JPH08193897A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、厚膜基板の応力を緩和し、ダイ
ボンド材の這い上がりを防止した半導体圧力センサを得
ることを目的とする。 【構成】 センサチップ３の中央には薄肉状のダイヤフ
ラム３ａが形成されており、ダイボンド材５例えばシリ
コーン樹脂により厚膜基板１に固着されている。この
時、センサチップ３は、厚膜基板１上に設けられたガラ
ス材による凸部部材１ｃ上に載置されており、ダイボン
ド材５により固定されている。 【効果】 センサチップのダイヤフラムの変形が防止さ
れ、高精度で安価な半導体圧力センサが得られる。
ボンド材の這い上がりを防止した半導体圧力センサを得
ることを目的とする。 【構成】 センサチップ３の中央には薄肉状のダイヤフ
ラム３ａが形成されており、ダイボンド材５例えばシリ
コーン樹脂により厚膜基板１に固着されている。この
時、センサチップ３は、厚膜基板１上に設けられたガラ
ス材による凸部部材１ｃ上に載置されており、ダイボン
ド材５により固定されている。 【効果】 センサチップのダイヤフラムの変形が防止さ
れ、高精度で安価な半導体圧力センサが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ、
特に、高精度で安価な半導体圧力センサに関するもので
ある。
特に、高精度で安価な半導体圧力センサに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の半導体圧力センサを示す
要部側断面図である。図において、センサチップ３の中
央には薄肉状のダイヤフラム３ａが形成されており、ダ
イボンド材５例えばダイボンド樹脂により厚膜基板１に
固着されている。厚膜基板１のダイヤフラム３ａに対応
した部分には、圧力を印加する導圧孔１ａが設けられて
いる。また、厚膜基板１には厚膜電極１ｂが形成されて
おり、この厚膜電極１ｂとセンサチップ３の電極（図示
しない）とは、金属細線４により電気的に接続されてい
る。さらに、厚膜基板１には厚膜電極１ｂと外部回路と
を電気的に接続するリード（図示しない）が設けられて
おり、厚膜基板１上にはセンサチップ３を覆ってカバー
（図示しない）が設けられている。
要部側断面図である。図において、センサチップ３の中
央には薄肉状のダイヤフラム３ａが形成されており、ダ
イボンド材５例えばダイボンド樹脂により厚膜基板１に
固着されている。厚膜基板１のダイヤフラム３ａに対応
した部分には、圧力を印加する導圧孔１ａが設けられて
いる。また、厚膜基板１には厚膜電極１ｂが形成されて
おり、この厚膜電極１ｂとセンサチップ３の電極（図示
しない）とは、金属細線４により電気的に接続されてい
る。さらに、厚膜基板１には厚膜電極１ｂと外部回路と
を電気的に接続するリード（図示しない）が設けられて
おり、厚膜基板１上にはセンサチップ３を覆ってカバー
（図示しない）が設けられている。
【０００３】従来の半導体圧力センサは上述したように
構成され、被測定ガス又は液体の圧力を導圧孔１ａを介
してダイヤフラム３ａで受ける。圧力に応じてダイヤフ
ラム３ａは変形し、ダイヤフラム３ａ上に形成されたピ
エゾ抵抗体（図示しない）の抵抗値の変化により、圧力
を感知するものである。従って、高精度な半導体圧力セ
ンサを得るためには、構造上及びアセンブリ上ダイヤフ
ラム３ａを変形させる要因は極力小さく抑える必要があ
る。
構成され、被測定ガス又は液体の圧力を導圧孔１ａを介
してダイヤフラム３ａで受ける。圧力に応じてダイヤフ
ラム３ａは変形し、ダイヤフラム３ａ上に形成されたピ
エゾ抵抗体（図示しない）の抵抗値の変化により、圧力
を感知するものである。従って、高精度な半導体圧力セ
ンサを得るためには、構造上及びアセンブリ上ダイヤフ
ラム３ａを変形させる要因は極力小さく抑える必要があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
圧力センサでは、厚膜基板１と例えばシリコンで造られ
たセンサチップ３との線膨張率の相違による熱応力によ
りダイヤフラム３ａが変形するという問題点があった。
また、センサチップ３を厚膜基板１上に固定するダイボ
ンド材５がダイヤフラム３ａ近傍へ這い上がって付着す
ることにより、ダイヤフラム３ａが変形するという問題
点もあった。この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、ダイヤフラムの変形が緩和さ
れ、高精度で安価な半導体圧力センサを得ることを目的
とする。
圧力センサでは、厚膜基板１と例えばシリコンで造られ
たセンサチップ３との線膨張率の相違による熱応力によ
りダイヤフラム３ａが変形するという問題点があった。
また、センサチップ３を厚膜基板１上に固定するダイボ
ンド材５がダイヤフラム３ａ近傍へ這い上がって付着す
ることにより、ダイヤフラム３ａが変形するという問題
点もあった。この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、ダイヤフラムの変形が緩和さ
れ、高精度で安価な半導体圧力センサを得ることを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、中央にダイヤフラムが形成されたセンサ
チップを厚膜基板に搭載してなる半導体圧力センサにお
いて、上記厚膜基板上の上記センサチップ搭載部に凸部
部材を設けて上記厚膜基板と上記センサチップとの間隔
を数十μｍ以上離したものである。
に係る発明は、中央にダイヤフラムが形成されたセンサ
チップを厚膜基板に搭載してなる半導体圧力センサにお
いて、上記厚膜基板上の上記センサチップ搭載部に凸部
部材を設けて上記厚膜基板と上記センサチップとの間隔
を数十μｍ以上離したものである。
【０００６】この発明の請求項第２項に係る発明は、凸
部部材をバンプ状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載
部に３カ所以上設けたものである。
部部材をバンプ状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載
部に３カ所以上設けたものである。
【０００７】この発明の請求項第３項に係る発明は、凸
部部材は矩形状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載部
の内端部より０．１ｍｍ以上外側に設けられたものであ
る。
部部材は矩形状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載部
の内端部より０．１ｍｍ以上外側に設けられたものであ
る。
【０００８】この発明の請求項第４項に係る発明は、厚
膜基板のセンサチップ搭載部の内側四隅には、矩形状の
凸部部材を設けないものである。
膜基板のセンサチップ搭載部の内側四隅には、矩形状の
凸部部材を設けないものである。
【０００９】この発明の請求項第５項に係る発明は、矩
形状凸部部材の各辺中央に溝部を形成したものである。
形状凸部部材の各辺中央に溝部を形成したものである。
【００１０】
【作用】この発明の請求項第１項においては、厚膜基板
とセンサチップとの間隔を数十μｍ以上とするので、厚
膜基板の応力がセンサチップに伝わりにくくなると共
に、ダイボンド材がセンサチップのダイヤフラム近傍に
這い上がるのを防止し、ダイヤフラムが変形するのを防
止する。
とセンサチップとの間隔を数十μｍ以上とするので、厚
膜基板の応力がセンサチップに伝わりにくくなると共
に、ダイボンド材がセンサチップのダイヤフラム近傍に
這い上がるのを防止し、ダイヤフラムが変形するのを防
止する。
【００１１】この発明の請求項第２項においては、厚膜
基板とセンサチップとの間隔を確保すると共にダイボン
ド材の接着面積を小さくできるので、厚膜基板の応力を
緩和し、ダイボンド材がダイヤフラムの近傍に這い上が
るのを防止してダイヤフラムが変形するのを防止する。
基板とセンサチップとの間隔を確保すると共にダイボン
ド材の接着面積を小さくできるので、厚膜基板の応力を
緩和し、ダイボンド材がダイヤフラムの近傍に這い上が
るのを防止してダイヤフラムが変形するのを防止する。
【００１２】この発明の請求項第３項においては、矩形
状の凸部部材を厚膜基板上のセンサチップ搭載部の内端
部より０．１ｍｍ以上外側に設けたので、センサチップ
のダイヤフラム近傍にダイボンド材が這い上がるのを防
止してダイヤフラムが変形するのを防止する。
状の凸部部材を厚膜基板上のセンサチップ搭載部の内端
部より０．１ｍｍ以上外側に設けたので、センサチップ
のダイヤフラム近傍にダイボンド材が這い上がるのを防
止してダイヤフラムが変形するのを防止する。
【００１３】この発明の請求項第４項においては、厚膜
基板のセンサチップ搭載部の内側四隅には凸部部材が設
けられていないので、ダイボンド材の這い上がりが起こ
り易いセンサチップ搭載部の内側四隅におけるダイボン
ド材の這い上がりを確実に防止できる。
基板のセンサチップ搭載部の内側四隅には凸部部材が設
けられていないので、ダイボンド材の這い上がりが起こ
り易いセンサチップ搭載部の内側四隅におけるダイボン
ド材の這い上がりを確実に防止できる。
【００１４】この発明の請求項第５項においては、矩形
状凸部部材の各辺中央に溝部が形成されているので、厚
膜基板とセンサチップとの間隔を確保すると共にダイボ
ンド材の接着面積を小さくできるので、厚膜基板の応力
を緩和し、ダイボンド材がダイヤフラムの近傍に這い上
がるのを防止してダイヤフラムが変形するのを防止す
る。
状凸部部材の各辺中央に溝部が形成されているので、厚
膜基板とセンサチップとの間隔を確保すると共にダイボ
ンド材の接着面積を小さくできるので、厚膜基板の応力
を緩和し、ダイボンド材がダイヤフラムの近傍に這い上
がるのを防止してダイヤフラムが変形するのを防止す
る。
【００１５】
実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体圧
力センサを示す要部側断面図である。なお、各図中、同
一符号は同一又は相当部分を示している。図において、
センサチップ３の中央には薄肉状のダイヤフラム３ａが
形成されており、ダイボンド材５例えばシリコーン樹脂
により厚膜基板１に固着されている。この時、センサチ
ップ３は、厚膜基板１上に設けられたガラス材による凸
部部材１ｃ上に載置されており、ダイボンド材５により
固定されている。
力センサを示す要部側断面図である。なお、各図中、同
一符号は同一又は相当部分を示している。図において、
センサチップ３の中央には薄肉状のダイヤフラム３ａが
形成されており、ダイボンド材５例えばシリコーン樹脂
により厚膜基板１に固着されている。この時、センサチ
ップ３は、厚膜基板１上に設けられたガラス材による凸
部部材１ｃ上に載置されており、ダイボンド材５により
固定されている。
【００１６】厚膜基板１のダイヤフラム３ａに対応した
部分には、圧力を印加する導圧孔１ａが設けられてい
る。また、厚膜基板１には厚膜電極１ｂが形成されてお
り、この厚膜電極１ｂとセンサチップ３の電極（図示し
ない）とは、金属細線４により電気的に接続されてい
る。さらに、厚膜基板１には厚膜電極１ｂと外部回路と
を電気的に接続するリード（図示しない）が設けられて
おり、厚膜基板１上にはセンサチップ３を覆ってカバー
（図示しない）が設けられている。
部分には、圧力を印加する導圧孔１ａが設けられてい
る。また、厚膜基板１には厚膜電極１ｂが形成されてお
り、この厚膜電極１ｂとセンサチップ３の電極（図示し
ない）とは、金属細線４により電気的に接続されてい
る。さらに、厚膜基板１には厚膜電極１ｂと外部回路と
を電気的に接続するリード（図示しない）が設けられて
おり、厚膜基板１上にはセンサチップ３を覆ってカバー
（図示しない）が設けられている。
【００１７】上述したように構成された半導体圧力セン
サにおいては、被測定ガス又は液体の圧力を導圧孔１ａ
を介してダイヤフラム３ａで受ける。圧力に応じてダイ
ヤフラム３ａは変形し、ダイヤフラム３ａ上に形成され
たピエゾ抵抗体（図示しない）の抵抗値の変化により、
圧力を感知するものである。
サにおいては、被測定ガス又は液体の圧力を導圧孔１ａ
を介してダイヤフラム３ａで受ける。圧力に応じてダイ
ヤフラム３ａは変形し、ダイヤフラム３ａ上に形成され
たピエゾ抵抗体（図示しない）の抵抗値の変化により、
圧力を感知するものである。
【００１８】この実施例による半導体圧力センサでは、
厚膜基板１のセンサチップ３に対応した位置に凸部部材
１ｃを設けることにより、厚膜基板１とセンサチップ３
との間隔を数十μｍ以上例えば３０〜１００μｍとす
る。これにより、厚膜基板１の応力がセンサチップ３に
伝わりにくくなり、ダイボンド材５を変形し易くして応
力を吸収することができる。また、ダイボンド材５がダ
イヤフラム３ａの近傍に這い上がるのを防止することが
できる。従って、これらによりダイヤフラム３ａが変形
するのを防止でき、高精度な半導体圧力センサが得られ
る。
厚膜基板１のセンサチップ３に対応した位置に凸部部材
１ｃを設けることにより、厚膜基板１とセンサチップ３
との間隔を数十μｍ以上例えば３０〜１００μｍとす
る。これにより、厚膜基板１の応力がセンサチップ３に
伝わりにくくなり、ダイボンド材５を変形し易くして応
力を吸収することができる。また、ダイボンド材５がダ
イヤフラム３ａの近傍に這い上がるのを防止することが
できる。従って、これらによりダイヤフラム３ａが変形
するのを防止でき、高精度な半導体圧力センサが得られ
る。
【００１９】また、上述では凸部部材１ｃとしてガラス
材を使用したが、ガラス材としてはオーバーガラスやク
ロスガラス等が使用でき、さらに、導体や抵抗体等であ
ってもよく、厚膜基板１とセンサチップ３とを所定の間
隔に維持できるものであれば、同様に使用できる。従っ
て、凸部部材１ｃは従来の製造工程において作製するこ
とができ、安価に半導体圧力センサを得ることができ
る。
材を使用したが、ガラス材としてはオーバーガラスやク
ロスガラス等が使用でき、さらに、導体や抵抗体等であ
ってもよく、厚膜基板１とセンサチップ３とを所定の間
隔に維持できるものであれば、同様に使用できる。従っ
て、凸部部材１ｃは従来の製造工程において作製するこ
とができ、安価に半導体圧力センサを得ることができ
る。
【００２０】実施例２．図２は、この発明の実施例２に
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、厚膜基板１上のセンサチップ３搭載部（図中、破
線で示している）には、直径２００μｍ以上のバンプ状
の凸部部材１ｃが３カ所以上（図２では４カ所）設けら
れている。この実施例では、バンプ状の凸部部材１ｃに
より厚膜基板１とセンサチップ３とを所定の間隔に維持
できると共にこれらの接着面積を小さくできるので、ダ
イボンド材５がダイヤフラム３ａの近傍に這い上がるの
を防止し、ダイヤフラム３ａが変形するのを防止でき
る。なお、バンプ状の凸部部材１ｃは３カ所以上であれ
ば特に制限はなく、８カ所や１２カ所等であってもよ
く、適宜複数個設けることができる。
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、厚膜基板１上のセンサチップ３搭載部（図中、破
線で示している）には、直径２００μｍ以上のバンプ状
の凸部部材１ｃが３カ所以上（図２では４カ所）設けら
れている。この実施例では、バンプ状の凸部部材１ｃに
より厚膜基板１とセンサチップ３とを所定の間隔に維持
できると共にこれらの接着面積を小さくできるので、ダ
イボンド材５がダイヤフラム３ａの近傍に這い上がるの
を防止し、ダイヤフラム３ａが変形するのを防止でき
る。なお、バンプ状の凸部部材１ｃは３カ所以上であれ
ば特に制限はなく、８カ所や１２カ所等であってもよ
く、適宜複数個設けることができる。
【００２１】実施例３．図３は、この発明の実施例３に
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、厚膜基板１上のセンサチップ３搭載部の内端部よ
り０．１ｍｍ以上外側には、矩形状の凸部部材１ｃが設
けられている。この実施例では、矩形状の凸部部材１ｃ
により厚膜基板１とセンサチップ３とを所定の間隔に維
持できると共に、ダイボンド材５がダイヤフラム３ａの
近傍に這い上がるのを防止するので、ダイヤフラム３ａ
が変形するのを防止できる。
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、厚膜基板１上のセンサチップ３搭載部の内端部よ
り０．１ｍｍ以上外側には、矩形状の凸部部材１ｃが設
けられている。この実施例では、矩形状の凸部部材１ｃ
により厚膜基板１とセンサチップ３とを所定の間隔に維
持できると共に、ダイボンド材５がダイヤフラム３ａの
近傍に這い上がるのを防止するので、ダイヤフラム３ａ
が変形するのを防止できる。
【００２２】実施例４．図４は、この発明の実施例４に
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、図３に示した凸部部材１ｃにおけるセンサチップ
３搭載部の四隅には、ダイボンド材５留め用の凹部１ｄ
となっており、凸部部材１ｃが設けられていない。この
実施例では、ダイボンド材５の這い上がりが起こり易い
センサチップ３搭載部の四隅が凹部１ｄとなっているの
で、より確実にダイボンド材５の這い上がりを防止する
ことができる。
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、図３に示した凸部部材１ｃにおけるセンサチップ
３搭載部の四隅には、ダイボンド材５留め用の凹部１ｄ
となっており、凸部部材１ｃが設けられていない。この
実施例では、ダイボンド材５の這い上がりが起こり易い
センサチップ３搭載部の四隅が凹部１ｄとなっているの
で、より確実にダイボンド材５の這い上がりを防止する
ことができる。
【００２３】実施例５．図５は、この発明の実施例５に
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、図３に示した矩形状凸部部材１ｃの各辺中央に
０．２ｍｍ程度の溝部１ｅを形成したものである。この
実施例では、溝部１ｅを設けることによってダイボンド
材５の接着面積を小さくできるので、ダイボンド材５の
這い上がり防止に加え、ダイヤフラム３ａに応力が加わ
るのを十分に防止することができる。
よる半導体圧力センサを示す要部平面図である。図にお
いて、図３に示した矩形状凸部部材１ｃの各辺中央に
０．２ｍｍ程度の溝部１ｅを形成したものである。この
実施例では、溝部１ｅを設けることによってダイボンド
材５の接着面積を小さくできるので、ダイボンド材５の
這い上がり防止に加え、ダイヤフラム３ａに応力が加わ
るのを十分に防止することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、中央にダイヤフラムが形成されたセンサチッ
プを厚膜基板に搭載してなる半導体圧力センサにおい
て、上記厚膜基板上の上記センサチップ搭載部に凸部部
材を設けて上記厚膜基板と上記センサチップとの間隔を
数十μｍ以上離したので、センサチップのダイヤフラム
が変形するのが防止され、高精度で安価な半導体圧力セ
ンサが得られるという効果を奏する。
第１項は、中央にダイヤフラムが形成されたセンサチッ
プを厚膜基板に搭載してなる半導体圧力センサにおい
て、上記厚膜基板上の上記センサチップ搭載部に凸部部
材を設けて上記厚膜基板と上記センサチップとの間隔を
数十μｍ以上離したので、センサチップのダイヤフラム
が変形するのが防止され、高精度で安価な半導体圧力セ
ンサが得られるという効果を奏する。
【００２５】この発明の請求項第２項は、凸部部材をバ
ンプ状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載部に３カ所
以上設けられているので、厚膜基板の応力が緩和され、
ダイヤフラムが変形するのが防止されることにより、高
精度で安価な半導体圧力センサが得られるという効果を
奏する。
ンプ状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載部に３カ所
以上設けられているので、厚膜基板の応力が緩和され、
ダイヤフラムが変形するのが防止されることにより、高
精度で安価な半導体圧力センサが得られるという効果を
奏する。
【００２６】この発明の請求項第３項は、凸部部材を矩
形状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載部の内端部よ
り０．１ｍｍ以上外側に設けられているので、センサチ
ップのダイヤフラム近傍にダイボンド材が這い上がるの
が防止され、高精度で安価な半導体圧力センサが得られ
るという効果を奏する。
形状とし、厚膜基板上のセンサチップ搭載部の内端部よ
り０．１ｍｍ以上外側に設けられているので、センサチ
ップのダイヤフラム近傍にダイボンド材が這い上がるの
が防止され、高精度で安価な半導体圧力センサが得られ
るという効果を奏する。
【００２７】この発明の請求項第４項は、厚膜基板のセ
ンサチップ搭載部の内側四隅には矩形状の凸部部材が設
けられていないので、ダイボンド材の這い上がりが起こ
り易いセンサチップ搭載部の内側四隅におけるダイボン
ド材の這い上がりを確実に防止して、高精度で安価な半
導体圧力センサが得られるという効果を奏する。
ンサチップ搭載部の内側四隅には矩形状の凸部部材が設
けられていないので、ダイボンド材の這い上がりが起こ
り易いセンサチップ搭載部の内側四隅におけるダイボン
ド材の這い上がりを確実に防止して、高精度で安価な半
導体圧力センサが得られるという効果を奏する。
【００２８】この発明の請求項第５項は、矩形状凸部部
材の各辺中央に溝部が形成されているので、厚膜基板の
応力が緩和され、ダイヤフラムが変形するのが防止され
ることにより、高精度で安価な半導体圧力センサが得ら
れるという効果を奏する。
材の各辺中央に溝部が形成されているので、厚膜基板の
応力が緩和され、ダイヤフラムが変形するのが防止され
ることにより、高精度で安価な半導体圧力センサが得ら
れるという効果を奏する。
【図１】 この発明の実施例１による半導体圧力センサ
を示す要部側断面図である。
を示す要部側断面図である。
【図２】 この発明の実施例２による半導体圧力センサ
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
【図３】 この発明の実施例３による半導体圧力センサ
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
【図４】 この発明の実施例４による半導体圧力センサ
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
【図５】 この発明の実施例５による半導体圧力センサ
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
【図６】 従来の半導体圧力センサを示す要部側断面図
である。
である。
１ 厚膜基板、１ａ 導圧孔、１ｂ 厚膜電極、１ｃ
凸部部材、１ｄ 凹部、１ｅ 溝部、３ センサチッ
プ、３ａ ダイヤフラム、４ 金属細線、５ ダイボン
ド材。
凸部部材、１ｄ 凹部、１ｅ 溝部、３ センサチッ
プ、３ａ ダイヤフラム、４ 金属細線、５ ダイボン
ド材。
Claims (5)
- 【請求項１】 中央にダイヤフラムが形成されたセンサ
チップを厚膜基板に搭載してなる半導体圧力センサにお
いて、上記厚膜基板上の上記センサチップ搭載部に凸部
部材を設けて上記厚膜基板と上記センサチップとの間隔
を数十μｍ以上離したことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項２】 凸部部材はバンプ状であり、厚膜基板上
のセンサチップ搭載部に３カ所以上設けられていること
を特徴とする請求項第１項記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 凸部部材は矩形状であり、厚膜基板上の
センサチップ搭載部の内端部より０．１ｍｍ以上外側に
設けられていることを特徴とする請求項第１項記載の半
導体圧力センサ。 - 【請求項４】 厚膜基板のセンサチップ搭載部の内側四
隅には、矩形状の凸部部材が設けられていないことを特
徴とする請求項第３項記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項５】 矩形状凸部部材の各辺中央には、溝部が
形成されていることを特徴とする請求項第３項記載の半
導体圧力センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7006512A JPH08193897A (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 半導体圧力センサ |
| TW084105133A TW266331B (en) | 1995-01-19 | 1995-05-23 | Semiconductor pressure sensor |
| KR1019950024999A KR0163626B1 (ko) | 1995-01-19 | 1995-08-14 | 반도체 압력센서 |
| US08/834,275 US5721446A (en) | 1995-01-19 | 1997-04-15 | Semiconductor pressure sensor with spacing member disposed between sensor and substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7006512A JPH08193897A (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193897A true JPH08193897A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11640474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7006512A Pending JPH08193897A (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 半導体圧力センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5721446A (ja) |
| JP (1) | JPH08193897A (ja) |
| KR (1) | KR0163626B1 (ja) |
| TW (1) | TW266331B (ja) |
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-
1995
- 1995-01-19 JP JP7006512A patent/JPH08193897A/ja active Pending
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- 1995-08-14 KR KR1019950024999A patent/KR0163626B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-15 US US08/834,275 patent/US5721446A/en not_active Expired - Fee Related
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