JPS62273543A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents

フオトマスクの製造方法

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JPS62273543A
JPS62273543A JP61117932A JP11793286A JPS62273543A JP S62273543 A JPS62273543 A JP S62273543A JP 61117932 A JP61117932 A JP 61117932A JP 11793286 A JP11793286 A JP 11793286A JP S62273543 A JPS62273543 A JP S62273543A
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JP
Japan
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thin film
resist
film
photomask
mask
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JP61117932A
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JPH0549213B2 (ja
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Junji Hirokane
順司 広兼
Junichi Wadokoro
和所　純一
Tomoyuki Miyake
知之 三宅
Tetsuya Inui
哲也 乾
Kazuo Ban
和夫 伴
Kenji Oota
賢司 太田
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Priority to DE3752197T priority patent/DE3752197T2/de
Priority to US07/019,704 priority patent/US5087535A/en
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 本発明は、光露光方式におけるフォトマスクの製造方法
に関する。
〈従来の技術〉 従来のフォトマスク製造工程は、第４図（ａ）〜（ｅ）
に示す工程からなる。マスク基板Ｉに、Ｏｒなどの光を
通過させない薄膜２を蒸着、スパッタリングなどで付着
しく第４図（ａ））、上記薄膜２上にレジスト膜３を塗
布する（第４図（ｂ））。次に、上記レジスト膜３を露
光・現像してレジストパターン４を形成する（第４図（
Ｃ））。次に薄膜２をエツチングしく第４図（ｄ））、
最後にレジスト膜３を除去して、マスクパターン５を有
するフォトマスクを形成する（第４図（ｅ））。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、近年マスクパターンの微細化にと乙ない、従来
の方法により製造されたフォトマスクでは洗浄工程など
でマスクパターンのはく離により欠陥が発生し易いとい
う欠点が生じる。
本発明の目的は、マスクパターンのはく離などの欠陥が
発生り一錐い信頼性の高いし寿命なフ〕−トマスクを提
供することにある。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明に係るフォトマスクの製造方法は、マスク基板上
にドライエツチングの工程で等方性エツチングが進行す
る第１薄膜を付着し、次に、レジスト膜を被覆し、次に
、該レジスト膜に微細パターンを露光・現像し、次に、
レジストパターンの被覆状態でマスク基板をドライエツ
チングし、レジストパターンの被覆されていない部分に
溝を形成し、次に、光を通過させない第２薄膜を付着し
、次に、レジストパターン部分に付着した第２薄膜をレ
ジスト膜と共に除去し、次に、薄膜を除去するか又は第
１薄膜と共にレジスト膜ごと除去する工程を有すること
を特徴とする。
く作　用〉 本発明に係るフォトマスクは、マスク基板中に溝を形成
し、そこにマスクパターンを形成する。
マスクパターン用の溝は、ドライエツチング工程により
形成される。マスクパターン用のレジスタパターンは、
ドライエツチング工程で等方的にエツチングが進行する
第１薄膜の上に形成される。したがって、第１薄膜はド
ライエツチング工程でサイドエツチングが生じ、このた
め、レジスト膜等は容易に除去でき、マスクパターンの
精度は高い。
゛〈実施例〉 以下、本発明に係るフォトマスクの製造方法の実施例を
図面を用いて詳細に説明する。
第１図（ａ）〜Ｃｒ）は、本発明に係るフォトマスクの
製造方法を工程順に示す説明図である。
工程（ｉ）・・・石英またはガラスなどのマスク基板ｌ
の上に、ドライエツチングで等方性エツチングが進行す
る性質を有する薄膜６（Ｓｉ、Ｍｏ、５ｆ３Ｎ４等）を
蒸着、スパッタリングなどにより付着する（第１図（ａ
））。
工程（ｉｉ）・・・次に、その上にレジスト膜３を塗布
する（第１図（ｂ））。
工程（ｉｉｉ）・・・上記レジスト膜３に電子線または
レーザー光などを用いて露光を行い、現像工程を通して
レジストパターン４を形成する（第１図（Ｃ））。
工程（ｉｖ）・・・上記レジストパターン４の被覆状態
においてドライエツチングを行ない、レジストパターン
４．４．・・・の間にｐｌａ。
ｌａ、・・・を形成する（第１図（ｄ））。この時、薄
膜６は等方性エツチングが進行するためサンドエツチン
グ部分８，８．・・・が発生し、石英、ガラスなどのマ
スク基板ｌは異方性エツチングが進行するためサンドエ
ツチングが発生しない。
工程（ｖ）・・・次に、レジストパターン４の被覆状態
で紫外線などの光を通過させないＣｒ・Ｔａ等の薄膜２
を蒸着、スパッタリングなどにより付着する（第１図（
ｅ））。
工程（ｖｉ）・・・最後に、レジスト４の部分に付着し
た薄膜２をレジストパターン４と共にはく離して、その
後薄膜６を除去するか又は薄膜６を除去することでレジ
ストパターン４と共ににはく離して、マスクパターン５
を有するフォトマスクを形成する（第１図（ｆ））。
次に第２図（ａ）、　（ｂ）に、それぞれ、薄膜６を設
けずＭｌａ、ｌａ、・・・を形成した場合と薄膜６を設
けて溝を形成した場合に、Ｃｒ−Ｔａ等の薄膜２を付着
した状態での一部断面を示す。
同図（ａ）は薄膜６がない場合を示す。工程（ｉｖ）で
石英、ガラス等のマスク基板では異方性エツチングが進
行するため、薄膜２が側壁部７を覆ってしまい、レジス
ト部分に付着した薄膜２をはく離することが困難となる
。
同図（ｂ）は薄膜６がある場合を示す。工程（ｉｖ）で
石英、ガラス等のマスク基板は異方性エツチングが進行
するが、薄膜６は等方性エツチングが進行するためサン
ドエツチング部分８が形成される。
このため、薄膜２を付着した時このサンドエツチング部
分８で不連続な部分が発生し、レジストパターン４の部
分の薄膜２は、レジスト膜３をはく離するか薄膜６を除
去することで簡単にはく離することができる。また、マ
スク基板は、異方性エツチングが進行しているため、マ
スクパターン５の寸法は精度良く形成される。
次に第３図（ａ）、　（ｂ）に、それぞれ、従来方式に
より製造されたフォトマスクと本発明による方式で製造
されたフォトマスクの一部断面を示す。
同図（ａ）は、従来方式で製造されたフォトマスクの一
部断面図である。この場合、外部との接触面９はマスク
パターン５の表面上にあり、洗浄などによる外力は直接
マスクパターン５に影響し、一部でマスクパターン５が
はく離してしまう。
同図（ｂ）は、本発明による方式で製造されたフォトマ
スクの一部断面図である。この場合、外部との接触面９
がマスク基板ｌの表面にあり、洗浄などによる外力はマ
スク基板表面に吸収されて、マスクパターン５は非常に
はく離し難くなる。
〈発明の効果〉 本発明によれば、マスクパターンのはく離が発生し難く
、信頼性の高い、長寿命なフォトマスクを提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例のフォトマス
クの製造工程を順次示す説明図である。 第２図（ａ）、　（ｂ）は、それぞれ、フォトマスクの
製造工程途中の溝形状を示す説明図である。 第３図（ａ）、　（ｂ）は、従来方式と本発明方式でそ
れぞれ製造されたフォトマスクの一部断面図面である。 第４図（ａ）〜（ｅ）は、従来のフォトマスクの製造工
程を順次示す説明図である。 ！・・・マスク基板、 ２・・・光を通過させない第２薄膜、 ３・・・レジスト膜、 ４・・・レジストパターン、 ５・・・マスクパターン、 ６・・・等方性エツチングが進行する第１薄膜、８・・
・サンドエツチング部分。 特許出願人　　　　　シャープ株式会社代　　理　　人
　弁理士　青白　葆ほか２名第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）マスク基板上にドライエッチングの工程で等方性
    エッチングが進行する第１薄膜を付着し、次に、レジス
    ト膜を被覆し、 次に、該レジスト膜に微細パターンを露光・現像し、 次に、レジストパターンの被覆状態でマスク基板をドラ
    イエッチングし、レジストパターンの被覆されていない
    部分に溝を形成し、 次に、光を通過させない第２薄膜を付着し、次に、レジ
    ストパターン部分に付着した第２薄膜をレジスト膜と共
    に除去し、 次に、薄膜を除去するか又は第１薄膜と共にレジスト膜
    ごと除去する工程を有することを特徴とするフォトマス
    クの製造方法。
JP61117932A 1986-02-28 1986-05-21 フオトマスクの製造方法 Granted JPS62273543A (ja)

Priority Applications (8)

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JP61117932A JPS62273543A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 フオトマスクの製造方法
CA000530396A CA1313792C (en) 1986-02-28 1987-02-23 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
DE3789881T DE3789881T2 (de) 1986-02-28 1987-02-24 Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske.
EP92120246A EP0533217B1 (en) 1986-02-28 1987-02-24 Photo-mask and method of production thereof
EP87102561A EP0234547B1 (en) 1986-02-28 1987-02-24 Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby
DE3752197T DE3752197T2 (de) 1986-02-28 1987-02-24 Photomaske und Herstellungsverfahren dafür
US07/019,704 US5087535A (en) 1986-02-28 1987-02-27 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby
US07/684,680 US5457006A (en) 1986-02-28 1991-03-29 Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62231959A (ja) * 1986-04-01 1987-10-12 Sharp Corp フオトマスクの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62231959A (ja) * 1986-04-01 1987-10-12 Sharp Corp フオトマスクの製造方法

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JPH0549213B2 (ja) 1993-07-23

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