JPS62151223A - メモリ−デイスク用アルミ基板の製造方法 - Google Patents
メモリ−デイスク用アルミ基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS62151223A JPS62151223A JP29226485A JP29226485A JPS62151223A JP S62151223 A JPS62151223 A JP S62151223A JP 29226485 A JP29226485 A JP 29226485A JP 29226485 A JP29226485 A JP 29226485A JP S62151223 A JPS62151223 A JP S62151223A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- aluminum
- aluminum substrate
- deformation
- plate thickness
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術骨でｆ〕
本発明は、アルミブランク材から表面平滑なメモリーデ
ィスク用アルミ基板を製造する方法に関するものである
。なお、ここでいうアルミブランク材とは、アルミニウ
ム、アルミニウム合金またはそれらの複合材からなるブ
ランク材を意味し、またアルミ基板も同様の意味を有す
るものとする。
ィスク用アルミ基板を製造する方法に関するものである
。なお、ここでいうアルミブランク材とは、アルミニウ
ム、アルミニウム合金またはそれらの複合材からなるブ
ランク材を意味し、またアルミ基板も同様の意味を有す
るものとする。
電子計算機の外部記憶装置に用いられるメモリーディス
クは通常、アルミ基板（サブストレート）に磁性体を被
覆した構造となっている。メモリーディスクは磁気ヘッ
ドによる読み書きを正確に行うため高度の平坦性、平滑
性が要求されるが、メモリーディスクの表面状態はアル
ミ基板の表面状態に左右されるため、アルミ基板には極
めて高い寸法精度と高品質の表面状態が要求される。
クは通常、アルミ基板（サブストレート）に磁性体を被
覆した構造となっている。メモリーディスクは磁気ヘッ
ドによる読み書きを正確に行うため高度の平坦性、平滑
性が要求されるが、メモリーディスクの表面状態はアル
ミ基板の表面状態に左右されるため、アルミ基板には極
めて高い寸法精度と高品質の表面状態が要求される。
従来、このようなメモリーディスク用アルミ基板を製造
する方法としては、アルミブランク材を、（ａｌ天然ダ
イヤモンドバイトにより超精密切削する方法、ｊｂｌ砥
石により両面を同時に研磨する方法、ｔｅｌう、プ盤を
用い砥粒および温水により両面を同時に研磨する方法、
などがあるが、いずれも切削あるいは研削による加工で
あるため、加工に時間がかかり、生産性が悪いという問
題があった。
する方法としては、アルミブランク材を、（ａｌ天然ダ
イヤモンドバイトにより超精密切削する方法、ｊｂｌ砥
石により両面を同時に研磨する方法、ｔｅｌう、プ盤を
用い砥粒および温水により両面を同時に研磨する方法、
などがあるが、いずれも切削あるいは研削による加工で
あるため、加工に時間がかかり、生産性が悪いという問
題があった。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑み、圧印
加工を利用した極めて生産性の高いメモリーディスク用
アルミ基板の製造方法を提供するものである。圧印加工
は通常、硬貨の製造に用いられる技術で、加圧面に凹凸
模様を形成したダイスで材料を加圧して、材料面に凹凸
模様を形成するというのが一般的な使われ方であった。
加工を利用した極めて生産性の高いメモリーディスク用
アルミ基板の製造方法を提供するものである。圧印加工
は通常、硬貨の製造に用いられる技術で、加圧面に凹凸
模様を形成したダイスで材料を加圧して、材料面に凹凸
模様を形成するというのが一般的な使われ方であった。
本発明はこのような凹凸模様の形成とは異なり、加圧面
の平滑なダイスを用いてアルミブランク材に平滑な面を
圧印することで、メモリーディスク用アルミ基板を得よ
うというものである。
の平滑なダイスを用いてアルミブランク材に平滑な面を
圧印することで、メモリーディスク用アルミ基板を得よ
うというものである。
ところで上記のように圧印加工によってメモリーディス
ク用アルミ基板を製造する際には、ダイスの材質によっ
て、成形されたメモリーディスク用アルミ基板の「うね
り」 「そり」 「板厚差」ならびにダイス加圧面の変
形伏態に差が生じ、品質の好ましくないメモリーディス
ク用アルミ基板が製造されることのあることが判明した
。そこで、ダイスの材質とメモリーディスク用アルミ基
板の品質との関連について詳細に検討した結果、本発明
を完成するに至ったものである。
ク用アルミ基板を製造する際には、ダイスの材質によっ
て、成形されたメモリーディスク用アルミ基板の「うね
り」 「そり」 「板厚差」ならびにダイス加圧面の変
形伏態に差が生じ、品質の好ましくないメモリーディス
ク用アルミ基板が製造されることのあることが判明した
。そこで、ダイスの材質とメモリーディスク用アルミ基
板の品質との関連について詳細に検討した結果、本発明
を完成するに至ったものである。
すなわち本発明は、アルミブランク材を、材料の広がり
限度を規制するダイスリングの中で、加圧面の平滑な二
つのダイスの間に挟んで圧印加工を行うことによりメモ
リーディスク用アルミ基板を製造する方法であって、上
記ダイスとして、圧印加工時にアルミブランク材に加え
られる圧縮力Ｐ ｋｇ／ｍｍ”の２倍以上の圧縮強さσ
Ｐ ｋｇ／ｍｍ２を有する材質からなるダイスを使用す
ることを特徴とするものである。
限度を規制するダイスリングの中で、加圧面の平滑な二
つのダイスの間に挟んで圧印加工を行うことによりメモ
リーディスク用アルミ基板を製造する方法であって、上
記ダイスとして、圧印加工時にアルミブランク材に加え
られる圧縮力Ｐ ｋｇ／ｍｍ”の２倍以上の圧縮強さσ
Ｐ ｋｇ／ｍｍ２を有する材質からなるダイスを使用す
ることを特徴とするものである。
ここで、ダイス材料の圧縮強さσ、 ｋｇ／ｍｍ”をア
ルミブランク材に加えられる圧縮力Ｐ ｋｇ／ｍｎ＋”
の２倍以上としたのは、２倍よりも小さい範囲ではダイ
ス加圧面の変形が大きく、成形品の「うねり」「そり」
「板厚差」が悪化し、さらにダイス管理の面ではダイ
ス加圧面の再研磨の回数が増え、生産性、コストの面で
不利となるためである。ダイスの材質は、ダイス製作費
、成形数を考慮してできるだけ圧縮強さの大きなものを
採用することが望ましい。
ルミブランク材に加えられる圧縮力Ｐ ｋｇ／ｍｎ＋”
の２倍以上としたのは、２倍よりも小さい範囲ではダイ
ス加圧面の変形が大きく、成形品の「うねり」「そり」
「板厚差」が悪化し、さらにダイス管理の面ではダイ
ス加圧面の再研磨の回数が増え、生産性、コストの面で
不利となるためである。ダイスの材質は、ダイス製作費
、成形数を考慮してできるだけ圧縮強さの大きなものを
採用することが望ましい。
また上記のような材質のダイスを使用した上で、ダイス
加圧面にダイス材料の硬度の２倍以上の硬度を有する表
面層を設けると、成形品の「うねり」 「そり」 「板
厚差」ならびにダイス加圧面の変形量がさらに小さくな
ることも確認された。
加圧面にダイス材料の硬度の２倍以上の硬度を有する表
面層を設けると、成形品の「うねり」 「そり」 「板
厚差」ならびにダイス加圧面の変形量がさらに小さくな
ることも確認された。
５０８６−〇材（ＡＩ−Ｍｇ系合金、引張強さσ。
＝ ２７ｋｇ／ｍｍ”） 、厚さ１．５１の板材から円
形ブランク材を作製し、これを、材料の広がり限度を規
制するダイスリングの中で、加圧面の平滑な二つのダイ
スの間に挟んで圧印加工を行い、メモリーディスク用ア
ルミ基板を製造した。圧印加工は、アルミブランク材に
加える圧縮力、ダイス材料の圧縮強さ、およびダイス加
圧面の硬度をそれぞれ変化させて行い、その他の条件は
同しとした。ダイス材料の圧縮強さは使用する鋼材を種
々選択して変化させ、またその硬度をもとにダイス加圧
面に形成する表面層を選定した。
形ブランク材を作製し、これを、材料の広がり限度を規
制するダイスリングの中で、加圧面の平滑な二つのダイ
スの間に挟んで圧印加工を行い、メモリーディスク用ア
ルミ基板を製造した。圧印加工は、アルミブランク材に
加える圧縮力、ダイス材料の圧縮強さ、およびダイス加
圧面の硬度をそれぞれ変化させて行い、その他の条件は
同しとした。ダイス材料の圧縮強さは使用する鋼材を種
々選択して変化させ、またその硬度をもとにダイス加圧
面に形成する表面層を選定した。
その結果は第１表のとおりであった。
測定方法は次のとおりである。
うねりは、プロフィルメーターにより１回転の変動値を
記録し、最大値と最小値の差として表示した。
記録し、最大値と最小値の差として表示した。
そりは、プロフィルメーターにより半径方向４箇所につ
いて変動値を記録し、測定開始点と終了点を結んだ基準
線からの隔たりを求め、４箇所の平均値で表示した。
いて変動値を記録し、測定開始点と終了点を結んだ基準
線からの隔たりを求め、４箇所の平均値で表示した。
板厚差は、９箇所の板厚を測定し、最大値と最小値の差
として表示した。
として表示した。
ダイス加圧面の変形量は、プロフィルメーターにより半
径方向４箇所について変動値を測定し、基準面からの最
大の隔たりを求めて表示した。
径方向４箇所について変動値を測定し、基準面からの最
大の隔たりを求めて表示した。
以上の測定は、メモリーディスク用アルミ基板に関して
は９６〜ｌＯＯ枚目の成形品を対象とし、ダイスに関し
ては１００枚成形後の加圧面を対象として行った。
は９６〜ｌＯＯ枚目の成形品を対象とし、ダイスに関し
ては１００枚成形後の加圧面を対象として行った。
第１表
第１表において、圧縮力Ｐおよび圧縮強さσ。
の単位はｋｇ／ｍｍ”である。またダイス材料の圧縮強
さσ、は富士ダイス■のダイス材料（フジロイ）の特性
値である。またり、はダイス材料の硬度、ＳＭはダイス
加圧面の表面層の硬度である。さらにＳ ｎ ／ Ｄ
、ｌの項中、−はダイス加圧面に表面層を設けてない場
合である。
さσ、は富士ダイス■のダイス材料（フジロイ）の特性
値である。またり、はダイス材料の硬度、ＳＭはダイス
加圧面の表面層の硬度である。さらにＳ ｎ ／ Ｄ
、ｌの項中、−はダイス加圧面に表面層を設けてない場
合である。
以上の結果によれば、アルミブランク材に加えられる圧
縮力Ｐ ｋｇ／ｍｍ２の２倍以上の圧縮強さσ。
縮力Ｐ ｋｇ／ｍｍ２の２倍以上の圧縮強さσ。
ｋｇ／ｍｍ”を有する材質のダイスを使用すると、うね
り、そり、板厚差、ダイス加圧面の変形量が小さくなる
ことが分かる。またダイス加圧面にダイス材料の硬度の
２倍以上の硬度を有する表面層を設けることの効果も明
らかである。
り、そり、板厚差、ダイス加圧面の変形量が小さくなる
ことが分かる。またダイス加圧面にダイス材料の硬度の
２倍以上の硬度を有する表面層を設けることの効果も明
らかである。
以上説明したように本発明によれば、プレスによる圧印
加工によりメモリーディスク用アルミ基板を製造できる
ことから、従来の切削、研削加工に比べ生産速度が格段
に向上する利点がある。また圧印加工用のダイスとして
、圧印加工時にアルミブランク材に加えられる圧縮力Ｐ
ｋｇ／ｓ＋ｍ”の２倍以上の圧縮強さσｐ ｋｇ／ｍ
ｍ”を存する材質からなるダイスを使用することにより
、品質の良好なメモリーディスク用アルミ基板を製造で
きると共に、ダイスの変形量が小さくなり、ダイス加圧
面の再研磨の回数が少なくて済むので、生産性、コスト
の面で有利である。
加工によりメモリーディスク用アルミ基板を製造できる
ことから、従来の切削、研削加工に比べ生産速度が格段
に向上する利点がある。また圧印加工用のダイスとして
、圧印加工時にアルミブランク材に加えられる圧縮力Ｐ
ｋｇ／ｓ＋ｍ”の２倍以上の圧縮強さσｐ ｋｇ／ｍ
ｍ”を存する材質からなるダイスを使用することにより
、品質の良好なメモリーディスク用アルミ基板を製造で
きると共に、ダイスの変形量が小さくなり、ダイス加圧
面の再研磨の回数が少なくて済むので、生産性、コスト
の面で有利である。
Claims (2)
- （１）アルミブランク材を加圧面の平滑な二つのダイス
の間に挟んで圧印加工を行うことによりメモリーディス
ク用アルミ基板を製造する方法であって、上記ダイスと
して、圧印加工時にアルミブランク材に加えられる圧縮
力Ｐｋｇ／ｍｍ＾２の２倍以上の圧縮強さσ＿ｐｋｇ／
ｍｍ＾２を有する材質からなるダイスを使用することを
特徴とするメモリーディスク用アルミ基板の製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の製造方法であって、
ダイス加圧面にダイス材料の硬度の２倍以上の硬度を有
する表面層を設けたことを特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29226485A JPS62151223A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | メモリ−デイスク用アルミ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29226485A JPS62151223A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | メモリ−デイスク用アルミ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62151223A true JPS62151223A (ja) | 1987-07-06 |
Family
ID=17779524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29226485A Pending JPS62151223A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | メモリ−デイスク用アルミ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62151223A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710166B2 (en) | 2002-01-17 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
| US9419570B2 (en) | 2001-11-28 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP29226485A patent/JPS62151223A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9419570B2 (en) | 2001-11-28 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit |
| US10089923B2 (en) | 2001-11-28 | 2018-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit |
| US7710166B2 (en) | 2002-01-17 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
| US8149043B2 (en) | 2002-01-17 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
| US8253446B2 (en) | 2002-01-17 | 2012-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
| US8669791B2 (en) | 2002-01-17 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
| US8928362B2 (en) | 2002-01-17 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
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