JPH0226154Y2 - - Google Patents
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- JPH0226154Y2 JPH0226154Y2 JP12768985U JP12768985U JPH0226154Y2 JP H0226154 Y2 JPH0226154 Y2 JP H0226154Y2 JP 12768985 U JP12768985 U JP 12768985U JP 12768985 U JP12768985 U JP 12768985U JP H0226154 Y2 JPH0226154 Y2 JP H0226154Y2
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- JP
- Japan
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- resistor
- electrodes
- electrode
- surge
- insulator
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、電圧非直線特性を有する抵抗体と、
電極間に形成した放電間隙との複合構造を有する
サージ吸収素子に係り、特に導電物質のスパツタ
に起因する電極間の絶縁劣化を妨げ、長期間に亘
つて安定したサージ吸収特性が得られるサージ吸
収素子に関する。
電極間に形成した放電間隙との複合構造を有する
サージ吸収素子に係り、特に導電物質のスパツタ
に起因する電極間の絶縁劣化を妨げ、長期間に亘
つて安定したサージ吸収特性が得られるサージ吸
収素子に関する。
従来、電子回路に加わる過渡的な異常電圧や誘
導雷等のサージから電子回路を保護するため、電
圧非直線特性を有する抵抗体より成るバリスタや
放電間隙を気密容器中に収納したアレスタ等のサ
ージ吸収素子が広く使用されている。ところで、
本出願人は、既に上記バリスタとアレスタとの複
合構造を有するサージ吸収素子（特開昭59−
157981）を提案している。
導雷等のサージから電子回路を保護するため、電
圧非直線特性を有する抵抗体より成るバリスタや
放電間隙を気密容器中に収納したアレスタ等のサ
ージ吸収素子が広く使用されている。ところで、
本出願人は、既に上記バリスタとアレスタとの複
合構造を有するサージ吸収素子（特開昭59−
157981）を提案している。
上記複合型のサージ吸収素子１は、第４図に示
す如く、電圧非直線特性を有する抵抗体２の両端
に、放電間隙５を隔てて相対向させて電極３，３
を接続して、上記抵抗体２と放電間隙５とを並列
接続し、これを不活性ガスを主体とした放電ガス
と共に気密容器１０中に封入した構造を有してい
る。
す如く、電圧非直線特性を有する抵抗体２の両端
に、放電間隙５を隔てて相対向させて電極３，３
を接続して、上記抵抗体２と放電間隙５とを並列
接続し、これを不活性ガスを主体とした放電ガス
と共に気密容器１０中に封入した構造を有してい
る。
上記サージ吸収素子１は、過渡的にサージが印
加された状態で抵抗体２の抵抗値とサージ電流値
との積による電圧効果によつて、上記電極３，
３′間に励起放電を生成させ、その付勢によつて
瞬時に大電流を通ずる主放電に転移させて、高速
度でサージを吸収するものであり、バリスタやア
レスタに比べ、サージに対する応答速度が速く、
しかも電流耐量が大きいという優れた特性を有す
るものである。
加された状態で抵抗体２の抵抗値とサージ電流値
との積による電圧効果によつて、上記電極３，
３′間に励起放電を生成させ、その付勢によつて
瞬時に大電流を通ずる主放電に転移させて、高速
度でサージを吸収するものであり、バリスタやア
レスタに比べ、サージに対する応答速度が速く、
しかも電流耐量が大きいという優れた特性を有す
るものである。
ところが、上述の如く優れた特性を有するサー
ジ吸収素子も、大きなサージ（例えば電流値
1000A、電流波形８×20μsec程度）が繰り返し印
加された場合には、サージ吸収における放電によ
り電極を構成する導電物質がスパツタされて抵抗
体の表面に付着し、これが蓄積されて電極間の絶
縁を劣化させて制限電圧を低下させ、複合型のサ
ージ吸収素子が本来有する優れたサージ吸収特性
を損なう虞れがある。
ジ吸収素子も、大きなサージ（例えば電流値
1000A、電流波形８×20μsec程度）が繰り返し印
加された場合には、サージ吸収における放電によ
り電極を構成する導電物質がスパツタされて抵抗
体の表面に付着し、これが蓄積されて電極間の絶
縁を劣化させて制限電圧を低下させ、複合型のサ
ージ吸収素子が本来有する優れたサージ吸収特性
を損なう虞れがある。
本考案は、上述の点に鑑み案出されたもので、
サージ吸収における放電により導電物質がスパツ
タされ、これが抵抗体の表面に付着した場合に於
いても、電極間の絶縁劣化に至るまでの期間が長
く、長期間に亘つて安定したサージ吸収特性が得
られるサージ吸収素子の実現を目的とする。
サージ吸収における放電により導電物質がスパツ
タされ、これが抵抗体の表面に付着した場合に於
いても、電極間の絶縁劣化に至るまでの期間が長
く、長期間に亘つて安定したサージ吸収特性が得
られるサージ吸収素子の実現を目的とする。
上述の目的を達成するため本考案のサージ吸収
素子は、電圧非直線特性を有する抵抗体の両端
に、放電間隙を隔てて相対向させて電極を接続
し、これを気密容器中に収納したサージ吸収素子
に於いて、上記抵抗体と少なくとも一方の電極と
の間に筒状の絶縁体を配するとともに、該筒状の
絶縁体の中空部内において上記抵抗体と一方の電
極とを接続したことを特徴とするものである。
素子は、電圧非直線特性を有する抵抗体の両端
に、放電間隙を隔てて相対向させて電極を接続
し、これを気密容器中に収納したサージ吸収素子
に於いて、上記抵抗体と少なくとも一方の電極と
の間に筒状の絶縁体を配するとともに、該筒状の
絶縁体の中空部内において上記抵抗体と一方の電
極とを接続したことを特徴とするものである。
本考案は上述の如く、抵抗体と電極との間に筒
状の絶縁体を配するとともに、この筒状の絶縁体
の中空部において上記抵抗体と一方の電極とを接
続しているので、電極間の沿面距離が長くなり、
抵抗体の表面により多くのスパツタ物質が付着す
るまで電極間の絶縁劣化は生じない。
状の絶縁体を配するとともに、この筒状の絶縁体
の中空部において上記抵抗体と一方の電極とを接
続しているので、電極間の沿面距離が長くなり、
抵抗体の表面により多くのスパツタ物質が付着す
るまで電極間の絶縁劣化は生じない。
以下、図面に基づいて本考案の一実施例を説明
する。
する。
第１図は本考案の一実施例に係るサージ吸収素
子の概略断面図である。図に於いてサージ吸収素
子１は、例えばZnO、BaTiO3、SiC等を主体と
した電圧非直線特性を有する材料より成る抵抗体
２の一端にFeやNi等より成る一方の電極３と筒
状の絶縁体４とを、他端に同じくFeやNi等より
成る他方の３′を接続し、上記一対の電極３，
３′の外縁部を相対向させて放電間隙５を形成し
ている。また、上記電極３，３′に、外部リード
線６，６′を導出したFe−Ni合金や46−６合金等
より成る封止キヤツプ７，７′を溶接すると共に、
上記封止キヤツプ７，７′を、例えばセラミツク
（フオルステライト等）等の絶縁物より成る外囲
筐体８の両端に、低融点ガラスより成る封止部材
９，９′によつて封着して気密容器１０を形成し、
該容器１０中に上記抵抗体２、電極３，３′及び
絶縁体４をNe、Ar等の希ガスを主体とした放電
ガスと共に封入している。
子の概略断面図である。図に於いてサージ吸収素
子１は、例えばZnO、BaTiO3、SiC等を主体と
した電圧非直線特性を有する材料より成る抵抗体
２の一端にFeやNi等より成る一方の電極３と筒
状の絶縁体４とを、他端に同じくFeやNi等より
成る他方の３′を接続し、上記一対の電極３，
３′の外縁部を相対向させて放電間隙５を形成し
ている。また、上記電極３，３′に、外部リード
線６，６′を導出したFe−Ni合金や46−６合金等
より成る封止キヤツプ７，７′を溶接すると共に、
上記封止キヤツプ７，７′を、例えばセラミツク
（フオルステライト等）等の絶縁物より成る外囲
筐体８の両端に、低融点ガラスより成る封止部材
９，９′によつて封着して気密容器１０を形成し、
該容器１０中に上記抵抗体２、電極３，３′及び
絶縁体４をNe、Ar等の希ガスを主体とした放電
ガスと共に封入している。
上記絶縁体４は、ガラスやセラミツク等の耐熱
性を有する材料を筒状に形成したもので、その外
形寸法が上記抵抗体２の外形寸法よりも大きく選
定されて、抵抗体２と一方の電極３との間の放電
を防止している。また、上記一方の電極３の接続
面には凸部３ａが形成されており、該凸部３ａが
筒状絶縁体４の中空部を挿通して抵抗体２と接続
されている。
性を有する材料を筒状に形成したもので、その外
形寸法が上記抵抗体２の外形寸法よりも大きく選
定されて、抵抗体２と一方の電極３との間の放電
を防止している。また、上記一方の電極３の接続
面には凸部３ａが形成されており、該凸部３ａが
筒状絶縁体４の中空部を挿通して抵抗体２と接続
されている。
第２図Ａは、本考案の他の実施例の要部概略断
面図である。本実施例は、一方の電極３の接続面
は平坦で、絶縁体４の中空部壁面にメタライズ技
術等により導電部材１１を被着して導電径路を形
成し、抵抗体２と一方の電極３とを接続したもの
であり、他の構成は第１図に示した実施例と実質
的に同一である。
面図である。本実施例は、一方の電極３の接続面
は平坦で、絶縁体４の中空部壁面にメタライズ技
術等により導電部材１１を被着して導電径路を形
成し、抵抗体２と一方の電極３とを接続したもの
であり、他の構成は第１図に示した実施例と実質
的に同一である。
第２図Ｂは、本考案の更に他の実施例の要部概
略断面図である。本実施例は、絶縁体４の中空部
内を導電部材１１で埋めて導電径路を形成し、抵
抗体２と一方の電極３とを接続したものであり、
他の構成は第２図Ａに示した実施例と実質的に同
一である。
略断面図である。本実施例は、絶縁体４の中空部
内を導電部材１１で埋めて導電径路を形成し、抵
抗体２と一方の電極３とを接続したものであり、
他の構成は第２図Ａに示した実施例と実質的に同
一である。
第３図は、従来及び本考案のサージ吸収素子の
サージ（電流値1000A、電流波形８×20πsec）印
加回数に対する制限電流0.1mAの場合に於ける制
限電圧の変化率を示す特性図である。図に於いて
ａは直径3.0mm、両端間の長さ0.86mmのZnOを主体
とした電圧非直線抵抗体を用いた従来例の特性を
示すものであり、またｂは本考案のサージ吸収素
子の特性、即ち、上記従来例の電圧非直線抵抗体
と一方の電極との間に内径3.1mm、外径3.25mm、
長さ0.7mmのセラミツクリングを配した場合の特
性である。
サージ（電流値1000A、電流波形８×20πsec）印
加回数に対する制限電流0.1mAの場合に於ける制
限電圧の変化率を示す特性図である。図に於いて
ａは直径3.0mm、両端間の長さ0.86mmのZnOを主体
とした電圧非直線抵抗体を用いた従来例の特性を
示すものであり、またｂは本考案のサージ吸収素
子の特性、即ち、上記従来例の電圧非直線抵抗体
と一方の電極との間に内径3.1mm、外径3.25mm、
長さ0.7mmのセラミツクリングを配した場合の特
性である。
図から明らかな様に、制限電圧が初期値から10
％低下するまでに要するサージ印加回数は、従来
例ａの場合が220回程度であるのに対し、本考案
ｂの場合は600回程度であり、本考案の効果があ
らわれている。
％低下するまでに要するサージ印加回数は、従来
例ａの場合が220回程度であるのに対し、本考案
ｂの場合は600回程度であり、本考案の効果があ
らわれている。
尚、以上の実施例に於いては、筒状の絶縁体を
一方の電極と抵抗体との間に配した場合を示した
が、他方の電極と抵抗体との間、或いは双方の電
極と抵抗体との間であつてもよく、要は、絶縁体
によつて電極間の沿面距離が長くなるような配置
であれば足りる。
一方の電極と抵抗体との間に配した場合を示した
が、他方の電極と抵抗体との間、或いは双方の電
極と抵抗体との間であつてもよく、要は、絶縁体
によつて電極間の沿面距離が長くなるような配置
であれば足りる。
〔考案の効果〕
以上詳述の如く、本考案のサージ吸収素子は、
抵抗体と少なくとも一方の電極との間に筒状の絶
縁体を配するとともに、この筒状の絶縁体の中空
部内において抵抗体と一方の電極とを接続するこ
とで、電極間の沿面距離が長くなり、これにより
導電性のスパツタ物質が抵抗体の表面に付着して
も電極間の絶縁劣化に至るまでの期間が長くな
り、したがつて長期間に亘つて安定したサージ吸
収特性が得られるものである。
抵抗体と少なくとも一方の電極との間に筒状の絶
縁体を配するとともに、この筒状の絶縁体の中空
部内において抵抗体と一方の電極とを接続するこ
とで、電極間の沿面距離が長くなり、これにより
導電性のスパツタ物質が抵抗体の表面に付着して
も電極間の絶縁劣化に至るまでの期間が長くな
り、したがつて長期間に亘つて安定したサージ吸
収特性が得られるものである。
第１図は本考案の一実施例の概略断面図、第２
図Ａ及び第２図Ｂは本考案の他の実施例の要部外
略断面図、第３図は本考案及び従来例に於けるサ
ージ印加回数に対する制限電圧の変化率を示す特
性図、第４図は従来例の概略断面図である。 １……サージ吸収素子、２……抵抗体、３，
３′……電極、３ａ……電極の凸部、４……絶縁
体、５……放電間隙、１０……気密容器、１１…
…導電部材。
図Ａ及び第２図Ｂは本考案の他の実施例の要部外
略断面図、第３図は本考案及び従来例に於けるサ
ージ印加回数に対する制限電圧の変化率を示す特
性図、第４図は従来例の概略断面図である。 １……サージ吸収素子、２……抵抗体、３，
３′……電極、３ａ……電極の凸部、４……絶縁
体、５……放電間隙、１０……気密容器、１１…
…導電部材。
Claims (1)
- 電圧非直線特性を有する抵抗体の両端に、放電
間隙を隔てて相対向させて電極を接続し、これを
気密容器中に収納したサージ吸収素子に於いて、
上記抵抗体と少なくとも一方の電極との間に筒状
の絶縁体を配するとともに、該筒状の絶縁体の中
空部内において上記抵抗体と一方の電極とを接続
したことを特徴とするサージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12768985U JPH0226154Y2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12768985U JPH0226154Y2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234792U JPS6234792U (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0226154Y2 true JPH0226154Y2 (ja) | 1990-07-17 |
Family
ID=31022684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12768985U Expired JPH0226154Y2 (ja) | 1985-08-21 | 1985-08-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226154Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-21 JP JP12768985U patent/JPH0226154Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6234792U (ja) | 1987-02-28 |
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