JPH0727795B2 - サ−ジ吸収素子 - Google Patents
サ−ジ吸収素子Info
- Publication number
- JPH0727795B2 JPH0727795B2 JP61074925A JP7492586A JPH0727795B2 JP H0727795 B2 JPH0727795 B2 JP H0727795B2 JP 61074925 A JP61074925 A JP 61074925A JP 7492586 A JP7492586 A JP 7492586A JP H0727795 B2 JPH0727795 B2 JP H0727795B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating ring
- pair
- inner end
- surge
- resistor
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、種々の電子回路に過渡的に加わるサージ電
圧から保護するために使用されるサージ吸収素子に関す
る。
圧から保護するために使用されるサージ吸収素子に関す
る。
（ロ）従来の技術 従来より知られたサージ吸収素子としては、第３図に示
すものがある。このサージ吸収素子は、比誘電率が１よ
りも大きい、例えばアルミナ磁器等の円柱状の絶縁体21
の表面に導電性薄膜22を形成し、さらに導電性薄膜22を
幅200μｍ以下の周溝23により２個の部分に分割し、分
割した導電性薄膜22、22の両端にそれぞれ電極24、24を
設け、電極24、24にはそれぞれリード線25、25を接続
し、ガラス等の封止材26で絶縁体21、電極24、24、リー
ド線25、25を封止している。そして、封止材26の内部に
は、不活性ガスが封入されて構成されている。
すものがある。このサージ吸収素子は、比誘電率が１よ
りも大きい、例えばアルミナ磁器等の円柱状の絶縁体21
の表面に導電性薄膜22を形成し、さらに導電性薄膜22を
幅200μｍ以下の周溝23により２個の部分に分割し、分
割した導電性薄膜22、22の両端にそれぞれ電極24、24を
設け、電極24、24にはそれぞれリード線25、25を接続
し、ガラス等の封止材26で絶縁体21、電極24、24、リー
ド線25、25を封止している。そして、封止材26の内部に
は、不活性ガスが封入されて構成されている。
このサージ吸収素子では、リード線25、25間に所定以上
の電圧が印加されると、周溝23の負電圧側から電子が放
出され、この電子により周溝23の正電圧側と負電圧側と
の間で沿面放電が生起され、続いて、この沿面放電が電
極24、24間のアーク放電に移行し、このアーク放電によ
りサージ電圧が吸収される。
の電圧が印加されると、周溝23の負電圧側から電子が放
出され、この電子により周溝23の正電圧側と負電圧側と
の間で沿面放電が生起され、続いて、この沿面放電が電
極24、24間のアーク放電に移行し、このアーク放電によ
りサージ電圧が吸収される。
（ハ）発明が解決しようとする問題点 従来のサージ吸収素子は、上記したように、絶縁体21の
表面に導電性薄膜22を形成し、かつサージ吸収体を２分
する周溝23を形成するとともに、両端に電極24、24を設
けて構成されるものであり、これをガラス等の封止材26
で封止するものであるから、構造が複雑となり、また絶
縁体21を小さくするには限界があり、小型化に問題があ
った。
表面に導電性薄膜22を形成し、かつサージ吸収体を２分
する周溝23を形成するとともに、両端に電極24、24を設
けて構成されるものであり、これをガラス等の封止材26
で封止するものであるから、構造が複雑となり、また絶
縁体21を小さくするには限界があり、小型化に問題があ
った。
また、周溝23や電極24、24は素子の品質確保上、複雑な
組立が要請され、コスト高となる問題があった。
組立が要請され、コスト高となる問題があった。
さらに、電極24、24の形成精度が悪いと製品毎に放電開
始電圧にばらつきが生じ、これによりサージ吸収の動作
電圧も大きくばらつき、結果として製品品質を下げると
いう問題があった。
始電圧にばらつきが生じ、これによりサージ吸収の動作
電圧も大きくばらつき、結果として製品品質を下げると
いう問題があった。
この発明は、上記に鑑み、小型化され、安価に製作で
き、しかも高品質のサージ吸収素子を提供することを目
的とする。
き、しかも高品質のサージ吸収素子を提供することを目
的とする。
（ニ）問題点を解決するための手段及び作用 この発明のサージ吸収素子は、１対の抵抗素体と、この
１対の抵抗素体の内端に介設される絶縁リングと、前記
抵抗素体の外端面より内端面の面積が大きく、かつ外端
にリード線を有し、内端が前記各抵抗素体の外端にそれ
ぞれ圧接される１対の電極兼用スラグと、前記抵抗素体
及びスラグの周囲を囲繞すると共に、抵抗素体、絶縁リ
ング及びスラグを一体に保持し、抵抗素体及びスラグと
の間に形成される空間に不活性ガスを封止する封止材と
から構成されている。
１対の抵抗素体の内端に介設される絶縁リングと、前記
抵抗素体の外端面より内端面の面積が大きく、かつ外端
にリード線を有し、内端が前記各抵抗素体の外端にそれ
ぞれ圧接される１対の電極兼用スラグと、前記抵抗素体
及びスラグの周囲を囲繞すると共に、抵抗素体、絶縁リ
ング及びスラグを一体に保持し、抵抗素体及びスラグと
の間に形成される空間に不活性ガスを封止する封止材と
から構成されている。
このサージ吸収素子では、リード線間にサージ電圧が印
加されると、微小厚さの絶縁リングを介して離隔対設さ
れる抵抗素体の内端面間及びスラグの内端面で放電が開
始され、サージ電圧が吸収される。
加されると、微小厚さの絶縁リングを介して離隔対設さ
れる抵抗素体の内端面間及びスラグの内端面で放電が開
始され、サージ電圧が吸収される。
（ホ）実施例 以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子の
断面図である。このサージ吸収素子は、サージを吸収す
る１対の抵抗素体1a、1bと、絶縁リング２と、１対のス
ラグ3a、3bと、ガラスのような封止材４を備えている。
断面図である。このサージ吸収素子は、サージを吸収す
る１対の抵抗素体1a、1bと、絶縁リング２と、１対のス
ラグ3a、3bと、ガラスのような封止材４を備えている。
抵抗素体1a、1bは、それぞれムライト磁器、アルミナ磁
器、セラミックスのような絶縁物質で構成された円筒状
の基体の外周面に、炭素又は金属酸化物あるいはTaN等
の窒化物の導電膜が形成されたものである。この抵抗素
体1a、1bは、その間に厚さ数十μｍの絶縁リング２を挟
持している。第２図に示すように、絶縁リング２の径
は、抵抗素体1a、1bの径とほぼ同じに設定している。絶
縁リング材としては、ガラスあるいはセラミックスが使
用される。
器、セラミックスのような絶縁物質で構成された円筒状
の基体の外周面に、炭素又は金属酸化物あるいはTaN等
の窒化物の導電膜が形成されたものである。この抵抗素
体1a、1bは、その間に厚さ数十μｍの絶縁リング２を挟
持している。第２図に示すように、絶縁リング２の径
は、抵抗素体1a、1bの径とほぼ同じに設定している。絶
縁リング材としては、ガラスあるいはセラミックスが使
用される。
スラグ3a、3bは、電極を兼ねるものであり、抵抗素体1
a、1bよりも大径の円筒状に構成され、外端にリード線5
a、5bを有するとともに、内端面が抵抗素体1a、1bの外
端を圧接している。このスラグ3a、3bは、Ni＋Feからな
る基体円周面にCu層が形成されて構成される。封止材４
は、抵抗素体1a、1bと絶縁リング２及びスラグ3a、3bを
気密に外被している。この封止材４とスラグ3a、3bの内
端面、抵抗素体1a、1b及び絶縁リング２の外周面で空室
６を形成し、この空室６内にアルゴン、ヘリュウム、ネ
オン、チッソ等の不活性ガスが封入されている。
a、1bよりも大径の円筒状に構成され、外端にリード線5
a、5bを有するとともに、内端面が抵抗素体1a、1bの外
端を圧接している。このスラグ3a、3bは、Ni＋Feからな
る基体円周面にCu層が形成されて構成される。封止材４
は、抵抗素体1a、1bと絶縁リング２及びスラグ3a、3bを
気密に外被している。この封止材４とスラグ3a、3bの内
端面、抵抗素体1a、1b及び絶縁リング２の外周面で空室
６を形成し、この空室６内にアルゴン、ヘリュウム、ネ
オン、チッソ等の不活性ガスが封入されている。
この実施例サージ吸収素子において、リード線5a、5b間
に規定以上の電圧が加わると、先ず、抵抗素体1aと1bの
平行する内端面の微小ギャップで放電が開始され、さら
に電流値が大きくなると、スラグ3aと3bの内端面間の全
面放電へと移行する。
に規定以上の電圧が加わると、先ず、抵抗素体1aと1bの
平行する内端面の微小ギャップで放電が開始され、さら
に電流値が大きくなると、スラグ3aと3bの内端面間の全
面放電へと移行する。
（ヘ）発明の効果 この発明によれば、１対の抵抗素体と絶縁リングを介し
て微小ギャップでもって内端面に平行対面させて放電さ
せるものであるから、従来の周溝を設ける必要がないの
で抵抗素体の長さを短く出来るから、小型のサージ吸収
素子を得ることができる。また、放電は平行対向電極面
でなされるものであるため、安定な放電開始電圧が得ら
れるため、各製品毎のばらつきが軽減され、高品質の製
品を得ることができる。
て微小ギャップでもって内端面に平行対面させて放電さ
せるものであるから、従来の周溝を設ける必要がないの
で抵抗素体の長さを短く出来るから、小型のサージ吸収
素子を得ることができる。また、放電は平行対向電極面
でなされるものであるため、安定な放電開始電圧が得ら
れるため、各製品毎のばらつきが軽減され、高品質の製
品を得ることができる。
第１図は、この発明の一実施例を示すサージ吸収素子の
断面図、第２図は、同サージ吸収素子の抵抗素体及び絶
縁リングを拡大した分解斜視図、第３図は、従来のサー
ジ吸収素子を示す断面図である。 1a・1b:抵抗素体、2:絶縁リング、3a・3b:スラグ、4:封
止材、5a・5b:リード線。
断面図、第２図は、同サージ吸収素子の抵抗素体及び絶
縁リングを拡大した分解斜視図、第３図は、従来のサー
ジ吸収素子を示す断面図である。 1a・1b:抵抗素体、2:絶縁リング、3a・3b:スラグ、4:封
止材、5a・5b:リード線。
Claims (1)
- 【請求項１】１対の抵抗素体と、この１対の抵抗素体の
内端に介設される絶縁リングと、前記抵抗素体の外端面
より内端面の面積が大きく、かつ外端にリード線を有
し、内端が前記各抵抗素体の外端にそれぞれ圧接される
１対の電極兼用スラグと、前記抵抗素体及びスラグの周
囲を囲繞すると共に、抵抗素体、絶縁リング及びスラグ
を一体に保持し、抵抗素体及びスラグとの間に形成され
る空間に不活性ガスを封止する封止材とからなるサージ
吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61074925A JPH0727795B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61074925A JPH0727795B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232881A JPS62232881A (ja) | 1987-10-13 |
| JPH0727795B2 true JPH0727795B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=13561428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61074925A Expired - Lifetime JPH0727795B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | サ−ジ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727795B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2520915B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1996-07-31 | 松下電工株式会社 | サ―ジ吸収素子 |
| JPH04218288A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 放電型サージ吸収素子 |
| JPH04115793U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-14 | 岡谷電機産業株式会社 | 放電型サージ吸収器 |
| JPH04115792U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-14 | 岡谷電機産業株式会社 | 放電型サージ吸収器 |
| JPH05268725A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | サージ吸収素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61126789A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | 松下電工株式会社 | サ−ジ吸収素子 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61074925A patent/JPH0727795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62232881A (ja) | 1987-10-13 |
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