応が閉じ
られた系で行なわれるものでないためにガラス母
材の屈折率制御が難しいということから、高品質
の光フアイバーの製造にはドープ剤量の制御が容
易な内付けMCVD法が好ましいものとされてい
る。
各種の方法が知られているが、これにはそれが純
度の極めて高いものとする必要があり、さらには
断面方向の屈折率制御を行なう必要があるという
ことから化学反応を利用した化学気相沈積法
（CVD法）が汎用されている。そして、この
CVD法については、けい素化合物の酸化により
得られるシリカを石英管内に透明なガラス膜とし
て形成させる内付け法（MCVD法）、芯材の外表
面にけい素化合物の火炎加水分解で作つたシリカ
を堆積させる外付け法、さらには回転しつつある
耐火性物資にけい素化合物の火炎加水分解で作つ
たシリカを堆積してこれを棒状体とする気相軸付
法（VAD法）が知られているが、この外付け法、
VAD法はMCVD法とは異なり、その反応が閉じ
られた系で行なわれるものでないためにガラス母
材の屈折率制御が難しいということから、高品質
の光フアイバーの製造にはドープ剤量の制御が容
易な内付けMCVD法が好ましいものとされてい
る。
しかし、従来公知の内付けMCVD法は、石英
管の一端からガラス形成原料ガスとしての四塩化
けい素（SiCl4）とガラスの屈折率を制御するた
めのドーパントとしての四塩化ゲルマニウム
（GeCl4）、オキシ塩化リン（POCl3）、三塩化ホウ
素（BCl3）などとを、酸化用酸素ガスと共に送
入し、この石英管の外側に酸化素炎バーナーある
いは電気抵抗加熱装置などをガス供給側から排ガ
ス側にくり返し移動してこれらをガスを加熱し、
その気相酸化反応により生成するドープ剤を含む
シリカを石英管内の長さ方向に透明なガラス膜と
して堆積させ、ついでこのガラス膜層を有する中
空の石英管を中実化して石英ガラス母材とすると
いう方法であるため、この方法で得られた石英ガ
ラス母材には塩素または塩素化合物が多く溶存し
ており、この溶存塩素によつてこれから作られる
光フアイバーについてはその可視領域の0.6〜
1.1μｍの波長帯での吸収損失が生じるという不利
があるほか、この溶存塩素は上記した中実化工程
あるいはその後の紡糸工程において発泡を起すと
いう問題点を与えるものでもある。
管の一端からガラス形成原料ガスとしての四塩化
けい素（SiCl4）とガラスの屈折率を制御するた
めのドーパントとしての四塩化ゲルマニウム
（GeCl4）、オキシ塩化リン（POCl3）、三塩化ホウ
素（BCl3）などとを、酸化用酸素ガスと共に送
入し、この石英管の外側に酸化素炎バーナーある
いは電気抵抗加熱装置などをガス供給側から排ガ
ス側にくり返し移動してこれらをガスを加熱し、
その気相酸化反応により生成するドープ剤を含む
シリカを石英管内の長さ方向に透明なガラス膜と
して堆積させ、ついでこのガラス膜層を有する中
空の石英管を中実化して石英ガラス母材とすると
いう方法であるため、この方法で得られた石英ガ
ラス母材には塩素または塩素化合物が多く溶存し
ており、この溶存塩素によつてこれから作られる
光フアイバーについてはその可視領域の0.6〜
1.1μｍの波長帯での吸収損失が生じるという不利
があるほか、この溶存塩素は上記した中実化工程
あるいはその後の紡糸工程において発泡を起すと
いう問題点を与えるものでもある。
また、この内付けMCVD法では上記したよう
に原料ガスの気相酸化反応が生じるに必要な熱が
石英管の外側から供給され、この外側からの加熱
によつて石英ガラス管が軟化点にまで加熱される
ために、この石英管にねじれやたわみが発生し易
く、これはまたガラスの堆積層が厚くなるにした
がつて伝熱がわるくなり、それに応じて外部から
の加熱を増さざるを得なくなるので、この変形が
さらに助長されることになる。そして、これは特
に外部加熱源を酸水素炎とする場合には、この加
熱温度を増すためには水素を増さざるを得ず、そ
れによつて火炎の速度が速くなるために結果にお
いてこの変形がますます起り易くなるという傾向
があつた。なお、この変形はガラス堆積層の厚さ
を不均一とするので、目的とする石英ガラス母材
の屈折率分布が著しく乱れるようになるという不
利を伴なうものでもあつた。
に原料ガスの気相酸化反応が生じるに必要な熱が
石英管の外側から供給され、この外側からの加熱
によつて石英ガラス管が軟化点にまで加熱される
ために、この石英管にねじれやたわみが発生し易
く、これはまたガラスの堆積層が厚くなるにした
がつて伝熱がわるくなり、それに応じて外部から
の加熱を増さざるを得なくなるので、この変形が
さらに助長されることになる。そして、これは特
に外部加熱源を酸水素炎とする場合には、この加
熱温度を増すためには水素を増さざるを得ず、そ
れによつて火炎の速度が速くなるために結果にお
いてこの変形がますます起り易くなるという傾向
があつた。なお、この変形はガラス堆積層の厚さ
を不均一とするので、目的とする石英ガラス母材
の屈折率分布が著しく乱れるようになるという不
利を伴なうものでもあつた。
本発明はこのような不利を解決した内付け
MCVD法による光伝送用石英ガラス母材の製造
方法に関するものであり、これは一般式 R1 oSi（OR2）4-o（こゝにR1は水素原子またはメ
チル基、エチル基、R2はメチル基またはエチル
基、ｎは０〜４の正数）で示されるエステルシラ
ンと、式Ge（OR3）4、Ｂ（OR3）3（ここにR3は１価
炭化水素基）またはPH3で示されるドープ剤とを
石英管中で加熱燃焼させ、これによつて発生する
ドープ剤を含むシリカを石英管内壁に透明ガラス
膜として積層させたのち、この石英管を加熱溶融
して中実化することを特徴とするものである。
MCVD法による光伝送用石英ガラス母材の製造
方法に関するものであり、これは一般式 R1 oSi（OR2）4-o（こゝにR1は水素原子またはメ
チル基、エチル基、R2はメチル基またはエチル
基、ｎは０〜４の正数）で示されるエステルシラ
ンと、式Ge（OR3）4、Ｂ（OR3）3（ここにR3は１価
炭化水素基）またはPH3で示されるドープ剤とを
石英管中で加熱燃焼させ、これによつて発生する
ドープ剤を含むシリカを石英管内壁に透明ガラス
膜として積層させたのち、この石英管を加熱溶融
して中実化することを特徴とするものである。
これを説明すると、本発明者らは特にハロゲン
原子またはハロゲン化合物を含有せず、好ましい
屈折率分布をもつ光伝送用石英ガラス母材の製造
方法について検討し、これについてはガラス形成
原料およびドープ剤としてその分子中にハロゲン
原子を含有しないシランおよびドープ剤を使用す
ればよいということに注目して研究を行ない、こ
のシランとして上記した一般式で示されるエステ
ルシランを使用すればそれが沸点が概ね100℃以
上で燃焼速度も小さく、取扱いも容易で、しかも
工業的にも安価であること、またこのドープ剤に
ついてもこれをアルコキシ基を含むゲルマニウ
ム、ホウ素またはPH3とすればそれらがハロゲン
原子を含まず、低温での反応化率も高いものであ
ることから、これらの原料ガス、ドープ剤を使用
すれば確実にハロゲン原子またはハロゲン化合物
を含まない、しかも良好な屈折率分布をもつ石英
ガラス母材が得られるほか、これによればこれら
のガスの種類による反応化率の違いがなくなり、
さらにはこれらのガスが従来法のものにくらべて
易反応性であることからこの石英管を外部から加
熱するための熱量が少なくてすみ、例えばこの外
部加熱源を酸水素炎とする場合には、この加熱の
ための水素量を従来の1/5〜1/2とすることができ
るので火炎を弱くすることができ、結果において
石英管の変形が防止されるので目的とする石英ガ
ラス母材の屈折率分布が良好になるということを
見出し、これらの諸条件についてさらに検討を重
ね、本発明を完成させた。
原子またはハロゲン化合物を含有せず、好ましい
屈折率分布をもつ光伝送用石英ガラス母材の製造
方法について検討し、これについてはガラス形成
原料およびドープ剤としてその分子中にハロゲン
原子を含有しないシランおよびドープ剤を使用す
ればよいということに注目して研究を行ない、こ
のシランとして上記した一般式で示されるエステ
ルシランを使用すればそれが沸点が概ね100℃以
上で燃焼速度も小さく、取扱いも容易で、しかも
工業的にも安価であること、またこのドープ剤に
ついてもこれをアルコキシ基を含むゲルマニウ
ム、ホウ素またはPH3とすればそれらがハロゲン
原子を含まず、低温での反応化率も高いものであ
ることから、これらの原料ガス、ドープ剤を使用
すれば確実にハロゲン原子またはハロゲン化合物
を含まない、しかも良好な屈折率分布をもつ石英
ガラス母材が得られるほか、これによればこれら
のガスの種類による反応化率の違いがなくなり、
さらにはこれらのガスが従来法のものにくらべて
易反応性であることからこの石英管を外部から加
熱するための熱量が少なくてすみ、例えばこの外
部加熱源を酸水素炎とする場合には、この加熱の
ための水素量を従来の1/5〜1/2とすることができ
るので火炎を弱くすることができ、結果において
石英管の変形が防止されるので目的とする石英ガ
ラス母材の屈折率分布が良好になるということを
見出し、これらの諸条件についてさらに検討を重
ね、本発明を完成させた。
本発明の方法においてガラス形成原料とされる
エステルシランは前記したように一般式 R1 oSi（OR2）4-oで示されるものであり、これに
はメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキ
シシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テト
ラエトキシシランなどが例示されるが、これは安
価であり扱いやすいということから工業的にはメ
チルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン
とすることがよい。このエステルシランはメチル
クロライドと金属けい素との直接反応による、シ
リコーンゴム、シリコーンワニス、シリコーン油
の主原料とされるジメチルジクロロシラン合成時
の副生物であるトリメチルクロロシラン、メチル
トリクロロシランをメタノール、エタノールなど
のアルコールと反応させるか、あるいはこのジメ
チルジクロロシランの製造工程で得られる一般式
（CH3）oSinClxOyで示されるポリメチルポリクロ
ロポリシラン、ポリメチルポリクロロポリシロキ
サンを熱分解して得られるモノメチルトリクロロ
シラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルク
ロロシラン、モノメチルジクロロシランなどの混
合物をアルコールと反応させることによつて容易
に得ることができるし、このテトラメトキシシラ
ンは金属けい素とメチルアルコールを触媒として
のNaOCH3の存在下に反応させて、次式 Si＋4CH3OHNoOCH3 ――――――――→ 100〜110℃Si（OCH3）4＋2H2 によつて製造することができるので、これは工業
的に安価に供給することができるし、これはまた
その原料であるクロロシランまたはそのエステル
シランの精留によつて容易に不純物を含まない精
製物として取得することができるので、これによ
れば純度の高い石英ガラス母材が得られるという
有利性が与えられる。
エステルシランは前記したように一般式 R1 oSi（OR2）4-oで示されるものであり、これに
はメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキ
シシラン、トリメチルメトキシシラン、テトラメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テト
ラエトキシシランなどが例示されるが、これは安
価であり扱いやすいということから工業的にはメ
チルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン
とすることがよい。このエステルシランはメチル
クロライドと金属けい素との直接反応による、シ
リコーンゴム、シリコーンワニス、シリコーン油
の主原料とされるジメチルジクロロシラン合成時
の副生物であるトリメチルクロロシラン、メチル
トリクロロシランをメタノール、エタノールなど
のアルコールと反応させるか、あるいはこのジメ
チルジクロロシランの製造工程で得られる一般式
（CH3）oSinClxOyで示されるポリメチルポリクロ
ロポリシラン、ポリメチルポリクロロポリシロキ
サンを熱分解して得られるモノメチルトリクロロ
シラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルク
ロロシラン、モノメチルジクロロシランなどの混
合物をアルコールと反応させることによつて容易
に得ることができるし、このテトラメトキシシラ
ンは金属けい素とメチルアルコールを触媒として
のNaOCH3の存在下に反応させて、次式 Si＋4CH3OHNoOCH3 ――――――――→ 100〜110℃Si（OCH3）4＋2H2 によつて製造することができるので、これは工業
的に安価に供給することができるし、これはまた
その原料であるクロロシランまたはそのエステル
シランの精留によつて容易に不純物を含まない精
製物として取得することができるので、これによ
れば純度の高い石英ガラス母材が得られるという
有利性が与えられる。
他方、本発明の方法で使用されるドープ剤は前
記した式Ge（OR3）4、Ｂ（OR3）3、PH3で示される
ものであり、これにはGe（OCH3）4〔沸点150℃〕、
Ge（OC2H5）4〔沸点190℃〕、Ge（Ｏ−ｎ−C3H7）4
〔沸点240℃〕、Ge（Ｏ−ｎ−C4H9）4〔沸点290℃〕、
Ｂ（OCH3）3〔沸点68℃〕、Ｂ（OC2H5）3〔沸点117
℃〕、Ｂ（Ｏ−ｎ−C3H7）3〔沸点176℃〕、Ｂ（Ｏ−
ｎ−C4H9）3〔沸点227℃〕などが例示されるが、
これらのなかではR3基がメチル基、エチル基で
あるものが比較的沸点が低く、キヤリヤーガスへ
の同伴で反応器内に供給することができるので好
ましいものとされる。なお、このGe（OR3）4、Ｂ
（OR3）3の製造法は公知であり、これは例えばJ.
Amer.Chem.Soc.，1953，75，P.718，J.Chem.
Soc.，1956，P.4916，Encyclopedia of
Chemical Technology 第３版、４巻、P.111な
どに記載されている方法で容易に得ることができ
る。また、このPH3（沸点−88℃）については、
リンの化合物の中でもこれがハロゲンを含まない
代表的な化合物であり、空気中あるいは酸素中に
おいてもきわめて高い燃焼効率を示すこと、ボン
ベに充填した形態で高純度のものが簡便に得られ
ることなどの理由で最適とされる。
記した式Ge（OR3）4、Ｂ（OR3）3、PH3で示される
ものであり、これにはGe（OCH3）4〔沸点150℃〕、
Ge（OC2H5）4〔沸点190℃〕、Ge（Ｏ−ｎ−C3H7）4
〔沸点240℃〕、Ge（Ｏ−ｎ−C4H9）4〔沸点290℃〕、
Ｂ（OCH3）3〔沸点68℃〕、Ｂ（OC2H5）3〔沸点117
℃〕、Ｂ（Ｏ−ｎ−C3H7）3〔沸点176℃〕、Ｂ（Ｏ−
ｎ−C4H9）3〔沸点227℃〕などが例示されるが、
これらのなかではR3基がメチル基、エチル基で
あるものが比較的沸点が低く、キヤリヤーガスへ
の同伴で反応器内に供給することができるので好
ましいものとされる。なお、このGe（OR3）4、Ｂ
（OR3）3の製造法は公知であり、これは例えばJ.
Amer.Chem.Soc.，1953，75，P.718，J.Chem.
Soc.，1956，P.4916，Encyclopedia of
Chemical Technology 第３版、４巻、P.111な
どに記載されている方法で容易に得ることができ
る。また、このPH3（沸点−88℃）については、
リンの化合物の中でもこれがハロゲンを含まない
代表的な化合物であり、空気中あるいは酸素中に
おいてもきわめて高い燃焼効率を示すこと、ボン
ベに充填した形態で高純度のものが簡便に得られ
ることなどの理由で最適とされる。
本発明の方法はこのエステルシランとドープ剤
との混合ガスとを必要に応じキヤリヤーガスで搬
送し、酸化剤としての酸素ガスと共に石英管内に
送入し、この石英管内で酸化反応を行なわせ、こ
れによつて発生したドープ剤を含むシリカを石英
管の内壁に堆積させることによつて行なわれる。
なお、従来公知の内付けMCVD法ではこの石英
管内に送入された反応ガスから発生するシリカを
石英管内壁に均一に堆積させるために、この石英
管内に沿つて酸水素炎バーナーを順次移動させ、
これを往復運動させる必要があつたけれども、本
発明の方法ではこのエステルシラン、ドープ剤が
いずれも可燃性物質であり、これらは石英管への
送入のためのフイードノズル先端で燃焼して直ち
にドープ剤を含むシリカとなり石英管壁に堆積さ
れるので、この実施に当つては酸水素炎バーナー
などの加熱源を固定しておいて石英管自身を移動
させ、往復移動させるほうが好ましい。また、こ
れらの原料ガスの石英管への送入はその速度が小
さいと逆火現象を伴なうおそれがあるので、これ
は十分な流速で石英管内に噴射することがよく、
またこれに酸素ガスを混入しないとその燃焼速度
が低下し完全燃焼が達成されなくなるおそれがあ
るので、これにはフイードノズルの直前で酸素を
混入することが好ましい。
との混合ガスとを必要に応じキヤリヤーガスで搬
送し、酸化剤としての酸素ガスと共に石英管内に
送入し、この石英管内で酸化反応を行なわせ、こ
れによつて発生したドープ剤を含むシリカを石英
管の内壁に堆積させることによつて行なわれる。
なお、従来公知の内付けMCVD法ではこの石英
管内に送入された反応ガスから発生するシリカを
石英管内壁に均一に堆積させるために、この石英
管内に沿つて酸水素炎バーナーを順次移動させ、
これを往復運動させる必要があつたけれども、本
発明の方法ではこのエステルシラン、ドープ剤が
いずれも可燃性物質であり、これらは石英管への
送入のためのフイードノズル先端で燃焼して直ち
にドープ剤を含むシリカとなり石英管壁に堆積さ
れるので、この実施に当つては酸水素炎バーナー
などの加熱源を固定しておいて石英管自身を移動
させ、往復移動させるほうが好ましい。また、こ
れらの原料ガスの石英管への送入はその速度が小
さいと逆火現象を伴なうおそれがあるので、これ
は十分な流速で石英管内に噴射することがよく、
またこれに酸素ガスを混入しないとその燃焼速度
が低下し完全燃焼が達成されなくなるおそれがあ
るので、これにはフイードノズルの直前で酸素を
混入することが好ましい。
なお、石英管内に堆積されたシリカは原料ガス
の燃焼熱および外部からのバーナーあるいは電気
加熱によつて溶融して石英管の内壁にガラス膜と
して被着されるが、このシリカないしガラス膜は
ドープ剤を含んでおり、このドープ剤量によつて
異なる屈折率を示すので、この実施に当つては石
英管内の内径方向に順次所定の屈折率をもつガラ
ス膜が順次に積層されるように原料混合ガス中の
ドープ剤濃度を順次変えるようにすることがよ
い。
の燃焼熱および外部からのバーナーあるいは電気
加熱によつて溶融して石英管の内壁にガラス膜と
して被着されるが、このシリカないしガラス膜は
ドープ剤を含んでおり、このドープ剤量によつて
異なる屈折率を示すので、この実施に当つては石
英管内の内径方向に順次所定の屈折率をもつガラ
ス膜が順次に積層されるように原料混合ガス中の
ドープ剤濃度を順次変えるようにすることがよ
い。
また、このようにして得られたドープ剤を含む
ガラス層をその内壁に積層した石英管はついでこ
れを加熱溶融して中実化し、石英ガラス母材とす
るのであるが、これは従来公知のコラプス工程を
適用すればよく、これには例えばこの石英管を
2000℃程度で加熱溶解させ、溶融したガラスの粘
性、ガラスの表面張力を利用して内側に空気が残
らないようにしてこれを中実につぶすという方法
を採ればよい。
ガラス層をその内壁に積層した石英管はついでこ
れを加熱溶融して中実化し、石英ガラス母材とす
るのであるが、これは従来公知のコラプス工程を
適用すればよく、これには例えばこの石英管を
2000℃程度で加熱溶解させ、溶融したガラスの粘
性、ガラスの表面張力を利用して内側に空気が残
らないようにしてこれを中実につぶすという方法
を採ればよい。
つぎに本発明方法を添付の図面にもとづいて説
明する。第１図は本発明方法を実施するための装
置の縦断面要図、第２図はその石英管の移動を示
す縦断面要図を示したものであり、エステルシラ
ン容器１、Ge（OR3）4容器２、Ｂ（OR3）4容器３、
PH3容器４に収容された原料ガスドープ剤はそれ
ぞれ管５から導入されるキヤリヤーガスとしての
アルゴンガスに搬送され、これらは混合器６で導
管７から送られる酸素ガスと合して石英ガス管８
に送入される。これらのガス送入はフイードノズ
ル９から石英管内に噴射されるが、この石英管８
がその外部から酸水素炎バーナー１０で加熱され
ているため、こゝに送入されたガスはフイードノ
ズル９の先端で燃焼し、この酸化反応によつてド
ープ剤を含むシリカとなり、このシリカは回転し
ている石英管内壁に堆積される。このシリカの堆
積は静止しているバーナーに対し石英管がその端
部から他端にまで順次移動されるので、この石英
管の内壁に均一に堆積され、このシリカは原料ガ
スの燃焼熱およびバーナーからの加熱で溶融し、
ガラス層として石英管壁に積層され、このガラス
膜化されなかつたシリカおよび排ガスは石英管の
他端から外部に排出される。第２図はこの石英管
の移動を示したものであり、これには固定されて
いるバーナー１０に対し、石英管８が、ａ）図か
らｂ）図のように移動され、ｂ）図のように末端
まで移動した後は直ちにａ）図の状態に復帰する
という手段で順次ガラス膜を形成していることが
示されている。
明する。第１図は本発明方法を実施するための装
置の縦断面要図、第２図はその石英管の移動を示
す縦断面要図を示したものであり、エステルシラ
ン容器１、Ge（OR3）4容器２、Ｂ（OR3）4容器３、
PH3容器４に収容された原料ガスドープ剤はそれ
ぞれ管５から導入されるキヤリヤーガスとしての
アルゴンガスに搬送され、これらは混合器６で導
管７から送られる酸素ガスと合して石英ガス管８
に送入される。これらのガス送入はフイードノズ
ル９から石英管内に噴射されるが、この石英管８
がその外部から酸水素炎バーナー１０で加熱され
ているため、こゝに送入されたガスはフイードノ
ズル９の先端で燃焼し、この酸化反応によつてド
ープ剤を含むシリカとなり、このシリカは回転し
ている石英管内壁に堆積される。このシリカの堆
積は静止しているバーナーに対し石英管がその端
部から他端にまで順次移動されるので、この石英
管の内壁に均一に堆積され、このシリカは原料ガ
スの燃焼熱およびバーナーからの加熱で溶融し、
ガラス層として石英管壁に積層され、このガラス
膜化されなかつたシリカおよび排ガスは石英管の
他端から外部に排出される。第２図はこの石英管
の移動を示したものであり、これには固定されて
いるバーナー１０に対し、石英管８が、ａ）図か
らｂ）図のように移動され、ｂ）図のように末端
まで移動した後は直ちにａ）図の状態に復帰する
という手段で順次ガラス膜を形成していることが
示されている。
この場合、前記したようにエステルシランに対
するドープ剤の添加量はこの石英管に積層される
ガラス膜中に含まれるドープ剤濃度が予じめ定め
られた屈折率を示すように、時間の経過と共に増
加または減少するように調整され、このガラス膜
が所定の厚さになつたときに原料ガスの供給を止
め、ついでこゝに得られた中空の石英管を前記し
たコラプス工程で処理して中実化すれば、目的と
する石英ガラス母材を得ることができる。
するドープ剤の添加量はこの石英管に積層される
ガラス膜中に含まれるドープ剤濃度が予じめ定め
られた屈折率を示すように、時間の経過と共に増
加または減少するように調整され、このガラス膜
が所定の厚さになつたときに原料ガスの供給を止
め、ついでこゝに得られた中空の石英管を前記し
たコラプス工程で処理して中実化すれば、目的と
する石英ガラス母材を得ることができる。
これを要するに、本発明の方法はハロゲン原
子、ハロゲン化合物を含有しないエステルシラン
およびドープ剤を始発材として内付けMCVD法
で石英管内壁にドープ剤を含むガラス層を積層さ
せ、この溶融中実化によつて光伝送用石英ガラス
母材を製造するものであり、これによればハロゲ
ン原子、ハロゲン化合物を全く含まない、したが
つてハロゲン分の存在による光吸収損失のない石
英ガラス母材を容易に得ることができ、これはま
たこのドープ剤が低温での反応率のよいものであ
ることから屈折率分布の変化が小さく、比屈折率
差の大きい光伝送用石英ガラス母材が容易に得ら
れ、この場合には外部からの加熱を従来法にくら
べて、低温とすることができるので石英管の変形
を防止することができ、結果において好ましい屈
折率分布をもつ石英ガラス母材の取得が容易にな
るという有利性が与えられる。
子、ハロゲン化合物を含有しないエステルシラン
およびドープ剤を始発材として内付けMCVD法
で石英管内壁にドープ剤を含むガラス層を積層さ
せ、この溶融中実化によつて光伝送用石英ガラス
母材を製造するものであり、これによればハロゲ
ン原子、ハロゲン化合物を全く含まない、したが
つてハロゲン分の存在による光吸収損失のない石
英ガラス母材を容易に得ることができ、これはま
たこのドープ剤が低温での反応率のよいものであ
ることから屈折率分布の変化が小さく、比屈折率
差の大きい光伝送用石英ガラス母材が容易に得ら
れ、この場合には外部からの加熱を従来法にくら
べて、低温とすることができるので石英管の変形
を防止することができ、結果において好ましい屈
折率分布をもつ石英ガラス母材の取得が容易にな
るという有利性が与えられる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例 １
外径30mm、長さ1000mmの合成石英管を使用し
て、第１図に示したような装置を作り、原料ガス
としてメチルトリメトキシシラン〔CH3Si
（OCH3）3〕、ドープ剤としてGe（OC2H5）4および
PH3を使用し、これらをアルゴンガスで搬送し、
酸素ガスと混合してフイーダーノズルから石英管
内に供給するようにした。
て、第１図に示したような装置を作り、原料ガス
としてメチルトリメトキシシラン〔CH3Si
（OCH3）3〕、ドープ剤としてGe（OC2H5）4および
PH3を使用し、これらをアルゴンガスで搬送し、
酸素ガスと混合してフイーダーノズルから石英管
内に供給するようにした。
そして、この石英管は酸水素炎バーナーで加熱
することとし、このバーナーを固定して石英管を
150mm／分の速度で移動させることとして、この
移動加熱を100回行なう間に原料ガス、ドープ剤、
酸素の量を第３図に示したように変化させて、石
英管の内壁にSiO2−P2O5−GeO2の組成をもつガ
ラス膜を100層形成させた。
することとし、このバーナーを固定して石英管を
150mm／分の速度で移動させることとして、この
移動加熱を100回行なう間に原料ガス、ドープ剤、
酸素の量を第３図に示したように変化させて、石
英管の内壁にSiO2−P2O5−GeO2の組成をもつガ
ラス膜を100層形成させた。
ついで、この原料ガスの供給を停止し、外部加
熱の温度をあげてこの石英管を中実化してロツド
状の石英ガラス母材とした。
熱の温度をあげてこの石英管を中実化してロツド
状の石英ガラス母材とした。
この石英ガラス母材は透明であり、この断面に
ついての屈折率分布を測定したところ、これは第
４図に示したようなグレーデツト・インデツクス
型であり、これから作つたフアイバーについてＸ
線マイクロアナライザーで分析したところ塩素原
子は検出されず、また、この母材は延伸しても発
泡は起らず、塩素原子に起因する吸収損失も全く
なかつた。
ついての屈折率分布を測定したところ、これは第
４図に示したようなグレーデツト・インデツクス
型であり、これから作つたフアイバーについてＸ
線マイクロアナライザーで分析したところ塩素原
子は検出されず、また、この母材は延伸しても発
泡は起らず、塩素原子に起因する吸収損失も全く
なかつた。
実施例 ２
外径30mm、長さ1000mmの合成石英管を使用して
第１図に示したような装置を作り、原料ガスとし
てのメチルトリメトキシシラン100C.C.（毎分値、
以下同じ）、ドープ剤としてのＢ（OCH3）3200C.C.
をアルゴンガス400C.C.で搬送し、これに酸素ガ
ス1850C.C.を混合して石英管に送入し、実施例１
と同様に処理してSiO2−B2O3の組成をもつガラ
ス膜を石英管内壁にクラツド層として30層形成さ
せた。
第１図に示したような装置を作り、原料ガスとし
てのメチルトリメトキシシラン100C.C.（毎分値、
以下同じ）、ドープ剤としてのＢ（OCH3）3200C.C.
をアルゴンガス400C.C.で搬送し、これに酸素ガ
ス1850C.C.を混合して石英管に送入し、実施例１
と同様に処理してSiO2−B2O3の組成をもつガラ
ス膜を石英管内壁にクラツド層として30層形成さ
せた。
つぎに、この原料ガスとしてのメチルトリメト
キシシラン100C.C.、ドープ剤としてのPH310C.
C.とGe（OC2H5）430C.C.とをアルゴンガス300C.C.
で搬送し、これに酸素ガスを1250C.C.混合してか
ら石英管に送入し、実施例１と同様に処理して
SiO2−P2O5−GeO2の組成をもつガラス膜をコア
層として70層形成させた。
キシシラン100C.C.、ドープ剤としてのPH310C.
C.とGe（OC2H5）430C.C.とをアルゴンガス300C.C.
で搬送し、これに酸素ガスを1250C.C.混合してか
ら石英管に送入し、実施例１と同様に処理して
SiO2−P2O5−GeO2の組成をもつガラス膜をコア
層として70層形成させた。
その後、原料ガスの供給を停止し、外部加熱源
の温度をあげてこの石英管を中実化してロツド状
の石英ガラス母材とした。
の温度をあげてこの石英管を中実化してロツド状
の石英ガラス母材とした。
得られた透明なガラス体についてその断面の屈
折率分布を測定したところ、これは第５図ａに示
したようなステツプインデツクス型であり、これ
から作つたフアイバーをＸ線マイクロアナライザ
ーで分拆したところ、これには塩素原子が全く検
出されず、またこの母材は延伸しても発泡が起ら
ず、塩素原子の存在に起因する吸収損失も全くな
かつた。
折率分布を測定したところ、これは第５図ａに示
したようなステツプインデツクス型であり、これ
から作つたフアイバーをＸ線マイクロアナライザ
ーで分拆したところ、これには塩素原子が全く検
出されず、またこの母材は延伸しても発泡が起ら
ず、塩素原子の存在に起因する吸収損失も全くな
かつた。
実施例 ３
外径30mm、長さ1000mmの合成石英管を使用して
第１図に示した装置を作り、原料ガスとしてのテ
トラメトキシシラン〔Si（OCH3）4〕100C.C.、ド
ープ剤としてのＢ（OC2H5）3200C.C.をアルゴンガ
ス200C.C.で搬送し、これに酸素ガス2900C.C.を
混合して石英管に送入し、実施例１と同様に処理
してSiO2−B2O3の組成をもつガラス膜をクラツ
ド層として50層形成させた。
第１図に示した装置を作り、原料ガスとしてのテ
トラメトキシシラン〔Si（OCH3）4〕100C.C.、ド
ープ剤としてのＢ（OC2H5）3200C.C.をアルゴンガ
ス200C.C.で搬送し、これに酸素ガス2900C.C.を
混合して石英管に送入し、実施例１と同様に処理
してSiO2−B2O3の組成をもつガラス膜をクラツ
ド層として50層形成させた。
つぎに、この原料ガスとしてのテトラメトキシ
シラン100C.C.とドープ剤としてのPH310C.C.，
Ge（OCH3）435C.C.とをアルゴンガス300C.C.で搬
送し、これに酸素ガスを1000C.C.を混合して石英
管に送入し、実施例１と同様に処理してSiO2−
P2O5−GeO2の組成をもつガラス層をコア層とし
て50層形成させた。
シラン100C.C.とドープ剤としてのPH310C.C.，
Ge（OCH3）435C.C.とをアルゴンガス300C.C.で搬
送し、これに酸素ガスを1000C.C.を混合して石英
管に送入し、実施例１と同様に処理してSiO2−
P2O5−GeO2の組成をもつガラス層をコア層とし
て50層形成させた。
その後、原料ガスの供給を停止し、外部加熱源
の温度を上げてこの石英管を中実化してロツド状
の石英ガラス母材とした。
の温度を上げてこの石英管を中実化してロツド状
の石英ガラス母材とした。
得られた透明なガラス体についてその屈折率分
布を測定したところ、これは第５図ｂに示したよ
うなステツプインデツクス型であり、これから作
つたフアイバーをＸ線マイクロアナライザーで分
析したところ、これには塩素原子が全く検出され
ず、またこの母材は延伸しても発泡せず、塩素原
子の存在に起因する吸収損失も全くなかつた。
布を測定したところ、これは第５図ｂに示したよ
うなステツプインデツクス型であり、これから作
つたフアイバーをＸ線マイクロアナライザーで分
析したところ、これには塩素原子が全く検出され
ず、またこの母材は延伸しても発泡せず、塩素原
子の存在に起因する吸収損失も全くなかつた。
第１図は本発明方法を実施するための装置の縦
断面要図、第２図はその石英管の移動を示す縦断
面図、第３図は実施例１における原料ガス、ドー
プ剤、酸素ガスのガス流量を示すグラフ、第４図
は実施例１、第５図ａ，ｂはそれぞれ実施例２，
３で作られた石英ガラス母材の屈折率分布図を示
したものである。 １……エステルシラン容器、２……Ge（OR3）4
容器、３……Ｂ（OR3）3容器、４……PH3容器、
５，７……導管、６……混合器、８……石英ガラ
ス管、９……フイードノズル、１０……バーナ
ー。
断面要図、第２図はその石英管の移動を示す縦断
面図、第３図は実施例１における原料ガス、ドー
プ剤、酸素ガスのガス流量を示すグラフ、第４図
は実施例１、第５図ａ，ｂはそれぞれ実施例２，
３で作られた石英ガラス母材の屈折率分布図を示
したものである。 １……エステルシラン容器、２……Ge（OR3）4
容器、３……Ｂ（OR3）3容器、４……PH3容器、
５，７……導管、６……混合器、８……石英ガラ
ス管、９……フイードノズル、１０……バーナ
ー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式R1 oSi（OR2）4-o〔こゝにR1は水素原子
またはメチル基、エチル基、R2はメチル基また
はエチル基、ｎは０〜４の正数〕で示されるエス
テルシランおよび式 Ge（OR3）4、Ｂ（OR3）3 〔こゝにR3は１価炭化水素基〕またはPH3で
示されるドープ剤とを石英管中で加熱燃焼させ、
これによつて発生するドープ剤を含むシリカを石
英管内壁に透明なガラス膜として積層させたの
ち、この石英管を加熱溶融して中実化することを
特徴とする光伝送用石英ガラス母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19827083A JPS6090838A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 光伝送用石英ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19827083A JPS6090838A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 光伝送用石英ガラス母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090838A JPS6090838A (ja) | 1985-05-22 |
| JPH0459254B2 true JPH0459254B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=16388339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19827083A Granted JPS6090838A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 光伝送用石英ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090838A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8693833B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-04-08 | Fujikura Ltd. | Manufacturing method for optical fiber preform and optical fiber |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60232085A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 無菌的濾過方法 |
| US5043002A (en) * | 1990-08-16 | 1991-08-27 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
| US5152819A (en) * | 1990-08-16 | 1992-10-06 | Corning Incorporated | Method of making fused silica |
| JPH0782999B2 (ja) * | 1991-04-15 | 1995-09-06 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 気相成長膜の形成方法、半導体製造装置、および半 導体装置 |
| US5154744A (en) * | 1991-08-26 | 1992-10-13 | Corning Incorporated | Method of making titania-doped fused silica |
| US5703191A (en) * | 1995-09-01 | 1997-12-30 | Corning Incorporated | Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products |
| US6312656B1 (en) | 1995-12-19 | 2001-11-06 | Corning Incorporated | Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen |
| US5879649A (en) * | 1995-12-19 | 1999-03-09 | Corning Incorporated | Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products |
| KR100473827B1 (ko) | 1995-12-19 | 2005-07-18 | 코닝 인코포레이티드 | 액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치 |
| FR2759465B1 (fr) * | 1996-04-30 | 1999-04-30 | Corning Inc | Procede de formation d'un circuit optique |
| US5979185A (en) * | 1997-07-16 | 1999-11-09 | Corning Incorporated | Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP19827083A patent/JPS6090838A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8693833B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-04-08 | Fujikura Ltd. | Manufacturing method for optical fiber preform and optical fiber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6090838A (ja) | 1985-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0463045B1 (en) | Improved vitreous silica products | |
| JP3233298B2 (ja) | 高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法 | |
| EP0471139B1 (en) | Method of making high purity, non-porous fused silica bodies | |
| KR100473827B1 (ko) | 액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치 | |
| GB1500530A (en) | Process for producing optical fibre preforms | |
| JPH0459254B2 (ja) | ||
| JP2001524064A (ja) | ゲルマニウム添加シリカ形成供給原料および方法 | |
| KR100622616B1 (ko) | 유기실란의 분해에 의한 실리카 제조방법 | |
| US4432781A (en) | Method for manufacturing fused quartz glass | |
| AU8473098A (en) | Germanium chloride and siloxane feedstock for forming silica glass and method | |
| SU1194266A3 (ru) | Способ получени заготовки дл выт гивани оптического волокна | |
| JPH0420853B2 (ja) | ||
| US4610892A (en) | Method for producing a directed aerosol stream | |
| US4735648A (en) | Optical fibre manufacture | |
| US6336347B1 (en) | Process for producing silica by decomposition of an organosilane | |
| JPS6117433A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
| US20210214266A1 (en) | Organic germania and silica sources for making optical fiber preforms | |
| JPH0364459B2 (ja) | ||
| JPH0424292B2 (ja) | ||
| JPS629536B2 (ja) | ||
| JP3417962B2 (ja) | 合成石英ガラス部材の製造方法 | |
| JPS6126504B2 (ja) | ||
| JPH0459253B2 (ja) | ||
| JPS6117434A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
| JPS6229379B2 (ja) |