JPS62291711A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS62291711A JPS62291711A JP13539786A JP13539786A JPS62291711A JP S62291711 A JPS62291711 A JP S62291711A JP 13539786 A JP13539786 A JP 13539786A JP 13539786 A JP13539786 A JP 13539786A JP S62291711 A JPS62291711 A JP S62291711A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、V T R、磁気ディスクなどの薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
ッドの製造方法に関する。
従来、「電波新開」昭和59年10月18日発行25〜
26面に記載された第2図に示すような薄膜磁気ヘッド
、あるいは特開昭59−65920公報、特開昭59−
65921公報に記載された第3図に示すような薄膜磁
気ヘッドが知られていた。
26面に記載された第2図に示すような薄膜磁気ヘッド
、あるいは特開昭59−65920公報、特開昭59−
65921公報に記載された第3図に示すような薄膜磁
気ヘッドが知られていた。
第2図は、近年実用化されつつある薄膜磁気ヘッドの概
略断面図である。第2図において、ム(仮1上にへ12
01等の下保護膜2が形成され、次いで軟Gil性体か
ら成る下部ポール3がメッキ法、スパッタ法あるいは蒸
着法により形成される。このあと、ギャップとなるA
1 ! Oi等の絶縁層4が成膜され、次にフォトレジ
スト等の′4T機物から成る絶縁層5が形成され、さら
に導8体材料から成るコイル6が形成され、コイル6を
埋め込むように再度フォトレジスト等の有機物から成る
絶縁層7を形成する0次いで軟Lit外体から成る上部
ポール8が下部ポール3と同様にして形成され、最後に
へ1203等の絶縁物から成る上保護膜9が形成され薄
膜磁気ヘッドが構成されている。このような構造を有す
る薄膜磁気ヘッドは、同じ(第2図に示すように、軟磁
性体から成る下部ポール3および上部ポール8のインナ
ー・ギャップ部Bにおける膜厚がフロント・ギャップ部
Aのn々厚に比較して太き(なるような構造を有してお
り、下部ポール3および上部ポール8の磁気抵抗を下げ
、両ポールの磁気的な飽和を抑制した構造となっている
。
略断面図である。第2図において、ム(仮1上にへ12
01等の下保護膜2が形成され、次いで軟Gil性体か
ら成る下部ポール3がメッキ法、スパッタ法あるいは蒸
着法により形成される。このあと、ギャップとなるA
1 ! Oi等の絶縁層4が成膜され、次にフォトレジ
スト等の′4T機物から成る絶縁層5が形成され、さら
に導8体材料から成るコイル6が形成され、コイル6を
埋め込むように再度フォトレジスト等の有機物から成る
絶縁層7を形成する0次いで軟Lit外体から成る上部
ポール8が下部ポール3と同様にして形成され、最後に
へ1203等の絶縁物から成る上保護膜9が形成され薄
膜磁気ヘッドが構成されている。このような構造を有す
る薄膜磁気ヘッドは、同じ(第2図に示すように、軟磁
性体から成る下部ポール3および上部ポール8のインナ
ー・ギャップ部Bにおける膜厚がフロント・ギャップ部
Aのn々厚に比較して太き(なるような構造を有してお
り、下部ポール3および上部ポール8の磁気抵抗を下げ
、両ポールの磁気的な飽和を抑制した構造となっている
。
しかし、前記のような構造を有する従来の薄膜磁気ヘッ
ドは、下部ポール3の膜17が基板lと反対側す′なわ
ち上部ポール8 t!1.!lに)γくしたステップ構
造となっているため、以後のプロセスで下部ポール3上
に積層される各膜の形成、およびこれらの膜をパターン
化するためのフォトレジストパターンの形成が、前記下
部ポール3の段差により困難となり、薄膜磁気ヘッドの
生産性が低下するという製造プロセス上の問題点がある
。しかも、前記のステップにより形成された上部ポール
8のフロント・ギャップ部Aとインナー・ギャップ部B
の段差がさらに大きくなるために、上部ポール8のフロ
ント・ギヤツブ部へとインナー・ギャップ部Bとの間の
急な勾配部において、上部ポール8の磁気特性の劣化を
招くという欠点もある。
ドは、下部ポール3の膜17が基板lと反対側す′なわ
ち上部ポール8 t!1.!lに)γくしたステップ構
造となっているため、以後のプロセスで下部ポール3上
に積層される各膜の形成、およびこれらの膜をパターン
化するためのフォトレジストパターンの形成が、前記下
部ポール3の段差により困難となり、薄膜磁気ヘッドの
生産性が低下するという製造プロセス上の問題点がある
。しかも、前記のステップにより形成された上部ポール
8のフロント・ギャップ部Aとインナー・ギャップ部B
の段差がさらに大きくなるために、上部ポール8のフロ
ント・ギヤツブ部へとインナー・ギャップ部Bとの間の
急な勾配部において、上部ポール8の磁気特性の劣化を
招くという欠点もある。
一方、前記のような諸欠点を解決する薄膜磁気ヘッドと
して第3図に示したような断面形状を有する薄膜磁気ヘ
ッドが知られている。第3図において、下保護膜2に対
して予めエツチング法により窪みを形成し、1lil記
窪みを埋め込むように第1の軟磁性体31を形成し、次
いで所定のポール形状を有する第2の軟磁性体32との
積層体により下部ポールを形成しており、しかも、下部
ポールの膜厚がインナー・ギャップ部Bにおいて基板側
に厚くなるような逆ステップ構造となっているため、前
記第2図に示した如き従来の薄膜611気ヘツドの諸欠
点が解決されることになる。しかし、前記第3図に示し
た薄膜磁気ヘッドにおいても、下保護1模2に対して予
め窪みを形成する時、エツチング法で形成すると湿式エ
ツチングでは、サイドエッチの影響を受は逆テーパーと
なり、乾式エツチングでは基板1の面に対して直角な窪
みとなる。
して第3図に示したような断面形状を有する薄膜磁気ヘ
ッドが知られている。第3図において、下保護膜2に対
して予めエツチング法により窪みを形成し、1lil記
窪みを埋め込むように第1の軟磁性体31を形成し、次
いで所定のポール形状を有する第2の軟磁性体32との
積層体により下部ポールを形成しており、しかも、下部
ポールの膜厚がインナー・ギャップ部Bにおいて基板側
に厚くなるような逆ステップ構造となっているため、前
記第2図に示した如き従来の薄膜611気ヘツドの諸欠
点が解決されることになる。しかし、前記第3図に示し
た薄膜磁気ヘッドにおいても、下保護1模2に対して予
め窪みを形成する時、エツチング法で形成すると湿式エ
ツチングでは、サイドエッチの影響を受は逆テーパーと
なり、乾式エツチングでは基板1の面に対して直角な窪
みとなる。
そのために下部ポールを形成した時に第1の軟iff外
体31の外周部の形状が第2の軟i<を外体32に対し
て逆テーパーかあるいは直角に形成されるため前記第1
の軟fil外体31の角の部分で磁束漏れをおこし磁気
特性の劣化を招くという大きな問題点を有していた。
体31の外周部の形状が第2の軟i<を外体32に対し
て逆テーパーかあるいは直角に形成されるため前記第1
の軟fil外体31の角の部分で磁束漏れをおこし磁気
特性の劣化を招くという大きな問題点を有していた。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するため、前
記第3図の第1の軟磁性体31のG1を東漏れをおこさ
ない形状を有する薄膜何1気ヘッドを製造することを目
的としている。
記第3図の第1の軟磁性体31のG1を東漏れをおこさ
ない形状を有する薄膜何1気ヘッドを製造することを目
的としている。
上記問題点を解決するために、本発明のrR,[’aN
気ヘッドの製造方法は、基板上に、導体コイルを挾んだ
軟磁性体材料から成る上部および下部ポールを形成する
F!v膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部ポー
ルの形成に際して予め前記下部ポールのフロント・ギャ
ップ部およびギャップ後方部に相当する領域にフォトレ
ジスト層で被覆する工程と、前記フォトレジスト層をマ
スクとして、前記フォトレジスト層の端部のダレ傾斜面
を利用してインナー・ギャップ部領域に薄1模形成技術
を用いて第1の軟%5i外体を形成し、前記フォトレジ
スト層を除去し第2の下保護膜を全面に形成し上面方向
より第1軟磁性体が所望厚みに達するまで機械加工によ
り研磨して、前記第1軟磁性体上に第2の軟G11性体
を薄膜形成技術を用いて形成し所定の下部ポール形状を
加工することを特徴とする。
気ヘッドの製造方法は、基板上に、導体コイルを挾んだ
軟磁性体材料から成る上部および下部ポールを形成する
F!v膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部ポー
ルの形成に際して予め前記下部ポールのフロント・ギャ
ップ部およびギャップ後方部に相当する領域にフォトレ
ジスト層で被覆する工程と、前記フォトレジスト層をマ
スクとして、前記フォトレジスト層の端部のダレ傾斜面
を利用してインナー・ギャップ部領域に薄1模形成技術
を用いて第1の軟%5i外体を形成し、前記フォトレジ
スト層を除去し第2の下保護膜を全面に形成し上面方向
より第1軟磁性体が所望厚みに達するまで機械加工によ
り研磨して、前記第1軟磁性体上に第2の軟G11性体
を薄膜形成技術を用いて形成し所定の下部ポール形状を
加工することを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図fatにおいて基板l上に、Altosの下保護膜
2を形成し、第1図tblのようにフロント・ギャップ
部Aおよびギヤ、プ後方部Cヘフォトレジスト層10を
パターニング被覆形成し、次いで第1図[C)のように
インナー・ギャップ部Bへ第1の軟磁性体31をメッキ
法により形成する。
1図fatにおいて基板l上に、Altosの下保護膜
2を形成し、第1図tblのようにフロント・ギャップ
部Aおよびギヤ、プ後方部Cヘフォトレジスト層10を
パターニング被覆形成し、次いで第1図[C)のように
インナー・ギャップ部Bへ第1の軟磁性体31をメッキ
法により形成する。
このあと第1図+d+のように、前記フォトレジスト層
10を剥離し、この上に前記軟磁性体31を埋め込む量
のΔ7!、 O,の第2下保1111L!tをスパッタ
により第1図+Alのように形成し、上面矢印方向より
a械加工により前記第1軟磁性体31が所望の厚みに達
するまで研磨し第1図+flのように上面の平坦な形状
に形成する。次いで第1図+ff+のようにフォトレジ
スト法を用いて、フロント・ギヤツブ部へとインナー・
ギャップ部Bの7.I′I域にメッキにより第2の軟磁
性体32を形成すると、前記の第1の軟磁性体31と前
記第2の軟tsl外体32の積層体により下部ポールが
+14成される。以後は従来の薄膜Cil気ヘッドの薄
膜形成技術を用いて同様にギャップ膜4、層間絶縁膜5
、導体コイル6、層間絶縁膜7、上部ポール8、上部保
護膜9を順次形成することにより第1図(hlのような
断面形状をもつ薄膜磁気ヘッドが構成される。このよう
に本実施例によると、下部ポールの膜厚がインナー・ギ
ャップ部において基板側に厚く、しかも第1軟fil性
体の端部が直角とならず(頃斜皿となり、また下部ポー
ルの上面も平坦な形状を得ることができる。
10を剥離し、この上に前記軟磁性体31を埋め込む量
のΔ7!、 O,の第2下保1111L!tをスパッタ
により第1図+Alのように形成し、上面矢印方向より
a械加工により前記第1軟磁性体31が所望の厚みに達
するまで研磨し第1図+flのように上面の平坦な形状
に形成する。次いで第1図+ff+のようにフォトレジ
スト法を用いて、フロント・ギヤツブ部へとインナー・
ギャップ部Bの7.I′I域にメッキにより第2の軟磁
性体32を形成すると、前記の第1の軟磁性体31と前
記第2の軟tsl外体32の積層体により下部ポールが
+14成される。以後は従来の薄膜Cil気ヘッドの薄
膜形成技術を用いて同様にギャップ膜4、層間絶縁膜5
、導体コイル6、層間絶縁膜7、上部ポール8、上部保
護膜9を順次形成することにより第1図(hlのような
断面形状をもつ薄膜磁気ヘッドが構成される。このよう
に本実施例によると、下部ポールの膜厚がインナー・ギ
ャップ部において基板側に厚く、しかも第1軟fil性
体の端部が直角とならず(頃斜皿となり、また下部ポー
ルの上面も平坦な形状を得ることができる。
第4図は他の実施例を示すもので、iiI記第1図の如
き第1保護膜2上に第1の軟材i外体3を形成する構造
でなく、第4図の如く基板1上に直接第1軟磁性体3を
形成し、以下n;1記第1図と同様な工程を経ても本実
施例の意とするところは何ら川なねれないことは勿論で
ある。
き第1保護膜2上に第1の軟材i外体3を形成する構造
でなく、第4図の如く基板1上に直接第1軟磁性体3を
形成し、以下n;1記第1図と同様な工程を経ても本実
施例の意とするところは何ら川なねれないことは勿論で
ある。
本発明は、以上説明したように第1のフォトレジスト層
の傾斜面を利用して第1の軟磁性体を形成し、かつ下部
護膜で第1の軟磁性体膜を埋め込み上面より1llI!
械加工により平坦に研1θするという製造方法により、
下部ポールの角によるも11束漏れの防止効果と下部ポ
ール上面の平坦化によるフォトレジストパターン工程の
容易化と上部ポールの急勾配の緩和による磁特性を向上
させる効果が非常に大きい。
の傾斜面を利用して第1の軟磁性体を形成し、かつ下部
護膜で第1の軟磁性体膜を埋め込み上面より1llI!
械加工により平坦に研1θするという製造方法により、
下部ポールの角によるも11束漏れの防止効果と下部ポ
ール上面の平坦化によるフォトレジストパターン工程の
容易化と上部ポールの急勾配の緩和による磁特性を向上
させる効果が非常に大きい。
第1図は、本発明にかかるFilJIIυイ1気ヘッド
の工程順の断面図、第2図、第3図は従来の薄膜til
気ヘッドの縦断面図、第4図はこの発明にかかる薄膜磁
気ヘッドの他の実施例を示す縦断面図である。 l ・・・・・・基牟反 2・・・・・・下部3隻膜 10・・・・・・フォトレジスト層 21・・・・・・第2下保獲膜 31・・・・・・第1軟rJiI性体 32・・・・・・第2軟磁性体 八・・・・・・フロント・ギャップ部 B・・・・・・インナー・ギヤ、プ部 C・・・・ギャップ後方部 以 上 鷲1図(シ) 111図(d) YI図 (よ) Llo($) ’f、II2]<t>
の工程順の断面図、第2図、第3図は従来の薄膜til
気ヘッドの縦断面図、第4図はこの発明にかかる薄膜磁
気ヘッドの他の実施例を示す縦断面図である。 l ・・・・・・基牟反 2・・・・・・下部3隻膜 10・・・・・・フォトレジスト層 21・・・・・・第2下保獲膜 31・・・・・・第1軟rJiI性体 32・・・・・・第2軟磁性体 八・・・・・・フロント・ギャップ部 B・・・・・・インナー・ギヤ、プ部 C・・・・ギャップ後方部 以 上 鷲1図(シ) 111図(d) YI図 (よ) Llo($) ’f、II2]<t>
Claims (1)
- 基板上に導体コイルを挟んだ軟磁性体材料からなる上部
および下部ポールを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、前記下部ポールの形成に際して、予め前記下
部ポールのフロント・ギャップ部およびギャップ後方部
に相当する領域に、フォトレジスト層で被覆する工程と
、前記フォトレジスト層をマスクとして、前記フォトレ
ジスト層の端部のダレ傾斜面を利用して、インナー・ギ
ャップ部領域に薄膜形成技術を用いて第1の軟磁性体を
形成し、前記フォトレジスト層を除去し、第2の下保護
膜を全面に形成し、上面方向より第1軟磁性体が所望厚
みに達するまで機械加工により研磨して、前記第1軟磁
性体上に第2の軟磁性体を薄膜形成技術を用いて形成し
、所定の下部ポール形状を加工することを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13539786A JPS62291711A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13539786A JPS62291711A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62291711A true JPS62291711A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15150758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13539786A Pending JPS62291711A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62291711A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0399800A2 (en) * | 1989-05-26 | 1990-11-28 | Seagate Technology International | Thin film magnetic head manufacturing method |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP13539786A patent/JPS62291711A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0399800A2 (en) * | 1989-05-26 | 1990-11-28 | Seagate Technology International | Thin film magnetic head manufacturing method |
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