JPS62172749A - 半導体装置チツプ３次元実装構造、その基本単位およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置チツプ３次元実装構造、その基本単位およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、複数個のＩＣチップやＬＳＩチップなどの半
導体装置チップをそれらの厚さ方向に重ね合せて３次元
的に実装し、各チップ間を配線接続した半導体装置チッ
プの３次元実装構造、その基本単位およびその製造方法
に関するものである。
導体装置チップをそれらの厚さ方向に重ね合せて３次元
的に実装し、各チップ間を配線接続した半導体装置チッ
プの３次元実装構造、その基本単位およびその製造方法
に関するものである。
［従来の技術］
一般に、この種半導体装置チップは、パッケージ内に平
面状に実装されているため、チップ自体の体積に比べて
パッケージの体積が非常に大きなものとなっている。半
導体装置の高集積化および高機能化が進むにつれて、こ
のようなチップを３次元的に高密度に実装することが重
要になってきている。半導体装置チップを重ね合せて３
次元的に実装するためには、次のような種々の方法が提
案されている。
面状に実装されているため、チップ自体の体積に比べて
パッケージの体積が非常に大きなものとなっている。半
導体装置の高集積化および高機能化が進むにつれて、こ
のようなチップを３次元的に高密度に実装することが重
要になってきている。半導体装置チップを重ね合せて３
次元的に実装するためには、次のような種々の方法が提
案されている。
その第１番目は、ＩＣチップが搭載され、かつリード端
子とソケットを有するパッケージを重ね合わせて、隣接
するパッケージ間でリード端子とソケットを交互に接続
していく方法である（特開昭５９−７２１５６号）。こ
の方法には、ＩＣチップの交換が容易であるという利点
はあるが、１つのパッケージの厚みがそのままチップ１
つ分の厚みとなるため、重ね合せるチップの個数は、自
ら制限されてしまい、多数チップの実装が難しい欠点が
ある。
子とソケットを有するパッケージを重ね合わせて、隣接
するパッケージ間でリード端子とソケットを交互に接続
していく方法である（特開昭５９−７２１５６号）。こ
の方法には、ＩＣチップの交換が容易であるという利点
はあるが、１つのパッケージの厚みがそのままチップ１
つ分の厚みとなるため、重ね合せるチップの個数は、自
ら制限されてしまい、多数チップの実装が難しい欠点が
ある。
第２番目は、半導体装置チップを搭載したフィルムキャ
リアを繰り返しＳ字状に折り曲げてチップを重ね合わせ
る方法（ＩＢＭ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｓｃｌｏｓｕ
ｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、Ｖｏｌ、１７．Ｎｏ、１０．
Ｍａｒｃｈ １９７５゜ｐｐ３０８４〜３０８６、に、
Ｒ，Ｇｒｅｂｅ）である。この方法には、実装が容易で
ある利点はあるが、チップ間を結ぶ配線長を長くせざる
を得す、デバイスの速度が低下するという欠点があった
。さらにまた、チップをフィルムキャリアとの接続部の
みで支えなければならないので、デバイスの強度の点で
問題かあった。
リアを繰り返しＳ字状に折り曲げてチップを重ね合わせ
る方法（ＩＢＭ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｓｃｌｏｓｕ
ｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、Ｖｏｌ、１７．Ｎｏ、１０．
Ｍａｒｃｈ １９７５゜ｐｐ３０８４〜３０８６、に、
Ｒ，Ｇｒｅｂｅ）である。この方法には、実装が容易で
ある利点はあるが、チップ間を結ぶ配線長を長くせざる
を得す、デバイスの速度が低下するという欠点があった
。さらにまた、チップをフィルムキャリアとの接続部の
みで支えなければならないので、デバイスの強度の点で
問題かあった。
第３番目は、裸のチップをチップ形状と相似形の溝をも
つケースにはめこみ、これをボードで受けて配線接続す
る方法である（特願昭５９−１４０１＋５８号）。この
方法は、チップとボードとの間の配線長を短くできるが
、チップ端部の絶縁が難しく、しかもチップ形状と相似
形の枠組の製作に際して精密加工を必要とすることから
、歩留りが低いと共に、得られた３次元構造が高価にな
るという欠点があった。
つケースにはめこみ、これをボードで受けて配線接続す
る方法である（特願昭５９−１４０１＋５８号）。この
方法は、チップとボードとの間の配線長を短くできるが
、チップ端部の絶縁が難しく、しかもチップ形状と相似
形の枠組の製作に際して精密加工を必要とすることから
、歩留りが低いと共に、得られた３次元構造が高価にな
るという欠点があった。
これに対し、本発明者は、特願昭６０−２５１８０号に
おいて、薄板状のチップ搭載体にチップを搭載して重ね
合わせるか、あるいはフィルムキャリアにチップを搭載
し、このフィルムキャリアと弾性体薄膜によるスペーサ
とを交互に重ね合わせる方法を提案した。この方法は、
上述の第１から第３番目の方法に比べ、その実現の容易
さ、デバイスの性能や強度等をも総合的に判断した場合
、最も優れた方法である。しかし、チップ搭載体を用い
る場合、これをセラミックスあるいは表面を絶縁化した
金属等で形成し、その形状を寸法精度よく製作する必要
かあるため、７Ｈ＋られる３次元構造か高価にならざる
を得なかった。一方、フィルムキャリアと弾性体スペー
サとを交互に積属する方法によれば、前者の方法に比べ
て、３次元構造を安価に製作することが可能であるが、
その重ね合せ方向の厚みを一定に保つことが難しかった
。
おいて、薄板状のチップ搭載体にチップを搭載して重ね
合わせるか、あるいはフィルムキャリアにチップを搭載
し、このフィルムキャリアと弾性体薄膜によるスペーサ
とを交互に重ね合わせる方法を提案した。この方法は、
上述の第１から第３番目の方法に比べ、その実現の容易
さ、デバイスの性能や強度等をも総合的に判断した場合
、最も優れた方法である。しかし、チップ搭載体を用い
る場合、これをセラミックスあるいは表面を絶縁化した
金属等で形成し、その形状を寸法精度よく製作する必要
かあるため、７Ｈ＋られる３次元構造か高価にならざる
を得なかった。一方、フィルムキャリアと弾性体スペー
サとを交互に積属する方法によれば、前者の方法に比べ
て、３次元構造を安価に製作することが可能であるが、
その重ね合せ方向の厚みを一定に保つことが難しかった
。
さらにまた、このような３次元構造においては、層数が
増えるのに伴って、半導体装置チップから発生ずる熱を
いかに放熱させるかということも大きな問題であり、放
熱構造を適切に設けることが要望される。
増えるのに伴って、半導体装置チップから発生ずる熱を
いかに放熱させるかということも大きな問題であり、放
熱構造を適切に設けることが要望される。
［発明が解決しようとする問題点コ
そこで、本発明の目的は、半導体装置チップを搭載した
フィルムキャリアと弾性体薄膜とを積層した３次元構造
の厚さを可及的薄くなすと共に、その厚さを高精度に定
めることのできる半導体装置チップの３次元構造、その
基本単位およびその製造方法を提供することにある。
フィルムキャリアと弾性体薄膜とを積層した３次元構造
の厚さを可及的薄くなすと共に、その厚さを高精度に定
めることのできる半導体装置チップの３次元構造、その
基本単位およびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、チップの積層方向のピッチを揃え
ることのできる半導体装置チップの３次元構造、その基
本単位およびその製造方法を提供することにある。
ることのできる半導体装置チップの３次元構造、その基
本単位およびその製造方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、半導体装置チップから発生
する熱を適切に放熱させるように構成した半導体装置チ
ップの３次元構造その基本単位およびその製造方法を提
供することにある。
する熱を適切に放熱させるように構成した半導体装置チ
ップの３次元構造その基本単位およびその製造方法を提
供することにある。
［問題点を解決するための手段］
以上の目的を達成するために、本発明の第１形態は、半
導体装置を収容した半導体装置チップと、半導体装置チ
ップを遊嵌させたデバイス開口および位置合せ開口を有
するフィルムキャリアであって、その一方の主面上には
半導体装置チップと接続されたリードを設け、リードに
半導体装置チップを連接、保持したフィルムキャリアと
、位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、フィル
ムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材料層
とを具えたことを特徴とする。
導体装置を収容した半導体装置チップと、半導体装置チ
ップを遊嵌させたデバイス開口および位置合せ開口を有
するフィルムキャリアであって、その一方の主面上には
半導体装置チップと接続されたリードを設け、リードに
半導体装置チップを連接、保持したフィルムキャリアと
、位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、フィル
ムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材料層
とを具えたことを特徴とする。
本発明の第２形態は、半導体装置を収容した半導体装Ｍ
チップと、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口
および位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって
、その一方の主面上には半導体装Ｍチップと接続された
リードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持
したフィルムキャリアと、位置合せ開口と整列する位置
合せ開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着
された可塑性絶縁材料層と、半導体装置チップと接触し
、かつフィルムキャリアよりも外方に延在した熱伝導層
とを具えたことを特徴とする。
チップと、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口
および位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって
、その一方の主面上には半導体装Ｍチップと接続された
リードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持
したフィルムキャリアと、位置合せ開口と整列する位置
合せ開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着
された可塑性絶縁材料層と、半導体装置チップと接触し
、かつフィルムキャリアよりも外方に延在した熱伝導層
とを具えたことを特徴とする。
ここで、可塑性絶縁材料層は、半導体装置チップを遊嵌
させた開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固
着された第１の可塑性絶縁材料層と、第１の可塑性絶縁
材料層と固着された第２の可塑性絶縁材料層とを具える
ことができる。
させた開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固
着された第１の可塑性絶縁材料層と、第１の可塑性絶縁
材料層と固着された第２の可塑性絶縁材料層とを具える
ことができる。
可塑性絶縁材料層は、半導体装置チップを遊嵌させた開
口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着された
ものとすることができる。
口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着された
ものとすることができる。
熱伝導層はフィルムキャリアの一方の主面上に配置する
ことができる。
ことができる。
第１および第２可塑性絶縁材料層の間に半導体装置チッ
プと接触し、かつフィルムキャリアよりも外方に延在し
た熱伝導層を介挿することができる。
プと接触し、かつフィルムキャリアよりも外方に延在し
た熱伝導層を介挿することができる。
本発明の第３形態は、半導体装置を収容した半導体装置
チップ、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたり
−トを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、および位置合せ開口と整列する位
置合せ開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固
着された可塑性絶縁材料層を具えた基本単位を複数個積
層し、位置合せ開口を貫通じて位置合せ棒を配置して積
層構造となし、積層構造においてフィルムキャリアと可
塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およびリードのう
ちの外部接続用リードが積層構造の、その積層方向と直
交する少くとも１つの面に配置されるようになしたこと
を特徴とする。
チップ、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたり
−トを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、および位置合せ開口と整列する位
置合せ開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固
着された可塑性絶縁材料層を具えた基本単位を複数個積
層し、位置合せ開口を貫通じて位置合せ棒を配置して積
層構造となし、積層構造においてフィルムキャリアと可
塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およびリードのう
ちの外部接続用リードが積層構造の、その積層方向と直
交する少くとも１つの面に配置されるようになしたこと
を特徴とする。
本発明の第４形態は、半導体装置を収容した半導体装置
チップ、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、位置合せ開口と整列する位置合せ
開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着され
た可塑性絶縁材料層、および半導体装置チップと接触し
、かつフィルムキャリアよりも外方に延在した熱伝導層
を具えた基本単位を複数個積層し、位置合せ開口を貫通
して位置合せ棒を配置して積層構造となし、積層構造に
おいてフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが交互に
配置され、およびリードのうち外部接続用リードが積層
構造の、その積層方向と直交する面に配置されるように
なし、積層構造の面とは反対側の面には、当該反対側の
面から突出した熱伝導層を埋め込んで当該反対側の面を
覆う放熱板を配置したことを特徴とする。
チップ、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、位置合せ開口と整列する位置合せ
開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着され
た可塑性絶縁材料層、および半導体装置チップと接触し
、かつフィルムキャリアよりも外方に延在した熱伝導層
を具えた基本単位を複数個積層し、位置合せ開口を貫通
して位置合せ棒を配置して積層構造となし、積層構造に
おいてフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが交互に
配置され、およびリードのうち外部接続用リードが積層
構造の、その積層方向と直交する面に配置されるように
なし、積層構造の面とは反対側の面には、当該反対側の
面から突出した熱伝導層を埋め込んで当該反対側の面を
覆う放熱板を配置したことを特徴とする。
本発明の第５形態は、半導体装置を収容した半導体装置
チップ、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、および位置合せ開口と整列する位
置合せ開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固
着された可塑性絶縁材料層を具えた基本単位を複数個積
層し、位置合せ開口を貫通して位置合せ棒を配置して積
層構造となし、積層構造においてフィルムキャリアと可
塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およびリードのう
ち外部接続用リードが積層構造の、その積層方向と直交
する少くとも１つの面に配置されるようになし、および
積層構造の面上に配置された絶縁層と、絶縁層上に配置
され、外部接続用リードと接続された配線パターンを有
する配線層とを具えたことを特徴とする。
チップ、半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、および位置合せ開口と整列する位
置合せ開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固
着された可塑性絶縁材料層を具えた基本単位を複数個積
層し、位置合せ開口を貫通して位置合せ棒を配置して積
層構造となし、積層構造においてフィルムキャリアと可
塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およびリードのう
ち外部接続用リードが積層構造の、その積層方向と直交
する少くとも１つの面に配置されるようになし、および
積層構造の面上に配置された絶縁層と、絶縁層上に配置
され、外部接続用リードと接続された配線パターンを有
する配線層とを具えたことを特徴とする。
本発明の第６形態は、半導体装置を収容した半導体装置
チップ、半導体装置チップをＪ嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、位置合せ開口と整列する位置合せ
開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着され
た可塑性絶縁材料層、および半導体装置チップと接触し
、かつフィルムキャリアよりも外方に延在した熱伝導層
を具えた基本単位を複数個積層し、位置合せ開口を貫通
して位置合せ棒を配置して積層構造となし、積層構造に
おいてフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが交互に
配置され、およびリードのうちの外部接続用リードが積
層構造の、その積層方向と直交する面に配置されるよう
になし、積層構造の面とは反対側の面には、当該反対側
の面から突出した熱伝導層と接触し、および当該反対側
の面を覆う放熱板を配置し、および積層構造の面上に配
置された絶縁層と、絶縁層上に配置され、外部接続用リ
ードと接続された配線パターンを有する配線層とを具え
たことを特徴とする。
チップ、半導体装置チップをＪ嵌させたデバイス開口お
よび位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、
その一方の主面上には半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、リードに半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、位置合せ開口と整列する位置合せ
開口を有し、フィルムキャリアの他方の主面に固着され
た可塑性絶縁材料層、および半導体装置チップと接触し
、かつフィルムキャリアよりも外方に延在した熱伝導層
を具えた基本単位を複数個積層し、位置合せ開口を貫通
して位置合せ棒を配置して積層構造となし、積層構造に
おいてフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが交互に
配置され、およびリードのうちの外部接続用リードが積
層構造の、その積層方向と直交する面に配置されるよう
になし、積層構造の面とは反対側の面には、当該反対側
の面から突出した熱伝導層と接触し、および当該反対側
の面を覆う放熱板を配置し、および積層構造の面上に配
置された絶縁層と、絶縁層上に配置され、外部接続用リ
ードと接続された配線パターンを有する配線層とを具え
たことを特徴とする。
本発明の第７形態は、フィルムキャリアに、半導体装置
を収容した半導体装ｊ１ｔチップを遊嵌するデバイス開
口および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリ
アの一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄
膜からデバイス開口内へ突出するリードおよびリードと
一体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺か
ら外方に延在する配線パターンを形成する工程と、位置
合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶
縁材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層
の各位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャ
リアの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフ
ィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮
して所定の厚さの積層構造を基本単位として形成する工
程とを具えたことを特徴とする。
を収容した半導体装ｊ１ｔチップを遊嵌するデバイス開
口および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリ
アの一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄
膜からデバイス開口内へ突出するリードおよびリードと
一体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺か
ら外方に延在する配線パターンを形成する工程と、位置
合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶
縁材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層
の各位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャ
リアの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフ
ィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮
して所定の厚さの積層構造を基本単位として形成する工
程とを具えたことを特徴とする。
本発明の第８形態は、フィルムキャリアに、半導体装置
を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口お
よび位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリアの
一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜か
らデバイス開口内へ突出するリード、リードと一体に接
続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に
延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突出する
と共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に延
在する放熱用パターンを形成する工程と、位１１を合せ
開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁材
料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の各
位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリア
の他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィル
ムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮して
所定の厚さの積層構造を基本単位として形成する工程と
を具えたことを特徴とする。
を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口お
よび位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリアの
一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜か
らデバイス開口内へ突出するリード、リードと一体に接
続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に
延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突出する
と共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に延
在する放熱用パターンを形成する工程と、位１１を合せ
開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁材
料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の各
位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリア
の他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィル
ムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮して
所定の厚さの積層構造を基本単位として形成する工程と
を具えたことを特徴とする。
本発明の第９形態は、フィルムキャリアに、半導体装置
を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口お
よび位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリアの
一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜か
らデバイス開口内へ突出するリード、リードと一体に接
続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に
延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突出する
と共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に延
在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合せ開口
と整列する位置合せ開口および半導体装置チップを遊嵌
する開口の形成された第１可塑性絶縁材料層と、フィル
ムキャリアの位置合せ開口と整列する位置合せ開口およ
び半導体装置チップを遊嵌する開口の形成された熱伝導
層と、フィルムキャリアの位置合せ開口と整列する位置
合せ開口の形成された第２可塑性絶縁材料層とを、フィ
ルムキャリア、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層および
第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するよう
にして、この順序でフィルムキャリアの他方の主面と重
ね合せる工程と、重ね合されたフィルムキャリア、第１
可塑性絶縁材料層、熱伝導層および第２可塑性絶縁材料
層を加熱して圧縮して所定の厚さの積層構造を基本単位
として形成する工程とを具えたことを特徴とする。
を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口お
よび位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリアの
一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜か
らデバイス開口内へ突出するリード、リードと一体に接
続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に
延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突出する
と共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外方に延
在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合せ開口
と整列する位置合せ開口および半導体装置チップを遊嵌
する開口の形成された第１可塑性絶縁材料層と、フィル
ムキャリアの位置合せ開口と整列する位置合せ開口およ
び半導体装置チップを遊嵌する開口の形成された熱伝導
層と、フィルムキャリアの位置合せ開口と整列する位置
合せ開口の形成された第２可塑性絶縁材料層とを、フィ
ルムキャリア、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層および
第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するよう
にして、この順序でフィルムキャリアの他方の主面と重
ね合せる工程と、重ね合されたフィルムキャリア、第１
可塑性絶縁材料層、熱伝導層および第２可塑性絶縁材料
層を加熱して圧縮して所定の厚さの積層構造を基本単位
として形成する工程とを具えたことを特徴とする。
本発明の第１０形態は、フィルムキャリアに、半導体装
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜
からデバイス開口内へ突出するリードおよびリードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁
材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の
各位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリ
アの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィ
ルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮し
て所定の厚さの基本単位として形成する工程と、基本単
位を複数個積層し、その積層構造を形成する際に位置合
せ開口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単位を整
列させ、およびフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層と
が交互に配置され、およびリードのうち外部接続用リー
ドが積層構造の、その積層方向と直交する少くとも１つ
の面に配置されるようにする工程とを具えたことを特徴
とする。
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜
からデバイス開口内へ突出するリードおよびリードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁
材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の
各位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリ
アの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィ
ルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮し
て所定の厚さの基本単位として形成する工程と、基本単
位を複数個積層し、その積層構造を形成する際に位置合
せ開口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単位を整
列させ、およびフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層と
が交互に配置され、およびリードのうち外部接続用リー
ドが積層構造の、その積層方向と直交する少くとも１つ
の面に配置されるようにする工程とを具えたことを特徴
とする。
本発明の第１１形態は、フィルムキャリアに、半導体装
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄１
摸からデバイス開口内へ突出するリード、リードと一体
に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突出
すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外方
に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合せ
間口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁材
料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の各
位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリア
の他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィル
ムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮して
所定の厚さの基本単位として形成する工程と、基本単位
を複数個積層し、その積層構造を形成する際に位置合せ
開口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単位を整列
させ、およびフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが
交互に配置され、およびリードのうち外部接続用リード
が積層構造の、その積層方向と直交する面に配置される
ようにする工程と、積層構造のうち、熱伝導層が突出し
た而を、当該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工
程とを具えたことを特徴とする。
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄１
摸からデバイス開口内へ突出するリード、リードと一体
に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突出
すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外方
に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合せ
間口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁材
料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の各
位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリア
の他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィル
ムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮して
所定の厚さの基本単位として形成する工程と、基本単位
を複数個積層し、その積層構造を形成する際に位置合せ
開口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単位を整列
させ、およびフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが
交互に配置され、およびリードのうち外部接続用リード
が積層構造の、その積層方向と直交する面に配置される
ようにする工程と、積層構造のうち、熱伝導層が突出し
た而を、当該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工
程とを具えたことを特徴とする。
本発明の第１２形態は、フィルムキャリアに、半導体装
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜
から前記デバイス開口内へ突出するリード、リードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突
出すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口および半導体装置チップ
を遊嵌する開口の形成された第１可塑性絶縁材料層と、
フィルムキャリアの位置合せ開口と整列する位置合せ開
口および半導体装置チップを遊嵌する開口の形成された
熱伝導層と、フィルムキャリアの位置合せ開口と整列す
る位置合せ開口の形成された第２可塑性絶縁材料層とを
、フィルムキャリア、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層
および第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ間口が整列す
るようにして、この順序でフィルムキャリアの他方の主
面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィルムキャリア
、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層および第２可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、基本単位を複数個積層し、その積層
構造を形成する際に位置合せ開口に位置合せ棒を貫通さ
せて複数個の基本単位を整列させ、およびフィルムキャ
リアと第２可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およ
びリードのうち外部接続用リードが積層構造の、その積
層方向と直交する面に配置されるようにする工程と、積
層構造のうち、熱伝導層が突出した面を、当該熱伝導層
と接触する放熱板によって覆う工程とを具えたことを特
徴とする。
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜
から前記デバイス開口内へ突出するリード、リードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突
出すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口および半導体装置チップ
を遊嵌する開口の形成された第１可塑性絶縁材料層と、
フィルムキャリアの位置合せ開口と整列する位置合せ開
口および半導体装置チップを遊嵌する開口の形成された
熱伝導層と、フィルムキャリアの位置合せ開口と整列す
る位置合せ開口の形成された第２可塑性絶縁材料層とを
、フィルムキャリア、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層
および第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ間口が整列す
るようにして、この順序でフィルムキャリアの他方の主
面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィルムキャリア
、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層および第２可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、基本単位を複数個積層し、その積層
構造を形成する際に位置合せ開口に位置合せ棒を貫通さ
せて複数個の基本単位を整列させ、およびフィルムキャ
リアと第２可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およ
びリードのうち外部接続用リードが積層構造の、その積
層方向と直交する面に配置されるようにする工程と、積
層構造のうち、熱伝導層が突出した面を、当該熱伝導層
と接触する放熱板によって覆う工程とを具えたことを特
徴とする。
本発明の第１３形態は、フィルムキャリアに、半導体装
置を収容した半導体装置チップを′ｔＬ１８するデバイ
ス開口および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキ
ャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金
属薄膜からデバイス開口内へ突出するリードおよびリー
ドと一体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１
辺から外方に延在する配線パターンを形成する工程と、
位置合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑
性絶縁材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材
料層の各位置合せ開口が整列するようにして、フィルム
キャリアの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合され
たフィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して
圧縮して所定の厚さの基本単位として形成する工程と、
基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する際に
位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単
位を整列させ、およびフィルムキャリアと°可塑性絶縁
材料層とが交互に配置され、およびリードのうち外部接
続用リードが積層構造の、その積層方向に直交する少な
くとも１つの面に配置されるようにする工程と、積層構
造のうち、外部接続用リードの突出する面に絶縁層を形
成する工程と、その絶縁層の表面と同一面上に外部接続
用リードの先端を露出させる工程と、外部接続用リード
と接続された配線パターンを絶縁層上に形成する工程と
を具えたことを特徴とする。
置を収容した半導体装置チップを′ｔＬ１８するデバイ
ス開口および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキ
ャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金
属薄膜からデバイス開口内へ突出するリードおよびリー
ドと一体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１
辺から外方に延在する配線パターンを形成する工程と、
位置合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑
性絶縁材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材
料層の各位置合せ開口が整列するようにして、フィルム
キャリアの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合され
たフィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して
圧縮して所定の厚さの基本単位として形成する工程と、
基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する際に
位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単
位を整列させ、およびフィルムキャリアと°可塑性絶縁
材料層とが交互に配置され、およびリードのうち外部接
続用リードが積層構造の、その積層方向に直交する少な
くとも１つの面に配置されるようにする工程と、積層構
造のうち、外部接続用リードの突出する面に絶縁層を形
成する工程と、その絶縁層の表面と同一面上に外部接続
用リードの先端を露出させる工程と、外部接続用リード
と接続された配線パターンを絶縁層上に形成する工程と
を具えたことを特徴とする。
本発明の第１４形態は、フィルムキャリアに、半導体装
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜な被着する工程と、金属薄膜
から前記デバイス開口内へ突出するリード、リードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突
出すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁
材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の
各位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリ
アの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィ
ルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮し
て所定の厚さの基本単位として形成する工程と、基本単
位を複数個積層し、その積層構造を形成する位置合せ開
口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単位を整列さ
せ、およびフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが交
互に配置され、およびリードのうち外部接続用リードが
積層構造のその積層方向と直交する面に配置されるよう
にする工程と、積層構造のうち、熱伝導層が突出した面
を、当該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工程と
、積層構造のうち、外部接続用リードの突出する面に絶
縁層を形成する工程と、その絶縁層の表面と同一面上に
前記外部接続用リードの先端を露出させる工程と、外部
接続用リードと接続された配線パターンを絶縁層上に形
成する工程とを具えたことを特徴とする。
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜な被着する工程と、金属薄膜
から前記デバイス開口内へ突出するリード、リードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突
出すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁
材料層を、フィルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層の
各位置合せ開口が整列するようにして、フィルムキャリ
アの他方の主面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィ
ルムキャリアおよび可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮し
て所定の厚さの基本単位として形成する工程と、基本単
位を複数個積層し、その積層構造を形成する位置合せ開
口に位置合せ棒を貫通させて複数個の基本単位を整列さ
せ、およびフィルムキャリアと可塑性絶縁材料層とが交
互に配置され、およびリードのうち外部接続用リードが
積層構造のその積層方向と直交する面に配置されるよう
にする工程と、積層構造のうち、熱伝導層が突出した面
を、当該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工程と
、積層構造のうち、外部接続用リードの突出する面に絶
縁層を形成する工程と、その絶縁層の表面と同一面上に
前記外部接続用リードの先端を露出させる工程と、外部
接続用リードと接続された配線パターンを絶縁層上に形
成する工程とを具えたことを特徴とする。
本発明の第１５形態は、フィルムキャリアに、半導体装
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜
から前記デバイス開口内へ突出するリード、リードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突
出すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口および半導体装置チップ
を遊嵌する開口の形成された第１可塑性絶縁材料層と、
フィルムキャリアの位置合せ開口と整列する位置合せ開
口および半導体装置チップを遊嵌する開口の形成された
熱伝導層と、フィルムキャリアの位置合せ開口と整列す
る位置合せ開口の形成された第２可塑性絶縁材料層とを
、フィルムキャリア、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層
および第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列す
るようにして、この順序でフィルムキャリアの他方の主
面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィルムキャリア
、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層および第２可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、基本単位を複数個積層し、その積層
構造を形成する際に位置合せ開口に位置合せ棒を貫通さ
せて複数個の基本単位を整列させ、およびフィルムキャ
リアと第２可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およ
びリードのうち外部接続用リードが積層構造の、その積
層方向と直交する面に配置されるようにする工程と、積
層構造のうち、熱伝導層が突出した面を、当該熱伝導層
と接触する放熱板によって覆う工程と、積層構造のうち
、外部接続用リードの突出する面に絶縁層を形成する工
程と、その絶縁層の表面と同一面上に外部接続用リード
の先端を露出させる工程と、外部接続用リードと接続さ
れた配線パターンを絶縁層上に形成する工程とを具えた
ことを特徴とする特 ［作用］ 本発明によれば、フィルムキャリアと熱可塑性弾性体薄
膜との積層構造を加熱圧縮することによって厚みを一定
となしたチップ搭載構造を構成する。この構造では、厚
さが精度よく一定に定められているので、この構造を基
本単位として積層し、その積層構造の同一面から外部接
続リードを取り出すことにより、その同一面上からはリ
ードが位置精度よく取り出される。したがって、その同
一面上に絶縁層を形成し、その絶縁層上に配線パターン
を配置することにより、３次元的な半導体装置の実装構
造を精度高く、安価にかつ確実に提供できる。しかも、
本発明では、半導体装置チップの発熱を３次元実装置構
造の外部に放熱することができるので、実装密度をチッ
プの厚さに応じて高く定めても、半導体装置チップの温
度が高くなるおそれがない。
置を収容した半導体装置チップを遊嵌するデバイス開口
および位置合せ開口をあける工程と、フィルムキャリア
の一方の主面上に金属薄膜を被着する工程と、金属薄膜
から前記デバイス開口内へ突出するリード、リードと一
体に接続され、フィルムキャリアの少なくとも１辺から
外方に延在する配線パターンおよびデバイス開口内へ突
出すると共にフィルムキャリアの少なくとも１辺から外
方に延在する放熱用パターンを形成する工程と、位置合
せ開口と整列する位置合せ開口および半導体装置チップ
を遊嵌する開口の形成された第１可塑性絶縁材料層と、
フィルムキャリアの位置合せ開口と整列する位置合せ開
口および半導体装置チップを遊嵌する開口の形成された
熱伝導層と、フィルムキャリアの位置合せ開口と整列す
る位置合せ開口の形成された第２可塑性絶縁材料層とを
、フィルムキャリア、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層
および第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列す
るようにして、この順序でフィルムキャリアの他方の主
面と重ね合せる工程と、重ね合されたフィルムキャリア
、第１可塑性絶縁材料層、熱伝導層および第２可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、基本単位を複数個積層し、その積層
構造を形成する際に位置合せ開口に位置合せ棒を貫通さ
せて複数個の基本単位を整列させ、およびフィルムキャ
リアと第２可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、およ
びリードのうち外部接続用リードが積層構造の、その積
層方向と直交する面に配置されるようにする工程と、積
層構造のうち、熱伝導層が突出した面を、当該熱伝導層
と接触する放熱板によって覆う工程と、積層構造のうち
、外部接続用リードの突出する面に絶縁層を形成する工
程と、その絶縁層の表面と同一面上に外部接続用リード
の先端を露出させる工程と、外部接続用リードと接続さ
れた配線パターンを絶縁層上に形成する工程とを具えた
ことを特徴とする特 ［作用］ 本発明によれば、フィルムキャリアと熱可塑性弾性体薄
膜との積層構造を加熱圧縮することによって厚みを一定
となしたチップ搭載構造を構成する。この構造では、厚
さが精度よく一定に定められているので、この構造を基
本単位として積層し、その積層構造の同一面から外部接
続リードを取り出すことにより、その同一面上からはリ
ードが位置精度よく取り出される。したがって、その同
一面上に絶縁層を形成し、その絶縁層上に配線パターン
を配置することにより、３次元的な半導体装置の実装構
造を精度高く、安価にかつ確実に提供できる。しかも、
本発明では、半導体装置チップの発熱を３次元実装置構
造の外部に放熱することができるので、実装密度をチッ
プの厚さに応じて高く定めても、半導体装置チップの温
度が高くなるおそれがない。
［実施例］
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
未発明の実施例において積層される半導体装置チップ、
たとえばＩＣチップを搭載したフィルムキャリアの一例
を第１Ａ図および第１Ｂ図に示す。
たとえばＩＣチップを搭載したフィルムキャリアの一例
を第１Ａ図および第１Ｂ図に示す。
第１Ａ図および第１Ｂ図において、■はポリイミドやＢ
Ｔレジンによるたとえば厚さ１３５μｍのフィルムキャ
リア、ｌＯはＩＣチップである。フィルムキャリア１に
は、ＩＣチップ１０を受容するデバイス間口１１および
位置合せ穴１２をあらかじめ形成しておき、さらに外部
接続リード１３およびダミーリード１４をもあらかじめ
パターン形成しておく。これらリード１３および１４は
たとえば厚さ１３５ μｍの銅リードとする。外部接続
リード１３はＩＣチップ１０の１辺にのみ接続するので
はなく、複数辺に接続してもよく、また、リード１３は
フィルムキャリアの１辺から突出させるのみでなく、他
の辺から取り出すようにしてもよい。
Ｔレジンによるたとえば厚さ１３５μｍのフィルムキャ
リア、ｌＯはＩＣチップである。フィルムキャリア１に
は、ＩＣチップ１０を受容するデバイス間口１１および
位置合せ穴１２をあらかじめ形成しておき、さらに外部
接続リード１３およびダミーリード１４をもあらかじめ
パターン形成しておく。これらリード１３および１４は
たとえば厚さ１３５ μｍの銅リードとする。外部接続
リード１３はＩＣチップ１０の１辺にのみ接続するので
はなく、複数辺に接続してもよく、また、リード１３は
フィルムキャリアの１辺から突出させるのみでなく、他
の辺から取り出すようにしてもよい。
ＩＣチップ１０とフィルムキャリア１上のリード１３お
よび１４とを、ＩＣチップ１０上の金バンプとリード１
３および１４との熱圧着による通常のインナーリードボ
ンディング法で接続し、ＩＣチップ１０を開口１１に入
れたとぎにリード１３および１４によりＩＣチップ１０
をフィルムキャリア１に支持し、および外部接続リード
１３によってチップを重ね合せた後に外部との電気信号
の人出力を行う。ダミーリード１４はＩＣチップ１０と
フィルムキャリア１との間の接続固定用のものである。
よび１４とを、ＩＣチップ１０上の金バンプとリード１
３および１４との熱圧着による通常のインナーリードボ
ンディング法で接続し、ＩＣチップ１０を開口１１に入
れたとぎにリード１３および１４によりＩＣチップ１０
をフィルムキャリア１に支持し、および外部接続リード
１３によってチップを重ね合せた後に外部との電気信号
の人出力を行う。ダミーリード１４はＩＣチップ１０と
フィルムキャリア１との間の接続固定用のものである。
位置合せ穴１２は、後述する弾性体薄膜との重ね合せお
よび最終的に行うＩＣチップＨ）の重ね合わせの位置合
せのために用いる。
よび最終的に行うＩＣチップＨ）の重ね合わせの位置合
せのために用いる。
次に、フィルムキャリアｌと積層する際にＩＣチップ１
０の厚さに対するスペーサおよび厚さ補正用スペーサと
しての第１の可塑性薄膜、たとえば熱可塑性ゴムのよう
な熱可塑性弾性体薄膜の一例を第２Ａ図および第２Ｂ図
に示す。
０の厚さに対するスペーサおよび厚さ補正用スペーサと
しての第１の可塑性薄膜、たとえば熱可塑性ゴムのよう
な熱可塑性弾性体薄膜の一例を第２Ａ図および第２Ｂ図
に示す。
ここで、２は第１の熱可塑性弾性体薄膜であり、この薄
膜２には、位置合せ穴２１およびデバイス受容開口２２
をあらかじめあけておく。この第１の熱可塑性弾性体薄
膜２の外寸は、後述するフィルムキャリア１との重ね合
せ圧縮時のりぶれを考慮して、フィルムキャリア１に比
較して若干小さめに定めておくものとする。同揉な理由
から、第１の熱可塑性弾性体薄膜２の位置合せ穴２１お
よびデバイス間口２２は、フィルムキャリア１の位置合
せ穴１２およびデバイス間口１１に比して若干大きめに
形成しておくものとする。
膜２には、位置合せ穴２１およびデバイス受容開口２２
をあらかじめあけておく。この第１の熱可塑性弾性体薄
膜２の外寸は、後述するフィルムキャリア１との重ね合
せ圧縮時のりぶれを考慮して、フィルムキャリア１に比
較して若干小さめに定めておくものとする。同揉な理由
から、第１の熱可塑性弾性体薄膜２の位置合せ穴２１お
よびデバイス間口２２は、フィルムキャリア１の位置合
せ穴１２およびデバイス間口１１に比して若干大きめに
形成しておくものとする。
第３Ａ図および第３Ｂ図はフィルムキャリア１および第
１の熱可塑性弾性体薄ｆｌｕ ２と重ね合せる際の厚さ
補正用スペーサおよびＩＣチップ１０の底面を絶縁する
ための絶縁層としての第２の可塑性薄膜、たとえば熱可
塑性ゴムのような熱可塑性弾性体薄膜の一例を示す。
１の熱可塑性弾性体薄ｆｌｕ ２と重ね合せる際の厚さ
補正用スペーサおよびＩＣチップ１０の底面を絶縁する
ための絶縁層としての第２の可塑性薄膜、たとえば熱可
塑性ゴムのような熱可塑性弾性体薄膜の一例を示す。
ここで、３は第２の熱可塑性弾性体薄膜、３１はこの薄
膜３にあけた位置合せ穴である。
膜３にあけた位置合せ穴である。
以上に示したＩＣチップ付フィルムキャリア１、第１の
熱可塑性弾性体薄膜２および第２の熱可塑性弾性体薄膜
３を重ね合せて圧縮するための冶具の一例を第４Ａ図お
よび第４Ｂ図、および第５Ａ図、第５Ｂ図および第５Ｃ
図に示す。
熱可塑性弾性体薄膜２および第２の熱可塑性弾性体薄膜
３を重ね合せて圧縮するための冶具の一例を第４Ａ図お
よび第４Ｂ図、および第５Ａ図、第５Ｂ図および第５Ｃ
図に示す。
第４八図および第４Ｂ図は蓋部の冶具を示し、ここで、
４は治具としての蓋であり、この蓋４には位置合せ穴４
Ｎをあけておく。
４は治具としての蓋であり、この蓋４には位置合せ穴４
Ｎをあけておく。
第５八図、第５ｎ図および第５Ｃ図はヘース部の冶具を
示し、ここで５は冶具としてのベースであり、このベー
ス５には位置合せのための棒５１を突設すると共に、一
方の対向端部の各々には突起５２を設ける。治具ベース
５の棒５１を蓋治具４の穴４１に挿入できるように、穴
４１の径は棒５１の外扉よりも若干犬とくしておく。
示し、ここで５は冶具としてのベースであり、このベー
ス５には位置合せのための棒５１を突設すると共に、一
方の対向端部の各々には突起５２を設ける。治具ベース
５の棒５１を蓋治具４の穴４１に挿入できるように、穴
４１の径は棒５１の外扉よりも若干犬とくしておく。
次に、これら治具４および５を用いて、ＩＣチップ付フ
ィルムキャリア１、第１の熱可塑性弾性体Ｆｉｔｌｌ！
２および第２の熱可塑性弾性体薄膜３を重ね合せて基本
単位を形成する工程について第６図を参照して説明する
。
ィルムキャリア１、第１の熱可塑性弾性体Ｆｉｔｌｌ！
２および第２の熱可塑性弾性体薄膜３を重ね合せて基本
単位を形成する工程について第６図を参照して説明する
。
これら部材３．２および１をそれぞれの位置合せ穴３１
．２１および１２にベース治具５の棒５１をこの順序で
挿入してこれら穴１２．２１および３１を一致させて部
材１．２および３を重ね合せ、ざらに蓋治具４の穴４１
を棒５１に挿入した状態を第６図に示す。この状態では
、フィルムキャリア１と第１および第２の熱可塑性弾性
体薄膜２および３とを重ね合せた厚み（以下、総厚と称
する）に比べて、ベース冶！！−５の突起５２の高さを
、若干低く設定しておき、後述するように積層した部材
１〜３を突起５２の高さまで圧縮できるようにしておく
。
．２１および１２にベース治具５の棒５１をこの順序で
挿入してこれら穴１２．２１および３１を一致させて部
材１．２および３を重ね合せ、ざらに蓋治具４の穴４１
を棒５１に挿入した状態を第６図に示す。この状態では
、フィルムキャリア１と第１および第２の熱可塑性弾性
体薄膜２および３とを重ね合せた厚み（以下、総厚と称
する）に比べて、ベース冶！！−５の突起５２の高さを
、若干低く設定しておき、後述するように積層した部材
１〜３を突起５２の高さまで圧縮できるようにしておく
。
このようにして第６図の配置を形成した後、この配置全
体を加熱し、その加熱状態の下で治具４と５との間に圧
力を加えることによって、第１および第２の熱可塑性弾
性体薄膜２および３をつぶすことによりその膜厚を縮少
させて総厚を突起５２の高さに等しくする。
体を加熱し、その加熱状態の下で治具４と５との間に圧
力を加えることによって、第１および第２の熱可塑性弾
性体薄膜２および３をつぶすことによりその膜厚を縮少
させて総厚を突起５２の高さに等しくする。
この圧縮工程の後、圧縮された配置全体を室温まで冷却
し、ついで治具４および５を取り除くことによって、第
７図に示すように、総厚が突起５２の高さに等しいＩＣ
チップ搭載構造をＩＣチップの重ね合せの基本単位とし
て得る。本例では、弾性体薄１１ｊＪ２および３により
総厚を補正することができ、これら薄膜２および３の厚
さをそれぞれ５００μｍおよび３ＱＯｕｌｌとしたとき
に総厚を８５０μｍとすることができた。
し、ついで治具４および５を取り除くことによって、第
７図に示すように、総厚が突起５２の高さに等しいＩＣ
チップ搭載構造をＩＣチップの重ね合せの基本単位とし
て得る。本例では、弾性体薄１１ｊＪ２および３により
総厚を補正することができ、これら薄膜２および３の厚
さをそれぞれ５００μｍおよび３ＱＯｕｌｌとしたとき
に総厚を８５０μｍとすることができた。
なお、上述した実施例において説明した第１の熱可塑性
弾性体薄［２は、第８図に示すように、ＩＣチップ１０
の厚さとフィルムキャリアｌの厚さとがほぼ等しい場合
には、省略することが可能である。
弾性体薄［２は、第８図に示すように、ＩＣチップ１０
の厚さとフィルムキャリアｌの厚さとがほぼ等しい場合
には、省略することが可能である。
ＩＣチップ１０をフィルムキャリアｌ上のリード１３お
よび１４のみで充分に固定でき、かつＩＣチップ１０の
裏面の絶縁が空間的な絶縁のみで十分な場合には、第９
図に示すように、ＩＣチップｌＯに比べて充分厚い第１
の熱可塑性弾性体薄膜２を用いるのみで、第２の熱可塑
性弾性体薄膜３を省略することができる。
よび１４のみで充分に固定でき、かつＩＣチップ１０の
裏面の絶縁が空間的な絶縁のみで十分な場合には、第９
図に示すように、ＩＣチップｌＯに比べて充分厚い第１
の熱可塑性弾性体薄膜２を用いるのみで、第２の熱可塑
性弾性体薄膜３を省略することができる。
なお、上述の各種位置合せ穴１２．２１および３１の代
わりに切欠きを設けてもよく、要は位置合せ棒を挿通で
きる位置合せ開口であればその形態は問わない。
わりに切欠きを設けてもよく、要は位置合せ棒を挿通で
きる位置合せ開口であればその形態は問わない。
以上の第８図または第９図に示したＩＣチップ搭載構造
では、上述したようにその総厚をＩＣチップｌＯの厚み
（０，５ｍｍ程度）と同程度の０．８ｍｍ程度にするこ
とが可能であるが、ＩＣチップの厚さをさらに薄くする
ことにより、この構造の厚さを０．５ｍｍ程度にまで薄
くすることができる。
では、上述したようにその総厚をＩＣチップｌＯの厚み
（０，５ｍｍ程度）と同程度の０．８ｍｍ程度にするこ
とが可能であるが、ＩＣチップの厚さをさらに薄くする
ことにより、この構造の厚さを０．５ｍｍ程度にまで薄
くすることができる。
なお、上述した可塑性薄膜２および３は、熱や圧力を加
えることによって変形する絶縁材料であって、必ずしも
弾性材料である必要はないが、フィルムキャリアｌとは
接着しやすく、かつ圧縮治具４および５とは圧縮後に離
れやすい性質の絶縁材料であることが必要であり、たと
えばポリオレフィン系エラストマーのような熱可塑性弾
性体が好適である。しかし、かかる薄膜２および３の材
料はこれのみに限定されない。
えることによって変形する絶縁材料であって、必ずしも
弾性材料である必要はないが、フィルムキャリアｌとは
接着しやすく、かつ圧縮治具４および５とは圧縮後に離
れやすい性質の絶縁材料であることが必要であり、たと
えばポリオレフィン系エラストマーのような熱可塑性弾
性体が好適である。しかし、かかる薄膜２および３の材
料はこれのみに限定されない。
以上のようにして得たＩＣチップ搭載構造を重ね合せて
３次元的に配線接続した構造の一例を第１０図〜第１２
図に示す。
３次元的に配線接続した構造の一例を第１０図〜第１２
図に示す。
ここで、６は端部固定板、６１はこの板６に取り付けた
位置合せ棒である。７は側部固定板、７１は側部固定板
７の側面に設けたポンディングパッド、７２は側部固定
板７に埋め込んだ外部接続用のソケット、８は基本単位
の積層方向、すなわちフィルムキャリア１の主面と直交
する面に沿って配置された絶縁層、８１は絶縁層８の表
面に設けたポンディングパッド、８２は絶縁層８の表面
にフォトリソゲラフやマスク蒸着を用いて設けた配線層
、９はポンディングパッド７１と８１とを接続するボン
ディングワイヤである。
位置合せ棒である。７は側部固定板、７１は側部固定板
７の側面に設けたポンディングパッド、７２は側部固定
板７に埋め込んだ外部接続用のソケット、８は基本単位
の積層方向、すなわちフィルムキャリア１の主面と直交
する面に沿って配置された絶縁層、８１は絶縁層８の表
面に設けたポンディングパッド、８２は絶縁層８の表面
にフォトリソゲラフやマスク蒸着を用いて設けた配線層
、９はポンディングパッド７１と８１とを接続するボン
ディングワイヤである。
この構造を得るためには、まず、第１０図に示すように
、ＩＣチップ搭載構造を、フィルムキャリア１および薄
膜２および３の各位置合せ穴１２．２１および３１に位
置合せ棒６１を通すことによってフィルムキャリア１の
外部接続リード１３が、基本単位の積層方向、すなわち
フィルムキャリア１の主面と直交する面、すなわち絶縁
層８の側に配置されるようにして重ね合せ、得られた積
層構造の両端を端部固定板６で固定する。
、ＩＣチップ搭載構造を、フィルムキャリア１および薄
膜２および３の各位置合せ穴１２．２１および３１に位
置合せ棒６１を通すことによってフィルムキャリア１の
外部接続リード１３が、基本単位の積層方向、すなわち
フィルムキャリア１の主面と直交する面、すなわち絶縁
層８の側に配置されるようにして重ね合せ、得られた積
層構造の両端を端部固定板６で固定する。
ここで、１６個の基本単位を積層した拮果、フィルムキ
ャリア１の位置合せ穴によるリード位置合せ精度として
±２０μｍ１積層ピッチ精度として±３０μｍが得られ
た。
ャリア１の位置合せ穴によるリード位置合せ精度として
±２０μｍ１積層ピッチ精度として±３０μｍが得られ
た。
さらに、第１１図に示すように、側部固定板７を端部固
定板６に固定し、ついで端部固定板６と側部固定板７と
で囲まれたくぼみ部分に外部接続リード１３を含むよう
にポリイミド系樹脂などの絶縁体を流し込む。この絶縁
体か硬化してから、その絶縁体をリード１３と共に研磨
することにより、リード１３の端面と同一平面上にある
ような平坦な絶縁層８を得る。
定板６に固定し、ついで端部固定板６と側部固定板７と
で囲まれたくぼみ部分に外部接続リード１３を含むよう
にポリイミド系樹脂などの絶縁体を流し込む。この絶縁
体か硬化してから、その絶縁体をリード１３と共に研磨
することにより、リード１３の端面と同一平面上にある
ような平坦な絶縁層８を得る。
なお、絶縁層８として樹脂より硬い材料が必要な場合に
は、シリコン酸化物などの無機絶縁物の膜を、ＣＶＤ法
や真空蒸着法で形成したり、あるいはシリコン酸化物を
含む流動体を流し込み、ついでベーキングを行って硬化
させることで形成させることができる。
は、シリコン酸化物などの無機絶縁物の膜を、ＣＶＤ法
や真空蒸着法で形成したり、あるいはシリコン酸化物を
含む流動体を流し込み、ついでベーキングを行って硬化
させることで形成させることができる。
つぎにリード１３の端面の接続のための配線層８２およ
びポンディングパッド８１を絶縁層８の上にホトリソグ
ラフィおよびエツチングにより形成する。
びポンディングパッド８１を絶縁層８の上にホトリソグ
ラフィおよびエツチングにより形成する。
一方、ポンディングパッド７１と８１との間をボンディ
ングワイヤ９により接続することにより、側部固定板７
の外部接続用のソケット７２をポンディングパッド８１
と接続する。これによって積層されたＩＣチップと外部
接続用のソケット７２どの間の電気接続がすべて完了す
る。
ングワイヤ９により接続することにより、側部固定板７
の外部接続用のソケット７２をポンディングパッド８１
と接続する。これによって積層されたＩＣチップと外部
接続用のソケット７２どの間の電気接続がすべて完了す
る。
以上のようにして得た配線接続構造に内部保護のための
カバーを取り付けて完成した３次元実装構造の外観例を
第１２図に示す。
カバーを取り付けて完成した３次元実装構造の外観例を
第１２図に示す。
ここで、９０は底板、９１は上蓋であり、これらカバ一
部材９０および９１により３次元実装構造の露出面、す
なわち絶縁層８およびこの層８とは反対側の面を覆う。
部材９０および９１により３次元実装構造の露出面、す
なわち絶縁層８およびこの層８とは反対側の面を覆う。
なお、上蓋９１は、その取り付は時にポンディングパッ
ド７１および８１とボンディングワイヤ９を傷つけぬよ
うに、内部に空間が設けられている。
ド７１および８１とボンディングワイヤ９を傷つけぬよ
うに、内部に空間が設けられている。
以上に示した構造において、たとえば２５６キロビツト
のメモリチップを６４個積層することによって、２Ｍバ
イトの固体メモリをわずか４０ｍｍ程度の厚さのデバイ
スとして実現することができる。このことは、通常は磁
気ディスクや磁気テープなどの記録媒体で行われている
ファイル記憶装置を固体メモリで構成できることを意味
する。
のメモリチップを６４個積層することによって、２Ｍバ
イトの固体メモリをわずか４０ｍｍ程度の厚さのデバイ
スとして実現することができる。このことは、通常は磁
気ディスクや磁気テープなどの記録媒体で行われている
ファイル記憶装置を固体メモリで構成できることを意味
する。
次に、上述した本発明のｔＣチップ搭載構造においてチ
ップからの発熱を放熱することができるように構成した
本発明の実施例について説明する。
ップからの発熱を放熱することができるように構成した
本発明の実施例について説明する。
第１３八図および第１３［１図はメモリチップのように
ＩＣチップの４辺に外部接続のバンプを設けた場合に本
発明を適用した実施例を示し、これら４辺のバンブに外
部接続リード１３を接続した例である。ここで、フィル
ムキャリア１には、外部接続リード１３に加えて、チッ
プ１０を配置するデバイス開口！ｌの位置するに対応し
て、チップ１０よりも小さい面積のたとえばほぼ四角形
状の熱伝導部１００と、この熱伝導部１００をデバイス
開口１１に対して支持するよう熱伝導部１００の各辺か
ら突出する脚１０１１ フィルムキャリア１の縁部を越
えて延在する放熱部１０２および熱伝導部１００と放熱
部１０２とを接続する熱伝導部１０３をも、外部接続リ
ード１３のパターン形成と同時に銅箔より形成する。す
なわち、フィルムキャリア１上にデバイス開口１１およ
び穴１２をあけてから銅箔を被着させ、その銅箔に対し
て、リード１３および上述した部分１００〜１０３につ
いてのパターンを形成する。
ＩＣチップの４辺に外部接続のバンプを設けた場合に本
発明を適用した実施例を示し、これら４辺のバンブに外
部接続リード１３を接続した例である。ここで、フィル
ムキャリア１には、外部接続リード１３に加えて、チッ
プ１０を配置するデバイス開口！ｌの位置するに対応し
て、チップ１０よりも小さい面積のたとえばほぼ四角形
状の熱伝導部１００と、この熱伝導部１００をデバイス
開口１１に対して支持するよう熱伝導部１００の各辺か
ら突出する脚１０１１ フィルムキャリア１の縁部を越
えて延在する放熱部１０２および熱伝導部１００と放熱
部１０２とを接続する熱伝導部１０３をも、外部接続リ
ード１３のパターン形成と同時に銅箔より形成する。す
なわち、フィルムキャリア１上にデバイス開口１１およ
び穴１２をあけてから銅箔を被着させ、その銅箔に対し
て、リード１３および上述した部分１００〜１０３につ
いてのパターンを形成する。
ＩＣチップＩＯとフィルムキャリア１のリード１３との
接続は上述したようにインナーリードポンディング法で
行うことができる。ＩＣチップｌＯと熱伝導部１００と
は、ＩＣチップｌＯにさらに付加したバンブと熱伝導部
１００の銅箔とをインナーリードボンディング法による
熱圧着で接続したり、熱伝導率の高い接着剤で接続する
ことができる。なお、 ＩＣチップｌＯと熱伝導部１０
０とは、積層された状態では圧接されており、上述のよ
うに接続しなくても熱は伝達される。次に上述した治具
４および５を用いて、第１３Ａ図に示した放熱用銅箔パ
ターンを有するフィルムキャリア１を、第１３８図に示
すように、熱可塑性弾性体薄膜２および３と共に一体化
してＩＣチップ搭載構造を形成する。このＩＣチップ搭
載構造を、第１Ｏ図に示したように積層し、第１４図に
示すように、端部固定板６と熱伝導率の高い金属などに
よる側部固定板１０７とにより固定する。この側部固定
板１０７は上述した放熱部１０２を嵌合する細い溝１０
８を有し、放熱部１０２からの熱を受けて外部に放熱す
る放熱板としても作用する。
接続は上述したようにインナーリードポンディング法で
行うことができる。ＩＣチップｌＯと熱伝導部１００と
は、ＩＣチップｌＯにさらに付加したバンブと熱伝導部
１００の銅箔とをインナーリードボンディング法による
熱圧着で接続したり、熱伝導率の高い接着剤で接続する
ことができる。なお、 ＩＣチップｌＯと熱伝導部１０
０とは、積層された状態では圧接されており、上述のよ
うに接続しなくても熱は伝達される。次に上述した治具
４および５を用いて、第１３Ａ図に示した放熱用銅箔パ
ターンを有するフィルムキャリア１を、第１３８図に示
すように、熱可塑性弾性体薄膜２および３と共に一体化
してＩＣチップ搭載構造を形成する。このＩＣチップ搭
載構造を、第１Ｏ図に示したように積層し、第１４図に
示すように、端部固定板６と熱伝導率の高い金属などに
よる側部固定板１０７とにより固定する。この側部固定
板１０７は上述した放熱部１０２を嵌合する細い溝１０
８を有し、放熱部１０２からの熱を受けて外部に放熱す
る放熱板としても作用する。
第１５図は第１Ａ図に示したようにＩＣチップｌＯの１
辺のみに外部接続リード１３を接続する場合の冷却構造
を示す。この実施例では、フィルムキャリア１上にデバ
イス開口１１および位置合せ穴１２をあけてから、リー
ド１３と共に、ＩＣチップｌＯおよびデバイス開口１１
の大部分を覆い、かつフィルムキャリア１の縁部を越え
て延在する放熱用パターン１１０をも銅箔から形成する
。
辺のみに外部接続リード１３を接続する場合の冷却構造
を示す。この実施例では、フィルムキャリア１上にデバ
イス開口１１および位置合せ穴１２をあけてから、リー
ド１３と共に、ＩＣチップｌＯおよびデバイス開口１１
の大部分を覆い、かつフィルムキャリア１の縁部を越え
て延在する放熱用パターン１１０をも銅箔から形成する
。
なお、このパターン１１０のうち、穴１２に対応する個
所は穴パターンとしておく。
所は穴パターンとしておく。
第１６図は金属板による放熱構造の実施例を示し、本例
では、第１および第２熱可塑性弾性体薄膜２と３との間
に放熱用金属板１２０を介挿する。
では、第１および第２熱可塑性弾性体薄膜２と３との間
に放熱用金属板１２０を介挿する。
第１６図に示したように構成されたＩＣチップ搭載構造
を、第１７図に示すように積層し、端部固定板６と、冷
媒通路１２１を有する側部固定板１２２とにより固定す
る。この側部固定板１２２は熱伝導率の高い材料で形成
し、上述した放熱板１２０の端部を嵌合する細い溝１２
３を有し、金属板１２０からの熱を受けて通路１２１を
流れる冷媒と熱交換する。
を、第１７図に示すように積層し、端部固定板６と、冷
媒通路１２１を有する側部固定板１２２とにより固定す
る。この側部固定板１２２は熱伝導率の高い材料で形成
し、上述した放熱板１２０の端部を嵌合する細い溝１２
３を有し、金属板１２０からの熱を受けて通路１２１を
流れる冷媒と熱交換する。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、半導体装置チッ
プ搭載構造において、精密加工を施したセラミック等の
高価なチップ搭載体を必要とせず、フィルムキャリアと
熱可塑性弾性体薄膜との積層構造を加熱圧縮することに
よって厚みを一定となしたチップ搭載構造を構成するこ
とができるため、この構造を基本単位として重ね合せた
構造においては、電気信号の人出力用のリードの取出し
位置を揃えることが容易である。その結果、リード間の
配線接続によって３次元的な半導体装置の実装構造を精
度高く、安価にかつ確実に提供できる。
プ搭載構造において、精密加工を施したセラミック等の
高価なチップ搭載体を必要とせず、フィルムキャリアと
熱可塑性弾性体薄膜との積層構造を加熱圧縮することに
よって厚みを一定となしたチップ搭載構造を構成するこ
とができるため、この構造を基本単位として重ね合せた
構造においては、電気信号の人出力用のリードの取出し
位置を揃えることが容易である。その結果、リード間の
配線接続によって３次元的な半導体装置の実装構造を精
度高く、安価にかつ確実に提供できる。
しかも、本発明では、半導体装置チップの発熱を３次元
実装置構造の外部に放熱することができるので、実装密
度をチップの厚さに応じて高く定めても、半導体装置チ
ップの温度が高くなるおそれがない。
実装置構造の外部に放熱することができるので、実装密
度をチップの厚さに応じて高く定めても、半導体装置チ
ップの温度が高くなるおそれがない。
本発明でＩｎいる可塑性薄膜によるスペーサは半導体装
置チップ間の絶縁と半導体装置チップの厚み補正のため
に用いられるので、その厚みは、チップ厚に比べて充分
薄くすることができる。したがって、基本単位の積層ピ
ッチをチップの厚みより僅かに厚い程度にすることがで
きるため、高密度の実装が可能である。
置チップ間の絶縁と半導体装置チップの厚み補正のため
に用いられるので、その厚みは、チップ厚に比べて充分
薄くすることができる。したがって、基本単位の積層ピ
ッチをチップの厚みより僅かに厚い程度にすることがで
きるため、高密度の実装が可能である。
さらにまた、積層構造形成の際に、基本単位の特殊な位
置合せは必要とせず、単なる機械的位置合せで行えるの
で、自動化による量産が可能である。
置合せは必要とせず、単なる機械的位置合せで行えるの
で、自動化による量産が可能である。
なお、可塑性絶縁材料が弾性体であるときには、たとえ
各基本単位の厚さにばらつきがあっても、基本単位を積
層した積層構造において、その厚さ方向に力を加えて固
定することにより、積層構造全体の厚さを所定の厚さに
調整することもできる。
各基本単位の厚さにばらつきがあっても、基本単位を積
層した積層構造において、その厚さ方向に力を加えて固
定することにより、積層構造全体の厚さを所定の厚さに
調整することもできる。
しかもまた、積層構造の配線接続を一括して行うことが
でき、しかも特殊な精密加工を必要としない廉価な材料
を用いることができるので、実装が低コストで行える。
でき、しかも特殊な精密加工を必要としない廉価な材料
を用いることができるので、実装が低コストで行える。
特に、多数チップを収容したときにチップあたりの実装
コストか著しく低下する。
コストか著しく低下する。
このように、本発明によって、多数の半導体装置チップ
を１つのパッケージ内に収められる低コストな高密度実
装が可能となるため、たとえばメガバイト級のメモリを
わずか４０ｍｍ程度の厚みのパッケージ内に収容するこ
とができ、今まで磁気ディスクや磁気テープなどの記憶
媒体を用いていた各種の記憶装置をかかる固体メモリで
置き換えることができる。また、ＲＡＭ、 ＲＯＭ、Ｃ
Ｐｔ１．周辺ＩＣチップを複合して１つのパッケージ内
に収容することによって、これまでボード上に搭載され
ていた計算機を１パツケージ化することができる。
を１つのパッケージ内に収められる低コストな高密度実
装が可能となるため、たとえばメガバイト級のメモリを
わずか４０ｍｍ程度の厚みのパッケージ内に収容するこ
とができ、今まで磁気ディスクや磁気テープなどの記憶
媒体を用いていた各種の記憶装置をかかる固体メモリで
置き換えることができる。また、ＲＡＭ、 ＲＯＭ、Ｃ
Ｐｔ１．周辺ＩＣチップを複合して１つのパッケージ内
に収容することによって、これまでボード上に搭載され
ていた計算機を１パツケージ化することができる。
第１Ａ図は本発明で用いるチップ搭載フィルムキャリア
の一例を示す平面図、 第１Ｂ図はその八−Ａ′線断面図、 第２Ａ図は本発明で用いる第１熱可塑性弾性体薄膜の一
例を示す平面図、 第２Ｂ図はそのＢ−８’線断面図、 第桿図は本発明て用いる第２熱可塑性弾性体薄膜の一例
を示す平面図、 第３Ｂ図はそのｃ−ｃ’線断面図、 第４Ａ図は本発明で用いる一方の冶具の一例を示す平面
図、 第４Ｂ図はそのＤ−Ｄ’線断面図、 第５Ａ図は本発明で用いる他方の治具の一例を示す平面
図、 第５Ｂ図および第５Ｃ図は、それぞれ、第５Ａ図示の治
具をＥ−Ｅ’線およびＦ−Ｆ’線で切って示す断面図、 第６図は本発明における基本単位の積層体を形成するプ
ロセスを説明するための断面図、第７図は本発明により
形成された基本単位としてのチップ搭載構造を示す断面
図、 第８図および第９図は本発明による基本単位の他の２例
を示す断面図、 第１Ｏ図は基本単位を積層した状態を示す斜視図、 第１１図は積層して得た３次元実装構造の一例を示す斜
視図、 第１２図はパッケージングを施した３次元実装構造の一
例を示す斜視図、 第１３八図は本発明による放熱構造をもつ基本単位の一
実施例を示す平面図、 第１３Ｂ図はそのＧ−Ｇ錦断面図、 第１４図は放熱構造をもつ本発明３次元実装構造の一実
施例を示す断面図、 第１５図は放熱のためのフィルムキャリアの他の実施例
を示す平面図、 第１６図は本発明における放熱構造のさらに他の実施例
を示す断面図、 第１７図は第１６図示の放熱構造を用いた場合の本発明
３次元実装構造の一実施例を示す断面図である。 ｌ・・・フィルムキャリア、 ２．３・・・熱可塑性弾性体薄膜、 ４・・・蓋、 ５・・・ベース（治具）、 ６・・・端部固定板、 ７・・・側部固定板、 ８・・・絶縁層、 ９・・・ボンディングワイヤ、 １０・・・Ｉｃチップ、 １１・・・デバイス開口、 工２・・・位置合せ穴、 １３、 １４・・・ダミーリード、 ２１．３１・・・位置合せ穴、 ２２・・・デバイス受容開口、 ４１・・・穴、 ５１・・・棒、 ５２・・・突起、 ６１・・・位置合せ棒、 ７１・・・ホンディングパッド、 ７２・・・ソケット、 ８１・・・ボンディングバット、 ８２・・・配線層、 １００・・・熱伝導部、 １０１・・・脚、 １０２・・・放熱部、 １０３・・・熱伝導部、 １０７・・・放熱板、 １０８・・・溝、 １１０・・・放熱用パターン、 １２０・・・放熱用金属板、 １２１・・・冷媒通路、 １２２・・・放熱板、 １２３・・・溝。
の一例を示す平面図、 第１Ｂ図はその八−Ａ′線断面図、 第２Ａ図は本発明で用いる第１熱可塑性弾性体薄膜の一
例を示す平面図、 第２Ｂ図はそのＢ−８’線断面図、 第桿図は本発明て用いる第２熱可塑性弾性体薄膜の一例
を示す平面図、 第３Ｂ図はそのｃ−ｃ’線断面図、 第４Ａ図は本発明で用いる一方の冶具の一例を示す平面
図、 第４Ｂ図はそのＤ−Ｄ’線断面図、 第５Ａ図は本発明で用いる他方の治具の一例を示す平面
図、 第５Ｂ図および第５Ｃ図は、それぞれ、第５Ａ図示の治
具をＥ−Ｅ’線およびＦ−Ｆ’線で切って示す断面図、 第６図は本発明における基本単位の積層体を形成するプ
ロセスを説明するための断面図、第７図は本発明により
形成された基本単位としてのチップ搭載構造を示す断面
図、 第８図および第９図は本発明による基本単位の他の２例
を示す断面図、 第１Ｏ図は基本単位を積層した状態を示す斜視図、 第１１図は積層して得た３次元実装構造の一例を示す斜
視図、 第１２図はパッケージングを施した３次元実装構造の一
例を示す斜視図、 第１３八図は本発明による放熱構造をもつ基本単位の一
実施例を示す平面図、 第１３Ｂ図はそのＧ−Ｇ錦断面図、 第１４図は放熱構造をもつ本発明３次元実装構造の一実
施例を示す断面図、 第１５図は放熱のためのフィルムキャリアの他の実施例
を示す平面図、 第１６図は本発明における放熱構造のさらに他の実施例
を示す断面図、 第１７図は第１６図示の放熱構造を用いた場合の本発明
３次元実装構造の一実施例を示す断面図である。 ｌ・・・フィルムキャリア、 ２．３・・・熱可塑性弾性体薄膜、 ４・・・蓋、 ５・・・ベース（治具）、 ６・・・端部固定板、 ７・・・側部固定板、 ８・・・絶縁層、 ９・・・ボンディングワイヤ、 １０・・・Ｉｃチップ、 １１・・・デバイス開口、 工２・・・位置合せ穴、 １３、 １４・・・ダミーリード、 ２１．３１・・・位置合せ穴、 ２２・・・デバイス受容開口、 ４１・・・穴、 ５１・・・棒、 ５２・・・突起、 ６１・・・位置合せ棒、 ７１・・・ホンディングパッド、 ７２・・・ソケット、 ８１・・・ボンディングバット、 ８２・・・配線層、 １００・・・熱伝導部、 １０１・・・脚、 １０２・・・放熱部、 １０３・・・熱伝導部、 １０７・・・放熱板、 １０８・・・溝、 １１０・・・放熱用パターン、 １２０・・・放熱用金属板、 １２１・・・冷媒通路、 １２２・・・放熱板、 １２３・・・溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体装置を収容した半導体装置チップと、 前記半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口および
位置合せ開口を有するフィルムキャリアであつて、その
一方の主面上には前記半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、該リードに前記半導体装置チップを連接、
保持したフィルムキャリアと、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、該フ
ィルムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材
料層と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
構造用基本単位。 ２）半導体装置を収容した半導体装置チップと、 前記半導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口および
位置合せ開口を有するフィルムキャリアであって、その
一方の主面上には前記半導体装置チップと接続されたリ
ードを設け、該リードに前記半導体装置チップを連接、
保持したフィルムキャリアと、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、該フ
ィルムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材
料層と、 前記半導体装置チップと接触し、かつ前記フィルムキャ
リアよりも外方に延在した熱伝導層とを具えたことを特
徴とする半導体装置チップ３次元実装構造用基本単位。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項に記載の基本単
位において、 前記可塑性絶縁材料層は、前記半導体装置チップを遊嵌
させた開口を有し、前記フィルムキャリアの前記他方の
主面に固着された第１の可塑性絶縁材料層と、該第１の
可塑性絶縁材料層と固着された第２の可塑性絶縁材料層
と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
構造用基本単位。 ４）特許請求の範囲第１項または第２項に記載の基本単
位において、 前記可塑性絶縁材料層は、前記半導体装置チップを遊嵌
させた開口を有し、前記フィルムキャリアの前記他方の
主面に固着されたことを特徴とする半導体装置チップ３
次元実装構造用基本単位。 ５）特許請求の範囲第２項記載の基本単位において、 前記熱伝導層は前記フィルムキャリアの前記一方の主面
上に配置されていることを特徴とする半導体装置チップ
３次元実装構造用基本単位。 ６）特許請求の範囲第３項記載の基本単位において、 前記第１および第２可塑性絶縁材料層の間に前記半導体
装置チップと接触し、かつ前記フィルムキャリアよりも
外方に延在した熱伝導層を介挿したことを特徴とする半
導体装置チップ３次元実装構造用基本単位。 ７）半導体装置を収容した半導体装置チップ、前記半導
体装置チップを遊嵌させたデバイス開口および位置合せ
開口を有するフィルムキャリアであって、その一方の主
面上には前記半導体装置チップと接続されたリードを設
け、該リードに前記半導体装置チップを連接、保持した
フィルムキャリア、および 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、該フ
ィルムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材
料層 を具えた基本単位を複数個積層し、前記位置合せ開口を
貫通して位置合せ棒を配置して積層構造となし、 該積層構造において前記フィルムキャリアと前記可塑性
絶縁材料層とが交互に配置され、および前記リードのう
ちの外部接続用リードが前記積層構造の、その積層方向
と直交する少くとも１つの面に配置されるようになした
ことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装構造。 ８）半導体装置を収容した半導体装置チップ、前記半導
体装置チップを遊嵌させたデバイス開口および位置合せ
開口を有するフィルムキャリアであって、その一方の主
面上には前記半導体装置チップと接続されたリードを設
け、該リードに前記半導体装置チップを連接、保持した
フィルムキャリア、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、該フ
ィルムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材
料層、および 前記半導体装置チップと接触し、かつ前記 フィルムキャリアよりも外方に延在した熱伝導層 を具えた基本単位を複数個積層し、前記位置合せ開口を
貫通して位置合せ棒を配置して積層構造となし、 該積層構造において前記フィルムキャリアと前記可塑性
絶縁材料層とが交互に配置され、および前記リードのう
ち外部接続用リードが前記積層構造の、その積層方向と
直交する面に配置されるようになし、前記積層構造の前
記面とは反対側の面には、当該反対側の面から突出した
熱伝導層を埋め込んで当該反対側の面を覆う放熱板を配
置したことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装構
造。 ９）半導体装置を収容した半導体装置チップ、前記半導
体装置チップを遊嵌させたデバイス開口および位置合せ
開口を有するフィルムキャリアであって、その一方の主
面上には前記半導体装置チップと接続されたリードを設
け、該リードに前記半導体装置チップを連接、保持した
フィルムキャリア、および 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、該フ
ィルムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材
料層 を具えた基本単位を複数個積層し、前記位置合せ間口を
貫通して位置合せ棒を配置して積層構造となし、 該積層構造において前記フィルムキャリアと前記可塑性
絶縁材料層とが交互に配置され、および前記リードのう
ち外部接続用リードが前記積層構造の、その積層方向と
直交する少くとも１つの面に配置されるようになし、お
よび 前記積層構造の前記面上に配置された絶縁層と、 該絶縁層上に配置され、前記外部接続用リードと接続さ
れた配線パターンを有する配線層とを具えたことを特徴
とする半導体装置チップ３次元実装構造。 １０）半導体装置を収容した半導体装置チップ、前記半
導体装置チップを遊嵌させたデバイス開口および位置合
せ開口を有するフィルムキャリアであって、その一方の
主面上には前記半導体装置チップと接続されたリードを
設け、該リードに前記半導体装置チップを連接、保持し
たフィルムキャリア、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口を有し、該フ
ィルムキャリアの他方の主面に固着された可塑性絶縁材
料層、および 前記半導体装置チップと接触し、かつ前記フィルムキャ
リアよりも外方に延在した熱伝導層を具えた基本単位を
複数個積層し、前記位置合せ開口を貫通して位置合せ棒
を配置して積層構造となし、 該積層構造において前記フィルムキャリアと前記可塑性
絶縁材料層とが交互に配置され、および前記リードのう
ちの外部接続用リードが前記積層構造の、その積層方向
と直交する面に配置されるようになし、前記積層構造の
前記面とは反対側の面には、当該反対側の面から突出し
た熱伝導層と接触し、および当該反対側の面を覆う放熱
板を配置し、および 前記積層構造の前記面上に配置された絶縁層と、 該絶縁層上に配置され、前記外部接続用リードと接続さ
れた配線パターンを有する配線層とを具えたことを特徴
とする半導体装置チップ３次元実装構造。 １１）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
および該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリ
アの少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンを
形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された
可塑性絶縁材料層を、前記フィルムキャリアおよび前記
可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するようにし
て、前記フィルムキャリアの他方の主面と重ね合せる工
程と、 重ね合された前記フィルムキャリアおよび前記可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの積層構造を基
本単位として形成する工程とを具えたことを特徴とする
半導体装置チップ３次元構造基本単位の製造方法。 １２）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
、該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリアの
少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンおよび
前記デバイス開口内へ突出すると共に前記フィルムキャ
リアの少なくとも１辺から外方に延在する放熱用パター
ンを形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された
可塑性絶縁材料層を、前記フィルムキャリアおよび前記
可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するようにし
て、前記フィルムキャリアの他方の主面と重ね合せる工
程と、 重ね合された前記フィルムキャリアおよび前記可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの積層構造を基
本単位として形成する工程とを共えたことを特徴とする
半導体装置チップ３次元構造基本単位の製造方法。 １３）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
、該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリアの
少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンおよび
前記デバイス開口内へ突出すると共に前記フィルムキャ
リアの少なくとも１辺から外方に延在する放熱用パター
ンを形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口および前記半
導体装置チップを遊嵌する開口の形成された第１可塑性
絶縁材料層と、前記フィルムキャリアの前記位置合せ開
口と整列する位置合せ開口および前記半導体装置チップ
を遊嵌する開口の形成された熱伝導層と、前記フィルム
キャリアの前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の
形成された第２可塑性絶縁材料層とを、前記フィルムキ
ャリア、前記第１可塑性絶縁材料層、前記熱伝導層およ
び前記第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列す
るようにして、この順序で前記フィルムキャリアの他方
の主面と重ね合せる工程と、 重ね合された前記フィルムキャリア、前記第１可塑性絶
縁材料層、前記熱伝導層および前記第２可塑性絶縁材料
層を加熱して圧縮して所定の厚さの積層構造を基本単位
として形成する工程とを具えたことを特徴とする半導体
装置チップ３次元構造基本単位の製造方法。 １４）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
および該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリ
アの少なくとも１辺から外方に延前記位置合せ開口と整
列する位置合せ開口の形成された可塑性絶縁材料層を、
前記フィルムキャリアおよび前記可塑性絶縁材料層の各
位置合せ開口が整列するようにして、前記フィルムキャ
リアの他方の主面と重ね合せる工程と、 重ね合された前記フィルムキャリアおよび前記可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、 前記基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する
際に前記位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて前記複
数個の基本単位を整列させ、および前記フィルムキャリ
アと前記可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、および
前記リードのうち外部接続用リードが前記積層構造の、
その積層方向と直交する少くとも１つの面に配置される
ようにする工程と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
置構造の製造方法。 １５）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス間口および在する配線
パターンを形成する工程と、 位置合せ開口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
、該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリアの
少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンおよび
前記デバイス開口内へ突出すると共に前記フィルムキャ
リアの少なくとも１辺から外方に延在する放熱用パター
ンを形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された
可塑性絶縁材料層を、前記フィルムキャリアおよび前記
可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するようにし
て、前記フィルムキャリアの他方の主面と重ね合せる工
程と、 重ね合された前記フィルムキャリアおよび前記可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、 前記基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する
際に前記位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて前記複
数個の基本単位を整列させ、および前記フィルムキャリ
アと前記可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、および
前記リードのうち外部接続用リードが前記積層構造の、
その積層方向と直交する面に配置されるようにする工程
と、前記積層構造のうち、前記熱伝導層が突出した面を
、当該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工程と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
置構造の製造方法。 １６）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
、該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリアの
少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンおよび
前記デバイス開口内へ突出すると共に前記フィルムキャ
リアの少なくとも１辺から外方に延在する放熱用パター
ンを形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口および前記半
導体装置チップを遊嵌する開口の形成された第１可塑性
絶縁材料層と、前記フィルムキャリアの前記位置合せ開
口と整列する位置合せ開口および前記半導体装置チップ
を遊嵌する開口の形成された熱伝導層と、前記フィルム
キャリアの前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の
形成された第２可塑性絶縁材料層とを、前記フィルムキ
ャリア、前記第１可塑性絶縁材料層、前記熱伝導層およ
び前記第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列す
るようにして、この順序で前記フィルムキャリアの他方
の主面と重ね合せる工程と、 重ね合された前記フィルムキャリア、前記第１可塑性絶
縁材料層、前記熱伝導層および前記第２可塑性絶縁材料
層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位として形成
する工程と、 前記基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する
際に前記位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて前記複
数個の基本単位を整列させ、および前記フィルムキャリ
アと前記第２可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、お
よび前記リードのうち外部接続用リードが前記積層構造
の、その積層方向と直交する面に配置されるようにする
工程と、 前記積層構造のうち、前記熱伝導層が突出した面を、当
該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工程と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
置構造の製造方法。 １７）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
および該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリ
アの少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンを
形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された
可塑性絶縁材料層を、前記フィルムキャリアおよび前記
可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するようにし
て、前記フィルムキャリアの他方の主面と重ね合せる工
程と、 重ね合された前記フィルムキャリアおよび前記可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、 前記基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する
際に前記位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて前記複
数個の基本単位を整列させ、および前記フィルムキャリ
アと前記可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、および
前記リードのうち外部接続用リードが前記積層構造の、
その積層方向と直交する少なくとも１つの面に配置され
るようにする工程と、 前記積層構造のうち、前記外部接続用リードの突出する
面に絶縁層を形成する工程と、 その絶縁層の表面と同一面上に前記外部接続用リードの
先端を露出させる工程と、 前記外部接続用リードと接続された配線パターンを前記
絶縁層上に形成する工程と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
置構造の製造方法。 １８）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
、該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリアの
少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンおよび
前記デバイス開口内へ突出すると共に前記フィルムキャ
リアの少なくとも１辺から外方に延在する放熱用パター
ンを形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の形成された
可塑性絶縁材料層を、前記フィルムキャリアおよび前記
可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するようにし
て、前記フィルムキャリアの他方の主面と重ね合せる工
程と、 重ね合された前記フィルムキャリアおよび前記可塑性絶
縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚さの基本単位とし
て形成する工程と、 前記基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する
前記位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて前記複数個
の基本単位を整列させ、および前記フィルムキャリアと
前記可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、および前記
リードのうち外部接続用リードが前記積層構造の、その
積層方向と直交する面に配置されるようにする工程と、 前記積層構造のうち、前記熱伝導層が突出した面を、当
該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工程と、 前記積層構造のうち、前記外部接続用リードの突出する
面に絶縁層を形成する工程と、 その絶縁層の表面と同一面上に前記外部接続用リードの
先端を露出させる工程と、 前記外部接続用リードと接続された配線パターンを前記
絶縁層上に形成する工程と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
置構造の製造方法。 １９）フィルムキャリアに、半導体装置を収容した半導
体装置チップを遊嵌するデバイス開口および位置合せ開
口をあける工程と、 前記フィルムキャリアの一方の主面上に金属薄膜を被着
する工程と、 前記金属薄膜から前記デバイス開口内へ突出するリード
、該リードと一体に接続され、前記フィルムキャリアの
少なくとも１辺から外方に延在する配線パターンおよび
前記デバイス開口内へ突出すると共に前記フィルムキャ
リアの少なくとも１辺から外方に延在する放熱用パター
ンを形成する工程と、 前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口および前記半
導体装置チップを遊嵌する開口の形成された第１可塑性
絶縁材料層と、前記フィルムキャリアの前記位置合せ開
口と整列する位置合せ開口および前記半導体装置チップ
を遊嵌する開口の形成された熱伝導層と、前記フィルム
キャリアの前記位置合せ開口と整列する位置合せ開口の
形成された第２可塑性絶縁材料層とを、前記フィルムキ
ャリア、前記第１可塑性絶縁材料層、前記熱伝導層およ
び第２可塑性絶縁材料層の各位置合せ開口が整列するよ
うにして、この順序で前記フィルムキャリアの他方の主
面と重ね合せる工程と、重ね合された前記フィルムキャ
リア、前記第１可塑性絶縁材料層、前記熱伝導層および
前記第２可塑性絶縁材料層を加熱して圧縮して所定の厚
さの基本単位として形成する工程と、 前記基本単位を複数個積層し、その積層構造を形成する
際に前記位置合せ開口に位置合せ棒を貫通させて前記複
数個の基本単位を整列させ、および前記フィルムキャリ
アと前記第２可塑性絶縁材料層とが交互に配置され、お
よび前記リードのうち外部接続用リードが前記積層構造
の、その積層方向と直交する面に配置されるようにする
工程と、 前記積層構造のうち、前記熱伝導層が突出した面を、当
該熱伝導層と接触する放熱板によって覆う工程と、 前記積層構造のうち、前記外部接続用リードの突出する
面に絶縁層を形成する工程と、 その絶縁層の表面と同一面上に前記外部接続用リードの
先端を露出させる工程と、 前記外部接続用リードと接続された配線パターンを前記
絶縁層上に形成する工程と を具えたことを特徴とする半導体装置チップ３次元実装
置構造の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012989A JPS62172749A (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 半導体装置チツプ３次元実装構造、その基本単位およびその製造方法 |
| PCT/JP1986/000065 WO1993013557A1 (en) | 1985-02-14 | 1986-02-14 | Structure for mounting the semiconductor chips in a three-dimensional manner |
| US06/919,001 US4894706A (en) | 1985-02-14 | 1986-02-14 | Three-dimensional packaging of semiconductor device chips |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012989A JPS62172749A (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 半導体装置チツプ３次元実装構造、その基本単位およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172749A true JPS62172749A (ja) | 1987-07-29 |
Family
ID=11820614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61012989A Pending JPS62172749A (ja) | 1985-02-14 | 1986-01-25 | 半導体装置チツプ３次元実装構造、その基本単位およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62172749A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173742A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH01309362A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Hitachi Ltd | マルチチツプ半導体装置 |
| JP2010251504A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Seiko Instruments Inc | 電子部品パッケージ及び電子部品パッケージの製造方法 |
-
1986
- 1986-01-25 JP JP61012989A patent/JPS62172749A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173742A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH01309362A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Hitachi Ltd | マルチチツプ半導体装置 |
| JP2010251504A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Seiko Instruments Inc | 電子部品パッケージ及び電子部品パッケージの製造方法 |
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