JPH0766584B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0766584B2 JPH0766584B2 JP61083717A JP8371786A JPH0766584B2 JP H0766584 B2 JPH0766584 B2 JP H0766584B2 JP 61083717 A JP61083717 A JP 61083717A JP 8371786 A JP8371786 A JP 8371786A JP H0766584 B2 JPH0766584 B2 JP H0766584B2
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- sputtering
- dielectric
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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Description
【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は大容量データファイル等に使用される光磁気デ
ィスク等の光磁気記録媒体の製造方法に関し、詳しくは
スパッタリングにより光磁気記録媒体の基板上に記録媒
体層、保護層等の薄層を形成する方法に関するものであ
る。
ィスク等の光磁気記録媒体の製造方法に関し、詳しくは
スパッタリングにより光磁気記録媒体の基板上に記録媒
体層、保護層等の薄層を形成する方法に関するものであ
る。
（従来技術） 高密度、大容量あるいはヘッドと媒体との非接触性等多
くの特徴を有する光記録媒体の中でも消去、再記録が容
易ということから光磁気記録媒体が注目されている。
くの特徴を有する光記録媒体の中でも消去、再記録が容
易ということから光磁気記録媒体が注目されている。
この光磁気記録媒体は記録媒体として磁性体を用い、こ
の磁性体の磁化の変化により情報を記録する。この磁性
体としては例えば、Gd,Tb,Dy等の希土類金属（RE）とF
e,Co,Ni等の遷移金属を組み合わせた非晶質（アモルフ
ァス）磁性体を用い、これらの磁性体を層状にして記録
層としている。そしてこのような磁性体、とくに希土類
金属は酸化されやすく酸化されると保磁力等の磁気特性
が劣化してしまうので、上記記録層を空中酸素から隔離
するために、スパッタリング法等を用いてこの記録層上
に誘電体等からなる保護層を形成している。
の磁性体の磁化の変化により情報を記録する。この磁性
体としては例えば、Gd,Tb,Dy等の希土類金属（RE）とF
e,Co,Ni等の遷移金属を組み合わせた非晶質（アモルフ
ァス）磁性体を用い、これらの磁性体を層状にして記録
層としている。そしてこのような磁性体、とくに希土類
金属は酸化されやすく酸化されると保磁力等の磁気特性
が劣化してしまうので、上記記録層を空中酸素から隔離
するために、スパッタリング法等を用いてこの記録層上
に誘電体等からなる保護層を形成している。
しかしながら、この保護層を形成するためのスパッタリ
ングを行なう際に発生した遊離酸素が記録層表面に付着
し、さらに記録層内部に侵入して磁性体が酸化されると
いう問題があり、酸化防止のための保護層を形成する際
にかえって酸化が促進されてしまうという結果になって
いた。
ングを行なう際に発生した遊離酸素が記録層表面に付着
し、さらに記録層内部に侵入して磁性体が酸化されると
いう問題があり、酸化防止のための保護層を形成する際
にかえって酸化が促進されてしまうという結果になって
いた。
（発明の目的） 本発明は、上記問題を解決するためになされたものであ
り、保護層形成中に発生した遊離酸素による磁性体の酸
化を防止し、これにより磁気特性の劣化を防止し得る光
磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
り、保護層形成中に発生した遊離酸素による磁性体の酸
化を防止し、これにより磁気特性の劣化を防止し得る光
磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
（発明の構成） 本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、インラインスパ
ッタ装置内で回転する透明基板を第１の誘電体ターゲッ
ト、希土類系金属ターゲットおよび第２の誘電体ターゲ
ットに沿ってこの順に移動させ、この移動中にこの基板
上に、第１の誘電体ターゲットと希土類系金属ターゲッ
トを用いた同時スパッタリングを行ない、この後、希土
類系金属ターゲットのみを用いたスパッタリングを行な
い、さらにこの後希土類系金属ターゲットと第２の誘電
体ターゲットを用いた同時スパッタリングを行なうこと
を特徴とするものである。
ッタ装置内で回転する透明基板を第１の誘電体ターゲッ
ト、希土類系金属ターゲットおよび第２の誘電体ターゲ
ットに沿ってこの順に移動させ、この移動中にこの基板
上に、第１の誘電体ターゲットと希土類系金属ターゲッ
トを用いた同時スパッタリングを行ない、この後、希土
類系金属ターゲットのみを用いたスパッタリングを行な
い、さらにこの後希土類系金属ターゲットと第２の誘電
体ターゲットを用いた同時スパッタリングを行なうこと
を特徴とするものである。
上記誘電体ターゲットとは、誘電体、例えばSiO、SiO2,
Si3N4,Al2O3,AlN,ZnS等の化合物により形成されたター
ゲットである。
Si3N4,Al2O3,AlN,ZnS等の化合物により形成されたター
ゲットである。
また、上記希土類系金属ターゲットとは、希土類金属単
体のみならず希土類金属と遷移金属等との化合物からな
るターゲットも含むものとする。
体のみならず希土類金属と遷移金属等との化合物からな
るターゲットも含むものとする。
上記同時スパッタリングとは一般に、物質の異なる複数
のターゲットを設け、それに印加する電圧を変えてスパ
ッタリングの割合を制御し、所望の組成比の薄膜を形成
する方法であり、本発明の場合には希土類系金属をマグ
ネトロンスパッタリング等により、また誘電体を高周波
スパッタリング等により同時に１つの基板に対して行な
うスパッタリングを意味するものとする。
のターゲットを設け、それに印加する電圧を変えてスパ
ッタリングの割合を制御し、所望の組成比の薄膜を形成
する方法であり、本発明の場合には希土類系金属をマグ
ネトロンスパッタリング等により、また誘電体を高周波
スパッタリング等により同時に１つの基板に対して行な
うスパッタリングを意味するものとする。
また、混合層および記録媒体層の厚さがどの程度に形成
されるか、あるいは完全な記録媒体層を作り得るか否か
はターゲット間の距離ターゲットの大きさ、数、ターゲ
ットに印加する電圧、基板の搬送速度および回転速度等
の諸条件により決定される。本発明の実施にあたって
は、これらの諸条件を調整して、例えば、第１の混合層
を200Å、記録媒体層を1000Å、第２混合層を1000Åと
いうように、各層を所望の厚さに形成する必要がある。
されるか、あるいは完全な記録媒体層を作り得るか否か
はターゲット間の距離ターゲットの大きさ、数、ターゲ
ットに印加する電圧、基板の搬送速度および回転速度等
の諸条件により決定される。本発明の実施にあたって
は、これらの諸条件を調整して、例えば、第１の混合層
を200Å、記録媒体層を1000Å、第２混合層を1000Åと
いうように、各層を所望の厚さに形成する必要がある。
なお、好ましい実施態様においては、第１の混合層を形
成する前に第１の誘電体ターゲットのみのスパッタリン
グにより第１の誘電体層を形成し、第２の混合層を形成
した後に第２の誘電体ターゲットのみのスパッタリング
により第２の誘電体層を形成する。したがって、この場
合には基板上に第１の誘電体層、第１の混合層、記録媒
体層、第２の混合層、第２の誘電体層がこの順に形成さ
れる。
成する前に第１の誘電体ターゲットのみのスパッタリン
グにより第１の誘電体層を形成し、第２の混合層を形成
した後に第２の誘電体ターゲットのみのスパッタリング
により第２の誘電体層を形成する。したがって、この場
合には基板上に第１の誘電体層、第１の混合層、記録媒
体層、第２の混合層、第２の誘電体層がこの順に形成さ
れる。
（発明の効果） 本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば、インライ
ンスパッタ装置中を移動する基板に対して所定の同時ス
パッタリングを行ない得るように各ターゲットを配して
おり、基板上に第１の混合層、記録媒体層、第２の混合
層をこの順に形成することができる。ここに、本発明の
方法により製造された光磁気記録媒体は記録媒体層が２
つの混合層にはさまれるような状態に形成され、この混
合層が遊離酸素を吸収する希土類系金属を含んでいるた
めスパッタリング等により発生した遊離酸素は記録媒体
層に侵入する前に混合層内部で吸収され記録層内部の磁
性体が酸化するのを防止することができる。したがっ
て、本発明の方法によって、酸化による保磁力等の劣化
を防止し得る光磁気記録媒体を製造することができる。
ンスパッタ装置中を移動する基板に対して所定の同時ス
パッタリングを行ない得るように各ターゲットを配して
おり、基板上に第１の混合層、記録媒体層、第２の混合
層をこの順に形成することができる。ここに、本発明の
方法により製造された光磁気記録媒体は記録媒体層が２
つの混合層にはさまれるような状態に形成され、この混
合層が遊離酸素を吸収する希土類系金属を含んでいるた
めスパッタリング等により発生した遊離酸素は記録媒体
層に侵入する前に混合層内部で吸収され記録層内部の磁
性体が酸化するのを防止することができる。したがっ
て、本発明の方法によって、酸化による保磁力等の劣化
を防止し得る光磁気記録媒体を製造することができる。
さらに、本発明の方法によれば、インラインスパッタリ
グ装置内を上流側から下流側まで移動する間に前述した
各層を形成することができるから、一定の間隔をおいて
この装置内に基板を搬入すれば所望の光磁気記録媒体を
連続して製造することができ、製造工程の簡易化、ひい
ては製造コストの低廉化を図ることができる。
グ装置内を上流側から下流側まで移動する間に前述した
各層を形成することができるから、一定の間隔をおいて
この装置内に基板を搬入すれば所望の光磁気記録媒体を
連続して製造することができ、製造工程の簡易化、ひい
ては製造コストの低廉化を図ることができる。
（実施態様） 以下、本発明の実施態様について図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施態様による方法を説明するため
の図でありインラインスパッタ装置内におけるターゲッ
トの配置と搬送される基板との関係を示す概略図であ
る。なお、ターゲットの配列方向は基板の進行方向と一
致する。
の図でありインラインスパッタ装置内におけるターゲッ
トの配置と搬送される基板との関係を示す概略図であ
る。なお、ターゲットの配列方向は基板の進行方向と一
致する。
円板状透明基板１をインラインスパッタ装置２内に矢印
Ａ方向から搬入する。この基板１は搬送手段（ベルトコ
ンベア等）上に固定された回転シャフトにより略一定速
度で矢印Ｂ方向に回転されている。この後、この基板１
が矢印Ａ方向に搬送され、（ａ）の位置までくると第１
誘電体ターゲット３を用いたスパッタリングにより第１
誘電体層が形成される。この後基板１が（ｂ）の位置に
くると第１誘電体ターゲット３のスパッタリングだけで
なく第１希土類−遷移金属（以下希土類−遷移金属をRE
−TMという）ターゲット４のスパッタリングが行なわれ
この基板１上に誘電体とRE−TMからなる第１混合層が形
成される。すなわち（ｂ）の位置では第１誘電体ターゲ
ット３と第１希土類−遷移金属ターゲット４による同時
スパッタリングが行なわれる。この後、基板１が（ｃ）
の位置までくると第１誘電体ターゲット３のスパッタリ
ングの影響はなくなり、第1RE−TMターゲット４と第2RE
−TMターゲット５の同時スパッタリングによりこの基板
１上にRE−TM層からなる記録媒体層が形成される。さら
に、基板１が（ｄ）の位置までくると第2RE−TMターゲ
ット５と第２誘電体ターゲット６の同時スパッタリング
によりこの基板１上に誘電体とRE−TMからなる第２混合
層が形成される。さらに基板１が（ｅ）の位置までくる
と第2RE−TMターゲット５のスパッタリングの影響はな
くなり第２誘電体ターゲット６のみのスパッタリングに
よりその基板１に第２誘電体層が形成される。なお、第
２誘電体ターゲット６の下流側に同様の誘電体ターゲッ
ト７を設けて第２誘電体層の厚さを厚くするようにして
もよい。
Ａ方向から搬入する。この基板１は搬送手段（ベルトコ
ンベア等）上に固定された回転シャフトにより略一定速
度で矢印Ｂ方向に回転されている。この後、この基板１
が矢印Ａ方向に搬送され、（ａ）の位置までくると第１
誘電体ターゲット３を用いたスパッタリングにより第１
誘電体層が形成される。この後基板１が（ｂ）の位置に
くると第１誘電体ターゲット３のスパッタリングだけで
なく第１希土類−遷移金属（以下希土類−遷移金属をRE
−TMという）ターゲット４のスパッタリングが行なわれ
この基板１上に誘電体とRE−TMからなる第１混合層が形
成される。すなわち（ｂ）の位置では第１誘電体ターゲ
ット３と第１希土類−遷移金属ターゲット４による同時
スパッタリングが行なわれる。この後、基板１が（ｃ）
の位置までくると第１誘電体ターゲット３のスパッタリ
ングの影響はなくなり、第1RE−TMターゲット４と第2RE
−TMターゲット５の同時スパッタリングによりこの基板
１上にRE−TM層からなる記録媒体層が形成される。さら
に、基板１が（ｄ）の位置までくると第2RE−TMターゲ
ット５と第２誘電体ターゲット６の同時スパッタリング
によりこの基板１上に誘電体とRE−TMからなる第２混合
層が形成される。さらに基板１が（ｅ）の位置までくる
と第2RE−TMターゲット５のスパッタリングの影響はな
くなり第２誘電体ターゲット６のみのスパッタリングに
よりその基板１に第２誘電体層が形成される。なお、第
２誘電体ターゲット６の下流側に同様の誘電体ターゲッ
ト７を設けて第２誘電体層の厚さを厚くするようにして
もよい。
上記説明においては１枚の基板についての薄膜形成につ
いてのみ言及しているが、実際には搬送手段によりイン
ラインスパッタ装置内に次々と基板１が搬入され上記説
明と同様の方法で光磁気記録媒体が連続して製造され
る。任意の基板１と次に搬入された基板１の間隔は適当
な値とすればよいが、例えば任意の基板が（ｂ）の位置
にあるときに次の基板が（ａ）の位置にくる程度までそ
の間隔を小さくする方が合理的である。
いてのみ言及しているが、実際には搬送手段によりイン
ラインスパッタ装置内に次々と基板１が搬入され上記説
明と同様の方法で光磁気記録媒体が連続して製造され
る。任意の基板１と次に搬入された基板１の間隔は適当
な値とすればよいが、例えば任意の基板が（ｂ）の位置
にあるときに次の基板が（ａ）の位置にくる程度までそ
の間隔を小さくする方が合理的である。
ここで基板１はガラスまたはアクリル系樹脂等の透明プ
ラスチック（例えばPMMA、ポリカーボネートエポキシ樹
脂など）からなり厚さが1mm程度となるように形成され
ている。
ラスチック（例えばPMMA、ポリカーボネートエポキシ樹
脂など）からなり厚さが1mm程度となるように形成され
ている。
誘電体ターゲット3,6,7に使用される誘電体としてはSi
O,SiO2,Si3N4、ZnS等がある。この誘電体ターゲット3,
6,7によるスパッタリングには通常高周波スパッタリン
グ法が用いられる。
O,SiO2,Si3N4、ZnS等がある。この誘電体ターゲット3,
6,7によるスパッタリングには通常高周波スパッタリン
グ法が用いられる。
さらに、RE−TMターゲット4,5としてはGdFe,TbFe,DyFe,
GdTbFe,TbDyFe,GdFeCo,GdTbCo,TbFeCo,GdTbFeCo等の合
金が使用される。このRE−TMターゲット4,5によるスパ
ッタリングには通常マグネトロンスパッタリング法が用
いられる。
GdTbFe,TbDyFe,GdFeCo,GdTbCo,TbFeCo,GdTbFeCo等の合
金が使用される。このRE−TMターゲット4,5によるスパ
ッタリングには通常マグネトロンスパッタリング法が用
いられる。
また、上記インラインスパッタ装置２は予め10-5Torr程
度まで排気し、この雰囲気中に10-2Torr程度までアルゴ
ンガスを封入しておく。
度まで排気し、この雰囲気中に10-2Torr程度までアルゴ
ンガスを封入しておく。
また、基板１の矢印Ｂ方向への回転速度は矢印Ａ方向へ
の搬送速度およびスパッタ速度を考慮して設定すべき、
基板１の全面に亘って均一なスパッタリングが行なわ
れ、さらに混合層において誘電体とRE−TMが略均一に混
合し得る程度の回転速度、搬送速度、スパッタ速度とす
ることが望ましい。
の搬送速度およびスパッタ速度を考慮して設定すべき、
基板１の全面に亘って均一なスパッタリングが行なわ
れ、さらに混合層において誘電体とRE−TMが略均一に混
合し得る程度の回転速度、搬送速度、スパッタ速度とす
ることが望ましい。
また、基板の搬送およびスパッタリングについては、連
続的であると間欠的であると問わず、例えば、上記搬送
およびスパッタリングを長時間に亘り一定速度で行なう
ようにしてもよいし、基板を所定位置（第１図ａ）,b）
等）まで間欠的に送り、基板がその位置に設定されたと
きのみにスパッタリングを行なうようにしてもよい。そ
の他基板の搬送態様とスパッタリングの態様については
適宜適当な態様を選択し組合わせることが可能である。
続的であると間欠的であると問わず、例えば、上記搬送
およびスパッタリングを長時間に亘り一定速度で行なう
ようにしてもよいし、基板を所定位置（第１図ａ）,b）
等）まで間欠的に送り、基板がその位置に設定されたと
きのみにスパッタリングを行なうようにしてもよい。そ
の他基板の搬送態様とスパッタリングの態様については
適宜適当な態様を選択し組合わせることが可能である。
第２図は、第１図の実施態様により製造された光磁気記
録媒体の積層構造を示す一部側断面図である。
録媒体の積層構造を示す一部側断面図である。
この光磁気記録媒体11は書込側透明基板１上に第１誘電
体層12、第１混合層13、記録媒体層14、第２混合層15、
第２誘電体層16が順次形成されており、この後接着剤に
より外部透明基板と貼り合わされる。
体層12、第１混合層13、記録媒体層14、第２混合層15、
第２誘電体層16が順次形成されており、この後接着剤に
より外部透明基板と貼り合わされる。
第１誘電体層12、記録媒体層14、第２混合層15および第
２誘電体層16は各々500〜3000Å程度の厚さに形成され
る。これに対し、第１混合層13は矢印Ｃ方向から光が照
射されるためその光の特性が大幅に変化することのない
よう200Å以下の厚さに形成されることが望ましい。
２誘電体層16は各々500〜3000Å程度の厚さに形成され
る。これに対し、第１混合層13は矢印Ｃ方向から光が照
射されるためその光の特性が大幅に変化することのない
よう200Å以下の厚さに形成されることが望ましい。
なお、誘電体層12,16は必ずしも形成する必要はない。
なお、上記実施態様においては、希土類系金属のターゲ
ット4,5として希土類−遷移金属を用いているが、必要
によりどちらか一方をこれに代えて希土類金属と他金属
の化合物あるいは希土類金属単体を用いるようにしても
よい。この場合の希土類金属単体としてはGd,Tb,Dy,Ce
等が使用される。
ット4,5として希土類−遷移金属を用いているが、必要
によりどちらか一方をこれに代えて希土類金属と他金属
の化合物あるいは希土類金属単体を用いるようにしても
よい。この場合の希土類金属単体としてはGd,Tb,Dy,Ce
等が使用される。
なお、上述したターゲットの数は上記実施態様のものに
限られるものではなく、例えば記憶媒体層をより厚くし
たければRE−TMのターゲットを増加すればよい。また、
場合によってはRE−TMターゲットの数を１つとすること
も勿論可能である。さらに、ターゲットの大きさやター
ゲットの間隔も所望する各層の厚さに応じて適当な値に
設定すればよい。
限られるものではなく、例えば記憶媒体層をより厚くし
たければRE−TMのターゲットを増加すればよい。また、
場合によってはRE−TMターゲットの数を１つとすること
も勿論可能である。さらに、ターゲットの大きさやター
ゲットの間隔も所望する各層の厚さに応じて適当な値に
設定すればよい。
次に第３図および下表は、より具体的な装置構成および
その装置におけるスパッタリング条件の一例を示すもの
である。
その装置におけるスパッタリング条件の一例を示すもの
である。
すなわち、自転しながら移動する搬送台21上に載置され
た透明基板22が、この搬送台21の矢印Ｂ方向への移動に
応じ、第１の誘電体ターゲット23、希土類遷移金属ター
ゲット24および第２の誘電体ターゲット25上をこの順に
通過する構成となっており、さらには、２つの誘電体タ
ーゲット23,25の上方および側方の所定位置にはマスク2
6〜29が配されていて、このように構成された装置にお
いてスパッタリングを行なうことにより透明基板22上に
TbFeCo−SiNxからなる希土類遷移金属−誘電体層（1000
Å）、TbFeCoからなる希土類遷移金属層（1000Å）およ
びTbFeCo−SiNxからなる希土類遷移金属−誘電体層（10
00Å）をこの順に積層されることとなる。
た透明基板22が、この搬送台21の矢印Ｂ方向への移動に
応じ、第１の誘電体ターゲット23、希土類遷移金属ター
ゲット24および第２の誘電体ターゲット25上をこの順に
通過する構成となっており、さらには、２つの誘電体タ
ーゲット23,25の上方および側方の所定位置にはマスク2
6〜29が配されていて、このように構成された装置にお
いてスパッタリングを行なうことにより透明基板22上に
TbFeCo−SiNxからなる希土類遷移金属−誘電体層（1000
Å）、TbFeCoからなる希土類遷移金属層（1000Å）およ
びTbFeCo−SiNxからなる希土類遷移金属−誘電体層（10
00Å）をこの順に積層されることとなる。
このときのスパッタ用の印加電圧、基板回転速度、搬送
速度は下表に示すような値に設定されている。
速度は下表に示すような値に設定されている。
なお、上記透明基板22のサイズは例えば５インチ程度の
ものを用いている。
ものを用いている。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の実施態様に係る光磁気記録媒体の製
造方法を説明するための概略図、第２図は第１図の実施
態様により形成された光磁気記録媒体の積層構造を示す
一部側断面図、第３図はより具体的な装置構成を示す概
略図である。 1,22……透明基板 ２……インラインスパッタ装置 3,6,7,23,25……誘電体ターゲット 4,5,24……希土類−遷移金属（RE−TM）ターゲット 11……光磁気記録媒体 12……第１誘電体層、13……第１混合層 14……記録媒体層、15……第２混合層 16……第２誘電体層
造方法を説明するための概略図、第２図は第１図の実施
態様により形成された光磁気記録媒体の積層構造を示す
一部側断面図、第３図はより具体的な装置構成を示す概
略図である。 1,22……透明基板 ２……インラインスパッタ装置 3,6,7,23,25……誘電体ターゲット 4,5,24……希土類−遷移金属（RE−TM）ターゲット 11……光磁気記録媒体 12……第１誘電体層、13……第１混合層 14……記録媒体層、15……第２混合層 16……第２誘電体層
Claims (3)
- 【請求項１】回転する透明基板をインラインスパッタ装
置内で上流側から下流側に向かって移動させ、この移動
期間中に前記基板上にスパッタリングによって薄膜を積
層形成する光磁気記録媒体の製造方法において、 前記上流側から順に配列された第１の誘電体ターゲッ
ト、希土類系金属ターゲットおよび第２の誘電体ターゲ
ットに沿って前記基板を移動させ、この移動期間中に前
記基板に対して、前記第１の誘電体ターゲットと前記希
土類系金属ターゲットを用いた同時スパッタリングを行
ない、この後前記希土類系金属ターゲットを用いたスパ
ッタリングを行ない、この後前記希土類系金属ターゲッ
トと前記第２の誘電体ターゲットを用いた同時スパッタ
リングを行なうことを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２】前記基板に対し、前記第１の誘電体ターゲ
ットと前記希土類系金属ターゲットを用いた同時スパッ
タリングを行なう前にこの第１の誘電体ターゲットのみ
を用いたスパッタリングを行ない、前記希土類系金属タ
ーゲットと前記第２の誘電体ターゲットを用いた同時ス
パッタリングを行なった後にこの第２の誘電体ターゲッ
トのみを用いたスパッタリングを行なうことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】前記第１の誘電体ターゲットと前記希土類
系金属ターゲットを用いた同時スパッタリングを、この
スパッタリングにより形成される基板上の薄膜が200Å
以下となるような条件に設定することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083717A JPH0766584B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| US07/033,840 US4735698A (en) | 1986-04-11 | 1987-04-03 | Method of making magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083717A JPH0766584B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241150A JPS62241150A (ja) | 1987-10-21 |
| JPH0766584B2 true JPH0766584B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=13810259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61083717A Expired - Lifetime JPH0766584B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4735698A (ja) |
| JP (1) | JPH0766584B2 (ja) |
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-
1986
- 1986-04-11 JP JP61083717A patent/JPH0766584B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-04-03 US US07/033,840 patent/US4735698A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JPS62241150A (ja) | 1987-10-21 |
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