JPS62263973A - 金属薄膜とその製造方法 - Google Patents
金属薄膜とその製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
-
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/145—Radiation by charged particles, e.g. electron beams or ion irradiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、特に微細なパターンを形成するためのＸ線
リソグラフィ等の分野に適合し、高精度に製作されたＸ
線マスクとその製作および修正方法に関する。
リソグラフィ等の分野に適合し、高精度に製作されたＸ
線マスクとその製作および修正方法に関する。
（従来の技術）
半導体素子が微細化されるにつれその製造プロセスには
光りソグラフィに代わってＸ線リソグラフィが用いられ
る可能性が高まっている。微細化が用いる光の波長程麿
で限定されるためで、可視光に比し波長が数自分の−の
軟Ｘ線が注目されるわけである。このような波長領域で
はレンズが使用出来ない。光りソグラフィでは半導体上
パターンの５倍又は１０倍のパターンを有するマスクを
用い、これをレンズを用いて縮小することが出来るため
マスクパターンの精度は緩やかでも良い。
光りソグラフィに代わってＸ線リソグラフィが用いられ
る可能性が高まっている。微細化が用いる光の波長程麿
で限定されるためで、可視光に比し波長が数自分の−の
軟Ｘ線が注目されるわけである。このような波長領域で
はレンズが使用出来ない。光りソグラフィでは半導体上
パターンの５倍又は１０倍のパターンを有するマスクを
用い、これをレンズを用いて縮小することが出来るため
マスクパターンの精度は緩やかでも良い。
しかし軟Ｘ線リングラフィでは上記の理由で５倍、１０
倍マスクが使用出来ず、１：１等倍マスクを使用する。
倍マスクが使用出来ず、１：１等倍マスクを使用する。
従って等化マスクパターンは最小線幅の数分の−の精度
が要求される。
が要求される。
ところで軟Ｘ線リソグラフィで用いられるマスクの一般
的構造と製造法は次のようなものである。シリコンウェ
ハの表面に低原子番号の元素から成る無機薄膜を被着形
成する。これは後述のＸ線吸収体のマスクパターンを保
持する基板となるもので、ＣＶＯ法によるＢＮ、ＳｉＮ
、ＳＩＯユ等である。無機膜の代わりにポリイミド膜や
これらの多層膜も用いられる。次にＸ線吸収体のパター
ンをこの保持薄膜上に形成刃る。吸収体には原子番号が
大きく、化学的に安定な材料としてＡｕ。
的構造と製造法は次のようなものである。シリコンウェ
ハの表面に低原子番号の元素から成る無機薄膜を被着形
成する。これは後述のＸ線吸収体のマスクパターンを保
持する基板となるもので、ＣＶＯ法によるＢＮ、ＳｉＮ
、ＳＩＯユ等である。無機膜の代わりにポリイミド膜や
これらの多層膜も用いられる。次にＸ線吸収体のパター
ンをこの保持薄膜上に形成刃る。吸収体には原子番号が
大きく、化学的に安定な材料としてＡｕ。
Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ等が用いられる。就中Ａｕは最も広く用
いられている。これら吸収体パターンは二 一種類の方
法で製作されている。第一の方法では保持薄膜上にＡｕ
との付着を良くするためＣｒ又はＴｉ等を５０＝１００
人蒸着、その上にメッキ用下地としてＡｕを５０−１０
０尺蒸着する。レジストを塗布、電子ビーム露光により
レジストを微細加工し、前記Ａｕｇ膜までの開孔を形成
する。
いられている。これら吸収体パターンは二 一種類の方
法で製作されている。第一の方法では保持薄膜上にＡｕ
との付着を良くするためＣｒ又はＴｉ等を５０＝１００
人蒸着、その上にメッキ用下地としてＡｕを５０−１０
０尺蒸着する。レジストを塗布、電子ビーム露光により
レジストを微細加工し、前記Ａｕｇ膜までの開孔を形成
する。
次にこのＡｕｇ膜を陰極としてＡＬＪのメッキを行う。
Ａｕは上記レジストの開孔のみにメッキされる。０．５
μｍ前後の厚さにメッキ層を成長した後、レジストを除
去、レジメ１〜下の薄いＡＵ／（Ｃｒ、Ｔｉ）膜を希王
水等で除去する。最終的には保持薄膜下の３ｉウエハを
中心部のみ裏面よりエッヂし、保持薄膜のみとする。こ
れにより。
μｍ前後の厚さにメッキ層を成長した後、レジストを除
去、レジメ１〜下の薄いＡＵ／（Ｃｒ、Ｔｉ）膜を希王
水等で除去する。最終的には保持薄膜下の３ｉウエハを
中心部のみ裏面よりエッヂし、保持薄膜のみとする。こ
れにより。
可視光と軟Ｘ線に透明な薄膜上に形成したＡｕパターン
を持つＸ線マスクが得られる。次に第二の一２＝ パターン形成Ｖ、では、上記の保持薄膜上に、ＡＬＪ、
ｐｔ、丁ａ、Ｗ等を吸収体に必要な厚さに一面に堆積し
た復、エツチングにより吸収体パターンを形成するもの
である。吸収体がＡＩＪの場合では、先づ５０−１００
人のＣｒ又はＴｉ膜を蒸着。
を持つＸ線マスクが得られる。次に第二の一２＝ パターン形成Ｖ、では、上記の保持薄膜上に、ＡＬＪ、
ｐｔ、丁ａ、Ｗ等を吸収体に必要な厚さに一面に堆積し
た復、エツチングにより吸収体パターンを形成するもの
である。吸収体がＡＩＪの場合では、先づ５０−１００
人のＣｒ又はＴｉ膜を蒸着。
この上にＡＵを０．５μｍ程度堆積する。次にＴａを０
．１−０．２μｍ厚さに電子ビーム蒸もする。レジスト
を塗布、電子ビーム露光でパターンを形成した後、この
レジストをマスクとしてＣＢｒＦ３等のガスによるＲＩ
Ｅで］ａをエッヂし、Ｔａにパターンを形成１次いでＴ
ａをマスクとしてＡｒイオンエツチングによりＡＵにパ
ターンを形成する。貝−の後、中心パターン部の３ｉを
裏面よりエッチしてマスクが完成する。
．１−０．２μｍ厚さに電子ビーム蒸もする。レジスト
を塗布、電子ビーム露光でパターンを形成した後、この
レジストをマスクとしてＣＢｒＦ３等のガスによるＲＩ
Ｅで］ａをエッヂし、Ｔａにパターンを形成１次いでＴ
ａをマスクとしてＡｒイオンエツチングによりＡＵにパ
ターンを形成する。貝−の後、中心パターン部の３ｉを
裏面よりエッチしてマスクが完成する。
このようにして作られたＸ線マスクの吸収体では全面積
に亙って完全でなく、欠陥が存在する。
に亙って完全でなく、欠陥が存在する。
例えばメッキ法によるＡｕパターンの場合、レジスト開
孔が一部で大きすぎたり余分なピンホールがあるとＡｕ
寸法が大きくなり又は不必要なＡＬＪが付着する。この
ような欠陥に対しては集束イオンビームのスパッタリン
グ機能を利用して余分な吸収パターンを除去出来る。反
対に、パターンの欠落部分を修正する場合は簡単でない
。同じく集束イオンビームを用い、高真空のイオンビー
ム室と試料室を分離し、イオンビーム通過のための小孔
を設けてイオンビームを試料室に導入する。試料室には
王ａ堆積用にはＴａ （ＱＣ！２Ｈ，＞、。
孔が一部で大きすぎたり余分なピンホールがあるとＡｕ
寸法が大きくなり又は不必要なＡＬＪが付着する。この
ような欠陥に対しては集束イオンビームのスパッタリン
グ機能を利用して余分な吸収パターンを除去出来る。反
対に、パターンの欠落部分を修正する場合は簡単でない
。同じく集束イオンビームを用い、高真空のイオンビー
ム室と試料室を分離し、イオンビーム通過のための小孔
を設けてイオンビームを試料室に導入する。試料室には
王ａ堆積用にはＴａ （ＱＣ！２Ｈ，＞、。
Ｗ堆積にはＷＦ６の減圧ガスを流し、堆積させるべき箇
所にビームを整合させ、照射すると、ガス分子が吸着し
イオンにより分解してＴａ、Ｗが堆積して行く。しかし
このような方法では小孔といえども高真空室側へ使用ガ
スの流入がある。又。
所にビームを整合させ、照射すると、ガス分子が吸着し
イオンにより分解してＴａ、Ｗが堆積して行く。しかし
このような方法では小孔といえども高真空室側へ使用ガ
スの流入がある。又。
化学的に安定なＡＬＪヤＰｔによる修正では常温で気体
の分子化合物がないことから不可能である。
の分子化合物がないことから不可能である。
（発明が解決しようとする問題点）
以上を整理すると、従来法によるＸ線マスクとその製造
法においては、近接効果等で微細加工に問題のある電子
ビーム露光によるレジストプロセスをメッキ法又はＲＩ
Ｅと組合せる複雑なものであり、吸収パターンの欠落欠
陥修正に対しては。
法においては、近接効果等で微細加工に問題のある電子
ビーム露光によるレジストプロセスをメッキ法又はＲＩ
Ｅと組合せる複雑なものであり、吸収パターンの欠落欠
陥修正に対しては。
−５＝
Ａｕ、ｐｔの直接堆積方法が存在しなかったということ
が出来る。本発明の目的は、マスク製作においては上記
の組合せを必要とすることなく直接吸収体パターンが得
られ、又、吸収体欠落欠陥部に直接Ａｕ、Ｐｔ等を堆積
出来る方法により、高精度のＸ線マスク等を提供するこ
とである。
が出来る。本発明の目的は、マスク製作においては上記
の組合せを必要とすることなく直接吸収体パターンが得
られ、又、吸収体欠落欠陥部に直接Ａｕ、Ｐｔ等を堆積
出来る方法により、高精度のＸ線マスク等を提供するこ
とである。
［発明の構成］
（問題点を解決するだめの手段）
本発明においＴは、ｂｒｉｃ］ｈｔ ｇｏｌｄと称さ
れる。テルペン類と硫黄の誘導体と金（又は白金）塩の
化合物（以下有機金又は有機白金と略称）の薄膜を基板
上に形成し、真空中でイオンビーム照射により分解、非
金属成分を蒸発せしめ。
れる。テルペン類と硫黄の誘導体と金（又は白金）塩の
化合物（以下有機金又は有機白金と略称）の薄膜を基板
上に形成し、真空中でイオンビーム照射により分解、非
金属成分を蒸発せしめ。
金（又は白金）のみを残置し、未照射薄膜を除去するこ
とにより基板上に金（又は白金）膜を形成する。平行イ
オンビームを、マスクを通過せしめて断面をパターン化
して照射するか、又はいわゆる液体金属イオン源から得
られる集束イオンビームを用いて描画照射することによ
り金等の微細パターンが得られる。Ｘ線マスク吸収体の
欠落欠陥６一 修正においては上記有機金薄膜をＸ線マスクに塗イＦし
た後、欠落部分のみを集束イオンビームで照射、金等を
析出せしめて修復し、後に余分な薄膜を溶解除去する。
とにより基板上に金（又は白金）膜を形成する。平行イ
オンビームを、マスクを通過せしめて断面をパターン化
して照射するか、又はいわゆる液体金属イオン源から得
られる集束イオンビームを用いて描画照射することによ
り金等の微細パターンが得られる。Ｘ線マスク吸収体の
欠落欠陥６一 修正においては上記有機金薄膜をＸ線マスクに塗イＦし
た後、欠落部分のみを集束イオンビームで照射、金等を
析出せしめて修復し、後に余分な薄膜を溶解除去する。
（作用）
テルペン類と硫黄の誘脅体と金（又は白金）塩の化合物
すなはちｂｒｒｇｈｔ ｇｏｌｄはセラミックス等に
塗布して薄膜状とじ７００−８００℃で加熱することに
より金（白金）以外の軽元素が蒸発し、金（白金）の薄
膜か残留することか知られでいるがこの有機金（白金）
薄膜を真空中でイオンビーム照射することによっても同
様の効果かあることを見出した。イオンビームはその加
速電圧により薄膜中への到達距離１が決まるため、Ｎ膜
厚さに必要な加速電圧て照射することにより。
すなはちｂｒｒｇｈｔ ｇｏｌｄはセラミックス等に
塗布して薄膜状とじ７００−８００℃で加熱することに
より金（白金）以外の軽元素が蒸発し、金（白金）の薄
膜か残留することか知られでいるがこの有機金（白金）
薄膜を真空中でイオンビーム照射することによっても同
様の効果かあることを見出した。イオンビームはその加
速電圧により薄膜中への到達距離１が決まるため、Ｎ膜
厚さに必要な加速電圧て照射することにより。
基板との界面まで有機薄膜を金（白金）薄膜に変化させ
、非照射部有機薄膜を溶剤で除去する際にも金属膜を残
置せしめ得る。
、非照射部有機薄膜を溶剤で除去する際にも金属膜を残
置せしめ得る。
（実施例）
（Ｉ）２インチ径の３ｉウエハ上に１μｍ厚の低引張応
力を右するＳｉＮ膜を形成、この上に溶剤で希釈したｂ
ｒｉｇｈｔ ｇｏｌｄを、リソグラフィに用いるレジ
ストのように回転塗布し、乾燥する。乾燥を促進するた
め８０’０．２０分程度、窒素ガス中に保っても良い。
力を右するＳｉＮ膜を形成、この上に溶剤で希釈したｂ
ｒｉｇｈｔ ｇｏｌｄを、リソグラフィに用いるレジ
ストのように回転塗布し、乾燥する。乾燥を促進するた
め８０’０．２０分程度、窒素ガス中に保っても良い。
約０．５μｍ厚の均一な有機金薄膜が得られた。これを
集束イオンビーム装置に入れ、ｌＸ１０−’Ｐａの真空
で。
集束イオンビーム装置に入れ、ｌＸ１０−’Ｐａの真空
で。
Ｇａ イオノビームを１８０ｋＶの加速電圧で照射し
た。ビーム径は０．５μｍ、ビーム電流は８Ｘ１０”△
であった。線ドーズは１．５ＸＩＣ５’１ｏｎｓ／ｃｍ
にイｊるようビームを走査した。トルエンやトリクロル
エチレン等の溶剤で未照剣有ａ薄膜を溶解除去した結果
、ＳｉＮ上に巾０．５μｍ、高さ０．２７μｍの金の細
線パターンが形成されたことが分った。Ｓｉウェハの中
心を２０ｍｍ直径の円状に央面よりエツチングで取り去
り、Ｘ線マスクとし、この金パターン側を、他の３ｉウ
エハに塗イロしたレジメ１〜と２０μｍｌし。
た。ビーム径は０．５μｍ、ビーム電流は８Ｘ１０”△
であった。線ドーズは１．５ＸＩＣ５’１ｏｎｓ／ｃｍ
にイｊるようビームを走査した。トルエンやトリクロル
エチレン等の溶剤で未照剣有ａ薄膜を溶解除去した結果
、ＳｉＮ上に巾０．５μｍ、高さ０．２７μｍの金の細
線パターンが形成されたことが分った。Ｓｉウェハの中
心を２０ｍｍ直径の円状に央面よりエツチングで取り去
り、Ｘ線マスクとし、この金パターン側を、他の３ｉウ
エハに塗イロしたレジメ１〜と２０μｍｌし。
パターン側より軟Ｘ線を照射、レジストを露光。
現像した結果、０．５μｍのｌ］のレジストパターンが
Ｉｆられた。細線パターン、大面積パターン共、電子ビ
ーム露光時の近接効果はなかった。
Ｉｆられた。細線パターン、大面積パターン共、電子ビ
ーム露光時の近接効果はなかった。
（２）同じ＜Ｓｉウェハ上のＳｉＮ膜上にメッキ法で形
成した金のマスクパターンを電子ビームにより検査した
所、メッキ液中のゴミによると考えられる線状部の欠落
があった。０．４μｍ厚。
成した金のマスクパターンを電子ビームにより検査した
所、メッキ液中のゴミによると考えられる線状部の欠落
があった。０．４μｍ厚。
０．５μｍ巾の金線が１．５μｍ長さに亙り欠損してい
た。有機金薄膜を０．７５μｍマスク上に塗布、検査時
のデータを基に、集束イオノビームを欠陥部分に照射し
た。Ｂ“ビームを１５０ｋＶの加速電圧、８Ｘ１０
Ａの電流で照射した。
た。有機金薄膜を０．７５μｍマスク上に塗布、検査時
のデータを基に、集束イオノビームを欠陥部分に照射し
た。Ｂ“ビームを１５０ｋＶの加速電圧、８Ｘ１０
Ａの電流で照射した。
ｔｊ−ム径は０．２５μｍ、Ｆ−ズは３Ｘ１０”１ｏｎ
ｓ／ｃｍ″であった。有機膜除去後の検査では欠陥部分
は完全に金線で埋められていた。
ｓ／ｃｍ″であった。有機膜除去後の検査では欠陥部分
は完全に金線で埋められていた。
（３）同じ＜Ｓｉウェハ上にＢＮ膜、有機ポリイミド膜
の複合膜上に有機白金薄膜を０．８μｍ、回転塗布した
。平行Ｈｅ＋ビームを、ｓｉ薄膜に形成したイオンビー
ム用チャネリングマスクを通して有機白金膜にパターン
照射した。加速電圧は７０ｋＶおよび１５０ｋＶとし、
各加速電圧で２Ｘ１０ ／ｃｍ′Ｌの１−１０ を照
ｍ Ｌ タ。溶剤で未照射部分を溶解除去し、約０．４
５μｍ厚のＰｔパターンを得た。
の複合膜上に有機白金薄膜を０．８μｍ、回転塗布した
。平行Ｈｅ＋ビームを、ｓｉ薄膜に形成したイオンビー
ム用チャネリングマスクを通して有機白金膜にパターン
照射した。加速電圧は７０ｋＶおよび１５０ｋＶとし、
各加速電圧で２Ｘ１０ ／ｃｍ′Ｌの１−１０ を照
ｍ Ｌ タ。溶剤で未照射部分を溶解除去し、約０．４
５μｍ厚のＰｔパターンを得た。
［発明の効果１
以上のようにこの発明は、電子ビーム露光にょるレジス
ｌ〜プロセスを要しない簡便にして優れた寸法精度を右
するＸ線マスクの製作法であり、又、Ｘ線マスクの欠落
欠陥を修正する優れた方法と言い得る。
ｌ〜プロセスを要しない簡便にして優れた寸法精度を右
するＸ線マスクの製作法であり、又、Ｘ線マスクの欠落
欠陥を修正する優れた方法と言い得る。
イオノビーム照射箇所で金（又は白金）中に若干の有機
膜構成物質を含有する場合があるが、非照射部を取除い
た後、７００−８００℃等の熱処理をしても良い。ＡＬ
Ｊ、ｐｔｔｊ；ｔ：ＳｉＮ、ＳｉＯ。
膜構成物質を含有する場合があるが、非照射部を取除い
た後、７００−８００℃等の熱処理をしても良い。ＡＬ
Ｊ、ｐｔｔｊ；ｔ：ＳｉＮ、ＳｉＯ。
との付着力が弱いので有機金（白金）膜を塗布する前に
メッキ法等でよく行われるようにＣｒ又は王ｉとＡｕ
（Ｐｔ）を夫々４０−１００人蒸着し、本発明により金
（白金）パターン形成後、わづかなエツチング工程で不
要部分のこの金属薄膜を除去すれば良い。本文ではＸ線
マスクの吸収体パターン形成につき説明したが、金、白
金は金属中＝１０− でも良導電体であり１本発明により微小配線を形成する
ことが出来る。更に２例えば金は他の元素と共晶合金を
容易に作るため接着材料としても用いられるので接着用
金薄膜の形成に本発明を利用することができる。
メッキ法等でよく行われるようにＣｒ又は王ｉとＡｕ
（Ｐｔ）を夫々４０−１００人蒸着し、本発明により金
（白金）パターン形成後、わづかなエツチング工程で不
要部分のこの金属薄膜を除去すれば良い。本文ではＸ線
マスクの吸収体パターン形成につき説明したが、金、白
金は金属中＝１０− でも良導電体であり１本発明により微小配線を形成する
ことが出来る。更に２例えば金は他の元素と共晶合金を
容易に作るため接着材料としても用いられるので接着用
金薄膜の形成に本発明を利用することができる。
第１図ａは本発明によるＸ線マスク製作を示す図、ｂは
Ｘ線マスクの構成図、第２図ａは本発明によるＸ線マス
クの欠落欠陥修正を示す図、ｂは同じ〈従来法を示す図
である。 １・・・シリコンウェハ。２・・・保持基板ＳｉＮ。 ３・・・集束イオンビーム。 ４・・・有機金（白金）薄膜。 ５・・・イオンビーム照射分解の金（白金）薄膜。 ６・・・金（白金）薄膜。７・・・高真空側。 ８・・・小孔。９・・・ＷＦ６等の低圧ガス。 １０・・・イオンビーム照射分解の王ａ （Ｗ）薄膜。 大村へ通 す 第 １ 図
Ｘ線マスクの構成図、第２図ａは本発明によるＸ線マス
クの欠落欠陥修正を示す図、ｂは同じ〈従来法を示す図
である。 １・・・シリコンウェハ。２・・・保持基板ＳｉＮ。 ３・・・集束イオンビーム。 ４・・・有機金（白金）薄膜。 ５・・・イオンビーム照射分解の金（白金）薄膜。 ６・・・金（白金）薄膜。７・・・高真空側。 ８・・・小孔。９・・・ＷＦ６等の低圧ガス。 １０・・・イオンビーム照射分解の王ａ （Ｗ）薄膜。 大村へ通 す 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ I ）基板上に形成せる有機金属薄膜に加速せる荷電
粒子ビームを照射し該有機金属を分解せしめ、金属を残
留せしめた金属薄膜とその製造方法。 （II）金属をＡｕあるいはＰｔとする第（ I ）項記載
の金属薄膜とその製造方法。 （III）荷電粒子をイオンとする第（ I ）項記載の金属
薄膜とその製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61103816A JPS62263973A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 金属薄膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61103816A JPS62263973A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 金属薄膜とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62263973A true JPS62263973A (ja) | 1987-11-16 |
Family
ID=14363932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61103816A Pending JPS62263973A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 金属薄膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62263973A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534312A (en) * | 1994-11-14 | 1996-07-09 | Simon Fraser University | Method for directly depositing metal containing patterned films |
| US6599587B2 (en) | 2001-09-11 | 2003-07-29 | Samsung Eleectronics Co., Ltd. | Organometallic precursor for forming metal pattern and method of forming metal pattern using the same |
| US6774034B2 (en) | 2002-04-30 | 2004-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd | Organometallic precursor for forming metal pattern and method of forming metal pattern using the same |
| US6965045B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic metal precursor for use in forming metal containing patterned films |
| US7014979B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic precursor mixture for forming metal alloy pattern and method of forming metal alloy pattern using the same |
| US7033738B2 (en) | 2002-01-03 | 2006-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process of forming a micro-pattern of a metal or a metal oxide |
| FR2900765A1 (fr) * | 2006-05-04 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une grille de transistor comprenant une decomposition d'un materiau precurseur en au moins un materiau metallique, a l'aide d'au moins un faisceau d'electrons |
| JP2009519594A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射リソグラフィーマスクの製造方法および前記方法により得られるマスク |
| US7883838B2 (en) | 2002-11-25 | 2011-02-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic composition for forming a metal alloy pattern and a method of forming such a pattern using the composition |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61103816A patent/JPS62263973A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534312A (en) * | 1994-11-14 | 1996-07-09 | Simon Fraser University | Method for directly depositing metal containing patterned films |
| US6599587B2 (en) | 2001-09-11 | 2003-07-29 | Samsung Eleectronics Co., Ltd. | Organometallic precursor for forming metal pattern and method of forming metal pattern using the same |
| US6965045B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic metal precursor for use in forming metal containing patterned films |
| US7033738B2 (en) | 2002-01-03 | 2006-04-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Process of forming a micro-pattern of a metal or a metal oxide |
| US6774034B2 (en) | 2002-04-30 | 2004-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd | Organometallic precursor for forming metal pattern and method of forming metal pattern using the same |
| US7014979B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic precursor mixture for forming metal alloy pattern and method of forming metal alloy pattern using the same |
| US7883838B2 (en) | 2002-11-25 | 2011-02-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic composition for forming a metal alloy pattern and a method of forming such a pattern using the composition |
| US8715914B2 (en) | 2002-11-25 | 2014-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic composition for forming a metal alloy pattern and a method of forming such a pattern using the composition |
| JP2009519594A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | コミシリア ア レネルジ アトミック | 反射リソグラフィーマスクの製造方法および前記方法により得られるマスク |
| FR2900765A1 (fr) * | 2006-05-04 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une grille de transistor comprenant une decomposition d'un materiau precurseur en au moins un materiau metallique, a l'aide d'au moins un faisceau d'electrons |
| WO2007128780A1 (fr) * | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Commissariat A L'energie Atomique | Procede de realisation d'une grille de transistor comprenant une decomposition d'un materiau precurseur en au moins un materiau metallique, a l'aide d'au moins un faisceau d'electrons |
| US8173545B2 (en) | 2006-05-04 | 2012-05-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for the fabrication of a transistor gate using at least one electron beam |
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