JPS62130010A - 弾性表面波素子およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子およびその製造方法Info
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- JPS62130010A JPS62130010A JP27116385A JP27116385A JPS62130010A JP S62130010 A JPS62130010 A JP S62130010A JP 27116385 A JP27116385 A JP 27116385A JP 27116385 A JP27116385 A JP 27116385A JP S62130010 A JPS62130010 A JP S62130010A
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- acoustic wave
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/643—Means for obtaining a particular transfer characteristic the transfer characteristic being determined by reflective or coupling array characteristics
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術性＋ｎＪ
未発明は、シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬す
る圧電基板上に、金属ストリップによる反射器、すだれ
状Ｔｉ、Ｊ４ｉｈｊ、を有する共振子、フィルター、〃
延線等の弾性表面波素子およびその製造方法に関する。
る圧電基板上に、金属ストリップによる反射器、すだれ
状Ｔｉ、Ｊ４ｉｈｊ、を有する共振子、フィルター、〃
延線等の弾性表面波素子およびその製造方法に関する。
「従来技術およびその問題点」
弾性表面波素子は、従来軍需用の特殊な用途に使用され
ていたが、近年、ＦＭチューナ、ＴＶ等の民生用機器に
も使用され始め、にわかに脚光を浴びるようになってき
た。弾性表面波素子は、具体的には８延素子、発振子、
フィルタなどとして製品化されている。これら各種の弾
性表面波素子の特徴は、小型、軽１１４で、信頼性が高
いこと、およびその製造工程が集積回路と類似しており
、Ｉ１１産性に富むことなどである。そして、現在では
欠くべからざる電子部品として１番）産されるに至って
いる。
ていたが、近年、ＦＭチューナ、ＴＶ等の民生用機器に
も使用され始め、にわかに脚光を浴びるようになってき
た。弾性表面波素子は、具体的には８延素子、発振子、
フィルタなどとして製品化されている。これら各種の弾
性表面波素子の特徴は、小型、軽１１４で、信頼性が高
いこと、およびその製造工程が集積回路と類似しており
、Ｉ１１産性に富むことなどである。そして、現在では
欠くべからざる電子部品として１番）産されるに至って
いる。
圧電体媒体表面を伝搬する・沖に１表面波には種／、１
あるが、−・般的に利用されているのはレイリー（Ｒａ
ｙｌｅｉｇｈ）波とよばれるものである。ところで、圧
電基板の性能を評価する指標として、結合係数と温度係
数とがある。結合係数は、’ｉＩｉ：気エネルギーが振
動エネルギーに変換される効率を表わす指標であり、温
度係数は圧電媒体を伝搬する弾性表面波の伝搬遅江時間
の温度係数を示す指標である。また、弾性表面波には弾
性表面波が伝搬するＪＥ ’ｉｌｌ： ）、’；、板の
表層内において、弾性表面波の伝搬する方向と直交する
方向に粒子変位をなすシア−ホリゾンタル型の弾性表面
波があり、１１１１記結合係数が大きいこと等で注目さ
れはじめている。
あるが、−・般的に利用されているのはレイリー（Ｒａ
ｙｌｅｉｇｈ）波とよばれるものである。ところで、圧
電基板の性能を評価する指標として、結合係数と温度係
数とがある。結合係数は、’ｉＩｉ：気エネルギーが振
動エネルギーに変換される効率を表わす指標であり、温
度係数は圧電媒体を伝搬する弾性表面波の伝搬遅江時間
の温度係数を示す指標である。また、弾性表面波には弾
性表面波が伝搬するＪＥ ’ｉｌｌ： ）、’；、板の
表層内において、弾性表面波の伝搬する方向と直交する
方向に粒子変位をなすシア−ホリゾンタル型の弾性表面
波があり、１１１１記結合係数が大きいこと等で注目さ
れはじめている。
？侍Ｕｊ−の弾性表面波素子の用途に、自動車電話等の
移動無線器の高周波化に伴い、電圧制御発振器等に弾性
表面波Ｊ（振ｆ−が用いられ、小型、軽量、低コスト化
に役立っているが、周波数可変幅が狭いという問題があ
る。
移動無線器の高周波化に伴い、電圧制御発振器等に弾性
表面波Ｊ（振ｆ−が用いられ、小型、軽量、低コスト化
に役立っているが、周波数可変幅が狭いという問題があ
る。
従来技術における金属ストリップを用いた反射器を有す
る弾性表面波素子の−・例として、弾性表面波共振ｒ・
の−・例を第７図にｉｆ＜す、すなわち、この弾性表面
波共振ｒは、弾セ１表面波が伝搬する圧電）、（扱１の
Ｉ−に・沖性表面波ＩＩｊＪ振用のすだれ状電極２と、
弾に１表面波の伝搬方向に直角に多数本の金属ストリッ
プを周期的に配列した反射器３．３′を形成して構成さ
れている。そして、すだれ状電極２に特定周波数の電圧
を印加すると、すだれ状電極２の間隙の圧電基板１表面
に電界がかかり、圧電基板１の圧電性により電圧に比例
したひずみが生じ、そのひずみが圧電基板ｌの材料によ
って定まった音速で表面波として両側に伝搬する。この
表面波は、両側の格子状反射器３，３′によって反射さ
れ、再びすだれ状電極２に帰還して共振がなされるよう
になっている。
る弾性表面波素子の−・例として、弾性表面波共振ｒ・
の−・例を第７図にｉｆ＜す、すなわち、この弾性表面
波共振ｒは、弾セ１表面波が伝搬する圧電）、（扱１の
Ｉ−に・沖性表面波ＩＩｊＪ振用のすだれ状電極２と、
弾に１表面波の伝搬方向に直角に多数本の金属ストリッ
プを周期的に配列した反射器３．３′を形成して構成さ
れている。そして、すだれ状電極２に特定周波数の電圧
を印加すると、すだれ状電極２の間隙の圧電基板１表面
に電界がかかり、圧電基板１の圧電性により電圧に比例
したひずみが生じ、そのひずみが圧電基板ｌの材料によ
って定まった音速で表面波として両側に伝搬する。この
表面波は、両側の格子状反射器３，３′によって反射さ
れ、再びすだれ状電極２に帰還して共振がなされるよう
になっている。
このような弾性表面波共振子は１を気菌等価回路で表わ
すと、水晶振動子の場合と同様に第９図のように表わす
ことができる。第８図において、 Ｇ。
すと、水晶振動子の場合と同様に第９図のように表わす
ことができる。第８図において、 Ｇ。
はすだれ状電極２の静電容ｒ−であり、インダクタンス
し、容ｉｉｉ、 におよび抵抗Ｒの直列共振回路は、共
振子の）（振現象を表わしている。また、ＧｏとＣとの
比Ｃｏ／Ｃを容ｌｉ１比といい、γで表わす、容ｊｊｉ
比γは、共振子の共振Ｊ、’、］波数特性等を決定する
重大なパラメータの−・つであり、γが小さいと電圧制
御発振器に用いた場合、広い周波数範囲にわたり、発振
周波数をｉ’ｉｆ変することかできる。容ち１１Ｌγは
、ｙ＝（π’ ／８に２） 瞼ｒ ・−（、Ｄ （ｒ
≧１）Ｔ近似することができる、ここで、 ｋ２は前
記の結合係数、ｒは反射器の性能により決まる定数であ
る。
し、容ｉｉｉ、 におよび抵抗Ｒの直列共振回路は、共
振子の）（振現象を表わしている。また、ＧｏとＣとの
比Ｃｏ／Ｃを容ｌｉ１比といい、γで表わす、容ｊｊｉ
比γは、共振子の共振Ｊ、’、］波数特性等を決定する
重大なパラメータの−・つであり、γが小さいと電圧制
御発振器に用いた場合、広い周波数範囲にわたり、発振
周波数をｉ’ｉｆ変することかできる。容ち１１Ｌγは
、ｙ＝（π’ ／８に２） 瞼ｒ ・−（、Ｄ （ｒ
≧１）Ｔ近似することができる、ここで、 ｋ２は前
記の結合係数、ｒは反射器の性能により決まる定数であ
る。
ｒ＝１は理論限界を表わす。■式よりわかるように、容
品比γは、使用する圧電ノ＾板の結合係数および反射器
の性能により決まるが、従来は圧電基板の結合係数のみ
が着目され、反射器の構成等による反射器性能の向」二
に目が向けられておらず。
品比γは、使用する圧電ノ＾板の結合係数および反射器
の性能により決まるが、従来は圧電基板の結合係数のみ
が着目され、反射器の構成等による反射器性能の向」二
に目が向けられておらず。
反射器が大きくなり、素子の小型化がはかられず、また
、容量比が大きく、電圧制御発振器に用いた場合、可変
周波数が大きくとれない等の欠点があった。
、容量比が大きく、電圧制御発振器に用いた場合、可変
周波数が大きくとれない等の欠点があった。
従来の反射器の部分拡大図を第８図に示す、すなわち、
反射器に用いる金属ストリップ幅と、金属ストリップ間
隔が大官等しく、反射器の線幅比ηＲかηＲ＝０．５と
なるように作られている。これが反射器の性能、具体的
には反射率を本来の特性から劣化させ１反射器全体の反
射率を上げるためには多数本の金属ストリップを用いな
ければならないので素子が大型化し、また、容量比γも
小さくならないという欠点となっていた。
反射器に用いる金属ストリップ幅と、金属ストリップ間
隔が大官等しく、反射器の線幅比ηＲかηＲ＝０．５と
なるように作られている。これが反射器の性能、具体的
には反射率を本来の特性から劣化させ１反射器全体の反
射率を上げるためには多数本の金属ストリップを用いな
ければならないので素子が大型化し、また、容量比γも
小さくならないという欠点となっていた。
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、金属
ストリップを用いた反射器の反射率を向上させて素子の
小型化を図り、また、容量比を小さくして電圧制御発振
器に用いた場合、周波数可変幅の拡大、弾性表面波の反
射器を有するフィルターの小型化、低挿入損失化等の性
能改善がなされた弾性表面波素子およびその製造方法を
提供することにある。
ストリップを用いた反射器の反射率を向上させて素子の
小型化を図り、また、容量比を小さくして電圧制御発振
器に用いた場合、周波数可変幅の拡大、弾性表面波の反
射器を有するフィルターの小型化、低挿入損失化等の性
能改善がなされた弾性表面波素子およびその製造方法を
提供することにある。
「発明の構成」
本発明の弾性表面波素子は、シア−ホリゾンタル型の弾
性表面波が伝搬する圧電基板上に、中心間隔が上記弾性
表面波の伝搬波長の略１／２である多数の互いに接続し
ている金属ストリップからなる反射器を備え、上記反射
器の金属指幅をＬＲ１金属指間隔をＳＲとし、線幅比η
ＲをηＲ＝ＬＲ／（ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場合、０
．０＜ηＲ（０、５とされていることを特徴とする。
性表面波が伝搬する圧電基板上に、中心間隔が上記弾性
表面波の伝搬波長の略１／２である多数の互いに接続し
ている金属ストリップからなる反射器を備え、上記反射
器の金属指幅をＬＲ１金属指間隔をＳＲとし、線幅比η
ＲをηＲ＝ＬＲ／（ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場合、０
．０＜ηＲ（０、５とされていることを特徴とする。
本発明のさらに改良された弾性表面波素子は、シア−ホ
リゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電基板上に、中
心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略１／２である多
数の互いに接続している金属ストリップからなる反射器
と、少なくとも一組のすだれ状電極とを備え、上記反射
器の金属指幅をＬＲ１金属指間隔をＳＲとし、線幅比η
ＲをηＲ＝しＲ／（ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場合、０
．０＜ηＲｃＯ、５とされており、かつ、上記すだれ状
電極の電極指幅をＬＴ、電極指幅間隔をＳＴとし、線幅
比η丁をηＴ＝ＬＴ／ （ＬＴ ＋ ＳＴ）で表わした
場合、ηＴ〉ηＲとされていることを特徴とする。
リゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電基板上に、中
心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略１／２である多
数の互いに接続している金属ストリップからなる反射器
と、少なくとも一組のすだれ状電極とを備え、上記反射
器の金属指幅をＬＲ１金属指間隔をＳＲとし、線幅比η
ＲをηＲ＝しＲ／（ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場合、０
．０＜ηＲｃＯ、５とされており、かつ、上記すだれ状
電極の電極指幅をＬＴ、電極指幅間隔をＳＴとし、線幅
比η丁をηＴ＝ＬＴ／ （ＬＴ ＋ ＳＴ）で表わした
場合、ηＴ〉ηＲとされていることを特徴とする。
本発明による弾性表面波素子の製造方法は、シア−ホリ
ゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電ノ１（板」−に
、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略１／２であ
る多数の互いに接続している金属ストリップからなる反
射器を備えた弾性表面波素子の製造方法であって、上記
反射器の金属指幅をＬＲ、金属指間隔をＳＲとし、線幅
比ηＲをηＲ＝ＬＲ／ （ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場
合、０．０＜ηＲ＜０ 、５ となるように、反射器の
パターンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを用
いて写真製版技術により製造することを特徴とする。
ゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電ノ１（板」−に
、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略１／２であ
る多数の互いに接続している金属ストリップからなる反
射器を備えた弾性表面波素子の製造方法であって、上記
反射器の金属指幅をＬＲ、金属指間隔をＳＲとし、線幅
比ηＲをηＲ＝ＬＲ／ （ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場
合、０．０＜ηＲ＜０ 、５ となるように、反射器の
パターンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを用
いて写真製版技術により製造することを特徴とする。
本発明のさらに改良されたり１性表面波素子の製造方法
は、シア−ホリゾンタル型のり１性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
１／２である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子の製造方法において、−に記反射
器の金属指幅をＬＲ１金属指間隔をＳＲとし、線幅比η
ＲをηＲ＝ＬＲ／ （ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場合、
０．０〈ηＲ（０，５となるように、かつ、」１記すだ
れ状電極の電極指幅をＬＴ、電極指幅間隔をＳＴとし、
線幅比ηＴをηＴ；ＬＴ／（ＬＴ＋ ＳＴ）で表わした
場合、９丁＞ηＲとなるように、反射器およびすだれ状
電極のパターンの線幅比を設定して作成したフォトマス
クを用いて写真製版技術により製造することを特徴とす
る。
は、シア−ホリゾンタル型のり１性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
１／２である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子の製造方法において、−に記反射
器の金属指幅をＬＲ１金属指間隔をＳＲとし、線幅比η
ＲをηＲ＝ＬＲ／ （ＬＲ＋ ＳＲ）で表わした場合、
０．０〈ηＲ（０，５となるように、かつ、」１記すだ
れ状電極の電極指幅をＬＴ、電極指幅間隔をＳＴとし、
線幅比ηＴをηＴ；ＬＴ／（ＬＴ＋ ＳＴ）で表わした
場合、９丁＞ηＲとなるように、反射器およびすだれ状
電極のパターンの線幅比を設定して作成したフォトマス
クを用いて写真製版技術により製造することを特徴とす
る。
本発明のＩ／ｌ′ｌ性表面波大表面波素子射器のパター
ンを上記のように設定することにより、反射器の反射率
を向］−させることができる。また、反射器およびすだ
れ状電極のパターンを」１記のように設定することによ
り、共振抵抗や通過帯域外減衰：ｌシを安定にし１小型
で容Ｘ１１比の小さいものか得られる。また、未発明の
弾性表面波素子の製造方法では、上記のようなパターン
を有する弾性表面波素子を高粘度かつ簡便に製造するこ
とができる。
ンを上記のように設定することにより、反射器の反射率
を向］−させることができる。また、反射器およびすだ
れ状電極のパターンを」１記のように設定することによ
り、共振抵抗や通過帯域外減衰：ｌシを安定にし１小型
で容Ｘ１１比の小さいものか得られる。また、未発明の
弾性表面波素子の製造方法では、上記のようなパターン
を有する弾性表面波素子を高粘度かつ簡便に製造するこ
とができる。
さらに、に記反射盟やすだれ状電極の形状を実効的に模
した検査用パターンをフォトマスクに設けておくことに
より、電気的方法、機械的方法、光学的方法等により高
精度かつ簡便に線幅比を４１４゛ｉテすることができ、
素ｆ−の良否をエンチング直後に行なうことができる。
した検査用パターンをフォトマスクに設けておくことに
より、電気的方法、機械的方法、光学的方法等により高
精度かつ簡便に線幅比を４１４゛ｉテすることができ、
素ｆ−の良否をエンチング直後に行なうことができる。
未発明において、金属ストリップからなる反射Ｘ）やす
だれ状電極は同一の金属で形成することが＆Ｉ’ましい
か、反射器の特性、プロセスの容易性、コスト等の面か
ら、金属としてはＡ１またはＡ１合金かｉ！ｆましく、
あるいはＡ１またはＡ１合金と高融点金属との多層膜構
造とすることか好ましい。
だれ状電極は同一の金属で形成することが＆Ｉ’ましい
か、反射器の特性、プロセスの容易性、コスト等の面か
ら、金属としてはＡ１またはＡ１合金かｉ！ｆましく、
あるいはＡ１またはＡ１合金と高融点金属との多層膜構
造とすることか好ましい。
「発明の実施例」
実施例１
第１図、第２図および第３図には１本発明を弾性表面波
共振了−に適用した−・実施例が示されており、第１図
は上面図、第２図は断面図、第３図は反射器部分の部分
拡大断面図である。
共振了−に適用した−・実施例が示されており、第１図
は上面図、第２図は断面図、第３図は反射器部分の部分
拡大断面図である。
鏡面研磨を施した３６度回転Ｙ輛カントのタンタル酸リ
チウムをシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する
圧電基板ｌとして用い、その■−にＡ１を膜厚２０００
人となるようにスパッタ蒸着した。次いで、反射器３．
３“の線幅比ηＲおよびすだれ状電極２の線幅比η丁を
予め変えて作ったフォトマスクを用い、パターンをフォ
トレジストに転写して、通常の湿式エツチング法により
反射器３．３′およびすだれ状電極２をパターン形成し
た。この際に、反射器３．３′およびすだれ状電極２を
模した検査用パターンも−・緒に形成した。この検査用
パターンに光学的手法を用いて′Ａ１１定した線幅比に
よる弾性表面波共振子の特性を第１表に示す。なお、伝
搬方向は大略Ｘ軸方向であった。また、この弾性表面波
共振子は１反射器３．３°のＷいに接続している金属ス
トリップの数が２００本、すだれ状電極２の対数は１０
対、反射器３．３°およびすだれ状電極２のピッチは約
４μｍであり、共振周波数は約５１０ ＭＨｚであった
。
チウムをシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する
圧電基板ｌとして用い、その■−にＡ１を膜厚２０００
人となるようにスパッタ蒸着した。次いで、反射器３．
３“の線幅比ηＲおよびすだれ状電極２の線幅比η丁を
予め変えて作ったフォトマスクを用い、パターンをフォ
トレジストに転写して、通常の湿式エツチング法により
反射器３．３′およびすだれ状電極２をパターン形成し
た。この際に、反射器３．３′およびすだれ状電極２を
模した検査用パターンも−・緒に形成した。この検査用
パターンに光学的手法を用いて′Ａ１１定した線幅比に
よる弾性表面波共振子の特性を第１表に示す。なお、伝
搬方向は大略Ｘ軸方向であった。また、この弾性表面波
共振子は１反射器３．３°のＷいに接続している金属ス
トリップの数が２００本、すだれ状電極２の対数は１０
対、反射器３．３°およびすだれ状電極２のピッチは約
４μｍであり、共振周波数は約５１０ ＭＨｚであった
。
第１表
第１表によれば、容品２比は、反射器３．３°の線幅比
ηＲが小さくなるに従い小さくなることがわかる。すな
わち、反射器の反射率があがっていることを示している
。
ηＲが小さくなるに従い小さくなることがわかる。すな
わち、反射器の反射率があがっていることを示している
。
また、他の実施例として、前記実施例と同様の構凸であ
るが、反射器３．３°を構成する金属ストリップの本数
を１５０本に減らして作成した。すだれ状＋ｌｊ極２の
線幅比を１）；ｉ記実施例と同様に０．５にしたとき、
反射器３゜３゛の線幅比ηＲが０，５では容に比が１５
％程度大きくなり、ηＲが０．３以下ではほとんど変化
はなかった。
るが、反射器３．３°を構成する金属ストリップの本数
を１５０本に減らして作成した。すだれ状＋ｌｊ極２の
線幅比を１）；ｉ記実施例と同様に０．５にしたとき、
反射器３゜３゛の線幅比ηＲが０，５では容に比が１５
％程度大きくなり、ηＲが０．３以下ではほとんど変化
はなかった。
このことより、本発明による反射器３．３°の反射率は
従来例より極めて大きいことがわかり、低容ｌ賃比化お
よび小型化に極めて有効であるといえる。この場合、η
Ｒの大きさは１本発明の範囲である０、０＜ηＲ（０，
５であれば特性が従来例より優れるのは明確であるが１
本発明の効果を充分に得るためにはηＲは０．４５以下
が好ましく、一方、ηＲをあまり小さくすると反射器を
構成する金属ストす、ブの断線が生じるｒｉ（能性が増
し、歩留りが低下するため、ηＲは０．１以」−が好ま
しい。
従来例より極めて大きいことがわかり、低容ｌ賃比化お
よび小型化に極めて有効であるといえる。この場合、η
Ｒの大きさは１本発明の範囲である０、０＜ηＲ（０，
５であれば特性が従来例より優れるのは明確であるが１
本発明の効果を充分に得るためにはηＲは０．４５以下
が好ましく、一方、ηＲをあまり小さくすると反射器を
構成する金属ストす、ブの断線が生じるｒｉ（能性が増
し、歩留りが低下するため、ηＲは０．１以」−が好ま
しい。
−［−記の特性は、Ａｌ−３ｉ（Ｓｉ １〜３％） 、
Ａｌ［：ｕ（ＣｕＯ，５〜４＄） 、 ＡＩ−Ｔｉ（
Ｔｉ０．５〜２％） （７）ＡＩ合金テ形ＩＡした電極
材料や、 Ｏｒ、Ｍｏ、 Ｗ 、 Ｔｉ等の高融点金属
を２０〜４００人の厚さに形成し、その上にＡ１や」二
足Ａ１合金を形成した多層構造の電極材料や、さらにそ
の！−にＣｒ、 Ｎｏ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点金属を５０
〜５００人の厚さに形成した多層構造の電極材才１を用
いた場合にも同様な傾向を示した。したがって、本発明
で得られる効果はｊｌｉ極材料には依存しないことかわ
かる。
Ａｌ［：ｕ（ＣｕＯ，５〜４＄） 、 ＡＩ−Ｔｉ（
Ｔｉ０．５〜２％） （７）ＡＩ合金テ形ＩＡした電極
材料や、 Ｏｒ、Ｍｏ、 Ｗ 、 Ｔｉ等の高融点金属
を２０〜４００人の厚さに形成し、その上にＡ１や」二
足Ａ１合金を形成した多層構造の電極材料や、さらにそ
の！−にＣｒ、 Ｎｏ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点金属を５０
〜５００人の厚さに形成した多層構造の電極材才１を用
いた場合にも同様な傾向を示した。したがって、本発明
で得られる効果はｊｌｉ極材料には依存しないことかわ
かる。
実施例２
実施例１のシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬す
る圧電基板１を４１度回転Ｙ軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略Ｘ軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、」二足と同様に特性を測定した結
果、その特性は実施例１と同様な傾向を示した。
る圧電基板１を４１度回転Ｙ軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略Ｘ軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、」二足と同様に特性を測定した結
果、その特性は実施例１と同様な傾向を示した。
実施例３
実施例１のシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬す
る圧電基板ｌを６４度回転Ｙ軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略Ｘ軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、上記と同様に特性を測定した結果
、その特性は実施例１と同様な傾向を示した。
る圧電基板ｌを６４度回転Ｙ軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略Ｘ軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、上記と同様に特性を測定した結果
、その特性は実施例１と同様な傾向を示した。
このように、本発明においては、シア−ホリゾンタル型
の弾性表面波が伝搬する圧電基板１として、カット角、
伝搬方向の異なる各種のものを採用することができる。
の弾性表面波が伝搬する圧電基板１として、カット角、
伝搬方向の異なる各種のものを採用することができる。
実施例４
第４図には本発明を共振型フィルターに適用したさらに
他の実施例が示されている。この共振型フィルターは、
２組のすだれ状電極２．２°を有し、その外側に反射器
３．３′が形成されている。
他の実施例が示されている。この共振型フィルターは、
２組のすだれ状電極２．２°を有し、その外側に反射器
３．３′が形成されている。
この共振型フィルターにおいて、すだれ状電極２．２°
の線幅比１丁を０．５と−・定にし、反射器３．３′の
線幅比ηＲを変えてその特性を測定した結果を第２表に
示す。
の線幅比１丁を０．５と−・定にし、反射器３．３′の
線幅比ηＲを変えてその特性を測定した結果を第２表に
示す。
第２表
第２表より明らかなように１反射Ｚ＋３．３’の線幅比
ηＲを小さくするに従って、反射器３．３゛の反射率が
大きくなり、フィルターの挿入損失が小さくなっていく
ことがわかる。
ηＲを小さくするに従って、反射器３．３゛の反射率が
大きくなり、フィルターの挿入損失が小さくなっていく
ことがわかる。
なお、この実施例の圧電基板１は、３６度Ｙカットのタ
ンタル酸リチウムであり、弾性表面波の伝搬方向は大略
Ｘ軸方向である。しかし、他の圧電基板を用いた場合も
同様な傾向が得られた。
ンタル酸リチウムであり、弾性表面波の伝搬方向は大略
Ｘ軸方向である。しかし、他の圧電基板を用いた場合も
同様な傾向が得られた。
ところで、すだれ状電極の線幅比１丁には望ましくは以
下に述へるような制限が設けられる。
下に述へるような制限が設けられる。
第５図には、すだれ状電極の線幅比１丁と、電極容量と
の関係が示されている。これによると、すだれ状電極の
線幅比１丁を大きくすると電極容量が大きくなり、結果
的に容量比が大きくなる。
の関係が示されている。これによると、すだれ状電極の
線幅比１丁を大きくすると電極容量が大きくなり、結果
的に容量比が大きくなる。
また、帯域外減衰量も劣化する。
第６図には、すだれ状電極の線幅比ηＴと放射コンダク
タンスとの関係が示されている。ここで、放射コンダク
タンスは、例えば弾性表面波共振子の共振抵抗と逆比例
の関係がある０弾性表面波共振子の共振抵抗は一般に小
さいほうがよいが、そのため′にはすだれ状電極の放射
コンダクタンスは大きいほうがよい。
タンスとの関係が示されている。ここで、放射コンダク
タンスは、例えば弾性表面波共振子の共振抵抗と逆比例
の関係がある０弾性表面波共振子の共振抵抗は一般に小
さいほうがよいが、そのため′にはすだれ状電極の放射
コンダクタンスは大きいほうがよい。
以Ｉ−のことから、すだれ状電極のｍ幅比ηＴは、０．
３≦ηＴ≦０．７の範囲が容量比、共振抵抗の点より好
ましいといえる。
３≦ηＴ≦０．７の範囲が容量比、共振抵抗の点より好
ましいといえる。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、互いに接続して
いる金属ストリップを用いた反射器の線幅比を小さくす
ることにより１反射器の反射率を大きくすることができ
る。したがって、弾性表面波共振子に適用した場合、容
を比や共振抵抗が小さくなるので、漏子を小型化するこ
とが可能となり、電圧制御発振器などに適用すれば周波
数可変幅が従来例より格段に広くなる。また、共振型フ
ィルターに適用すれば、従来より小型でかつ低損失の素
子が得られる。
いる金属ストリップを用いた反射器の線幅比を小さくす
ることにより１反射器の反射率を大きくすることができ
る。したがって、弾性表面波共振子に適用した場合、容
を比や共振抵抗が小さくなるので、漏子を小型化するこ
とが可能となり、電圧制御発振器などに適用すれば周波
数可変幅が従来例より格段に広くなる。また、共振型フ
ィルターに適用すれば、従来より小型でかつ低損失の素
子が得られる。
第１図は本発明を弾性表面波共振子に適用した−・実施
例を示す平面図、第２図は回り１性表面波共振子の断面
図、第３図は同弾性表面波共振子の部分拡大断面図、第
４図は本発明を共振型フィルターに適用した他の実施例
を示すｆ面図、第５図はすだれ状電極の線幅比を変えた
場合の電極間合にの変化を示す特性図表、第６図はすだ
れ状電極の線幅比を変えた場合の放射コンダクタンスの
変化を示す特性図表、第７図は従来の弾性表面波共振子
を示す・Ｆ ｔｎｉ図、第８図は回弾性表面波」（振子
の部分拡大断面図、ｆｊＳ９図は弾性表面波素子の電気
的等価回路図である。 図中、１は圧’屯）、’；板、２．２′はすだれ状電極
、３．３゛は反射器である。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人 ｊ「埋土 三油邦夫 回 弁理−ト 松井 茂 第１図 第２図 第３区 第４図 オス 情 に （１Ｔ） 第５図 １線 幅 化（’７Ｔ） 第６図
例を示す平面図、第２図は回り１性表面波共振子の断面
図、第３図は同弾性表面波共振子の部分拡大断面図、第
４図は本発明を共振型フィルターに適用した他の実施例
を示すｆ面図、第５図はすだれ状電極の線幅比を変えた
場合の電極間合にの変化を示す特性図表、第６図はすだ
れ状電極の線幅比を変えた場合の放射コンダクタンスの
変化を示す特性図表、第７図は従来の弾性表面波共振子
を示す・Ｆ ｔｎｉ図、第８図は回弾性表面波」（振子
の部分拡大断面図、ｆｊＳ９図は弾性表面波素子の電気
的等価回路図である。 図中、１は圧’屯）、’；板、２．２′はすだれ状電極
、３．３゛は反射器である。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人 ｊ「埋土 三油邦夫 回 弁理−ト 松井 茂 第１図 第２図 第３区 第４図 オス 情 に （１Ｔ） 第５図 １線 幅 化（’７Ｔ） 第６図
Claims (6)
- （１）シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
１／２である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器を備えた弾性表面波素子において、上記
反射器の金属指幅をＬＲ、金属指間隔をＳＲとし、線幅
比ηＲをηＲ：ＬＲ／（ＬＲ＋ＳＲ）で表わした場合、
０．０＜ηＲ＜０．５とされていることを特徴とする弾
性表面波素子。 - （２）特許請求の範囲第１項において、０．１≦ηＲ≦
０．４５とされている弾性表面波素子。 - （３）シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
１／２である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子において、上記反射器の金属指幅
をＬＲ、金属指間隔をＳＲとし、線幅比ηＲをηＲ：Ｌ
Ｒ／（ＬＲ＋ＳＲ）で表わした場合、０．５＜ηＲ＜１
．０とされており、かつ、上記すだれ状電極の電極指幅
をＬＴ、電極指幅間隔をＳＴとし、線幅比ηＴをηＴ＝
ＬＴ／（ＬＴ＋ＳＴ）で表わした場合、ηＴ＞ηＲとさ
れていることを特徴とする弾性表面波素子。 - （４）特許請求の範囲第３項において、０．１≦ηＲ≦
０．４５とされ、かつ、０．３≦ηＴ≦０．７とされて
いる弾性表面波素子。 - （５）シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
１／２である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器を備えた弾性表面波素子の製造方法にお
いて、上記反射器の金属指幅をＬＲ、金属指間隔をＳＲ
とし、線幅比ηＲをηＲ＝ＬＲ／（ＬＲ＋ＳＲ）で表わ
した場合、０．０＜ηＲ＜０．５となるように、反射器
のパターンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを
用いて写真製版技術により製造することを特徴とする弾
性表面波素子の製造方法。 - （６）シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
１／２である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子の製造方法において、上記反射器
の金属指幅をＬＲ、金属指間隔をＳＲとし、線幅比ηＲ
をηＲ＝ＬＲ／（ＬＲ＋ＳＲ）で表わした場合、０．０
＜ηＲ（０、５となるように、かつ、上記すだれ状電極
の電極指幅をＬＴ、電極指幅間隔をＳＴとし、線幅比η
ＴをηＴ＝ＬＴ／（ＬＴ＋ＳＴ）で表わした場合、ηＴ
＞ηＲとなるように、反射器およびすだれ状電極のパタ
ーンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを用いて
写真製版技術により製造することを特徴とする弾性表面
波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27116385A JPS62130010A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27116385A JPS62130010A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130010A true JPS62130010A (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=17496213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27116385A Pending JPS62130010A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130010A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250412A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH02295212A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPH0426211A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| EP0980138A1 (en) | 1998-02-27 | 2000-02-16 | Toyo Communication Equipment Co. Ltd. | Wideband surface wave filter |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP27116385A patent/JPS62130010A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250412A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH02295212A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPH0426211A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| EP0980138A1 (en) | 1998-02-27 | 2000-02-16 | Toyo Communication Equipment Co. Ltd. | Wideband surface wave filter |
| US6369674B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
| EP0980138B1 (en) * | 1998-02-27 | 2007-10-31 | Epson Toyocom Corporation | Wideband surface wave filter |
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