JPS6240458A - 薄膜パタ−ンの露光方法 - Google Patents
薄膜パタ−ンの露光方法Info
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- JPS6240458A JPS6240458A JP60181222A JP18122285A JPS6240458A JP S6240458 A JPS6240458 A JP S6240458A JP 60181222 A JP60181222 A JP 60181222A JP 18122285 A JP18122285 A JP 18122285A JP S6240458 A JPS6240458 A JP S6240458A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- wafer
- resist
- pattern
- lubricant
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はウェハー上に塗布されたレジスト面に、フォト
マスクのパターン面を密着させて、光の照射によりフォ
トマスクパターンを、前記ウェハー上にレジストパター
ンとして転写する露光方法であって、該フォトマスクパ
ターン面にテフロン樹脂等の潤滑剤を塗布し、露光後該
フォトマスクを前記ウェハーから離す時に、潤滑剤によ
りレジスト剥離を防止することが出来る。
マスクのパターン面を密着させて、光の照射によりフォ
トマスクパターンを、前記ウェハー上にレジストパター
ンとして転写する露光方法であって、該フォトマスクパ
ターン面にテフロン樹脂等の潤滑剤を塗布し、露光後該
フォトマスクを前記ウェハーから離す時に、潤滑剤によ
りレジスト剥離を防止することが出来る。
本発明は薄膜磁気ヘッド等の薄膜パターンを形成する場
合、フォトマスクを用いウェハー上のレジスト膜を露光
し、フォトマスクパターンをウェハー上に、レジストパ
ターンとして転写する薄膜パターンの露光方法に関する
。
合、フォトマスクを用いウェハー上のレジスト膜を露光
し、フォトマスクパターンをウェハー上に、レジストパ
ターンとして転写する薄膜パターンの露光方法に関する
。
ウェハー上にパターンを形成する場合に、例えば、まず
第３図（イ）に示す■のように、ウェハー１上に金属膜
２をスパッタ、蒸着、メッキ等で付ける。その上に■の
ようにレジスト３を塗り、その上にフォトマスク４を当
て、光りを照射しパターンａの陰影をつける（図のパタ
ーンａは黒とし、光りを通さない）。これを現像すると
■のようなレジストパターン５が残る。これをエツチン
グした後、レジストパターン５を除去して、金属パター
ン６が■のように形成出来る。
第３図（イ）に示す■のように、ウェハー１上に金属膜
２をスパッタ、蒸着、メッキ等で付ける。その上に■の
ようにレジスト３を塗り、その上にフォトマスク４を当
て、光りを照射しパターンａの陰影をつける（図のパタ
ーンａは黒とし、光りを通さない）。これを現像すると
■のようなレジストパターン５が残る。これをエツチン
グした後、レジストパターン５を除去して、金属パター
ン６が■のように形成出来る。
その他に、第３図（ロ）の■のようにウェハー１上にレ
ジスト３を塗り、その上にフォトマスク４を当て、露光
してレジスト３を■のように除去し、パターンａの穴７
を作る。その上にスパック、蒸着、メッキにより金属膜
８を■のように作り、レジスト３を除去して、金属パタ
ーン６が■のように形成出来される。
ジスト３を塗り、その上にフォトマスク４を当て、露光
してレジスト３を■のように除去し、パターンａの穴７
を作る。その上にスパック、蒸着、メッキにより金属膜
８を■のように作り、レジスト３を除去して、金属パタ
ーン６が■のように形成出来される。
薄膜ヘッドは上記２つの方法を用いて形成されるが、一
番大事なことはレジスト３を感光したときに、レジスト
３がフォトマスク４のパターンａに、忠実に残されてい
ることが必要である。
番大事なことはレジスト３を感光したときに、レジスト
３がフォトマスク４のパターンａに、忠実に残されてい
ることが必要である。
従来ウェハー上に金属膜を成膜する場合の露光方法は、
例えば第４図（イ）に示すように、ウェハーｌ上にレジ
スト３を塗り、その上にパターンａを存するフォトマス
ク４を当てる。
例えば第４図（イ）に示すように、ウェハーｌ上にレジ
スト３を塗り、その上にパターンａを存するフォトマス
ク４を当てる。
この場合フォトマスク４のパターンａを、忠実にウェハ
ー１上に転写する為に、ウェハー１とフォトマスク４が
隙間のないように密着して構成される。
ー１上に転写する為に、ウェハー１とフォトマスク４が
隙間のないように密着して構成される。
従来フォトマスク４のパターンａを、忠実にウェハー１
上に転写する為に、コンタクｌ［ｉ光が行われている。
上に転写する為に、コンタクｌ［ｉ光が行われている。
露光後フォトマスク４をウェハー１から離す時に、フォ
トマスク４とレジスト３が密着している為、第４図（ロ
）のようにレジスト３が剥離すると云う問題点があった
。
トマスク４とレジスト３が密着している為、第４図（ロ
）のようにレジスト３が剥離すると云う問題点があった
。
ておく。パターンａを有するフォトマスク４′の表面に
、テフロン樹脂等の潤滑剤層９をコーティングしておく
。そのウェハー１のレジスト３上にフォトマスク４゛を
密着したコンタクト露光する。
、テフロン樹脂等の潤滑剤層９をコーティングしておく
。そのウェハー１のレジスト３上にフォトマスク４゛を
密着したコンタクト露光する。
即ち、露光後第１図（ロ）の矢印のように、フォトマス
ク４′をウェハー１から離した時、潤滑剤９を介してフ
ォトマスク４′とレジスト３が密着されているので、レ
ジスト３が剥離することなく、パターンａの転写精度が
向上する。
ク４′をウェハー１から離した時、潤滑剤９を介してフ
ォトマスク４′とレジスト３が密着されているので、レ
ジスト３が剥離することなく、パターンａの転写精度が
向上する。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第２図は本発明の詳細な説明する図である。
なお、全図を通じ同一符合は同一対象物を示す。
図において、４′はフォトマスクで、ガラス、石英等の
板材上にパターンａを設け、その上にテフロン樹脂等の
潤滑剤をスピンコータで塗り、潤滑剤層９を設ける。該
フォトマスク４′をマスクステージ１０に載せ、真空吸
着１１で固定する。一方しシスト３を塗布したウェハー
１を、ウェハーステージ１２上に載せる。このウェハー
ステージ１２は上下するシャツ目３に固定され、該シャ
ツ）−１３は図示しないパルスモータに連結される。
板材上にパターンａを設け、その上にテフロン樹脂等の
潤滑剤をスピンコータで塗り、潤滑剤層９を設ける。該
フォトマスク４′をマスクステージ１０に載せ、真空吸
着１１で固定する。一方しシスト３を塗布したウェハー
１を、ウェハーステージ１２上に載せる。このウェハー
ステージ１２は上下するシャツ目３に固定され、該シャ
ツ）−１３は図示しないパルスモータに連結される。
パルスモータの回転によりシャフト１３が上昇し、ウェ
ハー１とフォトマスク４′がコンタクトする。
ハー１とフォトマスク４′がコンタクトする。
この時、ウェハー１は矢印Ａのように排気されて、密着
した固定が行われる。
した固定が行われる。
光により露光された後、フォトマスク４′をウェハー１
から離す時、テフロンの潤滑剤層９がコーティングしで
あるので、フォトマスク４′とレジスト３の密着が防げ
、レジスト剥離を起こさない。
から離す時、テフロンの潤滑剤層９がコーティングしで
あるので、フォトマスク４′とレジスト３の密着が防げ
、レジスト剥離を起こさない。
以上説明したように本発明によれば、フォトマスク表面
にテフロン樹脂等の潤滑剤をコーティングすることによ
り、フォトマスクとレジストの密着が防止出来、レジス
ト剥離が発生しない。
にテフロン樹脂等の潤滑剤をコーティングすることによ
り、フォトマスクとレジストの密着が防止出来、レジス
ト剥離が発生しない。
第１図（イ）（ロ）は本発明の詳細な説明する図、
第２図は本発明の詳細な説明する図、
第３図（イ）（ロ）は従来の成膜を説明する図、第４図
（イ）（ロ）は従来のコンタクト露光を説明する図であ
る。 図において、 １はウェハー、 ３はレジスト、 ４′はフォトマスク、 ９は潤滑剤層、 １０はマスクステージ、 １１は真空吸着、 １２はウェハーステージ、 １３はシャフトを示す。
（イ）（ロ）は従来のコンタクト露光を説明する図であ
る。 図において、 １はウェハー、 ３はレジスト、 ４′はフォトマスク、 ９は潤滑剤層、 １０はマスクステージ、 １１は真空吸着、 １２はウェハーステージ、 １３はシャフトを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハー（１）上に塗布されたレジスト（３）面に、
フォトマスク（４′）のパターン（ａ）面を密着させて
、光の照射によりフォトマスク（４′）のパターン（ａ
）を前記レジスト（３）上に転写する露光方法であって
、 前記フォトマスク（４′）のパターン（ａ）面にテフロ
ン樹脂等の潤滑剤（９）を塗布し、露光後該フォトマス
ク（４′）を前記ウェハー（１）から離す時に、レジス
ト剥離を防止することを特徴とする薄膜パターンの露光
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181222A JPS6240458A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 薄膜パタ−ンの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181222A JPS6240458A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 薄膜パタ−ンの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240458A true JPS6240458A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16096950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181222A Pending JPS6240458A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 薄膜パタ−ンの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240458A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009585A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-23 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Optical molding apparatus and movable base device therefor |
| JP2001230187A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Motorola Inc | 低表面エネルギ層を用いるリソグラフィック・プリンティングを行う方法 |
| US6300042B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-10-09 | Motorola, Inc. | Lithographic printing method using a low surface energy layer |
| JP2006108500A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターンの形成方法 |
| EP2745314B1 (de) * | 2011-09-20 | 2017-03-15 | Ev Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung und verfahren zur beschichtung eines trägerwafers |
| JP2018535446A (ja) * | 2016-01-27 | 2018-11-29 | エルジー・ケム・リミテッド | フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法 |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60181222A patent/JPS6240458A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009585A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-23 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Optical molding apparatus and movable base device therefor |
| US6300042B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-10-09 | Motorola, Inc. | Lithographic printing method using a low surface energy layer |
| US6562553B2 (en) | 1998-11-24 | 2003-05-13 | Motorola, Inc. | Lithographic printing method using a low surface energy layer |
| JP2001230187A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Motorola Inc | 低表面エネルギ層を用いるリソグラフィック・プリンティングを行う方法 |
| JP4512810B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2010-07-28 | モトローラ・インコーポレイテッド | 低表面エネルギ層を用いるリソグラフィック・プリンティングを行う方法 |
| JP2006108500A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターンの形成方法 |
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| US10497601B2 (en) | 2011-09-20 | 2019-12-03 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for coating of a carrier wafer |
| JP2018535446A (ja) * | 2016-01-27 | 2018-11-29 | エルジー・ケム・リミテッド | フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法 |
| EP3410213A4 (en) * | 2016-01-27 | 2019-01-16 | LG Chem, Ltd. | FILM MASK, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING A PATTERN USING THE FILM MASK |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
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