JPS5887276A - ドライエツチング後処理方法 - Google Patents
ドライエツチング後処理方法Info
- Publication number
- JPS5887276A JPS5887276A JP18626081A JP18626081A JPS5887276A JP S5887276 A JPS5887276 A JP S5887276A JP 18626081 A JP18626081 A JP 18626081A JP 18626081 A JP18626081 A JP 18626081A JP S5887276 A JPS5887276 A JP S5887276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dry etching
- container
- aluminum
- fluorocarbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はドライエツチング後処理方法に関し、特にアル
ミニウム等のドライエツチング後の腐食を防止するドラ
イエツチング後処理方法を提供するものである。
ミニウム等のドライエツチング後の腐食を防止するドラ
イエツチング後処理方法を提供するものである。
従来、半導体装置上に形成されるアルミニウム膜あるい
はアルミニウム合金膜のパターンエツチングはリン酸系
のエツチング液によるいわゆるウニ、ントケミカルエッ
チングが主として府いられていたが、この方法ではエツ
チングマスクに用いるホトレジストとアルミニウムとの
密着性やウェットエツチングの等方性などのためパター
ン幅が５μｍ以下の微細なアルミニウム、膜等のパター
ン形成がなかなか困難であり、そのだめ近年はプラズマ
エツチングあるいはイオンエツチングなどのいわゆるド
ライエツチング方法によるパターン形成が主流的になさ
れている。しかし、四塩化炭素。
はアルミニウム合金膜のパターンエツチングはリン酸系
のエツチング液によるいわゆるウニ、ントケミカルエッ
チングが主として府いられていたが、この方法ではエツ
チングマスクに用いるホトレジストとアルミニウムとの
密着性やウェットエツチングの等方性などのためパター
ン幅が５μｍ以下の微細なアルミニウム、膜等のパター
ン形成がなかなか困難であり、そのだめ近年はプラズマ
エツチングあるいはイオンエツチングなどのいわゆるド
ライエツチング方法によるパターン形成が主流的になさ
れている。しかし、四塩化炭素。
三塩化ホウ素、四塩化ケイ素などのハロゲン化合物ガス
を用いたプラズマエツチングにより、アルミニウム膜あ
るいはアルミニウム合金膜のパターンエツチングを行な
った後、そのまま空気中に取り出すと、残されたパター
ン形状のアルミニウムが腐食して断線する現象が起こる
。−これは一般にエツチングガスとして用いたハロゲン
化合物のハロゲンのある種−の重合物が基板表面に耐着
堆積されていて、それが空気中の水分を吸収反応してア
ルミニウムに対して活性なハ゛ロゲン化合物を生成し、
その結果アルミニウムを腐食させるといわれている。
を用いたプラズマエツチングにより、アルミニウム膜あ
るいはアルミニウム合金膜のパターンエツチングを行な
った後、そのまま空気中に取り出すと、残されたパター
ン形状のアルミニウムが腐食して断線する現象が起こる
。−これは一般にエツチングガスとして用いたハロゲン
化合物のハロゲンのある種−の重合物が基板表面に耐着
堆積されていて、それが空気中の水分を吸収反応してア
ルミニウムに対して活性なハ゛ロゲン化合物を生成し、
その結果アルミニウムを腐食させるといわれている。
本発明は前記従来の問題に関して解決をはかっタモので
、アルミニウム等のドライエツチングを実施した後真空
容器内から取り出すことなくフルオロカーボンと酸素と
の混合ガスプラズマ処理を行々うことにより、形成され
たパターンが腐食して断線するという現象をなくするも
のである。
、アルミニウム等のドライエツチングを実施した後真空
容器内から取り出すことなくフルオロカーボンと酸素と
の混合ガスプラズマ処理を行々うことにより、形成され
たパターンが腐食して断線するという現象をなくするも
のである。
以下本発明のドライエツチング後処理方法を実施例によ
って説明する。
って説明する。
平行子！電極型の反応室を持つドライエツチング装置を
用い、第１図に示すように厚さ１μｍのアルミ；ラム膜
１上に電極配線用のフォトレジストパターン２を有した
半導体ウェハ３を上記反応室に入れ、四塩化炭素ガスを
０．０６ Ｔｏｒｒ の圧力になるように調整し、平行
平板電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して第
２図に示すよ、うにアルミニウム膜１のエツチングを行
なう。エツチング速度は高周波電力を０ 、ｅｓ Ｗ／
、Ｊ とすると約０．１８μｍ／而ｎであ面。
用い、第１図に示すように厚さ１μｍのアルミ；ラム膜
１上に電極配線用のフォトレジストパターン２を有した
半導体ウェハ３を上記反応室に入れ、四塩化炭素ガスを
０．０６ Ｔｏｒｒ の圧力になるように調整し、平行
平板電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して第
２図に示すよ、うにアルミニウム膜１のエツチングを行
なう。エツチング速度は高周波電力を０ 、ｅｓ Ｗ／
、Ｊ とすると約０．１８μｍ／而ｎであ面。
次に、半導体ウェハを外部に取り出すことなく反応室内
に１実施例として、フルオロカーボンＣＦ ４＝ ｓ
ｃｏ ／ ｍｉｎと酸素ｏ２＝３０ ｃａ／ｍｉｎの混
合ガスを導入し圧力をｏ、１Ｔｏｒｒに調整しつつ平行
平板電極に１３゜５ ｃｓＭＨｚＯ高周波電力を印加す
る。
に１実施例として、フルオロカーボンＣＦ ４＝ ｓ
ｃｏ ／ ｍｉｎと酸素ｏ２＝３０ ｃａ／ｍｉｎの混
合ガスを導入し圧力をｏ、１Ｔｏｒｒに調整しつつ平行
平板電極に１３゜５ ｃｓＭＨｚＯ高周波電力を印加す
る。
印加する時間は高周波重力を０ 、５ Ｗ／ｅＪ とす
ると約３分である。この処理を行々うと半導体ウェハを
空気中に取り出しても、形成されたパターンのアルミニ
ウムが腐食して断線することはない。導入するＣＦ４と
０２の流量比ＣＦ４１０２は実験によれば１０％から４
０％が最適であり、１０％未満では目的とする効果が得
られず、また４０％をこえても目的とする所望の効果を
得るために長時間を要し、そのために下地の二酸化ケイ
素あるいはケイ素にプラズマイオンあるいは電子などに
よる損傷を与えるので好ましくない。
ると約３分である。この処理を行々うと半導体ウェハを
空気中に取り出しても、形成されたパターンのアルミニ
ウムが腐食して断線することはない。導入するＣＦ４と
０２の流量比ＣＦ４１０２は実験によれば１０％から４
０％が最適であり、１０％未満では目的とする効果が得
られず、また４０％をこえても目的とする所望の効果を
得るために長時間を要し、そのために下地の二酸化ケイ
素あるいはケイ素にプラズマイオンあるいは電子などに
よる損傷を与えるので好ましくない。
本発明の方法は純粋なアルミニウム膜の他、Ａｊ！ −
８ｉ 、 Ａｎ−Ｃｕ 、 Ａｎ −９１−Ｃｕなどの
フルミニラム合金嘆に対しても同様の効果がある。
８ｉ 、 Ａｎ−Ｃｕ 、 Ａｎ −９１−Ｃｕなどの
フルミニラム合金嘆に対しても同様の効果がある。
以上説明したように本発明は、容器中では活性状態にあ
るハロゲン化合物ガスを用いてアルミニウムまたはアル
ミニウム合金模のドライエツチングを実施した後、前記
容器内から取り出すことなくフルオロカーボンと酸素と
の混合ガスプラズマ処理を行なうドライエツチング後処
理方法であり、形成されたアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金の腐食を効果的に防止できるもので工業上の利
用価値が高い。
るハロゲン化合物ガスを用いてアルミニウムまたはアル
ミニウム合金模のドライエツチングを実施した後、前記
容器内から取り出すことなくフルオロカーボンと酸素と
の混合ガスプラズマ処理を行なうドライエツチング後処
理方法であり、形成されたアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金の腐食を効果的に防止できるもので工業上の利
用価値が高い。
第１図、第２図は本発明の一実施例におけるドライエツ
チング後処理方法を説明するだめの工程断面図である。 １・・・・・・アルミニウム膜、２・・・・拳・フォト
レジストパターン、３０・・−・半導体ウェハ０代理人
の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１図 第２図
チング後処理方法を説明するだめの工程断面図である。 １・・・・・・アルミニウム膜、２・・・・拳・フォト
レジストパターン、３０・・−・半導体ウェハ０代理人
の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１図 第２図
Claims (1)
- （１）容器中で活性状態にあるハロゲン化合物ガスを用
−て−アルミニウムまたはアルミニラ今合金嘆のドライ
エツチングを実施しだ後、前記容器内から取り出すこと
・々くフルオロカーボンと酸素との混合ガスプラズマ処
理を行なうことを特徴とするドライエツチング後処理方
法。 （２１フルオロカーボンがテトラフルオロメタンで、酸
素に対する混合比率が１０％〜４０％であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項Ｆ載のドライエツチング後
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626081A JPS5887276A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | ドライエツチング後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626081A JPS5887276A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | ドライエツチング後処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887276A true JPS5887276A (ja) | 1983-05-25 |
| JPS6230268B2 JPS6230268B2 (ja) | 1987-07-01 |
Family
ID=16185159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18626081A Granted JPS5887276A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | ドライエツチング後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887276A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451293A (en) * | 1992-03-18 | 1995-09-19 | Yamaha Corporation | Method of making a wiring layer wherein the masking material is ashed using an alcohol containing plasma |
| US5698071A (en) * | 1995-04-21 | 1997-12-16 | Nec Corporation | High speed ashing method |
| US6325861B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-12-04 | Applied Materials, Inc. | Method for etching and cleaning a substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158343A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Hitachi Ltd | Dry etching method for al and al alloy |
-
1981
- 1981-11-19 JP JP18626081A patent/JPS5887276A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158343A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Hitachi Ltd | Dry etching method for al and al alloy |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451293A (en) * | 1992-03-18 | 1995-09-19 | Yamaha Corporation | Method of making a wiring layer wherein the masking material is ashed using an alcohol containing plasma |
| US5698071A (en) * | 1995-04-21 | 1997-12-16 | Nec Corporation | High speed ashing method |
| US6325861B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-12-04 | Applied Materials, Inc. | Method for etching and cleaning a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230268B2 (ja) | 1987-07-01 |
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