JPS62232881A - サ−ジ吸収素子 - Google Patents
サ−ジ吸収素子Info
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- JPS62232881A JPS62232881A JP7492586A JP7492586A JPS62232881A JP S62232881 A JPS62232881 A JP S62232881A JP 7492586 A JP7492586 A JP 7492586A JP 7492586 A JP7492586 A JP 7492586A JP S62232881 A JPS62232881 A JP S62232881A
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- resistor
- surge
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- absorbing element
- insulating ring
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、種々の電子回路に過渡的に加わるサージ電
圧から保護するために使用されるサージ吸収素子に関す
る。
圧から保護するために使用されるサージ吸収素子に関す
る。
（ロ）従来の技術
従来より知られたサージ吸収素子としては、第３図に示
すものがある。このサージ吸収素子は、比誘電率が１よ
りも大きい、例えばアルミナ磁器等の円柱状の絶縁体２
１の表面に導電性薄膜２２を形成し、さらに導電性薄膜
２２を幅２００１１ｍ以下の周溝２３により２個の部分
に分割し、分割した導電性薄膜２２．２２の両端にそれ
ぞれ電極２４．２４を設け、電極２４．２４にはそれぞ
れリード線２５．２５を接続し、ガラス等の封止材２Ｇ
で絶縁体２１、電極２４．２４、リード線２５．２５を
封止している。そし°ζ、封止材２６の内部には、不活
性ガスが封入されて構成されている。
すものがある。このサージ吸収素子は、比誘電率が１よ
りも大きい、例えばアルミナ磁器等の円柱状の絶縁体２
１の表面に導電性薄膜２２を形成し、さらに導電性薄膜
２２を幅２００１１ｍ以下の周溝２３により２個の部分
に分割し、分割した導電性薄膜２２．２２の両端にそれ
ぞれ電極２４．２４を設け、電極２４．２４にはそれぞ
れリード線２５．２５を接続し、ガラス等の封止材２Ｇ
で絶縁体２１、電極２４．２４、リード線２５．２５を
封止している。そし°ζ、封止材２６の内部には、不活
性ガスが封入されて構成されている。
このサージ吸収素子では、リード線２５．２５間に所定
以上の電圧が印加されると、周溝２３の負電圧側から電
子が放出され、この電子により周溝２３の正電圧側と負
電圧側との間で沿面放電が生起され、続いて、この沿面
放電が電極２４．２４間のアーク放電に移行し、このア
ーク放電によりサージ電圧が吸収される。
以上の電圧が印加されると、周溝２３の負電圧側から電
子が放出され、この電子により周溝２３の正電圧側と負
電圧側との間で沿面放電が生起され、続いて、この沿面
放電が電極２４．２４間のアーク放電に移行し、このア
ーク放電によりサージ電圧が吸収される。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
従来のサージ吸収素子は、上記したように、絶縁体２１
の表面に導電性薄膜２２を形成し、かつサージ吸収体を
２分する周溝２３を形成するとともに、両端にＣＪ！ｉ
＜２４．２４を設けて構成されるものであり、これをガ
ラス等の封止材２６で封止するものであるから、構造が
複雑となり、また絶縁体２１を小さくするには限界があ
り、小型化に問題があった。
の表面に導電性薄膜２２を形成し、かつサージ吸収体を
２分する周溝２３を形成するとともに、両端にＣＪ！ｉ
＜２４．２４を設けて構成されるものであり、これをガ
ラス等の封止材２６で封止するものであるから、構造が
複雑となり、また絶縁体２１を小さくするには限界があ
り、小型化に問題があった。
また、周溝２３や電極２４．２４は素子の品質確保上、
複雑な組立が要請され、コスト高となる問題があった。
複雑な組立が要請され、コスト高となる問題があった。
さらに、電極２４．２４の形成精度が悪いと製品毎に放
電開始電圧にばらつきが生じ、これによりサージ吸収の
動作電圧も大きくばらつき、結果として製品品質を下げ
るという問題があった。
電開始電圧にばらつきが生じ、これによりサージ吸収の
動作電圧も大きくばらつき、結果として製品品質を下げ
るという問題があった。
この発明は、上記に鑑み、小型化され、安価に製作でき
、しかも高品質のサージ吸収素子を提供することを目的
とする。
、しかも高品質のサージ吸収素子を提供することを目的
とする。
（ニ）問題点を解決するための手段及び作用この発明の
サージ吸収素子は、１対の抵抗素体と、この１対の抵抗
素体より内端に介設される絶縁リングと、前記抵抗素体
より内端面の面積が大きくかつ外端にリード線を有し、
内端が前記抵抗素体の外端に圧接される１対のスラグと
、前記抵抗素体及びスラグの周囲を囲撓し、抵抗素体及
びスラグとの間に形成される空間に不活性ガスを封止す
る封止材とから構成されている。
サージ吸収素子は、１対の抵抗素体と、この１対の抵抗
素体より内端に介設される絶縁リングと、前記抵抗素体
より内端面の面積が大きくかつ外端にリード線を有し、
内端が前記抵抗素体の外端に圧接される１対のスラグと
、前記抵抗素体及びスラグの周囲を囲撓し、抵抗素体及
びスラグとの間に形成される空間に不活性ガスを封止す
る封止材とから構成されている。
このサージ吸収素子では、リード線間にサージ電圧が印
加されると、微小厚さの絶縁リングを介して離隔対設さ
れる抵抗素体の内端面間及びスラグの内端面で放電が開
始され、サージ電圧が吸収される。
加されると、微小厚さの絶縁リングを介して離隔対設さ
れる抵抗素体の内端面間及びスラグの内端面で放電が開
始され、サージ電圧が吸収される。
（ホ）実施例
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。
。
第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子の
断面図である。このサージ吸収素子は、サージを吸収す
る１対の抵抗素体１ａ、１ｂと、絶縁リング２と、１対
のスラグ３ａ、３ｂと、ガラスのような封止材４を備え
ている。
断面図である。このサージ吸収素子は、サージを吸収す
る１対の抵抗素体１ａ、１ｂと、絶縁リング２と、１対
のスラグ３ａ、３ｂと、ガラスのような封止材４を備え
ている。
抵抗素体１ａ、１ｂは、それぞれムライト磁器、アルミ
ナ磁器、セラミックスのような絶縁物質で構成された円
筒状の基体の外周面に、炭素又は金属酸化物あるいはＴ
ａＮ等の窒化物の導電膜が形成されたものである。この
抵抗素体１ａ、１ｂは、その間に厚さ数十μｍの絶縁リ
ング２を挟持している。第２図に示すように、絶縁リン
グ２の径は、抵抗素体１ａ、ｌｂの径とほぼ同じに設定
している。絶縁リング材としては、ガラスあるいはセラ
ミックスが使用される。
ナ磁器、セラミックスのような絶縁物質で構成された円
筒状の基体の外周面に、炭素又は金属酸化物あるいはＴ
ａＮ等の窒化物の導電膜が形成されたものである。この
抵抗素体１ａ、１ｂは、その間に厚さ数十μｍの絶縁リ
ング２を挟持している。第２図に示すように、絶縁リン
グ２の径は、抵抗素体１ａ、ｌｂの径とほぼ同じに設定
している。絶縁リング材としては、ガラスあるいはセラ
ミックスが使用される。
スラグ３ａ、３ｂは、電極を兼ねるものであり、抵抗素
体１ａ、ｌｂよりも大径の円筒状に構成され、外端にリ
ード線５ａ、５ｂを有するとともに、内端面が抵抗素体
１ａ、１ｂの外端を圧接している。
体１ａ、ｌｂよりも大径の円筒状に構成され、外端にリ
ード線５ａ、５ｂを有するとともに、内端面が抵抗素体
１ａ、１ｂの外端を圧接している。
このスラグ３ａ、３ｂは、Ｎｉ＋Ｆｅからなる基体円周
面にＣｕ１ｌが形成されて構成される。封止材４は、抵
抗素体１ａ、１ｂと絶縁リング２及びスラグ３ａ、３ｂ
を気密に外被している。この封止材４とスラグ３ａ、３
ｂの内端面、抵抗素体１ａ、１ｂ７１び絶８（リング２
の外周面で空室６を形成し、この空室６内にアルゴン、
ヘリュウム、ネオン、チッソ等の不活性ガスが封入され
ている。
面にＣｕ１ｌが形成されて構成される。封止材４は、抵
抗素体１ａ、１ｂと絶縁リング２及びスラグ３ａ、３ｂ
を気密に外被している。この封止材４とスラグ３ａ、３
ｂの内端面、抵抗素体１ａ、１ｂ７１び絶８（リング２
の外周面で空室６を形成し、この空室６内にアルゴン、
ヘリュウム、ネオン、チッソ等の不活性ガスが封入され
ている。
この実施例サージ吸収素子において、リード線５ａ、５
ｂ間に規定以上の電圧が加わると、先ず、抵抗素体１ａ
と１ｂの平行する内端面の微小ギャップで放電が開始さ
れ、さらに電流値が大きくなると、スラグ３ａと３ｂの
内端面間の全面放電へと移行する。
ｂ間に規定以上の電圧が加わると、先ず、抵抗素体１ａ
と１ｂの平行する内端面の微小ギャップで放電が開始さ
れ、さらに電流値が大きくなると、スラグ３ａと３ｂの
内端面間の全面放電へと移行する。
（へ）発明の効果
この発明によれば、１対の抵抗素体を絶縁リングを介し
て微小ギャップでもって内端面を平行対面させて放電さ
せるものであるから、従来の周溝を設ける必要がないの
で抵抗素体の長さを短く出来るから、小型のサージ吸収
素子を得ることができる。また、放電は平行対向電極面
でなされるものであるため、安定な放電開始電圧が得ら
れるため、各製品毎のばらつきが軽減され、高品質の製
品を得ることができる。
て微小ギャップでもって内端面を平行対面させて放電さ
せるものであるから、従来の周溝を設ける必要がないの
で抵抗素体の長さを短く出来るから、小型のサージ吸収
素子を得ることができる。また、放電は平行対向電極面
でなされるものであるため、安定な放電開始電圧が得ら
れるため、各製品毎のばらつきが軽減され、高品質の製
品を得ることができる。
第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子の
断面図、第２図は、同サージ吸収素子の抵抗素体及び絶
縁リングを拡大した分解斜視図、第３図は、従来のサー
ジ吸収素子を示す断面図である。 １ａ・１ｂ：抵抗素体、 ２：絶縁リング、３ａ・３ｂ
ニスラグ、 ４：封止材、５ａ ・ ５ｂ；リード
線。 特許出願人 ローム株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第１図 １ｏ−ｉｂ：ｔ＋’＜、ｔｉｔ、イＩ ２：ｂ色４
ｉ’Ｊ’：、’７”３ａ・３かスラグ゛ ４：を
寸止不第５ａ・５かリード縁
断面図、第２図は、同サージ吸収素子の抵抗素体及び絶
縁リングを拡大した分解斜視図、第３図は、従来のサー
ジ吸収素子を示す断面図である。 １ａ・１ｂ：抵抗素体、 ２：絶縁リング、３ａ・３ｂ
ニスラグ、 ４：封止材、５ａ ・ ５ｂ；リード
線。 特許出願人 ローム株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第１図 １ｏ−ｉｂ：ｔ＋’＜、ｔｉｔ、イＩ ２：ｂ色４
ｉ’Ｊ’：、’７”３ａ・３かスラグ゛ ４：を
寸止不第５ａ・５かリード縁
Claims (1)
- （１）１対の抵抗素体と、この１対の抵抗素体の内端に
介設される絶縁リングと、前記抵抗素体より内端面の面
積が大きく、かつ外端にリード線を有し、内端が前記抵
抗素体の外端に圧接される１対のスラグと、前記抵抗素
体及びスラグの周囲を囲撓し、抵抗素体及びスラグとの
間に形成される空間に不活性ガスを封止する封止材とか
らなるサージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61074925A JPH0727795B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61074925A JPH0727795B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232881A true JPS62232881A (ja) | 1987-10-13 |
| JPH0727795B2 JPH0727795B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=13561428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61074925A Expired - Lifetime JPH0727795B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727795B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472485A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Surge absorbing element |
| JPH04218288A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 放電型サージ吸収素子 |
| JPH04115792U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-14 | 岡谷電機産業株式会社 | 放電型サージ吸収器 |
| JPH04115793U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-14 | 岡谷電機産業株式会社 | 放電型サージ吸収器 |
| JPH05268725A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | サージ吸収素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126789A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | 松下電工株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61074925A patent/JPH0727795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126789A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | 松下電工株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472485A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Surge absorbing element |
| JP2520915B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1996-07-31 | 松下電工株式会社 | サ―ジ吸収素子 |
| JPH04218288A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 放電型サージ吸収素子 |
| JPH04115792U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-14 | 岡谷電機産業株式会社 | 放電型サージ吸収器 |
| JPH04115793U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-14 | 岡谷電機産業株式会社 | 放電型サージ吸収器 |
| JPH05268725A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | サージ吸収素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727795B2 (ja) | 1995-03-29 |
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