JPS6227397A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS6227397A JPS6227397A JP16665285A JP16665285A JPS6227397A JP S6227397 A JPS6227397 A JP S6227397A JP 16665285 A JP16665285 A JP 16665285A JP 16665285 A JP16665285 A JP 16665285A JP S6227397 A JPS6227397 A JP S6227397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- raw material
- melt
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、るつぼと加熱装置とを用い、該るつぼに結晶
原料を供給しつつ該加熱装置及び前記るつ１１の相対的
位置関係を連続的に変えることによって、該るつぼ内の
前記結晶原料の融液を下方から凝固させて単結晶を作製
する方法に関する。
原料を供給しつつ該加熱装置及び前記るつ１１の相対的
位置関係を連続的に変えることによって、該るつぼ内の
前記結晶原料の融液を下方から凝固させて単結晶を作製
する方法に関する。
以下余日
〈従来技術〉
上述の如き単結晶の作製法はブリッジマン法として知ら
れている。この方法で長尺の大型単結晶を作製する場合
には、長尺で大型のるつぼを用い。
れている。この方法で長尺の大型単結晶を作製する場合
には、長尺で大型のるつぼを用い。
せる。
具体的には、るつぼの中に一部装填した固体の結晶原料
を溶融し、所定の温度分布をもつ加熱炉内でるつぼを下
方に移動させることによって、るつぼ底部で生じた結晶
をもとに結晶を成長させ。
を溶融し、所定の温度分布をもつ加熱炉内でるつぼを下
方に移動させることによって、るつぼ底部で生じた結晶
をもとに結晶を成長させ。
他方、結晶の成長に合せて粉末状、顆粒状、あるいはペ
レット状等の固体結晶原料をるつぼに上方から供給する
ことによって単結晶を作製する。
レット状等の固体結晶原料をるつぼに上方から供給する
ことによって単結晶を作製する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながらこのように、るつぼ内に固体結晶原料を単
位時間当シ一定量ずつ連続的に添加しながら溶融させて
長尺の大型単結晶を製造する際に。
位時間当シ一定量ずつ連続的に添加しながら溶融させて
長尺の大型単結晶を製造する際に。
実際にはるつぼ材が溶出しやすく良質の単結晶が得られ
ない傾向があった。
ない傾向があった。
したがって本発明の目的は、均一な組成を有する長尺の
大型単結晶を製造する方法であって、かつ高品質の単結
晶を製造する方法を提供し、これによシ一つの単結晶か
ら得られる均一かつ所望の組成を有する単結晶素材の割
合を高めることによって該単結晶素材のコストの大幅な
低下を可能にすることにある。
大型単結晶を製造する方法であって、かつ高品質の単結
晶を製造する方法を提供し、これによシ一つの単結晶か
ら得られる均一かつ所望の組成を有する単結晶素材の割
合を高めることによって該単結晶素材のコストの大幅な
低下を可能にすることにある。
〈発明の構成〉
本発明によれば、るつぼと該るつぼ内の固体結晶原料を
融液にするための加熱装置とを用い、該加熱装置及び前
記るつぼの相対的位置関係を連続的に変えることによっ
て、該るつぼ内の前記結晶原料の融液を下方から凝固さ
せて単結晶を作製する方法において、前記るつぼを回転
しながら前記単結晶を成長させることを特徴とする単結
晶の製造方法が得られる。
融液にするための加熱装置とを用い、該加熱装置及び前
記るつぼの相対的位置関係を連続的に変えることによっ
て、該るつぼ内の前記結晶原料の融液を下方から凝固さ
せて単結晶を作製する方法において、前記るつぼを回転
しながら前記単結晶を成長させることを特徴とする単結
晶の製造方法が得られる。
〈実施例〉
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図を参照すると２本発明の一実施例による結晶製造
方法に用いる結晶製造装置が示されている。第１図にお
いて、ｌは加熱炉である。この加熱炉ｌは炉内上下方向
位置の中央部で最高温となシ、該中央部から上下方向に
離れるに従って温度が下がる温度分布を有している。加
熱炉１の最高温部は固１体の結晶原料を溶融して融液に
することができる温度である。
方法に用いる結晶製造装置が示されている。第１図にお
いて、ｌは加熱炉である。この加熱炉ｌは炉内上下方向
位置の中央部で最高温となシ、該中央部から上下方向に
離れるに従って温度が下がる温度分布を有している。加
熱炉１の最高温部は固１体の結晶原料を溶融して融液に
することができる温度である。
第１図の状態では、るつぼ２の中に融液３が入っており
、上述した温度分布をもった加熱炉１の中を、るつぼ２
を所定の速度で下方へ移動させることによって単結晶４
が成長しつつある。なお５はるつぼ支持具、６はるつぼ
を上下に移動するるつぼ移動機構である。この際、粉末
状、顆粒状あるいはペレット状の個体結晶原料７を、原
料供給機構８によって、単結晶４の成長速度に合せて供
給パイプ９を介してるつぼ２の中に、単位時間当シ一定
量ずつ連続的に供給する。そして。
、上述した温度分布をもった加熱炉１の中を、るつぼ２
を所定の速度で下方へ移動させることによって単結晶４
が成長しつつある。なお５はるつぼ支持具、６はるつぼ
を上下に移動するるつぼ移動機構である。この際、粉末
状、顆粒状あるいはペレット状の個体結晶原料７を、原
料供給機構８によって、単結晶４の成長速度に合せて供
給パイプ９を介してるつぼ２の中に、単位時間当シ一定
量ずつ連続的に供給する。そして。
本発明では２回転装置１０を設置し１回転を加える。
以下２本発明の実施例を、磁気ヘッド等の磁性材料とし
て使用されるＭｎ −Ｚｎフェライトの単結晶の育成を
例にとって説明する。
て使用されるＭｎ −Ｚｎフェライトの単結晶の育成を
例にとって説明する。
先ず２回転装置１０を使用しないでフェライト単結晶を
育成した場合について説明する。例えば。
育成した場合について説明する。例えば。
Ｍｎ −Ｚｎフェライトの溶融原料を単結晶に成長させ
ているとき、るつぼ材が溶出しやすい傾向があった。
ているとき、るつぼ材が溶出しやすい傾向があった。
次に２本発明による方法ではＭｎ −Ｚｎフェライト単
結晶を育成する場合について説明する。例えば、 Ｍｎ
−Ｚｎフェライトの溶融原料から単結晶に成長させて
いくときに９回転装置１０によシ乏つぼにたとえば２０
（ｒｐｍ ）の速さの回転を加えながら結晶成長を行
なう。以上のように育成したＭｎ −Ｚｎフェライト単
結晶は、るつぼ材の溶出のきわめて少ない高品質のもの
である。
結晶を育成する場合について説明する。例えば、 Ｍｎ
−Ｚｎフェライトの溶融原料から単結晶に成長させて
いくときに９回転装置１０によシ乏つぼにたとえば２０
（ｒｐｍ ）の速さの回転を加えながら結晶成長を行
なう。以上のように育成したＭｎ −Ｚｎフェライト単
結晶は、るつぼ材の溶出のきわめて少ない高品質のもの
である。
従って、これから得られるフェライト単結晶は。
高品質であシ、得られる均一かつ所望の組成あるいは磁
気特性を有するＭｎ −Ｚｎフェライト単結晶の割合は
、従来に比べて著しく高められ、磁気ヘッド材料として
使用する場合も、そのコストを大幅に低下できる。
気特性を有するＭｎ −Ｚｎフェライト単結晶の割合は
、従来に比べて著しく高められ、磁気ヘッド材料として
使用する場合も、そのコストを大幅に低下できる。
なおこのようにるつぼ材の溶出量に差が生じるのは、従
来のようにるつぼ２を回転させないでおくと径方向に温
度差が生じ、るつぼ２と融液３の接する部分の温度が内
部の温度より高くなってるつぼ材の溶出が起シ易くなる
のに対し２本発明のようにるつぼ２を回転させると内外
の温度差が小くなシ、るつぼ２と融液３の接する部分の
温度が内部温度以上には殆んど上らないので、るつぼ材
の溶出はきわめて少なくなるものと理解される。
来のようにるつぼ２を回転させないでおくと径方向に温
度差が生じ、るつぼ２と融液３の接する部分の温度が内
部の温度より高くなってるつぼ材の溶出が起シ易くなる
のに対し２本発明のようにるつぼ２を回転させると内外
の温度差が小くなシ、るつぼ２と融液３の接する部分の
温度が内部温度以上には殆んど上らないので、るつぼ材
の溶出はきわめて少なくなるものと理解される。
また２本発明はＭｎ −Ｚｎフェライト単結晶以外の単
結晶の製造に適用でき、上記同様の効果があるのはもち
ろんである。
結晶の製造に適用でき、上記同様の効果があるのはもち
ろんである。
〈発明の効果〉
以上、説明したように２本発明によれば、ブリッジマン
法で単結晶を製造するに際し、るつぼを回転しながら単
結晶成長を行なうことによシ均一な組成を有する長尺の
大型単結晶を製造することができ、かつ高品質の単結晶
を製造することができるので、単結晶素材のコストの大
幅な低下が可能となる。
法で単結晶を製造するに際し、るつぼを回転しながら単
結晶成長を行なうことによシ均一な組成を有する長尺の
大型単結晶を製造することができ、かつ高品質の単結晶
を製造することができるので、単結晶素材のコストの大
幅な低下が可能となる。
第１図は本発明の一実施例による単結晶製造方法に用い
る単結晶製造装置を示した断面図である。 記号の説明＝１は加熱炉、２はるつぼ、３は融液、４は
単結晶、５ばるつぼ支持具、６はるつぼ移動機構、７は
結晶原料、８は原料供給機構、９は供給・ぐイブ、１０
は回転装置をそれぞれあられしている。 第１図
る単結晶製造装置を示した断面図である。 記号の説明＝１は加熱炉、２はるつぼ、３は融液、４は
単結晶、５ばるつぼ支持具、６はるつぼ移動機構、７は
結晶原料、８は原料供給機構、９は供給・ぐイブ、１０
は回転装置をそれぞれあられしている。 第１図
Claims (1)
- １、るつぼと加熱装置とを用い、該加熱装置及び前記る
つぼの相対的位置関係を連続的に変えるとともに、その
速度に応じた量の原料を該るつぼに供給することによっ
て、該るつぼ内の前記結晶原料の融液を下方から凝固さ
せて単結晶を作製する方法において、前記るつぼを回転
しながら前記単結晶を成長させることを特徴とする単結
晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16665285A JPS6227397A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16665285A JPS6227397A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227397A true JPS6227397A (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=15835233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16665285A Pending JPS6227397A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6227397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012111669A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| JP2012111670A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16665285A patent/JPS6227397A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012111669A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| JP2012111670A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6227397A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH01252595A (ja) | 単結晶の製造方法及び装置 | |
| JPS60191087A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置 | |
| JPS6136192A (ja) | 単結晶製造用るつぼ | |
| JPS62128995A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2831906B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JPS61242981A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| KR0130403B1 (ko) | TZM 방식에 의한 BiCaSrCuO 초전도체의 단결정 제조방법 | |
| JPS6177694A (ja) | 均一な組成の単結晶製造方法 | |
| JPS61286293A (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPS61155286A (ja) | 単結晶育成装置 | |
| JPH0421594A (ja) | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶の製造方法 | |
| JPS61236681A (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JPS6114191A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH06279174A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPH05279188A (ja) | ルチル単結晶の育成方法 | |
| JPH0777993B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| JP3010848B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS5964587A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS55140792A (en) | Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal | |
| JPH02221180A (ja) | 単結晶育成装置 | |
| JPH01242480A (ja) | 単結晶の製造装置 | |
| JPH04149098A (ja) | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶製造方法 | |
| JP2004091222A (ja) | 酸化物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH0238558B2 (ja) | Tanketsushonoseizohoho |