JPH02186346A - ホトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路製造用のホトマスクの製造方法
に関する。

〔従来の技術〕

半導体集積回路の製造に使用されるホトマスクは、通常
、ガラス基板上に被着されたクロム等の金属層を前記金
属層の上に設けたレジスト膜の露光・現像工程により得
られたパターンをマスクとして前記金属層をエツチング
することにより形成される。

前記レジスト膜の露光には電子ビームまたは紫外線が用
いられているが、電子ビーム露光の場合は現像後に前記
レジスト膜の残渣が生じるので、デスカム処理と呼ばれ
る工程が付加される。このデスカム処理はプラズマによ
りエツチング技術を用いたレジスト残渣の除去手段であ
る。従来のデスカム処理工程によれば、レジスト膜の露
光・現像工程を終えたマスク基板は、バレル型または平
行平板型の電極を有する処理室内に収容されレジスト膜
の表面が全面に亘ってごく薄く除去されるようにエツチ
ングされる。

ところで先に述べた電子ビームを光て・は入射鴬子がガ
ラス基板の構成原子と衝突して散乱され、レジスト膜中
に再び入射する後方散乱という現象の為にホトレジスト
膜のパターン寸法に誤差を生じ、最終的に形成した金属
層のパターンの寸法精度が低下してしまう。

第４図はこの設計値とパターン寸法のずれの関係を示す
特性図である。即ち、１０μｍのパターンが１０μｍの
寸法ででき上がった場合にも３μｍ設計パターンは２．
９μｍに、２μｍ設計パターンは１，８μｍにという様
に後方散乱の影響により小さい寸法のパターンはど設計
値からずれてしまうという問題点があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のホトマスクの製造方法ではプラズマ中に
マスク基板を放置してデスカム処理を行う為、デスカム
処理はマスク全面において均等に行われる事になり、露
光時の後方散乱の影響によるマスクパターンの寸法のず
れはデスカム処理後もそのまま残ってしまうという欠点
がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のホトマスクの製造方法は、ガラス基板の一主面
に金属層を堆積する工程と、前記金属層の上にレジスト
膜を形成する工程と、前記レジスト膜を電子ビームによ
り露光し現像してレジスト膜のパターンを形成する工程
と、前記電子ビーム露光の後方散乱の影響によるパター
ン寸法ずれのデータにより加速度を制御したイオンビー
ムで前記パターンを走査して前記レジスト膜の残渣を除
去し且つ前記パターンの寸法誤差を補正する工程とを含
んで構成される。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１図の実施例を説明
するための工程順に示したホトマスクの断面図である。

まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板１の上に
クロム等の金属層２を０．１μｍの厚さに堆積する０次
に、金属層２の上にレジスト膜３を０，５μｍの厚さに
塗布する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、レジスト膜３を０８
５〜２μＣ／ｃａｌのドーズ量の電子ビーム４により走
査して所定のパターンを露光する。

次に、第１図（ｃ）に示すように、レジスト膜３を現像
してレジスト膜３のパターンを形成する。ここで、現像
後の金属層２の上にレジスト膜３の残渣５が薄く分布し
て残存する。

次に、第１図（ｄ）に示すように、イオンビーム６によ
りレジスト膜３のパターンを含む金属層２の全面を順次
走査して残渣５を除去する。このとき、イオンビーム６
は、第４図に示すように、ホトマスクのパターンの設計
寸法と電子ビームの後方散乱の影響によるパターン寸法
の誤差との関係のデータにより、レジスト１ｌｉ３のパ
ターン設計値に従ってイオンビームの加速電圧を制御し
て、残渣５のデスカム処理と同時に電子ビームの後方散
乱によるレジスト膜３のパターン寸法の補正を行うこと
ができる。

次に、第１図（ｅ）に示すように、レジスト膜３のパタ
ーンをマスクとし金属１！２をエツチングして除去し、
金属層２のパターンを形成する。

次に、第１図（ｆ）に示すように、レジスト膜３を剥離
してホトマスクを構成する。

第２図は本発明のデスカム処理工程に使用するデスカム
処理装置を説明するための模式図である。

第２図に示すように、デスカム処理装置はイオンビーム
を作り出すイオン源７．ヒータ電源１３とビームを成形
するアパーチャ８、ビームの加速・フォーカス調整を行
うフォーカスレンズ９゜加速電源１４．加速制御部１５
．フォーカス電源１６、フォーカス制御部１７．ビーム
のブランキングを行うブランキング電極１０．ブランキ
ング電源１８．ブランキング！ＩＩ御部１９．ビームの
偏向を行う偏向電極１１．偏向電極２０．偏向制御部２
１．マスクをセットするステージ１２．ステージを移動
させるモータ２２．ステージ制御部２３、後方散乱強度
データを入力するデータ入力装置２５．入力データの変
換装置！２４より構成される。

本装置に入力された後方散乱強度データに基づいた加速
電圧でマスク基板電画にわたりイオンビームを操作させ
る。

第３図は本発明の第２の実施例を説明するためのホトマ
スクの平面図である。

本例ではイオンビームをマスクの一端から順次走査する
のではなく、後方散乱強度データに基づいて決定された
イオンビーム加速度毎にイオンビーム６ａ〜６ｄの走査
経路で走査を行っている。

イオンビームの加速度を変えた場合、フォーカスも調整
する必要がある。そこで走査中に加速度を変化させるに
は、複雑な制御機構が必要となる。

本実施例によれば走査中に加速度を制御する必要がない
のでより正確なデスカム処理が行えるという利点がある
。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は５デスカム処理のイオンビ
ームの加速電圧をレジストの電子ビーム露光の後方散乱
によるパターン寸法のずれのデータに従って制御するこ
とにより、パターン精度を向上させたホトマスクの製造
方法を実現できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示したホトマスクの断面図、第２図は
本発明のデスカム処理工程に使用するデスカム処理装置
を説明するための模式図、第３図は本発明の第２の実施
例を説明するためのホトマスクの平面図、第４図はホト
マスクのパターン成形寸法と電子ビーム露光時の後方散
乱の影響によるパターン寸法のずれとの関係を示す特性
図である。 １・・・ガラス基板、２・・・金属層、３・・・レジス
ト膜、４・・・電子ビーム、５・・・残渣、６・・・イ
オンビーム、７・・・イオン源、８・・・アパーチャ、
９・・・フォーカスレンズ、１０・・・ブランキング電
極、１１・・・偏向電極、１２・・・ステージ、１３・
・・ヒータ電源、１４・・・加速電源、１５・・・加速
制御部、１６・・・フォーカス電源、１７・・・フォー
カス制御部、１８・・・ブランキング電源、１９・・・
ブランキング制御部、２０・・・偏向電源、２１・・・
偏向制御部、２２・・・モータ、２３・・・ステージ制
御部、２４・・・変換装置、２５・・・データ入力装置
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Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス基板の一主面に金属層を堆積する工程と、前記金
   属層の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト
   膜を電子ビームにより露光し現像してレジスト膜のパタ
   ーンを形成する工程と、前記電子ビーム露光の後方散乱
   の影響によるパターン寸法ずれのデータにより加速度を
   制御したイオンビームで前記パターンを走査して前記レ
   ジスト膜の残渣を除去し且つ前記パターンの寸法誤差を
   補正する工程とを含むことを特徴とするホトマスクの製
   造方法。