JPS62254516A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62254516A JPS62254516A JP61098990A JP9899086A JPS62254516A JP S62254516 A JPS62254516 A JP S62254516A JP 61098990 A JP61098990 A JP 61098990A JP 9899086 A JP9899086 A JP 9899086A JP S62254516 A JPS62254516 A JP S62254516A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシーケンサの出力部に用いられるシーケンサソ
リッドステートリレー(以下シーケンサSSRと記す)
に関するものである。
リッドステートリレー(以下シーケンサSSRと記す)
に関するものである。
第4図(a)、 (b)、 (C)は従来のシーケンサ
SSRの構成例を示し、図において、1はガラスエポキ
シ基板、20はシーケンサSSR,2はシーケンサ5S
R20の一方の側面側に設けられ、負荷への電源供給を
接話するための外部からの制御信号を印加するための端
子、3は外部から信号を受は半導体主素子7をオン、オ
フするトライアックカプラ、4は抵抗であり、上記入力
端子2.トライアックカプラ3.抵抗4は上記基板l上
にロー材で付けられている。また5はアルミ基板、6は
シー ゛ケンサ5SR20の他方の側面側に設けられ
電源側、負荷側からの接続を行なうための主端子、7は
トライアックカプラ3から信号を受は主回路をオン、オ
フする半導体主素子であり、上記出力端子6.半導体主
素子7.抵抗は該基板5上にロー材で取付けられ、上記
両基板1.5は互いに中継端子8でロー材により接続さ
れている。9は中継端子8で接続された両基板1,5を
収納するケース、10はケース内の基板1.5を固定す
る樹脂、16は取付穴である。
SSRの構成例を示し、図において、1はガラスエポキ
シ基板、20はシーケンサSSR,2はシーケンサ5S
R20の一方の側面側に設けられ、負荷への電源供給を
接話するための外部からの制御信号を印加するための端
子、3は外部から信号を受は半導体主素子7をオン、オ
フするトライアックカプラ、4は抵抗であり、上記入力
端子2.トライアックカプラ3.抵抗4は上記基板l上
にロー材で付けられている。また5はアルミ基板、6は
シー ゛ケンサ5SR20の他方の側面側に設けられ
電源側、負荷側からの接続を行なうための主端子、7は
トライアックカプラ3から信号を受は主回路をオン、オ
フする半導体主素子であり、上記出力端子6.半導体主
素子7.抵抗は該基板5上にロー材で取付けられ、上記
両基板1.5は互いに中継端子8でロー材により接続さ
れている。9は中継端子8で接続された両基板1,5を
収納するケース、10はケース内の基板1.5を固定す
る樹脂、16は取付穴である。
第5図(In)、 (b)は半導体主素子の構造を示し
たものであり、図中11はT!板、13はシリコンペレ
ット、14はTi リード、15はゲートリードであ
り、12は12等反11.シリコンベット13゜Tiリ
ード14.ゲートリード15をロー材するためのハンダ
である。
たものであり、図中11はT!板、13はシリコンペレ
ット、14はTi リード、15はゲートリードであ
り、12は12等反11.シリコンベット13゜Tiリ
ード14.ゲートリード15をロー材するためのハンダ
である。
また、第6図は半導体主素子とトライアックカプラを収
納するためのケースを示し、該ケース9にはシーケンサ
5SR20を取付けるために必要な取付穴16が設けら
れている。
納するためのケースを示し、該ケース9にはシーケンサ
5SR20を取付けるために必要な取付穴16が設けら
れている。
従来のシーケンサSSRは半導体主素子のT。
リードが出力端子側のみに取り出されているのでアルミ
基板上の回路配線を長くしなければならず、基板が大き
くなってしまうこと、また入力端子。
基板上の回路配線を長くしなければならず、基板が大き
くなってしまうこと、また入力端子。
出力端子、中継端子があるので接続を多くしなけれなら
ないこと等により、シーケンサSSRの外形が大きくな
るだけでなく、製造工数が増大するという問題があった
。
ないこと等により、シーケンサSSRの外形が大きくな
るだけでなく、製造工数が増大するという問題があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、その外形が小さくかつ製造工数が少ないシー
ケンサソリ7ドステートリレーを得ることを目的とする
。
たもので、その外形が小さくかつ製造工数が少ないシー
ケンサソリ7ドステートリレーを得ることを目的とする
。
この発明に係るシーケンサSSRは半導体主素子のTi
リードを出力側と入力側とに取り出すとともに、入力端
子、出力端子をケース内側面よりケース側壁内部をへて
ケース側壁上面部へ取り出すようにしたものである。
リードを出力側と入力側とに取り出すとともに、入力端
子、出力端子をケース内側面よりケース側壁内部をへて
ケース側壁上面部へ取り出すようにしたものである。
この発明においては、半導体主素子のTI リードを出
力側と入力側とに取り出したからトライアックカプラの
出力側と半導体主素子の入力側とを容易に接続でき、こ
のため基板上の回路配線が短くなり、中継端子をなくす
ことができる。また人。
力側と入力側とに取り出したからトライアックカプラの
出力側と半導体主素子の入力側とを容易に接続でき、こ
のため基板上の回路配線が短くなり、中継端子をなくす
ことができる。また人。
出力端子をケース内側面よりケース側壁内部をへてケー
ス側壁上面部に取り出したから、端子付ケースにより容
易に入力端子、出力端子を取り出すことができる。
ス側壁上面部に取り出したから、端子付ケースにより容
易に入力端子、出力端子を取り出すことができる。
以下本発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例によるシーケンサSSHの構
成例を示し、図中、第4図と同一符号は同一または相当
部分を示し、2aはシーケンサ5SR20のケース9a
の一方の側壁に設けられ、負荷への供給を接話するため
の外部からの制御信号を印加するための端子、6aは上
記ケース9aの他方の側壁に設けられ電源側、i荷側と
接続するための主端子であり、このように本実施例では
これらの端子取り出しをインサート端子付ケース9aを
用い行なっている。また3は外部から信号を受は半導体
主素子7をオン、オフするトライアックカプラ、7はト
ライアックカプラ3から信号を受は主回路をオン、オフ
する半導体主素子である。
成例を示し、図中、第4図と同一符号は同一または相当
部分を示し、2aはシーケンサ5SR20のケース9a
の一方の側壁に設けられ、負荷への供給を接話するため
の外部からの制御信号を印加するための端子、6aは上
記ケース9aの他方の側壁に設けられ電源側、i荷側と
接続するための主端子であり、このように本実施例では
これらの端子取り出しをインサート端子付ケース9aを
用い行なっている。また3は外部から信号を受は半導体
主素子7をオン、オフするトライアックカプラ、7はト
ライアックカプラ3から信号を受は主回路をオン、オフ
する半導体主素子である。
第2図は本発明の一実施例による半導体主素子の構造を
示し、図中11はT2板、13はシリコンペレット、1
4aは半導体素子7のTiリードで、出力側と入力側の
両側に取り出されている。
示し、図中11はT2板、13はシリコンペレット、1
4aは半導体素子7のTiリードで、出力側と入力側の
両側に取り出されている。
12は、T2板、シリコンペレット13.Tt リー
ド14.ゲートリード15をロー材するためのハンダで
ある。
ド14.ゲートリード15をロー材するためのハンダで
ある。
第3図は本発明の一実施例によるインサート端子付ケー
スを示し、ケース9aには、入力端子2a、出力端子6
aが設けられている。この入力端子2a、出力端子6a
はケース内側面よりケース側壁内部をへてケース上面へ
取り出す構造となっており、またケース9aにはシーケ
ンサ5SR20を取付けるのに必要な取付穴16が設け
られている。
スを示し、ケース9aには、入力端子2a、出力端子6
aが設けられている。この入力端子2a、出力端子6a
はケース内側面よりケース側壁内部をへてケース上面へ
取り出す構造となっており、またケース9aにはシーケ
ンサ5SR20を取付けるのに必要な取付穴16が設け
られている。
次に組立方法について説明する。
アルミ基板5にトライアックカプラ3抵抗4半導体主素
子7をロー材で取付け、これらをインサート端子付ケー
ス9aに収納し、その後入力端子2a、出力端子6aと
アルミ基板5とを接続し、樹脂10で固定する。
子7をロー材で取付け、これらをインサート端子付ケー
ス9aに収納し、その後入力端子2a、出力端子6aと
アルミ基板5とを接続し、樹脂10で固定する。
このようなシーケンサソリッドステートリレーでは、半
導体主素子7のTiリード14aを出力側と入力側とに
取り出すことによりトライアックカプラ3の出力側と半
導体主素子の入力側とを容易に接続でき、このため基板
上の回路配線が短(なり、中継端子をなくせる。また入
、出力端子をケース内側面よりケース側壁上面部に取り
出すようにしたから、端子付ケースにより容易に入力端
子、出力端子を取り出すことができる。
導体主素子7のTiリード14aを出力側と入力側とに
取り出すことによりトライアックカプラ3の出力側と半
導体主素子の入力側とを容易に接続でき、このため基板
上の回路配線が短(なり、中継端子をなくせる。また入
、出力端子をケース内側面よりケース側壁上面部に取り
出すようにしたから、端子付ケースにより容易に入力端
子、出力端子を取り出すことができる。
なお、上記実施例ではシーケンサSSRについて説明し
たが、本発明は該シーケンサSSRと同様な形状をした
単相あるいは多相のソリッドステートリレーにも適用で
きる。
たが、本発明は該シーケンサSSRと同様な形状をした
単相あるいは多相のソリッドステートリレーにも適用で
きる。
以上のように、この発明によれば、半導体主素子のTi
リードを出力側と入力側とに取り出し、かつ人、出
力端子をケース内側面よりケース上面部へ取り出したの
で、外形が小さくかつ製造工数が少ない安価なシーケン
サソリッドステートリレーが得られる効果がある。
リードを出力側と入力側とに取り出し、かつ人、出
力端子をケース内側面よりケース上面部へ取り出したの
で、外形が小さくかつ製造工数が少ない安価なシーケン
サソリッドステートリレーが得られる効果がある。
第1図は本発明の一実施例によるシーケンサSSRの構
成図、第2図は本発明の半導体主素子の構造図、第3図
は本発明のインサート端子付ケースを示す図、第4図は
従来のシーケンサSSRの構成図、第5図は従来の半導
体主素子の構造図、第6図は従来のケースを示す図であ
る。 2a・・・入力端子、3・・・トライアックカプラ、4
・・・抵抗、5・・・アルミ基板、6a・・・出力端子
、7・・・半導体主素子、9ニ・・・インサート端子付
ケース、lO・・・樹脂、11・・・T2仮、12・・
・ハンダ、13・・・シリコンペレット、14a・・・
T1 リード、15・・・ゲートリード、16・・・取
付穴、20・・・シーケンサSSR。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
成図、第2図は本発明の半導体主素子の構造図、第3図
は本発明のインサート端子付ケースを示す図、第4図は
従来のシーケンサSSRの構成図、第5図は従来の半導
体主素子の構造図、第6図は従来のケースを示す図であ
る。 2a・・・入力端子、3・・・トライアックカプラ、4
・・・抵抗、5・・・アルミ基板、6a・・・出力端子
、7・・・半導体主素子、9ニ・・・インサート端子付
ケース、lO・・・樹脂、11・・・T2仮、12・・
・ハンダ、13・・・シリコンペレット、14a・・・
T1 リード、15・・・ゲートリード、16・・・取
付穴、20・・・シーケンサSSR。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)基板上に、半導体主素子からなる多数個の回路及
び該回路をオン、オフ制御するためのトライアックカプ
ラを搭載したシーケンサソリッドステートリレーにおい
て、 半導体主素子は該素子の両側の出力側と入力側とに取り
出されたT_iリードを有することを特徴とするシーケ
ンサソリッドステートリレー。 - (2)上記半導体主素子、トライアックカプラを収納す
るケースは、ケース内側面よりケース側壁内部をへて該
側壁上面に取り出された外部端子取り出しのためのイン
サート端子を有することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のシーケンサソリッドステートリレー。 - (3)上記半導体主素子は出力端子側の基板上に上記ト
ライアックカプラは入力端子側の基板上に配置されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項
記載のシーケンサソリッドステートリレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9899086A JP2730888B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9899086A JP2730888B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62254516A true JPS62254516A (ja) | 1987-11-06 |
JP2730888B2 JP2730888B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=14234432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9899086A Expired - Lifetime JP2730888B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2730888B2 (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5584692U (ja) * | 1978-12-06 | 1980-06-11 | ||
JPS5643170U (ja) * | 1979-09-10 | 1981-04-20 | ||
JPS57113447U (ja) * | 1981-01-06 | 1982-07-13 | ||
JPS58128589U (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | 日本電気株式会社 | 集積回路部品用ソケツト |
JPS58147982A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-09-02 | ミテル・コ−ポレ−シヨン | ハイブリツド回路のコネクタ |
JPS58144848U (ja) * | 1982-03-24 | 1983-09-29 | 富士通株式会社 | ハイブリツドic |
JPS605139U (ja) * | 1983-06-03 | 1985-01-14 | 山一電機工業株式会社 | Icパツケ−ジの実装機構 |
JPS60112089U (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置用ソケツト |
JPS61149226A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-07 | Agency Of Ind Science & Technol | ガス選択透過性複合膜およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP9899086A patent/JP2730888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS61149226A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-07 | Agency Of Ind Science & Technol | ガス選択透過性複合膜およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2730888B2 (ja) | 1998-03-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |