JPS62256440A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62256440A JPS62256440A JP61099975A JP9997586A JPS62256440A JP S62256440 A JPS62256440 A JP S62256440A JP 61099975 A JP61099975 A JP 61099975A JP 9997586 A JP9997586 A JP 9997586A JP S62256440 A JPS62256440 A JP S62256440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- semiconductor device
- paste
- epoxy paste
- surface edges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 16
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4899—Auxiliary members for wire connectors, e.g. flow-barriers, reinforcing structures, spacers, alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にボンデングワイヤーに
よるエツジタッチを防止した構造に関するものである。
よるエツジタッチを防止した構造に関するものである。
従来、半導体装置は、その表面エッヂ部に半導体基板が
露出した半導体素子(以下ベレットと呼ぶ)をリードフ
レームのダイパッドに搭載した後、金線等のボンディン
グワイヤーで電極パッドとリードフレームのリードを結
線していた。
露出した半導体素子(以下ベレットと呼ぶ)をリードフ
レームのダイパッドに搭載した後、金線等のボンディン
グワイヤーで電極パッドとリードフレームのリードを結
線していた。
上述した半導体装置ではベレットとリードを結線する際
、ワイヤーボンディング装置の振動等によりボンディン
グワイヤーが変形して、ボンディングワイヤーがベレッ
トの表面エッヂ部に露出している半導体基板に接触し、
半導体装置の電気的短絡を発生させるという不具合があ
った。
、ワイヤーボンディング装置の振動等によりボンディン
グワイヤーが変形して、ボンディングワイヤーがベレッ
トの表面エッヂ部に露出している半導体基板に接触し、
半導体装置の電気的短絡を発生させるという不具合があ
った。
本発明の半導体装置は、半導体素子の表面エッヂ部に絶
縁物を設けたことを特徴とする。
縁物を設けたことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図から第3図は、本発明の一実施例をその製造工程
順に示したものでまず第1図に示すように、リードフレ
ームのダイパッド1にベレット2を搭載した後、絶縁性
の熱硬化性エポキシペースト3を塗布油J7Je4でベ
レット表面エッヂm5vC塗布する。次に第2図に示す
ように第1図に示す工程で塗布した熱硬化性エポキシペ
ースト3を加熱し、ベレット表面エッヂ5に固着させる
。熱硬化性エポキシペースト3を加熱する方法として、
グイパッド1の下からヒーター6で加熱する。固着した
エポキシペースト3は露出していたペレット2のエツジ
部5を覆ってしまう。従って第3図に示すように、ワイ
ヤーボンディング時にボンディングワイヤー8が変形し
、ペレット表面エッヂ部5に接触しても、半導体装置が
電気的に短絡することはない。
順に示したものでまず第1図に示すように、リードフレ
ームのダイパッド1にベレット2を搭載した後、絶縁性
の熱硬化性エポキシペースト3を塗布油J7Je4でベ
レット表面エッヂm5vC塗布する。次に第2図に示す
ように第1図に示す工程で塗布した熱硬化性エポキシペ
ースト3を加熱し、ベレット表面エッヂ5に固着させる
。熱硬化性エポキシペースト3を加熱する方法として、
グイパッド1の下からヒーター6で加熱する。固着した
エポキシペースト3は露出していたペレット2のエツジ
部5を覆ってしまう。従って第3図に示すように、ワイ
ヤーボンディング時にボンディングワイヤー8が変形し
、ペレット表面エッヂ部5に接触しても、半導体装置が
電気的に短絡することはない。
以上説明したように本発明は、半導体素子の表面エッヂ
部に絶縁物を設けることにより、ワイヤーボンディング
時にボンディングワイヤーが変形しても、ペレットの半
導体基板に接触することがなくなるので、半導体装置の
電気的な短絡を防止できるという効果がある。
部に絶縁物を設けることにより、ワイヤーボンディング
時にボンディングワイヤーが変形しても、ペレットの半
導体基板に接触することがなくなるので、半導体装置の
電気的な短絡を防止できるという効果がある。
第1図は、絶縁性熱硬化性ペーストをペレットエッヂに
塗布する状態を示した概略断面図、第2図は、第1図で
塗布したペーストを硬化させるため、ヒーターで加熱し
ていることを示す概略断面図、第3図は、第2図のペレ
ットにワイヤーボンディングを施こしたことを示す概略
断面図。 1・・・・・・グイパッド、2・・・・・・ペレット、
3・・・・・・絶縁性熱硬化性ペースト、4・・・・・
・ペースト塗布治具、5・・・・・・ベレットエラf部
、6・・・・・・ヒーター、8°゛。 ・・・ワイヤー、9・・・・・・電極パッド、10・・
・・・・ペレットのカバー、11・°°°°°リード。
塗布する状態を示した概略断面図、第2図は、第1図で
塗布したペーストを硬化させるため、ヒーターで加熱し
ていることを示す概略断面図、第3図は、第2図のペレ
ットにワイヤーボンディングを施こしたことを示す概略
断面図。 1・・・・・・グイパッド、2・・・・・・ペレット、
3・・・・・・絶縁性熱硬化性ペースト、4・・・・・
・ペースト塗布治具、5・・・・・・ベレットエラf部
、6・・・・・・ヒーター、8°゛。 ・・・ワイヤー、9・・・・・・電極パッド、10・・
・・・・ペレットのカバー、11・°°°°°リード。
Claims (1)
- 半導体素子の表面エッヂ部に絶縁物を設けたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099975A JPS62256440A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099975A JPS62256440A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62256440A true JPS62256440A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14261666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61099975A Pending JPS62256440A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62256440A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022835U (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-10 |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61099975A patent/JPS62256440A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022835U (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5633529A (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same | |
JPH06302653A (ja) | 半導体装置 | |
JPS58207645A (ja) | 半導体装置 | |
JPS62256440A (ja) | 半導体装置 | |
JPS59154054A (ja) | ワイヤおよびそれを用いた半導体装置 | |
JP2954112B2 (ja) | Bga型半導体装置及びその製造方法 | |
JPS6115587B2 (ja) | ||
JPS6236299Y2 (ja) | ||
JPS5972755A (ja) | 半導体装置 | |
JPH02130946A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5918684Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2002305278A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06326227A (ja) | 多層リードフレームの製造方法及び構造 | |
JP2002124531A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体装置の実装構造 | |
JPH04115540A (ja) | 放熱板付き半導体装置の製造方法 | |
JP2533751B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH1074778A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05226393A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0287591A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JPH0821641B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0468543A (ja) | 平面実装形半導体装置 | |
JPH05267500A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS63220530A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
JPH03104131A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0324742A (ja) | 半導体実装構造 |