JPS62293719A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS62293719A JPS62293719A JP61136238A JP13623886A JPS62293719A JP S62293719 A JPS62293719 A JP S62293719A JP 61136238 A JP61136238 A JP 61136238A JP 13623886 A JP13623886 A JP 13623886A JP S62293719 A JPS62293719 A JP S62293719A
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- Japan
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- electron beam
- beams
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- DEIXUHUDJYPRSP-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Cs] Chemical compound [Ag].[Cs] DEIXUHUDJYPRSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
電子ビーム露光方法において、パターンのクローン斥力
によるビーム“ぼけ”やレジストの近接効果による“ぼ
け”を解消するために、パターンを所定の工程に分けて
描画するようにした露光方法である。
によるビーム“ぼけ”やレジストの近接効果による“ぼ
け”を解消するために、パターンを所定の工程に分けて
描画するようにした露光方法である。
本発明は電子ビーム露光方法に関し、特に光電効果を利
用した電子ビーム露光装置における露光方法に関する。
用した電子ビーム露光装置における露光方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕光電
効果を利用した電子ビーム露光装置は既に提案されてい
る。この形の装置は電子を発生させる部分に特徴があり
従来用いられる熱放出による電子銃の代りに例えばセシ
ウム銀（ＡｇＣｓ）等の光電面から発生する電子を電子
レンズ等でしぼり込んでウェハ上に描画するものである
。この場合、所定のパターンの形状に点灯された光電素
子（ＬＥＤ）の光を光学レンズを介して前記ＡｇＣｓ面
に投影しＡｇＣｓ面からは投影された部分から電子を発
生するものである。
効果を利用した電子ビーム露光装置は既に提案されてい
る。この形の装置は電子を発生させる部分に特徴があり
従来用いられる熱放出による電子銃の代りに例えばセシ
ウム銀（ＡｇＣｓ）等の光電面から発生する電子を電子
レンズ等でしぼり込んでウェハ上に描画するものである
。この場合、所定のパターンの形状に点灯された光電素
子（ＬＥＤ）の光を光学レンズを介して前記ＡｇＣｓ面
に投影しＡｇＣｓ面からは投影された部分から電子を発
生するものである。
このような装置では近接したパターン（特に大なるパタ
ーンと小なるパターンが近接しているパターン）が存在
するとき近接効果を補正して描画しなければ小さなパタ
ーンを正確に描画することができない。即ち、パターン
形状として、例えば、２０ μｍ／５ｑｕａｒｅ内に大
なるパターン（例えば、１０ μｍ／５ｑｕａｒｅ）と
小なるパターン（例えば、１μｍ／５ｑｕａｒｅ）とが
ある場合、これらパターン間に作用するクローン斥力に
よって電子ビームの“ぼけ”やレジストの近接効果によ
る反応によって小さなパターンが解像できないという問
題がある。
ーンと小なるパターンが近接しているパターン）が存在
するとき近接効果を補正して描画しなければ小さなパタ
ーンを正確に描画することができない。即ち、パターン
形状として、例えば、２０ μｍ／５ｑｕａｒｅ内に大
なるパターン（例えば、１０ μｍ／５ｑｕａｒｅ）と
小なるパターン（例えば、１μｍ／５ｑｕａｒｅ）とが
ある場合、これらパターン間に作用するクローン斥力に
よって電子ビームの“ぼけ”やレジストの近接効果によ
る反応によって小さなパターンが解像できないという問
題がある。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明は上
述の問題点を解消した電子ビーム露光方法を提供するこ
とにあり、その手段は光電効果を利用した電子ビーム露
光方法において、形状の小なるパターンを挟んで大なる
パターンと他のパターンが近接して存在するとき、該大
なるパターンの縁部分と他のパターンを最初に露光し、
次に該大なるパターン内部の残余部分と該小なるパター
ンを露光することによってクローン斥力による電子ビー
ムのぼけ及びレジストの近接効果によるぼけを補正する
ようにしたことを特徴とする。
述の問題点を解消した電子ビーム露光方法を提供するこ
とにあり、その手段は光電効果を利用した電子ビーム露
光方法において、形状の小なるパターンを挟んで大なる
パターンと他のパターンが近接して存在するとき、該大
なるパターンの縁部分と他のパターンを最初に露光し、
次に該大なるパターン内部の残余部分と該小なるパター
ンを露光することによってクローン斥力による電子ビー
ムのぼけ及びレジストの近接効果によるぼけを補正する
ようにしたことを特徴とする。
第１図は本発明に係る電子ビーム露光方法を行う装置の
要部略構成図である。第１図において、１は電子ビーム
露光装置の本体、２はビームの制御、ステージ位置の制
御を行う中央処理装置、３は電子レンズ等の制御装置、
４は電流増幅器、５は位置検出器、６はステージ駆動装
置である。一方、本体１の内部には発光素子（ＬＥＤ）
を配列した発光源、１２は光学的レンズ、１３はセシウ
ム恨（ＡｇＣｓ）等からなる窓、１４〜１６は電子レン
ズ、１７は反射電子検出器、１８は試料、１９はステー
ジが設けられる。
要部略構成図である。第１図において、１は電子ビーム
露光装置の本体、２はビームの制御、ステージ位置の制
御を行う中央処理装置、３は電子レンズ等の制御装置、
４は電流増幅器、５は位置検出器、６はステージ駆動装
置である。一方、本体１の内部には発光素子（ＬＥＤ）
を配列した発光源、１２は光学的レンズ、１３はセシウ
ム恨（ＡｇＣｓ）等からなる窓、１４〜１６は電子レン
ズ、１７は反射電子検出器、１８は試料、１９はステー
ジが設けられる。
このような構成において、ＡｇＣｓからなる窓１３の外
面に照射されたＬＥＤからの光によって窓１３の内面か
ら電子（ｅ−）のビームが発生され試料１８上に照射さ
れて所定のパターンに露光される。この場合に、ＬＥＤ
を所望のパターンに点灯すれば試料上ではそのパターン
に沿って露光されることは明らかである。
面に照射されたＬＥＤからの光によって窓１３の内面か
ら電子（ｅ−）のビームが発生され試料１８上に照射さ
れて所定のパターンに露光される。この場合に、ＬＥＤ
を所望のパターンに点灯すれば試料上ではそのパターン
に沿って露光されることは明らかである。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る電子ビーム露光方
法を説明する図である。第２図において、（ｃ）の斜線
部分を描画すべき完成パターンとする。そして、（ａ）
は最初のステップ、（ｂ）は次のステップを示している
。本発明の方法は、例えば−辺が２０μｍの領域内に図
に示す如き大なるパターンと小なるパターンを含み、構
成を要求される場合に特に有効である。即ち、（ａ）で
は最初のステップとしてパターン■の斜線で示す縁部分
とパターン■を露光し、パターン■を露光しない。（ｂ
）ではパターンＩの内部（斜線）とパターン■を露光す
る。これによってパターン■の点線で示すごときビーム
のクローン斥力による“ぼけ”は解消し、パターン■と
■、パターン■と■の間の近接効果による“ぼけ”も解
消する。
法を説明する図である。第２図において、（ｃ）の斜線
部分を描画すべき完成パターンとする。そして、（ａ）
は最初のステップ、（ｂ）は次のステップを示している
。本発明の方法は、例えば−辺が２０μｍの領域内に図
に示す如き大なるパターンと小なるパターンを含み、構
成を要求される場合に特に有効である。即ち、（ａ）で
は最初のステップとしてパターン■の斜線で示す縁部分
とパターン■を露光し、パターン■を露光しない。（ｂ
）ではパターンＩの内部（斜線）とパターン■を露光す
る。これによってパターン■の点線で示すごときビーム
のクローン斥力による“ぼけ”は解消し、パターン■と
■、パターン■と■の間の近接効果による“ぼけ”も解
消する。
以上の説明から明らかなように近接するパターンを同時
に露光しないように工程を分けることによって精度を向
上させるたことができる。即ち、従来、−回で描画でき
るパターンを二回あるいはそれ以上の回数にわけて露光
する。その場合、クローン斥力に対しては電子ビーム電
流が少ないためビームによる“ぼけ”は低減し、また、
近接効果に対しては“ふちどり゛をするか又は大パター
ンと小パターンの照射量を変えることによって補正でき
る。
に露光しないように工程を分けることによって精度を向
上させるたことができる。即ち、従来、−回で描画でき
るパターンを二回あるいはそれ以上の回数にわけて露光
する。その場合、クローン斥力に対しては電子ビーム電
流が少ないためビームによる“ぼけ”は低減し、また、
近接効果に対しては“ふちどり゛をするか又は大パター
ンと小パターンの照射量を変えることによって補正でき
る。
パターンを２回の照射で描画するとき１回はパターンの
ふちを小なるパターンを指定された照射時間で描画し、
もう１回は大なるパターン内部を別の照射時間で描画す
る。さらに複雑なパターンの場合には“ふちどり”と小
なるパターンの合計電流量がある一定値（例えば１０μ
Ａ）を超える場合さらに工程を増やす。
ふちを小なるパターンを指定された照射時間で描画し、
もう１回は大なるパターン内部を別の照射時間で描画す
る。さらに複雑なパターンの場合には“ふちどり”と小
なるパターンの合計電流量がある一定値（例えば１０μ
Ａ）を超える場合さらに工程を増やす。
本発明によれば、光電効果を利用した電子ビーム露光方
法において、電子同士のクローン斥力による“ぼけ”や
レジストの近接効果による“ぼけ”を解消でき微細パタ
ーンの解像度を上げ描画精度を著しく向上させることが
できる。
法において、電子同士のクローン斥力による“ぼけ”や
レジストの近接効果による“ぼけ”を解消でき微細パタ
ーンの解像度を上げ描画精度を著しく向上させることが
できる。
第１図は本発明に係る電子ビーム露光方法を行う装置の
要部略構成図、および 第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明による露光方法を説明す
る図である。 （符号の説明） １・・・電子ビーム露光装置本体、 ２・・・中央処理装置、 ３・・・レンズ等制御装置
、４・・・電流増幅器、 ５・・・位置検出器、６
・・・駆動装置、 １１・・・発光源、１２・・
・光学的レンズ、 １３・・・窓、１４〜１６・・・電
子レンズ、 １７・・・反射電子検出器、１８・・・
試料、 １９・・・ステージ。
要部略構成図、および 第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明による露光方法を説明す
る図である。 （符号の説明） １・・・電子ビーム露光装置本体、 ２・・・中央処理装置、 ３・・・レンズ等制御装置
、４・・・電流増幅器、 ５・・・位置検出器、６
・・・駆動装置、 １１・・・発光源、１２・・
・光学的レンズ、 １３・・・窓、１４〜１６・・・電
子レンズ、 １７・・・反射電子検出器、１８・・・
試料、 １９・・・ステージ。
Claims (1)
- １、光電効果を利用した電子ビーム露光方法において、
形状の小なるパターンを挟んで大なるパターンと他のパ
ターンが近接して存在するとき、該大なるパターンの縁
部分と他のパターンを最初に露光し、次に該大なるパタ
ーン内部の残余部分と該小なるパターンを露光すること
によってクローン斥力による電子ビームのぼけ及びレジ
ストの近接効果によるぼけを補正するようにしたことを
特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136238A JPS62293719A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61136238A JPS62293719A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293719A true JPS62293719A (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=15170511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61136238A Pending JPS62293719A (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62293719A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019064521A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
| WO2019064516A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61136238A patent/JPS62293719A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019064521A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
| WO2019064516A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 電子ビーム装置及びデバイス製造方法 |
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