JPS62219348A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用力ａ＞ 本発明は消去、再記録が可能で大容量データファイル等
に使用される光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に関し
、詳しくはこの光磁気記録媒体の保ｖｆｔ層の改良に関
するものである。

（従来技術） 高密度、大容量あるいはヘッドと媒体との非接触性等多
くの特長を有する光記録媒体の中でも消去、再記録が容
易ということから光磁気記録媒体が注目されている。

この光磁気記録媒体は記録媒体として磁性体を用いこの
磁性体の磁化の変化により情報を記録する。この磁性体
としては例えば、Ｇｄ　、　Ｔｂ　、　ＤＶ等の希土類
金１７１（ＲＥ）とＦｅ、Ｃｏ、Ｎ；等の遷移金属を組
み合わせた非晶質（アモルファス）磁性体を用い、これ
らの磁性体を層状にして記録層としている。そしてこの
ような磁性体、とくに希土類金属は酸化されやすく酸化
されると保磁力等の磁気特性が劣化してしまうので、上
記記録層を空中酸素から隔離するためにこの記録層を誘
電体等からなる保護層により被覆している。

しかしながら、この保ｒ！Ｉｇ！１はスパッタリング法
等を用いて形成されるが、そのスパッタリング中に発生
した遊離酸素が記録層表面に付着し、さらに記録層内部
に侵入して磁性体が酸化されるという問題があり、酸化
防止のための保護層を形成する際にかえって酸化が促進
されてしまうという結果になっていた。

（発明の目的） 本発明は、上記問題を解決するためになされたものであ
り、保ｍｕ形成中に発生したＭｔ１１酸素による磁性体
の酸化を防止し、これにより磁気特性の劣化を防止し得
る光磁気記録媒体を提供することを目的とするものであ
る。

（発明の構成） 本発明の光磁気記録媒体は、磁性体からなる記録層上に
、同時スパッタリング法または同時蒸着法を用いて誘電
体と酸素の吸収力が大なる希土類金属とを混合した保護
層を形成し、スパッタリング中または蒸着中に生じた遊
ｌｌ１ｌＩ酸素を記録層側で吸収される前に保護層側で
吸収することを特徴とするものである。

上記同時スパッタリング法とは一般に、物質の異なる複
数のターゲットを設け、それに印加する電力を変えてス
パッタリングの割合を制御し、所望の組成比の薄膜を形
成する方法であり、本発明の場合には希土類金属をマグ
ネトロンスパッタリング等により、また誘電体を高周波
スパッタリング等により同時に１つの基板に対して行な
うスパッタリング法を意味するものとする。

また、同時蒸着法とは物質の異なる複数の蒸発源を設け
、それらに照射する電子線銃に印加する電流、あるいは
上記蒸発源に直接印加する電流を変えて蒸着分を制御し
、所望の組成比を有する薄膜を形成する方法である。

また、上記誘電体としては、例えばｓｔ　ｏ、　５ｉ０
ｚ、５ｉ３Ｎａ、Ａ９ＪｚＯｓ、ＡＬＮ、ＺｎＳ等があ
る。

また、上記希土類金属とは、希土類金属単体の状態であ
ってもよいし、例えば遷移金属等と合金を形成するよう
な化合物の状態であってもよ（１％ａさらに、上記保護
層は記録層に隣接していることが必要であるが、本発明
においてはこの保護層が記録層の片面に形成されている
場合および両面に形成されている場合の双方を含むもの
とする。

（発明の効果） 本発明の光磁気記録媒体によれば、保護層中に希土類金
属を混合せしめてスパッタリング中または蒸着中に発生
したｙｎ岨酸素を吸収するようにしているから、これら
の＊ｔｎｍ素が記録層内部に侵入゛する虞れは小さく磁
性体が酸化するのを防止することができる。これにより
酸化による保磁力等の劣化を防止することができる。

しかも、この希土類金属と誘電体の１ｉＷＡ形成を同時
スパッタリング法または同時蒸着法により行なっている
から両者が均一に混合し、酸素の吸収においてむらが生
じることはない。

（実施態様〉 以下、本発明の実施態様について図面を用いて説明する
。

第２図は、本発明の一実施態様による光磁気記録媒体の
積層状態を示す一部側断面図である。

この光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスク１は、
書込側非磁性透明基板２上に第１保護層３、記録層４．
第２保護層５９反射層６を順次形成し、これらを接着層
７により外部非磁性透明基板８と貼り合わせて形成した
ものである。

ここで非磁性透明基板２，８はガラスまたはアクリル系
樹脂等の透明プラスチック（例えばＰＭＭＡ）からなり
厚さが１＃！Ｉ１１程度となるように形成されている。

また、第１および第２保護層３．５は希土類−；ａ移金
属合金等の希土類系金属と、誘電体との混合層を５００
〜３０ＧＯＡ程度の厚さに形成したものである。希土類
金属単体の場合はＧｄ　、　Ｔｂ　、　Ｄｙ　。

Ｃｅ等が使用され、希土類−遷移金属合金の場合はＧｄ
　Ｆｅ　、　Ｔｂ　Ｆｅ　、　Ｄ’ｌ　ｌ”ｅ　、　Ｇ
ｄ　Ｔｂ　Ｆｅ　。

Ｔｂ　Ｄｙ　Ｆｅ　、　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ　、　Ｇｄ　
Ｆｅ　Ｃｏ　、　ＧｄＴｂＣ０等の合金が使用される。

誘電体とじてはＳｔ　Ｏ，Ｓｆ　０２　、Ｓ！　３　Ｎ
４　、Ｚｎ　Ｓ等が使用される。

記録層４としては、非晶質希土類−遷移金属合金等の磁
性体が使用されるが、元素としては上述した保１１ｉ２
１３．５で使用されるものと同種のものであってもよい
し、異種のものであってもよい。

なお、この記録層４の厚さは例えば２ｏｏＡ程度に形成
される。

反射層６はアルミニウム、金、銀、チタン等の金属ある
いはそれらの合金を例えば１ｏｏｏＡの厚さに形成した
ものである。これは、ディスク１の棗込面側にレーザ光
を反射せしめるためのものである。

接着層７はシリコーン系接着剤（例えば東しシリコーン
（株）製３　Ｅ　７７００ン等を１０μｍの厚さに塗布
したものである。

ところで、本発明の光磁気ディスクは保護層中に酸素吸
収力が大である希土類系金属を混合せしめ、スパッタリ
ング中あるいは蒸着中に発生した遊離酸素をこの希土類
系金属と結合せしめることにより、Ｍ離酸素が記録層内
に侵入するのを防止している。以下、第２図に示す実施
態様において保護層５が形成される過程を第１図（ａ　
）、（ｂ　）を用いて説明する。

第１図（ａ　）は同時スパッタリング法を示すものであ
る。１０′５Ｔｏｒ＋程度まで排気した真空チェンバ中
にアルゴンガスを導入して１０４７６？Ｐ程度とし、そ
の雰囲気中に希土類−遷移金属合金ターゲット９とＬｉ
　ｆｆｉ体ターゲット１０を配設し、これら両ターゲッ
ト９．１０の下方に、非磁性透明基板２上に保護層３と
記録層４をこの順に積層してなるものを配設する。

希土類−遷移金属合金ターゲット９に対してはマグネト
ロンスパッタリング法を用い、誘電体ターゲット１０に
対しては高周波スパッタリング法を用い、両ターゲット
９．１０に対して同時に電圧を印加し、記録層４上に所
定の厚さの７７１層（例えば１０００△）が形成された
時点で両ターゲット９，１゜に対する電力の印加を停止
する。

この保護層５の組成比は両ターゲット９．１０に印加す
る電力の大きさの比を変えることにより所望の値に設定
することができる。

次に第１図（ｂ）は同時蒸着法を示すものである。１０
４Ｔｏｐ＞程度まで排気した真空チャンバ中に希土類遷
移金属合金の蒸着材１１と誘電体の蒸着材１２を配し、
この両蒸着材１１．１２の記録層４に対する蒸着が同時
に行なわれるようにする。抵抗加熱型であれば両蒸着材
１１．１２に密着せしめた両蒸着源１３．１４に対して
同時に電流を印加し、電子ＶｆＩ撃型てあれば、両蒸着
材１１．１２のそれぞれに対応する２つの電子線銃に対
して同時に電流を印加する。

そして、記録層４上に所定の厚さの薄層（例えば１ｏｏ
ｏＡ　＞が形成された時点で上記電流の印加を停止する
。

両蒸谷源１３．１４あるいは両電子線銃に印加す、る電
流の大きさの比を変えることにより保１１１５の組成比
を変えることができる。

なお、保護層３も保護層５と同様の方法にて形成すれば
よいが、本発明の光磁気記録媒体においてはこの保護層
３の形成を省略してもよい。

なお、本発明の光磁気記録媒体はいわゆる「溝付きディ
スク」および「溝なしディスク」のいずれにも適用する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施態様に係る光磁気記録媒体の保
護層が形成される様子を示す側断面図であって、（ａ　
）は同時スパッタリング法によるもの、（ｂ）は同時Ｍ
Ｗ法によるものを示すものであり、 第２図は第１図の光磁気記録媒体の積層構造を示すため
の一部側断面図である。 １・・・光磁気記録媒体（光磁気ディスク）２．８・・
・非磁性透明基板 ３．５・・・保護層　　　　４・・・記録層９・・・希
土類−遷移金属合金ターゲット１０・・・誘電体ターゲ
ット

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）非磁性透明基板上に光学磁気記録層および保護層を
   積層してなる光磁気記録媒体において、該保護層が、希
   土類金属および誘電体の混合層からなることを特徴とす
   る光磁気記録媒体。 ２）前記保護層が同時スパッタリング法、あるいは同時
   蒸着法により形成されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。