JPS62146064A - マルチポ−トメモリ - Google Patents

マルチポ−トメモリ

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JPS62146064A
JPS62146064A JP60288748A JP28874885A JPS62146064A JP S62146064 A JPS62146064 A JP S62146064A JP 60288748 A JP60288748 A JP 60288748A JP 28874885 A JP28874885 A JP 28874885A JP S62146064 A JPS62146064 A JP S62146064A
Authority
JP
Japan
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data
write
read
line buffer
serial
Prior art date
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Pending
Application number
JP60288748A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Osami
長見 晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS62146064A publication Critical patent/JPS62146064A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は半導体メモリ集&回路に関し、特に伝送系の画
像処理システムで有効となる構成に関する0 〔従来技術〕 パンコン、OA機器の急成長により、7アクシハリ、プ
リンタなど、伝送系の画像処理システムでの半導体メモ
リの需要が著しく増加している。
以下図面を用いて説明する。このようなシステムの構成
は一般に第1図のように弄わすことができる。伝送入力
データをメモリに貯え、CPUがコントローラを介して
そのデータ内容に修正を施して、伝送出力データとする
形でるる。メモリとしては、伝送練上のデータ授受に加
え、CPUのアクセスも受は付ける必要がある。通常大
容量が必要とされることから標準のMOSダイナミック
RAMを用いると第2図に示す構成となシ点線枠内の周
辺回路をメモリに備えなければならない。このシステム
における伝送データのイメージは例えは第3図に示すよ
うなものである。伝送入力データは1M行XN列の画素
単位に左から右に第1行から第M行壕で順次メモリに入
る。データサイクルタイムを合わせるため置皿変換した
データをレジスタに入れ複数のR,AMに同時書き込み
している。このようにして入るデータにCPUが修正を
加え、例えは第3図の場合、画面の方上に枠に入ったデ
ータが付は加えられる。修正後1入力と丁度逆に複数の
几Aん■から一斉にデータがレジスタに移され並直変換
されて出力データとなる。このときも画面の左から右に
第1行から第M行まで1−次読み出される。伝送データ
の書き込みおよび読み出しは完全にシリアルな動作であ
り、CPUによるデータ修正も基本的には行単位にシリ
アルに行なうことができるものである。現状ランダムア
クセスが可能なRAMを用い周辺で、シリアルなアドレ
ス入力を加えていることになシ極めて無駄か多いと言え
る。すなわち所要のアドレスの動きに応じるメモリがな
いことと、現状のMOSダイナミックRAMではデータ
サイクルタイムが追い着かないことがシステムの小型化
および動作効率向上の障害になっている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は図1に示す伝送系の画像処理システムに
おけるメモリの機能を図2に示すデータサイクルタイム
を早める周辺回路とか外部アドレス発生回路の必要なく
実現する半導体メモリを提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明によるとm行n列に配列されたメモリセルと、外
部カウントクロック入力を受けて前記m行の内一行のメ
モリセルを選択するデコーダと、外部からシリアルに書
き込まれたデータを貯えるnビットの幅の第1の書き込
みラインバッファと前記第1の簀き込みラインバッファ
のデータを前記デコーダによ1)選択されるnビットの
メモリセルに転送し畳き込む第1のデー11書き込み転
送ゲートと、1行分のメモリセルのデータを貯え外部に
シリアルに出力するnビットの幅の第1の読み出しライ
ンバッファと前記デコーダにより選択されるnビットの
メモリセルのデータを前記第1の読み出しラインバッフ
ァに一斉に移す第1のデータ読み出し転送ゲートと、外
部クロック入力を受けて第1行から第m行まで順次行選
択を繰り返すシリアルデコーダと、外部からシリアルに
書き込まれたデータを貯えるnビットの幅の第2の書き
込みラインバッファと、前記第2の誉き込みラインバッ
ファのデータを前記シリアルデコーダにより選択される
nビットのメモリセルに転送し薔キ込む第2のデータ書
き込み転送ゲートと、1行分のメモリセルのデータを貯
え外部にシリアルに出力するnビットの幅の第2の読み
出し2インバツフアと、前記シリアルデコーダにより選
択されるnビットのメモリセルのデータを前記第2の読
み出しラインバッファに同時に移す第2のデータ読み出
し転送ゲートから構成され、前記第1および第2のデー
タ書き込み転送ゲートおよび前記第1および第2のデー
タ読み出し転送ゲートの内、互いに時間的に重ならない
ようにいずれか1つが開いて行なわれるデータ転送動作
期間においてそれに関係するラインバッファを除き、前
記第1および第2の誉き込みラインバッファへのシリア
ルデータ書き込み動作、および前記第1および第2の読
み出しラインバック、アからのシリアルデータ読み出し
動作の計4つのシリアル動作が互いに非同期に並行して
行なわれることを特徴とするマルチボート半導体メモリ
が得られる。
〔実施例の説明〕
本発明のマルチボートメモリの基本構成を第4図に示す
。データの流れの順序で説明すると、まず書き込みクロ
ックφW2に同期させてシリアルデータ入力2から伝送
入力データが書き込みラインバッファ2に入る。シリア
ルにnビットまで入ると、このラインバッファは一杯に
なシ、データ書き込み転送りロックWDT2を活性化ぐ
せてラインバッファの内容をデータ誉き込み転送ゲート
2を通してシリアルカウンタlおよび行デコーダ2によ
り指定されたメモリセルの第1行に書き込む。このデー
タ転送動作が終了するとシリアルカウンタlの内容は+
1(インクレメント)され、次の転送動作に備えると共
にシリアルデータ入力2に続けてデータを送シ込むこと
ができる。再びnビットまで入ると、WDT2を活性化
し、書き込みラインバッファ2の内容をメモリセルの第
2行に転送する。この動作が繰り返されて第1行から第
m行まで順にデータが埋まっていき越えると第1行に戻
って置き代わる形で新しいデータが入っていく。メモリ
セルに入ったデータに修正を施すことが次のように行な
える。修正は同じ行の中で済むこともあるし、他の行の
データをもってくることもある。いずれにせよ修正デー
タを含む行をカウントクロック入力を必要回数活性化し
て指定できるようにする。データ読み出し転送りロック
RDTlを活性化することにより、アドレスカウンタお
よび行デコーダlによりその行が選択され、データ読み
出し転送ゲートlを通して読み出しラインバッファ1に
メモリセルのデータが転送される。転送後もその行のデ
ータは元のまま貯えられる。読み出しクロックφ3、を
n回活性化することにより、読み出しラインバッファ1
の内容がシリアルにシリアルデータ出力1にあられれる
このデータを基に修正を加える行に与えるべきデータを
外部で作り出す論理回路を用意する必要がある。その結
果をシリアルデータ入力1から、書き込みクロックφ1
、に同期させて、書き込みラインバッファ1に送シ込む
。カウントクロック入力を必要回数活性化して修正を加
える行を指定できるようにした後、データ書き込み転送
りロックWDTIを活性化することによりアドレスカウ
ンタおよび行デコーダlによl択されるその行のメモリ
セルにデータ書き込み転送ケート1を通して書き込みラ
インバッファ1の内容が簀き込まれる。
このように(1)修正データを含む行のメモリセル→(
2)読み出しラインバッファ1→(3)修正データ作成
→(4)簀き込みラインバッファl→(5)修正を加え
る行のメモリセル、という順序で伝送入力データに対す
る修正作業が行なわれる。データ修正が完了しているこ
とを前提にデータ読み出し転送りロックRDT2を活性
化することにより、シリアルカウンタ2および行デコー
ダ2により第1行から第m行まで順次選択され、データ
読み出し転送ゲート2を通して読み出しラインバッファ
2に各行のデータが入れ代シ移され、これが繰り返され
ることになる。RDTzの活性化により読み出しライン
バッファ2にデータが転送される毎に読み出しクロック
φ1□をn回活性化することにより、シリアルデータ出
力2に伝送出力データが得られる。
第4図に示す構成のメモリを具体化するのに必要な端子
機能は図5のように示される。カウントクロック入力、
シリアルデータ入力1〜4およびシリアルデータ出力1
〜4をそれぞれC0UNT、5D11〜4および5DO
t〜4で表わしている0RESETはアドレスカウンタ
、シリアルカウンタ1およびシリアルカウンタ2の内容
をすべて0にする。すなわちメモリセルの第1行を選択
する状態にもっていく役割を果し、データの単位量間隔
に活性化することになる。RDYI、2.3および4は
それぞれデータ書き込み転送ゲート1.データ読み出し
転送ゲート1.データ書き込み転送ゲート2およびデー
タ読み出し転送ゲート2が開く転送動作を外部に知らせ
る機能を有し、複数の転送動作が同時に生じる場合外部
コントロールで各几DY信号に基づいて優先順位を次め
順番に行なうことができるようにしている。このように
データ転送期間が待たされる形で長くなることがある点
を除くと、シリアル書き込みシリアル読み出しそれぞれ
2つ、計4つのボートでの各々の動作は、互いに独立に
非同期に行なうことができる。
転送ゲートが開くデータ期間以外ではラインバッファと
メモリセルは切シ離され、データ人出力とラインバッフ
ァ間のデータのやりとフになるためである。
〔発明の効果〕
本発明によると伝送入力データを受けて蓄積データを基
にCPUコントロールにより修正を施し、その結果を伝
送出力データとして出力する機能を有するマルチボート
メモリが得られ、これらの動作が独立に非同期に行なえ
ることからシステム動作効率を者しく改善できると共に
、第7図に示す破線に囲まれた周辺論理を内蔵し、かつ
実際のシステムに合わせてライン単位のシリアル動作に
限定したことにより、第5図に示すようにアドレス端子
不要で少ないピン数に収まることから、システム小型化
を大きく計ることができ、伝送系画像処理システム用メ
モリとして非常に有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は伝送系の画像処理システムの構成を示し、第2
図は従来の標準MOSダイナミックRAMを用いた同じ
システムの構成を示し、第3図は伝送データの動きと修
正1作の例を示し、第4図は本発明によるマルチボート
メモリの基本構成を示し、第5図は本メモリを具体化す
るのに必要な端子機能を示す。           
  、2−一代理人 弁理士  内 原   晋(、−
・′MJ1 ・く1ト 伝送λカデータ 伝送土カデータ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. m行n列に配列されたメモリセルと、外部カウントクロ
    ック入力を受けて前記m行の内一行のメモリセルを選択
    するデコーダと、外部からシリアルに書き込まれたデー
    タを貯えるnビットの幅の第1の書き込みラインバッフ
    ァと、前記第1の書き込みラインバッファのデータを前
    記デコーダにより選択されるnビットのメモリセルに転
    送し書き込む第1のデータ書き込み転送ゲートと、1行
    分のメモリセルのデータを貯え外部にシリアルに出力す
    るnビットの幅の第1の読み出しラインバッファと、前
    記デコーダにより選択されるnビットのメモリセルのデ
    ータを前記第1の読み出しラインバッファに一斉に移す
    第1のデータ読み出し転送ゲートと、外部クロック入力
    を受けて第1行から第m行まで順次行選択を繰り返すシ
    リアルデコーダと、外部からシリアルに書き込まれたデ
    ータを貯えるnビットの幅の第2の書き込みラインバッ
    ファと、前記第2の書き込みラインバッファのデータを
    前記シリアルデコーダにより選択されるnビットのメモ
    リセルに転送し書き込む第2のデータ書き込み転送ゲー
    トと、1行分のメモリセルのデータを貯え外部にシリア
    ルに出力するnビットの幅の第2の読み出しラインバッ
    ファと前記シリアルデコーダにより選択されるnビット
    のメモリセルのデータを前記第2の読み出しラインバッ
    ファに同時に移す第2のデータ読み出し転送ゲートから
    構成され、前記第1および第2のデータ書き込み転送ゲ
    ートおよび前記第1および第2のデータ読み出し転送ゲ
    ートの内互いに時間的に重ならないようにいずれか1つ
    が開いて行なわれるデータ転送動作期間においてそれに
    関係するラインバッファを除き、前記第1および第2の
    書き込みラインバッファへのシリアルデータ書き込み動
    作および前記第1および第2の読み出しラインバッファ
    からのシリアルデータ読み出し動作の計4つのシリアル
    動作が互いに非同期に並行して行なわれることを特徴と
    するマルチポート半導体メモリ。
JP60288748A 1985-12-20 1985-12-20 マルチポ−トメモリ Pending JPS62146064A (ja)

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JPS62146064A true JPS62146064A (ja) 1987-06-30

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