JPS62195833A - 陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は耐電圧特性の優れた電子銃分備えた陰極線管に
関するものである。

〔発明の技術的背景〕

カラー受像管などの陰極線管の電子銃は陰極、制御電極
及び加速電極からなる低電圧部と、高電圧が印加される
最終加速電極により構成されるがこれらの電極りに突起
が存在していたり汚染微粒子が付着しているとその部分
で電界放出をおこし、不要な電子が放射される。これら
の電子は、蛍光面一にに到達し不要発光によるコントラ
ス１〜の低下をまねく場合があるだけではなく電極間ｙ
はネック内壁、電極間のスパークを引き起こす原因とな
これらの現象は製造］−程のクリーニング化を徹底し電
子銃部品などの高品質化を図れば、ある程度までは防止
することができるが、実際ｌ・皆無とすることは難しく
　＋１つ経費的にも実用的でない。

このため、陰極線管の製造］−程では、耐電圧処理をす
ることにより電界放出の要因となるＶＭ、極表面１−の
突起及び汚染微粒子の除去を行なっている。

しかし、耐電圧処理では低電圧部の電極間の処理を十分
に行なうことができない。又耐電圧処理後の］−程にお
いて汚染微粒子が再び付着してしまうこともあり、最終
的に耐電圧特性の良好な陰極線管を得るのは困雛である
。

〔発明の目的〕

本発明の目的は前記耐電圧処理を施すことにより汚染微
粒子が付着しても電界放電しにくく、さらに仮に電界放
電が生じても被覆層の抵抗により、電界放出電流を低減
させることが可能な電子銃を備えた陰極線管髪提供する
ことにある。

〔発明の概要〕 本発明は卜述した点に鑑み少なくとも陰極及び複数個の
電極をもつ電子銃を備λた陰極線管において、複数の電
極のうち少なくとも１個以上の電極の表面の一部あるい
は全部分に被覆層差形成することにより、電界集中を生
じに＜　＜　１．　＋ｔつ財界放出電流髪低減するもの
である。

〔発明の実施例１ 以下図面を参照しつつ本発明髪特開昭５１１−７２６６
７号・公報に示される陰極線管用電子銃に適；１１シた
実施例について勝１明する。第１図は本発明の第１の実
施例を示す、陰極線管用電子銃の概略断面図である。第
１図において電子銃（１）はヒータ■で加熱されること
によって蛍光体層什射突する電子ビームを発生する陰極
Ｃ，３）と、この陰極（賜に対向し順次配置された第１
グリツド０）、第２グリツド０、第：３グリツド０、第
４グリツド■、第５グリツド（８）及びコンバーゼンス
電極Ｏ）の電極で構成される。

ここで前記第２グリツド０及び第５グリツド（８）の電
極表面には５ｉ（１，を主成分とするセラミック層（＋
　（＋　）が形成されている。

記第２グリッド０及び第５グリツド（８）をき浸し。

　　ｊ　− 乾燥後７００℃で焼成することによって得られる。

この時のセラミック層の厚さは約０．１μｍであった通
常、各電極には、第１グリツド０）でＯＶ第２グリッド
０及び第４グリツド■に６００ｖ〜７００Ｖ、第３グリ
ツド（へ）及び第５グリツド（８）に７０００Ｖ〜８０
００Ｖ、コンバーゼンス電極０）で２５ＫＶ程度の電圧
が印加されるが、特に問題となるのは、第２グリツド０
、第３グリッド０間と、第５グリツドＣ０、コンバーゼ
ンス電極（９）間の電位差が大きいことによる第２グリ
ツド０及び第５グリツド（８）からの電界放出である。

ここで第２グリツド０に０■、コンバーゼンス電極に３
０にＶ電圧を印加し、第３グリツド０に徐々に電圧を印
加していくと、第３グリツド０に印加した電圧がある値
を越えた場合に第２グリツド０から重塁放出により電子
が放射され蛍光面に衝突し不要発光を発生する。この不
要発光を防止するためのセラミック層は電子銃部品の表
面」二の突起及び汚染及び汚染微粒子をセラミック層内
部に埋没させてしまうか又は、突起及び汚染微粒子の鋭
利な尖端部をセラミック層により鈍化させて＝４− しまうことによって電界集中を生じに＜＜シ、電界放出
機会を低減させている。さらに金属よりも大幅に導電性
の小さいセラミック層を電子銃電極表面上に形成すると
、セラミック層中の伝導電子の量が金属に比べ大幅に小
さく電界放出表面への電荷移動速度の限界に達しやすく
なるために電界放出電流を小さくすることが可能となる
。

ここで不要発光発生電圧を本実施例による陰極線管の電
子銃と通常品で比較すると通常品の第３グリッド不要発
光発生電圧がｌ０ＫＶ〜ＩＩＫＶであったのに比べ本発
明品では同じ＜１５にＶ−１７ＫＶであり数ＫＶの耐電
圧特性の改善が認められた。又第５グリツド（８）にＯ
■の電圧を印加し、コンバーゼンス電極０）に徐々に電
圧を印加したときに第５グリツド（ハ）からの電界放出
による不要発光発生電圧を比較した場合、通常品の第５
グリッド不要発光発生電圧が３０ＫＶ〜３３ＫＶであっ
たのに比べ本発明品では同じ＜３５に■〜４０ＫＶであ
り数ＫＶの耐電圧特性の改善が詔められた。さらに耐電
圧処理工程における放電回数は通常品の約２／３に減少
した。

尚、この実施例に適用したセラミック層の厚さは実験に
よれば（１、Ｏｌ　）ｚｍ〜２０１−＋ｍの範囲で好ま
しくは［＋、（’＋５７＋ｍ　−１０７１１１１の範囲
が有効であり、０　、　（ｌ　］　７Ｊｍ以Ｆでは放電
制御効果が顕著ではなくゾ１．２０７１１１１を越える
と電界に異常をきたしフォーカス特性佇劣化させる。

次に第２の実施例を説明する。

ｉｎ記第１の実施例のシリコンを主成分とするアルキシ
ド液に代えて、ＳｉＯ□の有機金属化合物液を用いて、
第２グリツド０及び第５クリツトσ３）を含浸し、５０
　（１”Ｃの焼成によってセラミック層（厚さ約１ｐｍ
）を形成し前記不要発光発生電圧を比較したところ前記
実施例と同様の効果を得た。さら［こエミッションライ
フの向］−がＲ忍ぬられた。

前記両実施例は、５ｉ０２をベースとしたアルコキシド
又は有機金属化合物液を用いたが、ＳＨＥ、以外に他の
金属酸化物、例えばＡ　Ｑ　２（１，、Ｔｉｎ７．　Ｚ
ｒ（ｌｚ　ｒＴａ、０．　、Ｆｅ２（１，、ＮｉＯ，Ｚ
ｒ（１，ＣｏＯ，５ｎ０２．Ｔｎ２Ｄ、　、Ｃ（１０３
，ＭｇＯ。

Ｙ２０Ｊ、ｎａＯ，ＲａＴ−ｉ０３．Ｂａｌ、ａ、０４
．Ｓｉｎなど登用いてもよく又、これらの２種以上の混
合物を用いても本発明の効果は、認められる。

又塗布の方法は、浸漬、スプレー、スクリーン印刷、は
け塗り等いずれも用いることかできる。

１−記以外、いねり〕るスパッタリングｄ（や、Ｃν１
〕法によって得られるセラミック層であっても本発明の
効果が得られるのはトｉうまでもない。

〔発明の効果〕

本発明によれは、陰極Ｖ＆管の電子銃電極表面の突起及
び汚染微粒子を被覆層内部に埋没させてしまうか又は鈍
化させてしまうことによって電界集中を生じに＜＜シ、
電界放電を低減することができ、耐電圧処理の対象物と
なる突起及び汚染微粒子の絶対数も減少させることが可
能となり耐電圧処理ｍ工程も容易となる。又金属よｊｌ
も大幅に導電性の小さい被覆層を陰極線管の電子銃１ｆ
ｔ極の表面に形成すると被覆層の抵抗により被覆層中の
伝導電子の敏が導電体である金属に比べ大幅に小さく電
界放出表面への電荷移動速度の限界に到達しやすくなる
たるに電界放出電流が小さくなる。

又、エミッションライフの向−１−も認められる。

４．１ソ１面の簡貼な説明 第１図は本発明の一実施例を示す陰極線管の電子銃の概
略断面図である。

（１）・・・電子銃　　　　　　０・・・陰極（ハ）・
・・第２グリツＦ　　　　（８）・第５グリツド（１０
）・・・セラミック層 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　大胡典夫 〆Ｄ 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも陰極及び複数個の電極を有する電子銃を
   備えた陰極線管において、前記複数の電極のうち少なく
   とも１個以上の電極の表面の少なくとも一部に電界放電
   を抑制する被覆層を設けることを特徴とする陰極線管。 ２）前記被覆層をセラミック層とすることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の陰極線管。 ３）前記セラミック層が、少なくとも１種類の金属から
   なる金属アルコキシドから得られるセラミック層である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項及び第２項記載
   の陰極線管。 ４）前記セラミック層が少なくとも１種類の金属からな
   る有機金属化合物から得られるセラミック層であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の陰
   極線管。 ５）前記セラミック層の厚さを０．０１μｍ以上２０μ
   ｍ以下とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
   至第４項記載の陰極線管。