JPS62160745A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62160745A JPS62160745A JP238886A JP238886A JPS62160745A JP S62160745 A JPS62160745 A JP S62160745A JP 238886 A JP238886 A JP 238886A JP 238886 A JP238886 A JP 238886A JP S62160745 A JPS62160745 A JP S62160745A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal wirings
- metal wiring
- deposited
- basis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C発明の属する技術分野〕
この発明は半導体素子製造過程における金属配線の信頼
性維持に関する。
性維持に関する。
従来の半導体素子製造過程においては、下地であるSi
ないし5k02の上にM1リ−8iなどの金属配線を形
成し、さらにこの金属配線の上にプラズマ窒化膜などに
より最終パッシベーション膜を堆積させる。このように
して製造された半導体素子においてAl、Al3 If
i−e −S iなどの金属配線には次のような応力が
働く。すなわち第1の応力としてプラズマ窒化膜による
圧縮応力、第2の応力としてAd + Al、Al3−
S iの金属配線とSi s 5i02との熱膨張の
差による熱応力、第3の応力としてAl、Al3−Al
、Al3−8iの内部応力である。これら応力のため半
導体素子ではプラズマ窒化膜堆積後の熱処理やヒートサ
イクルによる信頼性試験後にM〜リーSiの金属配線に
ボイドが発生することがある。このボイドの発生により
金属配線の実効断面積が減少し、さらには断線にまでい
たり、半導体素子の信頼性の面での問題点を生じた。
ないし5k02の上にM1リ−8iなどの金属配線を形
成し、さらにこの金属配線の上にプラズマ窒化膜などに
より最終パッシベーション膜を堆積させる。このように
して製造された半導体素子においてAl、Al3 If
i−e −S iなどの金属配線には次のような応力が
働く。すなわち第1の応力としてプラズマ窒化膜による
圧縮応力、第2の応力としてAd + Al、Al3−
S iの金属配線とSi s 5i02との熱膨張の
差による熱応力、第3の応力としてAl、Al3−Al
、Al3−8iの内部応力である。これら応力のため半
導体素子ではプラズマ窒化膜堆積後の熱処理やヒートサ
イクルによる信頼性試験後にM〜リーSiの金属配線に
ボイドが発生することがある。このボイドの発生により
金属配線の実効断面積が減少し、さらには断線にまでい
たり、半導体素子の信頼性の面での問題点を生じた。
この発明は上述した問題点に鑑み、最も影響力の大きい
金属配線と下地との熱膨張の差による熱応力を極力小さ
くして金属配線のボイド発生な防止し、半導体素子の金
属配線の信頼性を向上させることを目的とする。
金属配線と下地との熱膨張の差による熱応力を極力小さ
くして金属配線のボイド発生な防止し、半導体素子の金
属配線の信頼性を向上させることを目的とする。
この発明では前記目的達成のため、下地たるSi+5i
02とA形TAA −S iなどの金属配線との間に熱
膨張係数がSi+5i02とMiリ−8iの中間の値を
もつ薄膜を形成する。丁なわち下地と金属配線との間に
薄膜を介在させることにより下地との熱応力を減少させ
、その後の熱処理やヒートサイクルに′よる信頼性試験
での!’−e IAA−8i配線のボイドの発生を減少
させ半導体素子の金属配線の信頼性を向上させようとす
るものである。
02とA形TAA −S iなどの金属配線との間に熱
膨張係数がSi+5i02とMiリ−8iの中間の値を
もつ薄膜を形成する。丁なわち下地と金属配線との間に
薄膜を介在させることにより下地との熱応力を減少させ
、その後の熱処理やヒートサイクルに′よる信頼性試験
での!’−e IAA−8i配線のボイドの発生を減少
させ半導体素子の金属配線の信頼性を向上させようとす
るものである。
第1図はこの発明の実施例を示すもので半導体素子の断
面図である。この半導体素子の構成はSi基板1,5i
02膜2.ゲート電極3の上にW S t z +Mo
5t2 + ’L’1Si2 * TaSi2などから
なる薄a4を500〜3ρOOA程度堆積し、さらにそ
の上にA−e白U −8i膜5 ?:10,0OOA堆
積する。そしてこの4および5の膜により金属配線を形
成するもので、この金属配線の上に最終パッシベーショ
ン膜としてプラズマ窒化膜6を堆積させる。このような
構成にすれば薄膜4の介在により下地112.3とMn
す−Si膜5との熱応力は緩和される。
面図である。この半導体素子の構成はSi基板1,5i
02膜2.ゲート電極3の上にW S t z +Mo
5t2 + ’L’1Si2 * TaSi2などから
なる薄a4を500〜3ρOOA程度堆積し、さらにそ
の上にA−e白U −8i膜5 ?:10,0OOA堆
積する。そしてこの4および5の膜により金属配線を形
成するもので、この金属配線の上に最終パッシベーショ
ン膜としてプラズマ窒化膜6を堆積させる。このような
構成にすれば薄膜4の介在により下地112.3とMn
す−Si膜5との熱応力は緩和される。
この発明では下地Si+5iC)と金属配置fA k1
3 シM−=Siとの間に両者の熱膨張係数の中間値を
持つ薄膜を介在させることにより、下地と金属配線の熱
応力が緩和され、プラズマ窒化膜の堆積後の熱処理やヒ
ートサイクルによる信頼性試験におけるA−etAl、
Al−8iのボルド発生が抑えられ半導体素子の金属配
線の信頼性が向上した。
3 シM−=Siとの間に両者の熱膨張係数の中間値を
持つ薄膜を介在させることにより、下地と金属配線の熱
応力が緩和され、プラズマ窒化膜の堆積後の熱処理やヒ
ートサイクルによる信頼性試験におけるA−etAl、
Al−8iのボルド発生が抑えられ半導体素子の金属配
線の信頼性が向上した。
第1図はこの発明の実施例を示すもので半導体素子の断
面図である。
面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体素子製造過程で下地であるSi、SiO_2
の上にAl、Al−Siなどの金属配線を形成し、さら
にこの金属配線の上にプラズマ窒化膜などにより最終パ
ッシベーション膜を堆積させてなる装置において、下地
と金属配線との間に熱膨張係数が両者の中間の値をもつ
薄膜を形成したことを特徴とする半導体装置。 2)特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、下地が
Si、SiO_2、金属配線がAl、Al−Siであり
、両者間に形成する薄膜がWSi_2、MSi_2、T
aSi_2、TiSi_2であることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP238886A JPS62160745A (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP238886A JPS62160745A (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62160745A true JPS62160745A (ja) | 1987-07-16 |
Family
ID=11527845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP238886A Pending JPS62160745A (ja) | 1986-01-09 | 1986-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62160745A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5320857A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5735318A (en) * | 1980-08-12 | 1982-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS5833833A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の電極形成法 |
JPS60138942A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-07-23 | ソシエテ アノニム ポウア− レテウド エ ラ フアブリカシイオン デ サ−キツト インテグレス スペシオ− イ−エフセ−アイエス | 集積回路およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-01-09 JP JP238886A patent/JPS62160745A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5320857A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5735318A (en) * | 1980-08-12 | 1982-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS5833833A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の電極形成法 |
JPS60138942A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-07-23 | ソシエテ アノニム ポウア− レテウド エ ラ フアブリカシイオン デ サ−キツト インテグレス スペシオ− イ−エフセ−アイエス | 集積回路およびその製造方法 |
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