JPS62190281A - 放射線検出器用シンチレ−タ及びその製造方法 - Google Patents
放射線検出器用シンチレ−タ及びその製造方法Info
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- JPS62190281A JPS62190281A JP61033549A JP3354986A JPS62190281A JP S62190281 A JPS62190281 A JP S62190281A JP 61033549 A JP61033549 A JP 61033549A JP 3354986 A JP3354986 A JP 3354986A JP S62190281 A JPS62190281 A JP S62190281A
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- Measurement Of Radiation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、放射線検出器用シンチレータ及びその製造方
法に関する。
法に関する。
例えば、X191診断装置によるX線診断においては、
X線管から被写体に向けてX線を曝射し、被写体を透過
した透過X線の強度を検出し、これを電気信号に変換す
る放射線検出器が用いられている。
X線管から被写体に向けてX線を曝射し、被写体を透過
した透過X線の強度を検出し、これを電気信号に変換す
る放射線検出器が用いられている。
このような放射線検出器に用いられるシンチレータ素子
として要求される特性には下記のものがある。
として要求される特性には下記のものがある。
■X線吸収率が大きいこと。
■吸収したX線を光に変換する効率が大きいこと。
■光透過率が大きいこと。
■温度変化によって発光量が変化しないこと(発光効率
の温度係数が小さいこと)。
の温度係数が小さいこと)。
■残光が少なく、減衰が速いこと。
0発光スペクトルが光半導体素子の感度波長域に合致す
ること。
ること。
これらの特性を満足するシンチレータ材料としてGd2
O□S:Pr蛍光体がある。特にこの蛍光体は、発光効
率の温度係数が非常に小さく、放射線断層撮影装置の検
出器のシンチレータとして使用した場合に、周囲温度変
化に伴う各チャンネル間の信号量の不均一な変化が無く
なり、良好な画像を得るとかできる。
O□S:Pr蛍光体がある。特にこの蛍光体は、発光効
率の温度係数が非常に小さく、放射線断層撮影装置の検
出器のシンチレータとして使用した場合に、周囲温度変
化に伴う各チャンネル間の信号量の不均一な変化が無く
なり、良好な画像を得るとかできる。
しかし、この材料は単結晶育成技術が困難であり、まだ
良好な単結晶が得られないため、粉末を熱間静水圧加圧
法(Ilot l5ostaLic PessingM
ethod、以下、HI P法と略記する)により焼結
する方法が試みられている。この方法で作ったシンチレ
ータは光透過率が悪い。その理由は、■材料が光を吸収
する。■焼結体中にボイド(空隙)が存在し光が散乱さ
れる。■不純物混入により着色する等である。
良好な単結晶が得られないため、粉末を熱間静水圧加圧
法(Ilot l5ostaLic PessingM
ethod、以下、HI P法と略記する)により焼結
する方法が試みられている。この方法で作ったシンチレ
ータは光透過率が悪い。その理由は、■材料が光を吸収
する。■焼結体中にボイド(空隙)が存在し光が散乱さ
れる。■不純物混入により着色する等である。
光透過率の悪いシンチレータを用いで作成した検出器を
X線CT装置に使用した場合には、検出器としての感度
とS/Nが低下する。また、検出する信号中に入射X線
の低エネルギー成分が少なくなり、画像にした場合には
低コンI・ラストにおける空間解像度が悪くなる。
X線CT装置に使用した場合には、検出器としての感度
とS/Nが低下する。また、検出する信号中に入射X線
の低エネルギー成分が少なくなり、画像にした場合には
低コンI・ラストにおける空間解像度が悪くなる。
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、良好な
特性を有する放射線検出器用シンチレータとその製造方
法とを提供することを目的とするものである。
特性を有する放射線検出器用シンチレータとその製造方
法とを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため、第1の発明に係る放射線検出
器用シンチレータは、酸硫化物原料を焼結した多結晶体
中の、Mo、Ta、C,Si等の不純物を10ppm以
下にして成ることを特徴としている。また、第2の発明
に係る放射線検出器用シンチレータの製造方法は、酸硫
化物原料成形した後に、硫黄化合物を含む雰囲気あるい
は硫黄蒸気を含む雰囲気で焼結することを特徴としてい
る。
器用シンチレータは、酸硫化物原料を焼結した多結晶体
中の、Mo、Ta、C,Si等の不純物を10ppm以
下にして成ることを特徴としている。また、第2の発明
に係る放射線検出器用シンチレータの製造方法は、酸硫
化物原料成形した後に、硫黄化合物を含む雰囲気あるい
は硫黄蒸気を含む雰囲気で焼結することを特徴としてい
る。
以下、本発明を図示の実施例を参照して説明する。
先ず、第2の発明に係る放射線検出器用シンチレータの
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
本発明に係る製造方法は、酸硫化物原料(Gd2O2S
: P r、 Gd20ZS : Tb、 y2o□s
: P r等)を公知の種々の成形方法で成形した後
に、硫黄化合物を含む雰囲気あるいは硫黄蒸気を含む雰
囲気で焼結することである。
: P r、 Gd20ZS : Tb、 y2o□s
: P r等)を公知の種々の成形方法で成形した後
に、硫黄化合物を含む雰囲気あるいは硫黄蒸気を含む雰
囲気で焼結することである。
成形方法の例を挙げれば、加圧成形、スリップキャステ
ィング、インジュクション成形、押出し成形等の方法が
ある。特に、成形によって好ましくは理論密度比30%
以上の成形密度を与えたものは、放射線検出器用シンチ
レータの光出力特性が優れたものとして得られる。
ィング、インジュクション成形、押出し成形等の方法が
ある。特に、成形によって好ましくは理論密度比30%
以上の成形密度を与えたものは、放射線検出器用シンチ
レータの光出力特性が優れたものとして得られる。
また、成形後の酸硫化物原料を上記雰囲気中で°焼結す
ることにより、従来のHIP法と相違してカプセル材料
が不純物として結晶中に含まれることがないため、着色
のない透光性の優れたシンチレータを製造することがで
きる。
ることにより、従来のHIP法と相違してカプセル材料
が不純物として結晶中に含まれることがないため、着色
のない透光性の優れたシンチレータを製造することがで
きる。
以下に、本発明方法の実施例を図面を参照して説明する
。
。
〈実施例1〉
酸硫化物原料として、純度99.9%、−成粒子の平均
粒径が0.5μmのプラセオジミウム付活酸硫化カドリ
ニウム(にdzOgs: p r) 100部にパラ
フィンワックス5部を添加し、パラフィンを熱熔融しな
がら混合したものを用いる。このように、図示のステッ
プ1.2で原料蛍光体を選択し、かつ、その粒度分布の
調整を行う。本実施例では、平均粒径0.5μmの原料
を用いるが、1μm以下の粒径の小さなもの程好ましい
(表面エネルギーが太き(焼結が容易である)。
粒径が0.5μmのプラセオジミウム付活酸硫化カドリ
ニウム(にdzOgs: p r) 100部にパラ
フィンワックス5部を添加し、パラフィンを熱熔融しな
がら混合したものを用いる。このように、図示のステッ
プ1.2で原料蛍光体を選択し、かつ、その粒度分布の
調整を行う。本実施例では、平均粒径0.5μmの原料
を用いるが、1μm以下の粒径の小さなもの程好ましい
(表面エネルギーが太き(焼結が容易である)。
次に、酸硫化物原料の成形法の一例として、ステップ3
Aにて常温加圧により成形する。尚、本実施例では上記
の原料を300kgf/cn!、500kg f /
ant、1000 kgf/ant、で常温加圧を行い
、理論密度比がそれぞれ25%、30%、35%のもの
を得た。
Aにて常温加圧により成形する。尚、本実施例では上記
の原料を300kgf/cn!、500kg f /
ant、1000 kgf/ant、で常温加圧を行い
、理論密度比がそれぞれ25%、30%、35%のもの
を得た。
次に、成形後の原料をII、320%、Nz80%の雰
囲気中で、1600℃で2時間焼成しくステップ4)、
平板状に焼結されたシンチレータを得た(ステップ5)
。
囲気中で、1600℃で2時間焼成しくステップ4)、
平板状に焼結されたシンチレータを得た(ステップ5)
。
そして、このシンチレータに対してフォトダイオードア
レイをパターン化して薄膜技術により作成し、その後−
素子毎にカッティングして得た放射線検出器としての特
性を測定した。この測定結果を、従来のシンチレータ材
料であるCdWo、と比較した表1を下記に示す。
レイをパターン化して薄膜技術により作成し、その後−
素子毎にカッティングして得た放射線検出器としての特
性を測定した。この測定結果を、従来のシンチレータ材
料であるCdWo、と比較した表1を下記に示す。
(以下余白)
表 1
上記表1から明らかなように、X線吸収効率に関しては
本発明品と従来品との差はないが、光出力に関しては本
発明品はいずれも良好な結果が得られた。これは、本発
明品が焼結時にカプセルや金型を必要としないため、不
純物混入による着色が防止でき、従って透光性が極めて
良好であることに基因している。また、残光(励起カッ
トオフ1m5ec後)に関しては従来品との差はないが
、本発明品は光出力の温度係数が零となり温度変化によ
って発光量が変化しないというGdtO□S:Prの材
料特性を活かすことができた。
本発明品と従来品との差はないが、光出力に関しては本
発明品はいずれも良好な結果が得られた。これは、本発
明品が焼結時にカプセルや金型を必要としないため、不
純物混入による着色が防止でき、従って透光性が極めて
良好であることに基因している。また、残光(励起カッ
トオフ1m5ec後)に関しては従来品との差はないが
、本発明品は光出力の温度係数が零となり温度変化によ
って発光量が変化しないというGdtO□S:Prの材
料特性を活かすことができた。
尚、上記実施例においては、図面に示すように、常温加
圧成形(ステップ3A)の代わりに、スラリー状のもの
を乾燥して成形してもよく (ステップ3B)、また、
焼結後にカプセル無しによるHIP処理を実行するステ
ップ6の工程を追加してもよい。HIP処理を追加する
ことにより、セラミックとしての緻密化を図ることがで
きる。
圧成形(ステップ3A)の代わりに、スラリー状のもの
を乾燥して成形してもよく (ステップ3B)、また、
焼結後にカプセル無しによるHIP処理を実行するステ
ップ6の工程を追加してもよい。HIP処理を追加する
ことにより、セラミックとしての緻密化を図ることがで
きる。
〈実施例2〉
純度99.9%、−成粒系0.8 p mのGdzOz
S : Prの粉100部に、イオン交換水15部、ア
クリル系分散剤0.1部を添加し、ポットミルにて一昼
夜混合してスリップを製作した。
S : Prの粉100部に、イオン交換水15部、ア
クリル系分散剤0.1部を添加し、ポットミルにて一昼
夜混合してスリップを製作した。
このスリップを石膏型にて脱水して成形体を得た。成形
密度は理論比55%であった。
密度は理論比55%であった。
この成形体を下記の表2で示す各焼成条件で焼成して得
たシンチレータの放射線検出器としての特性(焼成条件
によって変わる光出力特性のみ示す)を測定してみた。
たシンチレータの放射線検出器としての特性(焼成条件
によって変わる光出力特性のみ示す)を測定してみた。
(以下余白)
表 2
上記表2より分るように、最適な光出力特性を得るため
にはSの雰囲気中の分圧をコントロールする必要があり
、雰囲気中にSが少なすぎると酸化物になってしまい、
逆にSが多すぎると硫化物に成ってしまう広れがある。
にはSの雰囲気中の分圧をコントロールする必要があり
、雰囲気中にSが少なすぎると酸化物になってしまい、
逆にSが多すぎると硫化物に成ってしまう広れがある。
次に、上記第2の発明等によって製造可能な第1の発明
に係る放射線検出器用シンチレータについて説明する。
に係る放射線検出器用シンチレータについて説明する。
このシンチレータの特徴的構造は、酸硫化物原料を焼結
して得た結晶中に、Mo、Ta、C,Si等の不純物が
10ppm以下となっていることである。上記に列挙さ
れた不純物は、特に従来のIt I P法による結果物
との差を考慮し、HIP法で用いられるカプセル材料と
成り得るものを列挙したが、これらに限定されるもので
はない。
して得た結晶中に、Mo、Ta、C,Si等の不純物が
10ppm以下となっていることである。上記に列挙さ
れた不純物は、特に従来のIt I P法による結果物
との差を考慮し、HIP法で用いられるカプセル材料と
成り得るものを列挙したが、これらに限定されるもので
はない。
このようなシンチレータによれば、従来のHI P法で
得たシンチレータがカプセル材を不純物として含むこと
により着色され、放射線照射により発生した光を自己吸
収により損失するという欠点があるのに対し、不純物の
混入が少ないがためにほぼ無色透明となり、透光性が極
めて優れている。
得たシンチレータがカプセル材を不純物として含むこと
により着色され、放射線照射により発生した光を自己吸
収により損失するという欠点があるのに対し、不純物の
混入が少ないがためにほぼ無色透明となり、透光性が極
めて優れている。
従って、発生した光を効率よく出力することができ、放
射線検出器として使用した場合には、検出器としての感
度とS/N特性とが大幅に向上する。
射線検出器として使用した場合には、検出器としての感
度とS/N特性とが大幅に向上する。
尚、Gd2O□S:Prで代表される酸硫化物原料を焼
結して得たシンチレータであるため、前述したように放
射線検出器用シンチレータとして要求される他の特性(
発光効率の温度係数が小さい等の特性)をも満足するた
め、理想的な放射線検出器用シンチレータとなり得る。
結して得たシンチレータであるため、前述したように放
射線検出器用シンチレータとして要求される他の特性(
発光効率の温度係数が小さい等の特性)をも満足するた
め、理想的な放射線検出器用シンチレータとなり得る。
また、焼成後の結晶の平均粒径は、従来の旧P法によっ
て得られるものと同様に5μm〜200μmのものか好
ましい。この理由は、結晶粒径が小さくなればなるほど
粒界における光の散乱、屈折が多くなり光の透過率が低
下するが、5μm以下だと、この現象が顕著になる。ま
た、結晶粒径が大きくなると結晶形が立方晶でない時、
熱膨張率の異方性のため、結晶粒界に亀裂が発生するな
ど、焼結体としての構造的安定性が欠除する。
て得られるものと同様に5μm〜200μmのものか好
ましい。この理由は、結晶粒径が小さくなればなるほど
粒界における光の散乱、屈折が多くなり光の透過率が低
下するが、5μm以下だと、この現象が顕著になる。ま
た、結晶粒径が大きくなると結晶形が立方晶でない時、
熱膨張率の異方性のため、結晶粒界に亀裂が発生するな
ど、焼結体としての構造的安定性が欠除する。
200μm以上になると、この現象が顕著に現れる。
さらに、このようなシンチレータは多結晶であり、結晶
中にボイド(空隙)が存在することとなる。このボイド
の存在により発生した光が散乱されて光出力特性に悪影
響を及ぼすため、好ましくは充填率が98%以上である
ことが望ましい。
中にボイド(空隙)が存在することとなる。このボイド
の存在により発生した光が散乱されて光出力特性に悪影
響を及ぼすため、好ましくは充填率が98%以上である
ことが望ましい。
以上詳述したように、本発明によれば特に透光性が良好
で、かつ、発光効率の温度係数の小さい等の検出器とし
て要求される特性を満足する放射線検出器用シンチレー
タとその製造方法を提供することができる。
で、かつ、発光効率の温度係数の小さい等の検出器とし
て要求される特性を満足する放射線検出器用シンチレー
タとその製造方法を提供することができる。
図面は本発明方法の一実施例工程を説明する概略説明図
である。
である。
Claims (5)
- (1)酸硫化物原料を焼結した多結晶体中の、Mo,T
a,C,Si等の不純物を10ppm以下にして成る放
射線検出器用シンチレータ。 - (2)焼成後の多結晶体の平均結晶粒径が5μm〜20
0μmである特許請求の範囲第1項記載の放射線検出器
用シンチレータ。 - (3)充填率が98%以上である特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の放射線検出用シンチレータ。 - (4)酸硫化物原料を成形した後に、硫黄化合物を含む
雰囲気あるいは硫黄蒸気を含む雰囲気で焼結することを
特徴とする放射線検出器用シンチレータの製造方法。 - (5)酸硫化物原料の成形工程で、理論密度比30%以
上の成形密度を与えるものである特許請求の範囲第4項
記載の放射線検出器用シンチレータの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033549A JPS62190281A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 放射線検出器用シンチレ−タ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033549A JPS62190281A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 放射線検出器用シンチレ−タ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62190281A true JPS62190281A (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=12389636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61033549A Pending JPS62190281A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 放射線検出器用シンチレ−タ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62190281A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01191084A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
JPH01242687A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Hitachi Ltd | セラミツクシンチレータの製造方法 |
JP2004525848A (ja) * | 2001-02-22 | 2004-08-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | シンチレーターセラミックの製造法および該シンチレーターセラミックの使用 |
JP2006258755A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Japan Nuclear Cycle Development Inst States Of Projects | ZnS(Ag)シンチレーション検出器 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61033549A patent/JPS62190281A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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