JPS62190748A - 半導体加速度センサ組立方法 - Google Patents
半導体加速度センサ組立方法Info
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- JPS62190748A JPS62190748A JP3252686A JP3252686A JPS62190748A JP S62190748 A JPS62190748 A JP S62190748A JP 3252686 A JP3252686 A JP 3252686A JP 3252686 A JP3252686 A JP 3252686A JP S62190748 A JPS62190748 A JP S62190748A
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- cantilever
- package
- sensor chip
- film
- cantilever beam
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、半導体基板上に形成された片持梁の検出端変
位より加速度検出を行なう半導体加速度センサの組立方
法に関する。
位より加速度検出を行なう半導体加速度センサの組立方
法に関する。
（発明の背景）
この種の半導体加速度センサは、センサチップの半導体
基板上に片持梁が形成され、そのセンサチップがパッケ
ージに収納固定され、そしてパッケージの外部接続端子
（リード端子）ヘセンサチップが接続されることにより
組み立てられており、片持梁の検出端変位に応じた加速
度検出信号がパッケージの外部接続端子より取り出され
ている。
基板上に片持梁が形成され、そのセンサチップがパッケ
ージに収納固定され、そしてパッケージの外部接続端子
（リード端子）ヘセンサチップが接続されることにより
組み立てられており、片持梁の検出端変位に応じた加速
度検出信号がパッケージの外部接続端子より取り出され
ている。
しかしながら従来においては、センサチップがパッケー
ジに収納固定される工程、センサチップがパッケージの
外部接続端子に接続される工程で与えられた衝撃、振動
などにより片持梁の支持部が破損するという問題があっ
た。
ジに収納固定される工程、センサチップがパッケージの
外部接続端子に接続される工程で与えられた衝撃、振動
などにより片持梁の支持部が破損するという問題があっ
た。
（発明の目的）
本発明は上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、
その目的は、前記片持梁の支持部破損を確実に防止でき
る半導体加速度センサの組立方法を提供することにある
。
その目的は、前記片持梁の支持部破損を確実に防止でき
る半導体加速度センサの組立方法を提供することにある
。
（発明の構成）
上記目的を達成するために本発明は、
半導体基板上こ形成さ、れた片持梁の検出端変位より加
速度検出が行なわれるセンサチップをパッケ−ジに収納
固定してパッケージの外部接続端子に接続する半導体加
速度センサ組立方法において、前記片持梁の検出端を半
導体基板に仮止めする薄膜を片持梁とともに形成し、 センサチップがパッケージの外部接続端子に接続された
後に前記薄膜を破断する、 ことを特徴とする。
速度検出が行なわれるセンサチップをパッケ−ジに収納
固定してパッケージの外部接続端子に接続する半導体加
速度センサ組立方法において、前記片持梁の検出端を半
導体基板に仮止めする薄膜を片持梁とともに形成し、 センサチップがパッケージの外部接続端子に接続された
後に前記薄膜を破断する、 ことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下図面に基づいて本発明に係る方法の好適な実施例を
説明する。
説明する。
本実施例では特願昭５９−２１８４．９５とほぼ同様な
工程により第１図において片持梁１０が形成される。
工程により第１図において片持梁１０が形成される。
同図（Ａ＞においてＰ型３ｉ基板１２上にＮ型３ｉ層１
４が形成され、さらにその上面にＳｉＯ２の絶縁膜１６
が形成される。
４が形成され、さらにその上面にＳｉＯ２の絶縁膜１６
が形成される。
そして、このＮ型Ｓｉ層１４には同図（Ｂ）のように片
持梁１０の形状を決定するためにＰ型拡散層１８が帯状
に形成される。
持梁１０の形状を決定するためにＰ型拡散層１８が帯状
に形成される。
次いで同図（Ｃ）で示されるようにＮ型３ｉ層１４に対
するコンタクト領域２０が形成され、さらに上面のすべ
てに亘り同図（、Ｄ＞のように電極膜２２が形成される
。
するコンタクト領域２０が形成され、さらに上面のすべ
てに亘り同図（、Ｄ＞のように電極膜２２が形成される
。
その後同図（Ｆ）のようにＰ型Ｓ１基板１２の下面に穴
明は部２４および２６の設けられたエツチングマスク層
２８が形成されると、エチレンジアミン系、ＫＯＨ系ま
たはヒドラジン系のエツチング液中で電極膜２２に電圧
を印加することによりエレクトロケミカルエツチングが
行なわれる。
明は部２４および２６の設けられたエツチングマスク層
２８が形成されると、エチレンジアミン系、ＫＯＨ系ま
たはヒドラジン系のエツチング液中で電極膜２２に電圧
を印加することによりエレクトロケミカルエツチングが
行なわれる。
これにより穴明は部２４．２６間に片持梁１０の踵部３
０が形成される。
０が形成される。
最後に同図（Ｇ）のように電極膜２２が除去されるが、
その際には片持梁１０の踵部３０とその先方のＰ型Ｓｉ
基板１２とに亘る電極膜２２部分は残される。
その際には片持梁１０の踵部３０とその先方のＰ型Ｓｉ
基板１２とに亘る電極膜２２部分は残される。
このようにして第２図のセンサチップ３２が得られ、そ
のセンサチップ３２にはセンサ感度、温度などの特性補
償を行なうために設けられた回路部に厚膜抵抗が印刷に
より形成される。
のセンサチップ３２にはセンサ感度、温度などの特性補
償を行なうために設けられた回路部に厚膜抵抗が印刷に
より形成される。
そしてセンサチップ３２は第３図に示されるようにパッ
ケージ３４内に収納されてその底面に接着される。
ケージ３４内に収納されてその底面に接着される。
ざらに片持梁１０の支持部分に形成されたピエゾ抵抗部
はパッケージ３４の側面に設けられたリード端子３６と
ワイヤ３８でポンディング接続される。
はパッケージ３４の側面に設けられたリード端子３６と
ワイヤ３８でポンディング接続される。
またセンサチップ３２に設けられた前記厚膜抵抗に対し
レーザトリマを用いてトリミング調整が行なわれる。
レーザトリマを用いてトリミング調整が行なわれる。
ここで、そのトリミング調整のレーザビームを用いて、
電極膜２２で形成され第２図の片持梁１０の先端（検出
端）を仮止めする薄膜が第４図のように破断される。
電極膜２２で形成され第２図の片持梁１０の先端（検出
端）を仮止めする薄膜が第４図のように破断される。
その結果片持梁１０の先端の変位に応じた検出信号はり
一部喘子３６から取り出すことが可能となり、その後第
５図のようにパッケージ３４が密封され、半導体加速度
センサの組立てが完了される。
一部喘子３６から取り出すことが可能となり、その後第
５図のようにパッケージ３４が密封され、半導体加速度
センサの組立てが完了される。
以上説明したように本実施例によれば、片持梁１０の形
成時にその加速度検出端が薄膜で仮止めされ、この片持
９１０が設けられたセンサチップ３２のパッケージング
、ポンディングが行なわれた後に、片持梁１０の加速度
検出端を仮止めした薄膜が破断されるので、センサチッ
プ３２のパッケージング、ポンディングが行なわれる際
に与えられる振動、衝撃を片持梁１０の支持部が破損す
ることはない。
成時にその加速度検出端が薄膜で仮止めされ、この片持
９１０が設けられたセンサチップ３２のパッケージング
、ポンディングが行なわれた後に、片持梁１０の加速度
検出端を仮止めした薄膜が破断されるので、センサチッ
プ３２のパッケージング、ポンディングが行なわれる際
に与えられる振動、衝撃を片持梁１０の支持部が破損す
ることはない。
また本実施例によれば、センサチップ３２に設けられた
前記厚膜抵抗のトリミング調整用レーザビームで片持梁
１０の加速度検出端を仮止めした薄膜が同時に破断され
るので、組立工程の増加を招くことはない。
前記厚膜抵抗のトリミング調整用レーザビームで片持梁
１０の加速度検出端を仮止めした薄膜が同時に破断され
るので、組立工程の増加を招くことはない。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、片持梁支持端に衝
撃や振動が与えられるセンサチップのパッケージ収納工
程、パッケージ接続工程が行なわれる前に、片持梁の加
速度検出端がこれと商時に形成された薄膜で仮止めされ
、センサチップのパッケージ収納工程、接続工程が行な
われた後にその薄膜が破断されるので、□それら工程に
おいて片持梁の支持部を破損から確実に保護することが
可能となる。
撃や振動が与えられるセンサチップのパッケージ収納工
程、パッケージ接続工程が行なわれる前に、片持梁の加
速度検出端がこれと商時に形成された薄膜で仮止めされ
、センサチップのパッケージ収納工程、接続工程が行な
われた後にその薄膜が破断されるので、□それら工程に
おいて片持梁の支持部を破損から確実に保護することが
可能となる。
第１図は片持梁の製造工程説明図、第２図は片持梁が設
けられたセンサチップの斜視図、第３図は第２図センサ
チップのパッケージングおよびボンディングを説明する
センサ断面図、第４図は片持梁を仮止めした薄膜の破断
作用説明図、第５図はセンサ完成品の断面図である。 １０・・・片持梁 １２・・・Ｐ型Ｓｉ基板 １４・・・Ｎ型Ｓｉ層 １６・・・絶縁層 １８・・・Ｐ型拡散層 ２２・・・電極膜 ２８・・・エツチングマスク層 ３０・・・踵部 ３２・・・センサチップ ３４・・・パッケージ ３６・・・リード端子 ３８・・・ワイヤ 特許出願人 日産自動車株式会社 ｑ Ｃｔ） ｏ
。 ＋＋ ％＋
−１゜ヘ ヘ
ヘ” ＬＬ （り′＋１＋
− 第２図 第４図 、ｏ３２ 、・・ ２２ 第３図 第５図
けられたセンサチップの斜視図、第３図は第２図センサ
チップのパッケージングおよびボンディングを説明する
センサ断面図、第４図は片持梁を仮止めした薄膜の破断
作用説明図、第５図はセンサ完成品の断面図である。 １０・・・片持梁 １２・・・Ｐ型Ｓｉ基板 １４・・・Ｎ型Ｓｉ層 １６・・・絶縁層 １８・・・Ｐ型拡散層 ２２・・・電極膜 ２８・・・エツチングマスク層 ３０・・・踵部 ３２・・・センサチップ ３４・・・パッケージ ３６・・・リード端子 ３８・・・ワイヤ 特許出願人 日産自動車株式会社 ｑ Ｃｔ） ｏ
。 ＋＋ ％＋
−１゜ヘ ヘ
ヘ” ＬＬ （り′＋１＋
− 第２図 第４図 、ｏ３２ 、・・ ２２ 第３図 第５図
Claims (1)
- （１）半導体基板に形成された片持梁の検出端変位より
加速度検出が行なわれるセンサチップをパッケージに収
納固定してパッケージ外部接続端子に接続する半導体加
速度センサ組立方法において、前記片持梁の検出端を半
導体基板に仮止めする薄膜を片持梁とともに形成し、 センサチップがパッケージの外部接続端子に接続された
後に前記薄膜を破断する、 ことを特徴とする半導体加速度センサ組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252686A JPS62190748A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体加速度センサ組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252686A JPS62190748A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体加速度センサ組立方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190748A true JPS62190748A (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=12361396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252686A Pending JPS62190748A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体加速度センサ組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190748A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711096A (en) * | 1993-10-27 | 1998-01-27 | Komatsu Ltd. | Working machine of a hydraulic backhoe having increased blade tip force |
| US5822892A (en) * | 1994-11-08 | 1998-10-20 | Komatsu Ltd. | Working vehicle |
| US6490926B2 (en) * | 1998-11-25 | 2002-12-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor module |
| JP2003510194A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | インプット／アウトプット，インコーポレーテッド | マイクロ加工構造用テンポラリーブリッジ |
| JP2007510554A (ja) * | 2003-11-03 | 2007-04-26 | アイディーシー、エルエルシー | リリースされていない薄膜部分を有するｍｅｍｓ装置 |
| JP2011091436A (ja) * | 2011-01-11 | 2011-05-06 | Fujitsu Ltd | パッケージドデバイス |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP3252686A patent/JPS62190748A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711096A (en) * | 1993-10-27 | 1998-01-27 | Komatsu Ltd. | Working machine of a hydraulic backhoe having increased blade tip force |
| US5822892A (en) * | 1994-11-08 | 1998-10-20 | Komatsu Ltd. | Working vehicle |
| US6490926B2 (en) * | 1998-11-25 | 2002-12-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor module |
| JP2003510194A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | インプット／アウトプット，インコーポレーテッド | マイクロ加工構造用テンポラリーブリッジ |
| JP2007510554A (ja) * | 2003-11-03 | 2007-04-26 | アイディーシー、エルエルシー | リリースされていない薄膜部分を有するｍｅｍｓ装置 |
| JP2011091436A (ja) * | 2011-01-11 | 2011-05-06 | Fujitsu Ltd | パッケージドデバイス |
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