JPS622778Y2 - - Google Patents
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- JPS622778Y2 JPS622778Y2 JP17561682U JP17561682U JPS622778Y2 JP S622778 Y2 JPS622778 Y2 JP S622778Y2 JP 17561682 U JP17561682 U JP 17561682U JP 17561682 U JP17561682 U JP 17561682U JP S622778 Y2 JPS622778 Y2 JP S622778Y2
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- sealing layer
- thermal expansion
- substrate
- synthetic resin
- resin
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- Expired
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、IC、トランジスタチツプをリード
線でセラミツク基板の接続端子に接続する式の防
湿処置が施された混成集積回路に関する。
線でセラミツク基板の接続端子に接続する式の防
湿処置が施された混成集積回路に関する。
従来の混成集積回路は、第１図示のように、配
線基板ａ上に搭載したIC等のリード線接続部品
ｂ及びリード線ｃを軟質シリコン樹脂又は硬質エ
ポキシ樹脂ｄで被覆して封止し、更に配線基板ａ
全体を別の樹脂ｅで被覆して形成されていた。し
かしながら、軟質シリコン樹脂は材料自体の熱膨
張係数が大きいため、急激な温度変化が連続的に
加わつた場合リード線が切断されたり、外装モー
ルド樹脂ｅとの接着性が弱く温度変化により外装
モールドがひび割れする等の不都合があつた。ま
た、エポキシ樹脂は、これとセラミツク基板の熱
膨張係数の差を補う弾力性が無いため、温度変化
の繰返しによりリード線ｃが切断する等の保都合
が存した。
線基板ａ上に搭載したIC等のリード線接続部品
ｂ及びリード線ｃを軟質シリコン樹脂又は硬質エ
ポキシ樹脂ｄで被覆して封止し、更に配線基板ａ
全体を別の樹脂ｅで被覆して形成されていた。し
かしながら、軟質シリコン樹脂は材料自体の熱膨
張係数が大きいため、急激な温度変化が連続的に
加わつた場合リード線が切断されたり、外装モー
ルド樹脂ｅとの接着性が弱く温度変化により外装
モールドがひび割れする等の不都合があつた。ま
た、エポキシ樹脂は、これとセラミツク基板の熱
膨張係数の差を補う弾力性が無いため、温度変化
の繰返しによりリード線ｃが切断する等の保都合
が存した。
本考案はかかる不都合の無い混成集積回路を提
供することをその目的としたもので、セラミツク
基板１上に配設されたリード線接続部品２及びリ
ード線３が無機質材料を含有する通気孔構造の合
成樹脂から成る第１封止層４と吸着剤粉末及び無
機質材料を含有する無気孔構造の合成樹脂から成
る第２封止層５とで順次被覆され、更に、その他
の部品６を搭載した基板全体が防湿性合成樹脂か
ら成る外装モールド７で被覆され、前記基板１、
第１封止層４、第２封止層５及び外装モールド７
各部の熱膨張係数は、前記基板１から順次増大す
るように選定され、隣接する各部の熱膨張係数の
間に大きな差がないようにされてなる。
供することをその目的としたもので、セラミツク
基板１上に配設されたリード線接続部品２及びリ
ード線３が無機質材料を含有する通気孔構造の合
成樹脂から成る第１封止層４と吸着剤粉末及び無
機質材料を含有する無気孔構造の合成樹脂から成
る第２封止層５とで順次被覆され、更に、その他
の部品６を搭載した基板全体が防湿性合成樹脂か
ら成る外装モールド７で被覆され、前記基板１、
第１封止層４、第２封止層５及び外装モールド７
各部の熱膨張係数は、前記基板１から順次増大す
るように選定され、隣接する各部の熱膨張係数の
間に大きな差がないようにされてなる。
第２図において、１はアルミナ等のセラミツク
基板で、該セラミツク基板１上には、リード線接
続部品２及びその他の部品６が搭載され、該部品
２と、該部品２の端子と基板１上の接続端子とを
接続するリード線３には第１封止層４及び第２封
止層５が順次被覆され、前記基板１全体には外装
モールド７が被覆されている。
基板で、該セラミツク基板１上には、リード線接
続部品２及びその他の部品６が搭載され、該部品
２と、該部品２の端子と基板１上の接続端子とを
接続するリード線３には第１封止層４及び第２封
止層５が順次被覆され、前記基板１全体には外装
モールド７が被覆されている。
前記第１封止層４は無機質材料を含有する通気
孔構造の合成樹脂から成り、その熱膨張係数は無
機質材料の量によりセラミツク基板のそれの1.5
以内としたものであり、樹脂としては溶剤性樹脂
が適する。
孔構造の合成樹脂から成り、その熱膨張係数は無
機質材料の量によりセラミツク基板のそれの1.5
以内としたものであり、樹脂としては溶剤性樹脂
が適する。
第２封止層５は吸着剤粉末及び無機質材料を含
有する無気泡構造の合成樹脂から成り、その熱膨
張係数は無機質材料の量により第１封止層４のそ
れの３倍以内とし、かつ外装モールド７のそれの
1/2以内としたものであり、樹脂として無溶剤性
樹脂が適する。この層５は熱膨張緩衝性と共に第
１封止層４を湿気から防護するものであり該層内
に浸入した湿気を吸着剤で吸収する。
有する無気泡構造の合成樹脂から成り、その熱膨
張係数は無機質材料の量により第１封止層４のそ
れの３倍以内とし、かつ外装モールド７のそれの
1/2以内としたものであり、樹脂として無溶剤性
樹脂が適する。この層５は熱膨張緩衝性と共に第
１封止層４を湿気から防護するものであり該層内
に浸入した湿気を吸着剤で吸収する。
前記外装モールド７は防湿性樹脂例えばエポキ
シ樹脂から成る。
シ樹脂から成る。
前記構成によれば、第１封止層４、第２封止層
５及び外装モールド７各部の熱膨張係数はセラミ
ツク基板１に対し順次増大するように選定され、
セラミツク基板１と第１封止層４等隣接する各部
の熱膨張係数の間に大きな差がないようにしてい
る。この熱膨張係数の調整は樹脂中にシリカ等の
無機質材料の量により行なつている。
５及び外装モールド７各部の熱膨張係数はセラミ
ツク基板１に対し順次増大するように選定され、
セラミツク基板１と第１封止層４等隣接する各部
の熱膨張係数の間に大きな差がないようにしてい
る。この熱膨張係数の調整は樹脂中にシリカ等の
無機質材料の量により行なつている。
かくして温度変化の著しい雰囲気に配置された
場合においてもリード線の断線が生ずることがな
く、また湿気によりIC等の部品の特性が劣化す
ることがない。
場合においてもリード線の断線が生ずることがな
く、また湿気によりIC等の部品の特性が劣化す
ることがない。
実施例
熱膨張係数が７×10-6／℃のアルミナ基板１上
に0.3mmφのリード線３としての金線で接続され
たICチツプ２と該リード線３とを埋没するよう
にシリカを85重量％混合して熱膨張係数が１×
10-5／℃付近に調整された溶剤性フエノール樹脂
で被覆し、150℃の温度で１時間焼付け第１封止
層４を形成した。
に0.3mmφのリード線３としての金線で接続され
たICチツプ２と該リード線３とを埋没するよう
にシリカを85重量％混合して熱膨張係数が１×
10-5／℃付近に調整された溶剤性フエノール樹脂
で被覆し、150℃の温度で１時間焼付け第１封止
層４を形成した。
次にアルミナ（40重量％）と活性炭（10重量
％）を混合して熱膨張係数が２〜３×10-5／℃に
調整されたエポキシ樹脂を第１封止層４上に塗布
し、100℃の温度で1.5時間焼付け、第２封止層５
を形成した。この焼付けの熱を利用して粉末エポ
キシ樹脂の中に基板を浸漬して樹脂を付着させ
150℃の温度で２時間焼付けて硬化させ３〜４×
10-5／℃の熱膨張係数の防湿モールド７を形成し
た。
％）を混合して熱膨張係数が２〜３×10-5／℃に
調整されたエポキシ樹脂を第１封止層４上に塗布
し、100℃の温度で1.5時間焼付け、第２封止層５
を形成した。この焼付けの熱を利用して粉末エポ
キシ樹脂の中に基板を浸漬して樹脂を付着させ
150℃の温度で２時間焼付けて硬化させ３〜４×
10-5／℃の熱膨張係数の防湿モールド７を形成し
た。
以上のように形成された製品を、125℃に熱し
たシリコンオイル中に10分間保持して取り出し直
ちに−50℃に保持した低温槽に10分間保持する温
度サイクルを繰り返し100回行なつても外装モー
ルドにクラツク及びリード線の断線が生じなかつ
た。
たシリコンオイル中に10分間保持して取り出し直
ちに−50℃に保持した低温槽に10分間保持する温
度サイクルを繰り返し100回行なつても外装モー
ルドにクラツク及びリード線の断線が生じなかつ
た。
尚、シリコン樹脂を用いた従来のものは、20サ
イクル終了時に約半数に外装クラツクが、約５％
に断線が生じた。エポキシ樹脂の場合同じく20サ
イクルで外装クラツクがなかつたが断線が約８％
生じた。
イクル終了時に約半数に外装クラツクが、約５％
に断線が生じた。エポキシ樹脂の場合同じく20サ
イクルで外装クラツクがなかつたが断線が約８％
生じた。
又、本考案品を２気圧、120℃の飽和蒸気中で
耐湿テストを行なつた結果、20時間のテストでは
異常がなかつた。これに対し従来のものは５時間
で絶縁劣化により半導体の電気特性に異常が発生
した。
耐湿テストを行なつた結果、20時間のテストでは
異常がなかつた。これに対し従来のものは５時間
で絶縁劣化により半導体の電気特性に異常が発生
した。
このように本考案によるときは、セラミツク基
板１、第１封止層４、第２封止層５及び外装モー
ルド７等の各部の熱膨張係数を前記基板１から順
次増大するように選定され、隣接する各部の熱膨
張係数の間に大きな差がないようにされたので、
温度変化が連続的に加わつてもリード線が切断さ
れたり、湿気による特性の劣化などが生じない等
の混成集積回路が得られる等の効果がある。
板１、第１封止層４、第２封止層５及び外装モー
ルド７等の各部の熱膨張係数を前記基板１から順
次増大するように選定され、隣接する各部の熱膨
張係数の間に大きな差がないようにされたので、
温度変化が連続的に加わつてもリード線が切断さ
れたり、湿気による特性の劣化などが生じない等
の混成集積回路が得られる等の効果がある。
第１図は従来のものの拡大された一部截断側面
図、第２図は本考案の１実施例の拡大された一部
截断側面図を示す。 １……セラミツク基板、２……リード線接続部
品、３……リード線、４……第１封止層、５……
第２封止層、６……その他の部品、７……外装モ
ールド。
図、第２図は本考案の１実施例の拡大された一部
截断側面図を示す。 １……セラミツク基板、２……リード線接続部
品、３……リード線、４……第１封止層、５……
第２封止層、６……その他の部品、７……外装モ
ールド。
Claims (1)
- セラミツク基板１上に配設されたリード線接続
部品２及びリード線３が無機質材料を含有する通
気孔構造の合成樹脂から成る第１封止層４と吸着
剤粉末及び無機質材料を含有する無気孔構造の合
成樹脂から成る第２封止層５とで順次被覆され、
更に、その他の部品６を搭載した基板全体が防湿
性合成樹脂から成る外装モールド７で被覆され、
前記基板１、第１封止層４、第２封止層５及び外
装モールド７各部の熱膨張係数は、前記基板１か
ら順次増大するように選定され、隣接する各部の
熱膨張係数の間に大きな差がないようにされてな
る混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17561682U JPS5981040U (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17561682U JPS5981040U (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981040U JPS5981040U (ja) | 1984-05-31 |
| JPS622778Y2 true JPS622778Y2 (ja) | 1987-01-22 |
Family
ID=30382024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17561682U Granted JPS5981040U (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981040U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2796043B2 (ja) * | 1993-07-30 | 1998-09-10 | 京セラ株式会社 | 電子部品 |
| JP2014116409A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Denso Corp | 電子装置 |
-
1982
- 1982-11-22 JP JP17561682U patent/JPS5981040U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5981040U (ja) | 1984-05-31 |
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