JPS62190748A - 半導体加速度センサ組立方法 - Google Patents
半導体加速度センサ組立方法Info
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- JPS62190748A JPS62190748A JP3252686A JP3252686A JPS62190748A JP S62190748 A JPS62190748 A JP S62190748A JP 3252686 A JP3252686 A JP 3252686A JP 3252686 A JP3252686 A JP 3252686A JP S62190748 A JPS62190748 A JP S62190748A
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- cantilever
- package
- sensor chip
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明は、半導体基板上に形成された片持梁の検出端変
位より加速度検出を行なう半導体加速度センサの組立方
法に関する。
位より加速度検出を行なう半導体加速度センサの組立方
法に関する。
(発明の背景)
この種の半導体加速度センサは、センサチップの半導体
基板上に片持梁が形成され、そのセンサチップがパッケ
ージに収納固定され、そしてパッケージの外部接続端子
(リード端子)ヘセンサチップが接続されることにより
組み立てられており、片持梁の検出端変位に応じた加速
度検出信号がパッケージの外部接続端子より取り出され
ている。
基板上に片持梁が形成され、そのセンサチップがパッケ
ージに収納固定され、そしてパッケージの外部接続端子
(リード端子)ヘセンサチップが接続されることにより
組み立てられており、片持梁の検出端変位に応じた加速
度検出信号がパッケージの外部接続端子より取り出され
ている。
しかしながら従来においては、センサチップがパッケー
ジに収納固定される工程、センサチップがパッケージの
外部接続端子に接続される工程で与えられた衝撃、振動
などにより片持梁の支持部が破損するという問題があっ
た。
ジに収納固定される工程、センサチップがパッケージの
外部接続端子に接続される工程で与えられた衝撃、振動
などにより片持梁の支持部が破損するという問題があっ
た。
(発明の目的)
本発明は上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、
その目的は、前記片持梁の支持部破損を確実に防止でき
る半導体加速度センサの組立方法を提供することにある
。
その目的は、前記片持梁の支持部破損を確実に防止でき
る半導体加速度センサの組立方法を提供することにある
。
(発明の構成)
上記目的を達成するために本発明は、
半導体基板上こ形成さ、れた片持梁の検出端変位より加
速度検出が行なわれるセンサチップをパッケ−ジに収納
固定してパッケージの外部接続端子に接続する半導体加
速度センサ組立方法において、前記片持梁の検出端を半
導体基板に仮止めする薄膜を片持梁とともに形成し、 センサチップがパッケージの外部接続端子に接続された
後に前記薄膜を破断する、 ことを特徴とする。
速度検出が行なわれるセンサチップをパッケ−ジに収納
固定してパッケージの外部接続端子に接続する半導体加
速度センサ組立方法において、前記片持梁の検出端を半
導体基板に仮止めする薄膜を片持梁とともに形成し、 センサチップがパッケージの外部接続端子に接続された
後に前記薄膜を破断する、 ことを特徴とする。
(実施例の説明)
以下図面に基づいて本発明に係る方法の好適な実施例を
説明する。
説明する。
本実施例では特願昭59−2184.95とほぼ同様な
工程により第1図において片持梁10が形成される。
工程により第1図において片持梁10が形成される。
同図(A>においてP型3i基板12上にN型3i層1
4が形成され、さらにその上面にSiO2の絶縁膜16
が形成される。
4が形成され、さらにその上面にSiO2の絶縁膜16
が形成される。
そして、このN型Si層14には同図(B)のように片
持梁10の形状を決定するためにP型拡散層18が帯状
に形成される。
持梁10の形状を決定するためにP型拡散層18が帯状
に形成される。
次いで同図(C)で示されるようにN型3i層14に対
するコンタクト領域20が形成され、さらに上面のすべ
てに亘り同図(、D>のように電極膜22が形成される
。
するコンタクト領域20が形成され、さらに上面のすべ
てに亘り同図(、D>のように電極膜22が形成される
。
その後同図(F)のようにP型S1基板12の下面に穴
明は部24および26の設けられたエツチングマスク層
28が形成されると、エチレンジアミン系、KOH系ま
たはヒドラジン系のエツチング液中で電極膜22に電圧
を印加することによりエレクトロケミカルエツチングが
行なわれる。
明は部24および26の設けられたエツチングマスク層
28が形成されると、エチレンジアミン系、KOH系ま
たはヒドラジン系のエツチング液中で電極膜22に電圧
を印加することによりエレクトロケミカルエツチングが
行なわれる。
これにより穴明は部24.26間に片持梁10の踵部3
0が形成される。
0が形成される。
最後に同図(G)のように電極膜22が除去されるが、
その際には片持梁10の踵部30とその先方のP型Si
基板12とに亘る電極膜22部分は残される。
その際には片持梁10の踵部30とその先方のP型Si
基板12とに亘る電極膜22部分は残される。
このようにして第2図のセンサチップ32が得られ、そ
のセンサチップ32にはセンサ感度、温度などの特性補
償を行なうために設けられた回路部に厚膜抵抗が印刷に
より形成される。
のセンサチップ32にはセンサ感度、温度などの特性補
償を行なうために設けられた回路部に厚膜抵抗が印刷に
より形成される。
そしてセンサチップ32は第3図に示されるようにパッ
ケージ34内に収納されてその底面に接着される。
ケージ34内に収納されてその底面に接着される。
ざらに片持梁10の支持部分に形成されたピエゾ抵抗部
はパッケージ34の側面に設けられたリード端子36と
ワイヤ38でポンディング接続される。
はパッケージ34の側面に設けられたリード端子36と
ワイヤ38でポンディング接続される。
またセンサチップ32に設けられた前記厚膜抵抗に対し
レーザトリマを用いてトリミング調整が行なわれる。
レーザトリマを用いてトリミング調整が行なわれる。
ここで、そのトリミング調整のレーザビームを用いて、
電極膜22で形成され第2図の片持梁10の先端(検出
端)を仮止めする薄膜が第4図のように破断される。
電極膜22で形成され第2図の片持梁10の先端(検出
端)を仮止めする薄膜が第4図のように破断される。
その結果片持梁10の先端の変位に応じた検出信号はり
一部喘子36から取り出すことが可能となり、その後第
5図のようにパッケージ34が密封され、半導体加速度
センサの組立てが完了される。
一部喘子36から取り出すことが可能となり、その後第
5図のようにパッケージ34が密封され、半導体加速度
センサの組立てが完了される。
以上説明したように本実施例によれば、片持梁10の形
成時にその加速度検出端が薄膜で仮止めされ、この片持
910が設けられたセンサチップ32のパッケージング
、ポンディングが行なわれた後に、片持梁10の加速度
検出端を仮止めした薄膜が破断されるので、センサチッ
プ32のパッケージング、ポンディングが行なわれる際
に与えられる振動、衝撃を片持梁10の支持部が破損す
ることはない。
成時にその加速度検出端が薄膜で仮止めされ、この片持
910が設けられたセンサチップ32のパッケージング
、ポンディングが行なわれた後に、片持梁10の加速度
検出端を仮止めした薄膜が破断されるので、センサチッ
プ32のパッケージング、ポンディングが行なわれる際
に与えられる振動、衝撃を片持梁10の支持部が破損す
ることはない。
また本実施例によれば、センサチップ32に設けられた
前記厚膜抵抗のトリミング調整用レーザビームで片持梁
10の加速度検出端を仮止めした薄膜が同時に破断され
るので、組立工程の増加を招くことはない。
前記厚膜抵抗のトリミング調整用レーザビームで片持梁
10の加速度検出端を仮止めした薄膜が同時に破断され
るので、組立工程の増加を招くことはない。
(発明の効果)
以上説明したように本発明によれば、片持梁支持端に衝
撃や振動が与えられるセンサチップのパッケージ収納工
程、パッケージ接続工程が行なわれる前に、片持梁の加
速度検出端がこれと商時に形成された薄膜で仮止めされ
、センサチップのパッケージ収納工程、接続工程が行な
われた後にその薄膜が破断されるので、□それら工程に
おいて片持梁の支持部を破損から確実に保護することが
可能となる。
撃や振動が与えられるセンサチップのパッケージ収納工
程、パッケージ接続工程が行なわれる前に、片持梁の加
速度検出端がこれと商時に形成された薄膜で仮止めされ
、センサチップのパッケージ収納工程、接続工程が行な
われた後にその薄膜が破断されるので、□それら工程に
おいて片持梁の支持部を破損から確実に保護することが
可能となる。
第1図は片持梁の製造工程説明図、第2図は片持梁が設
けられたセンサチップの斜視図、第3図は第2図センサ
チップのパッケージングおよびボンディングを説明する
センサ断面図、第4図は片持梁を仮止めした薄膜の破断
作用説明図、第5図はセンサ完成品の断面図である。 10・・・片持梁 12・・・P型Si基板 14・・・N型Si層 16・・・絶縁層 18・・・P型拡散層 22・・・電極膜 28・・・エツチングマスク層 30・・・踵部 32・・・センサチップ 34・・・パッケージ 36・・・リード端子 38・・・ワイヤ 特許出願人 日産自動車株式会社 q Ct) o
。 ++ %+
−1゜ヘ ヘ
ヘ” LL (り′+1+
− 第2図 第4図 、o32 、・・ 22 第3図 第5図
けられたセンサチップの斜視図、第3図は第2図センサ
チップのパッケージングおよびボンディングを説明する
センサ断面図、第4図は片持梁を仮止めした薄膜の破断
作用説明図、第5図はセンサ完成品の断面図である。 10・・・片持梁 12・・・P型Si基板 14・・・N型Si層 16・・・絶縁層 18・・・P型拡散層 22・・・電極膜 28・・・エツチングマスク層 30・・・踵部 32・・・センサチップ 34・・・パッケージ 36・・・リード端子 38・・・ワイヤ 特許出願人 日産自動車株式会社 q Ct) o
。 ++ %+
−1゜ヘ ヘ
ヘ” LL (り′+1+
− 第2図 第4図 、o32 、・・ 22 第3図 第5図
Claims (1)
- (1)半導体基板に形成された片持梁の検出端変位より
加速度検出が行なわれるセンサチップをパッケージに収
納固定してパッケージ外部接続端子に接続する半導体加
速度センサ組立方法において、前記片持梁の検出端を半
導体基板に仮止めする薄膜を片持梁とともに形成し、 センサチップがパッケージの外部接続端子に接続された
後に前記薄膜を破断する、 ことを特徴とする半導体加速度センサ組立方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3252686A JPS62190748A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体加速度センサ組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3252686A JPS62190748A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体加速度センサ組立方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62190748A true JPS62190748A (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=12361396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3252686A Pending JPS62190748A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体加速度センサ組立方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62190748A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5711096A (en) * | 1993-10-27 | 1998-01-27 | Komatsu Ltd. | Working machine of a hydraulic backhoe having increased blade tip force |
US5822892A (en) * | 1994-11-08 | 1998-10-20 | Komatsu Ltd. | Working vehicle |
US6490926B2 (en) * | 1998-11-25 | 2002-12-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor module |
JP2003510194A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | インプット/アウトプット,インコーポレーテッド | マイクロ加工構造用テンポラリーブリッジ |
JP2007510554A (ja) * | 2003-11-03 | 2007-04-26 | アイディーシー、エルエルシー | リリースされていない薄膜部分を有するmems装置 |
JP2011091436A (ja) * | 2011-01-11 | 2011-05-06 | Fujitsu Ltd | パッケージドデバイス |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP3252686A patent/JPS62190748A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5711096A (en) * | 1993-10-27 | 1998-01-27 | Komatsu Ltd. | Working machine of a hydraulic backhoe having increased blade tip force |
US5822892A (en) * | 1994-11-08 | 1998-10-20 | Komatsu Ltd. | Working vehicle |
US6490926B2 (en) * | 1998-11-25 | 2002-12-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor module |
JP2003510194A (ja) * | 1999-09-27 | 2003-03-18 | インプット/アウトプット,インコーポレーテッド | マイクロ加工構造用テンポラリーブリッジ |
JP2007510554A (ja) * | 2003-11-03 | 2007-04-26 | アイディーシー、エルエルシー | リリースされていない薄膜部分を有するmems装置 |
JP2011091436A (ja) * | 2011-01-11 | 2011-05-06 | Fujitsu Ltd | パッケージドデバイス |
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