JPS6235361A - フオトマスク材料 - Google Patents
フオトマスク材料Info
- Publication number
- JPS6235361A JPS6235361A JP60176337A JP17633785A JPS6235361A JP S6235361 A JPS6235361 A JP S6235361A JP 60176337 A JP60176337 A JP 60176337A JP 17633785 A JP17633785 A JP 17633785A JP S6235361 A JPS6235361 A JP S6235361A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum
- base plate
- quartz base
- quartz substrate
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路パターンを形成する時に用
いる原版となるフォトマスク材料に関するものである。
いる原版となるフォトマスク材料に関するものである。
（従来の技術〕
従来のフォトマスク材料の構造は、第２図に示すように
、石英基板１上に８０ｎｍ程度の厚みを持つクロム膜３
を真空蒸着法またはスパッタコート法により形成したも
のであった。
、石英基板１上に８０ｎｍ程度の厚みを持つクロム膜３
を真空蒸着法またはスパッタコート法により形成したも
のであった。
−ｍにクロム（Ｃｒ）は、１１００ｎ以下の膜厚でも充
分な光学濃度を持っており、薄い膜厚でフォトマスク材
料が形成でき、そのため微細なマスクパターンが形成で
きるという利点をもっているために、フォトマスク材料
の遮光材料として広く用いられている。
分な光学濃度を持っており、薄い膜厚でフォトマスク材
料が形成でき、そのため微細なマスクパターンが形成で
きるという利点をもっているために、フォトマスク材料
の遮光材料として広く用いられている。
しかしながら、クロム膜は石英基板に対し接着性が良好
ではない、そのために、洗浄時にクロム膜の剥離が生じ
、マスクパターンの欠陥が増加するという欠点を持って
いた。特に近年マスクパターン寸法が小さくなるにつれ
て、この問題は顕著になってきた。
ではない、そのために、洗浄時にクロム膜の剥離が生じ
、マスクパターンの欠陥が増加するという欠点を持って
いた。特に近年マスクパターン寸法が小さくなるにつれ
て、この問題は顕著になってきた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、石英基板に対し接着性の良好な遮光膜を形成
することにより、膜の剥離をなくし、洗浄時のマスクパ
ターン欠陥の発生をなくしたフォトマスク材料を提供す
ることを目的としている。
たもので、石英基板に対し接着性の良好な遮光膜を形成
することにより、膜の剥離をなくし、洗浄時のマスクパ
ターン欠陥の発生をなくしたフォトマスク材料を提供す
ることを目的としている。
本発明にかかるフォトマスク材料は、石英基板上にアル
ミニウム、アルミニウム化合物、またはアルミニウム合
金から成る膜を形成し、その上に金属膜を形成したもの
である。
ミニウム、アルミニウム化合物、またはアルミニウム合
金から成る膜を形成し、その上に金属膜を形成したもの
である。
この発明においては、石英基板と接着性の良いアルミニ
ウム１アルミニウム化合物、またはアルミニウム合金か
ら成る膜を金属膜と石英基板との中間層として用いたか
ら、金属膜と石英基板との接着性を改善できる。
ウム１アルミニウム化合物、またはアルミニウム合金か
ら成る膜を金属膜と石英基板との中間層として用いたか
ら、金属膜と石英基板との接着性を改善できる。
以下、本発明の一実施例について第１図を用いて説明を
行う。第１図は本発明の一実施例によるフォトマスク材
料を示し、これは石英基板ｌ上にアルミニウム膜２をス
パッタ法等で２０ｒ＋＋ｎ程度の膜厚に形成し、その後
スパッタ法等でクロム膜３を８０ｎｍ厚に形成すること
によって得られる。
行う。第１図は本発明の一実施例によるフォトマスク材
料を示し、これは石英基板ｌ上にアルミニウム膜２をス
パッタ法等で２０ｒ＋＋ｎ程度の膜厚に形成し、その後
スパッタ法等でクロム膜３を８０ｎｍ厚に形成すること
によって得られる。
このような本実施例においては、アルミニウムは石英基
板に対する接着性が良好であり、またアルミニウム膜と
クロム膜との接着性も良好であるため、このフォトマス
ク材料を用いれば、数多くの洗浄などを行った後もパタ
ーン欠陥が発生しない。
板に対する接着性が良好であり、またアルミニウム膜と
クロム膜との接着性も良好であるため、このフォトマス
ク材料を用いれば、数多くの洗浄などを行った後もパタ
ーン欠陥が発生しない。
なお上記実施例では、クロム膜と石英基板との間にアル
ミニウム膜を形成しているが、アルミニウム膜のかわり
にアルミニウム合金膜又はアルミニウム化合物膜を用い
ても同様の効果が期待できる。また、金Ｍ膜としてクロ
ム膜を使用しているが、これは他の遮光物質を用いても
良い。
ミニウム膜を形成しているが、アルミニウム膜のかわり
にアルミニウム合金膜又はアルミニウム化合物膜を用い
ても同様の効果が期待できる。また、金Ｍ膜としてクロ
ム膜を使用しているが、これは他の遮光物質を用いても
良い。
以上のようにこの発明に係るフォトマスク材料によれば
、石英基板と接着性の良いアルミニウム等の膜を金属膜
と石英基板との中間層として用いたので、金属膜と石英
基板との接着性を改善できる効果がある。
、石英基板と接着性の良いアルミニウム等の膜を金属膜
と石英基板との中間層として用いたので、金属膜と石英
基板との接着性を改善できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
のフォトマスク材料を示す断面図である。 図中、１は石英基板、２はアルミニウム膜、３はクロム
膜を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
のフォトマスク材料を示す断面図である。 図中、１は石英基板、２はアルミニウム膜、３はクロム
膜を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）石英基板上に、アルミニウム、アルミニウム化合
物、またはアルミニウム合金から成る膜を形成し、その
上に金属膜を形成してなることを特徴とするフォトマス
ク材料
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176337A JPS6235361A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | フオトマスク材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176337A JPS6235361A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | フオトマスク材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235361A true JPS6235361A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=16011818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60176337A Pending JPS6235361A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | フオトマスク材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235361A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270849A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
| JP2009092840A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびフォトマスクブランクス |
| US20180348627A1 (en) * | 2016-01-27 | 2018-12-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60176337A patent/JPS6235361A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270849A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
| JPH0131179B2 (ja) * | 1985-09-24 | 1989-06-23 | Hoya Corp | |
| JP2009092840A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびフォトマスクブランクス |
| US20180348627A1 (en) * | 2016-01-27 | 2018-12-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
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