JP2004170390A - 力学量センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一面側に力学量の印加に伴い変位する可動部13が設けられたセンサ基板10と、センサ基板10と電気信号のやり取りを行う回路基板20とを備える力学量センサにおいて、回路基板20は、センサ基板10の一面11と対向して可動部13を覆いつつ可動部13とは空隙部30を介して配置されており、空隙部30の周囲にてセンサ基板10と回路基板20とが接合され、この接合部40は空隙部30を取り囲んだ形に形成され、空隙部30を封止している。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の第1実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS1の概略断面構成を示す図である。また、図2(a)は、図1中において積層され一体化されたセンサ基板10および回路基板20の拡大図である。
図5は、本発明の第2実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS2の概略断面構成を示す図である。
図6は、本発明の第3実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS3の概略断面構成を示す図である。本加速度センサS3は、上記図1に示す加速度センサS1において、回路基板20に凹部24を設けたものである。
図8は、本発明の第4実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS4の概略断面構成を示す図であり、図9は、図8中の回路基板20の上視図である。なお、図9中、識別のため便宜上ハッチングを施してある。本実施形態は、センサ基板10の一面11に可動部13が複数個設けられているものである。
図11は、本発明の第5実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS5の概略断面構成を示す図であり、図12は、図11中のセンサ基板10、回路基板20およびリードフレーム50の上視図である。なお、図12中、識別のため便宜上ハッチングを施してある。
図13は、本発明の第6実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS6の概略断面構成を示す図である。本実施形態は上記第5実施形態を変形したものである。
図14は、本発明の第7実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS7の概略断面構成を示す図である。
図16は、本発明の第8実施形態に係る力学量センサとしての加速度センサS8の概略断面構成を示す図である。
なお、上記第2実施形態以降の各実施形態においても、回路基板20の表面21とセンサ基板10の一面11とを対向させた構成を適宜採用するようにしても良い。
15…絶縁体としての第1の酸化シリコン膜、20…回路基板、
20a…はみ出し領域、25…リム部、30…空隙部、40…接合部、
50…リードフレーム、70…ボンディングワイヤ、80…モールド材、
85…軟質材、90…別体基板。
Claims (12)
- 一面側に力学量の印加に伴い変位する可動部(13)が設けられ、他面側には前記可動部と絶縁体(15)で分離されたシリコン層(14)が設けられたセンサ基板(10)と、
前記センサ基板と電気信号のやり取りを行う回路基板(20)とを備える力学量センサにおいて、
前記回路基板は、前記センサ基板の一面と対向して前記可動部を覆いつつ前記可動部とは空隙部(30)を介して配置されており、
前記空隙部の周囲にて前記センサ基板と前記回路基板とが接合され、この接合部(40)は前記空隙部を取り囲んだ形に形成されていることを特徴とする力学量センサ。 - 前記センサ基板(10)と前記回路基板(20)とはボンディングワイヤ(70)を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の力学量センサ。
- 前記センサ基板(10)および前記回路基板(20)は、モールド材(80)にて包み込むように封止されていることを特徴とする請求項1または2に記載の力学量センサ。
- 前記センサ基板(10)および前記回路基板(20)は、前記モールド材(80)よりも軟らかい軟質材(85)にて封止されており、
この軟質材の外側が前記モールド材にて包み込まれていることを特徴とする請求項3に記載の力学量センサ。 - 前記回路基板(20)における前記センサ基板(10)との対向面に凹部(24)が形成されており、
この凹部によって前記空隙部(30)が構成されており、
前記回路基板における前記凹部以外の部位に前記接合部(40)が形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の力学量センサ。 - 前記センサ基板(10)の一面には前記可動部(13)が複数個設けられており、
前記回路基板(20)は、前記空隙部(30)を介して各々の前記可動部を覆っていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の力学量センサ。 - 前記回路基板(20)において、前記センサ基板(10)の前記複数個の可動部(13)が形成された領域以外の領域と対向する部位には、前記センサ基板に当接するリム部(25)が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の力学量センサ。
- 前記電気信号を外部に伝達するためのリードフレーム(50)が備えられており、
前記センサ基板(10)は、前記回路基板(20)に対向する一面とは反対側の他面にて前記リードフレームに接合されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の力学量センサ。 - 前記電気信号を外部に伝達するためのリードフレーム(50)が備えられており、
前記回路基板(20)における前記センサ基板(10)と対向する面には、前記センサ基板とは対向せず前記センサ基板からはみ出したはみ出し領域(20a)があり、
この回路基板における前記はみ出し領域に、前記リードフレームが接合されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の力学量センサ。 - 前記回路基板(20)における前記センサ基板(10)と対向する面には、前記センサ基板とは対向せず前記センサ基板からはみ出したはみ出し領域(20a)があり、
この回路基板における前記はみ出し領域に、前記センサ基板とは別体の別体基板(90)を設け、この別体基板によって前記回路基板を支持させるようにしたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の力学量センサ。 - 前記回路基板(20)に対して前記センサ基板(10)が複数個接合されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一つに記載の力学量センサ。
- 一面側に力学量の印加に伴い変位する可動部(13)が設けられたセンサ基板(10)と、
前記センサ基板と電気信号のやり取りを行う回路基板(20)とを備える力学量センサにおいて、
前記回路基板は、前記センサ基板の一面と対向して前記可動部を覆いつつ前記可動部とは空隙部(30)を介して配置されており、
前記空隙部の周囲にて前記センサ基板と前記回路基板とが部分的に接合されていることを特徴とする力学量センサ。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035847A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | センサパッケージ |
WO2007020701A1 (ja) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | C & N Inc | 加速度センサ装置 |
JP2008089327A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
JP2009070894A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009074979A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010066231A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
JP2010071723A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モールド半導体センサ及び製造方法 |
US7900515B2 (en) | 2007-06-05 | 2011-03-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Acceleration sensor and fabrication method thereof |
JP2014108648A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Denso Corp | 車両用電子制御ユニット |
JP2015045596A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003060948A (ja) * | 2001-06-05 | 2003-02-28 | Seiko Precision Inc | 固体撮像装置 |
JP2005180930A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Ricoh Co Ltd | 半導体センサ装置及びその製造方法 |
US20090097222A1 (en) * | 2004-06-25 | 2009-04-16 | Wilfried Babutzka | Electrical Subassembly Comprising a Protective Sheathing |
JP4380618B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2009-12-09 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
EP1953817B1 (en) * | 2005-11-25 | 2012-10-31 | Panasonic Corporation | Sensor device and method for manufacturing same |
US8026594B2 (en) * | 2005-11-25 | 2011-09-27 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device and production method therefor |
EP1953814B1 (en) * | 2005-11-25 | 2017-09-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wafer level package structure and method for manufacturing same |
US8067769B2 (en) * | 2005-11-25 | 2011-11-29 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Wafer level package structure, and sensor device obtained from the same package structure |
JP5092462B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-12-05 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
JP4765004B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2011-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008101980A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Denso Corp | 容量式半導体センサ装置 |
DE102007008464B4 (de) * | 2007-02-19 | 2012-01-05 | Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh | Optischer Dehnungsmessstreifen |
US7836764B2 (en) * | 2007-04-02 | 2010-11-23 | Infineon Technologies Ag | Electrical device with covering |
US8097934B1 (en) * | 2007-09-27 | 2012-01-17 | National Semiconductor Corporation | Delamination resistant device package having low moisture sensitivity |
JP2009092545A (ja) | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | 角速度および加速度検出用複合センサ |
DE102009002519A1 (de) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | Robert Bosch Gmbh | Gekapselte Schaltungsvorrichtung für Substrate mit Absorptionsschicht sowie Verfahren zu Herstellung derselben |
US8390083B2 (en) * | 2009-09-04 | 2013-03-05 | Analog Devices, Inc. | System with recessed sensing or processing elements |
US9407997B2 (en) | 2010-10-12 | 2016-08-02 | Invensense, Inc. | Microphone package with embedded ASIC |
CN102589753B (zh) * | 2011-01-05 | 2016-05-04 | 飞思卡尔半导体公司 | 压力传感器及其封装方法 |
DE102011003195B4 (de) | 2011-01-26 | 2019-01-10 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines Bauteils |
US8546169B1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-10-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Pressure sensor device and method of assembling same |
DE102012013096A1 (de) * | 2012-06-30 | 2014-01-02 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren zur Herstellung von komplexen mikroelektromechanischen Systemen |
CN104576883B (zh) | 2013-10-29 | 2018-11-16 | 普因特工程有限公司 | 芯片安装用阵列基板及其制造方法 |
TWI538113B (zh) * | 2014-02-14 | 2016-06-11 | 南茂科技股份有限公司 | 微機電晶片封裝及其製造方法 |
US9666558B2 (en) | 2015-06-29 | 2017-05-30 | Point Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate |
CN112880667B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-12-08 | 精工爱普生株式会社 | 传感器单元、电子设备以及移动体 |
JP2023070787A (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-22 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性計測装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0821722B2 (ja) * | 1985-10-08 | 1996-03-04 | 日本電装株式会社 | 半導体振動・加速度検出装置 |
JP3613838B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2005-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
US6323550B1 (en) * | 1995-06-06 | 2001-11-27 | Analog Devices, Inc. | Package for sealing an integrated circuit die |
DE19537814B4 (de) * | 1995-10-11 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
US5721162A (en) * | 1995-11-03 | 1998-02-24 | Delco Electronics Corporation | All-silicon monolithic motion sensor with integrated conditioning circuit |
JPH09318652A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ装置 |
JP3198922B2 (ja) * | 1996-07-03 | 2001-08-13 | 株式会社村田製作所 | 静電容量型センサの製造方法 |
JP3278363B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2002-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体加速度センサ |
JPH10253652A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Denso Corp | センサ装置及びその製造方法並びにその製造に用いられるリードフレーム |
EP0886144B1 (en) * | 1997-06-19 | 2006-09-06 | STMicroelectronics S.r.l. | A hermetically sealed sensor with a movable microstructure |
JP3644205B2 (ja) * | 1997-08-08 | 2005-04-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3846094B2 (ja) * | 1998-03-17 | 2006-11-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP2001227902A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2001235485A (ja) | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
US6441481B1 (en) * | 2000-04-10 | 2002-08-27 | Analog Devices, Inc. | Hermetically sealed microstructure package |
JP2001349732A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ |
JP3346379B2 (ja) | 2000-09-21 | 2002-11-18 | 三菱電機株式会社 | 角速度センサおよびその製造方法 |
-
2003
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035847A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | センサパッケージ |
WO2007020701A1 (ja) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | C & N Inc | 加速度センサ装置 |
JP2008089327A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
US7900515B2 (en) | 2007-06-05 | 2011-03-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Acceleration sensor and fabrication method thereof |
JP2009070894A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009074979A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010066231A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
JP2010071723A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モールド半導体センサ及び製造方法 |
JP2014108648A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Denso Corp | 車両用電子制御ユニット |
JP2015045596A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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