JPS62130010A - 弾性表面波素子およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子およびその製造方法Info
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- JPS62130010A JPS62130010A JP27116385A JP27116385A JPS62130010A JP S62130010 A JPS62130010 A JP S62130010A JP 27116385 A JP27116385 A JP 27116385A JP 27116385 A JP27116385 A JP 27116385A JP S62130010 A JPS62130010 A JP S62130010A
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- acoustic wave
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/643—Means for obtaining a particular transfer characteristic the transfer characteristic being determined by reflective or coupling array characteristics
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術性+nJ
未発明は、シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬す
る圧電基板上に、金属ストリップによる反射器、すだれ
状Ti、J4ihj、を有する共振子、フィルター、〃
延線等の弾性表面波素子およびその製造方法に関する。
る圧電基板上に、金属ストリップによる反射器、すだれ
状Ti、J4ihj、を有する共振子、フィルター、〃
延線等の弾性表面波素子およびその製造方法に関する。
「従来技術およびその問題点」
弾性表面波素子は、従来軍需用の特殊な用途に使用され
ていたが、近年、FMチューナ、TV等の民生用機器に
も使用され始め、にわかに脚光を浴びるようになってき
た。弾性表面波素子は、具体的には8延素子、発振子、
フィルタなどとして製品化されている。これら各種の弾
性表面波素子の特徴は、小型、軽114で、信頼性が高
いこと、およびその製造工程が集積回路と類似しており
、I11産性に富むことなどである。そして、現在では
欠くべからざる電子部品として1番)産されるに至って
いる。
ていたが、近年、FMチューナ、TV等の民生用機器に
も使用され始め、にわかに脚光を浴びるようになってき
た。弾性表面波素子は、具体的には8延素子、発振子、
フィルタなどとして製品化されている。これら各種の弾
性表面波素子の特徴は、小型、軽114で、信頼性が高
いこと、およびその製造工程が集積回路と類似しており
、I11産性に富むことなどである。そして、現在では
欠くべからざる電子部品として1番)産されるに至って
いる。
圧電体媒体表面を伝搬する・沖に1表面波には種/、1
あるが、−・般的に利用されているのはレイリー(Ra
yleigh)波とよばれるものである。ところで、圧
電基板の性能を評価する指標として、結合係数と温度係
数とがある。結合係数は、’iIi:気エネルギーが振
動エネルギーに変換される効率を表わす指標であり、温
度係数は圧電媒体を伝搬する弾性表面波の伝搬遅江時間
の温度係数を示す指標である。また、弾性表面波には弾
性表面波が伝搬するJE ’ill: )、’;、板の
表層内において、弾性表面波の伝搬する方向と直交する
方向に粒子変位をなすシア−ホリゾンタル型の弾性表面
波があり、1111記結合係数が大きいこと等で注目さ
れはじめている。
あるが、−・般的に利用されているのはレイリー(Ra
yleigh)波とよばれるものである。ところで、圧
電基板の性能を評価する指標として、結合係数と温度係
数とがある。結合係数は、’iIi:気エネルギーが振
動エネルギーに変換される効率を表わす指標であり、温
度係数は圧電媒体を伝搬する弾性表面波の伝搬遅江時間
の温度係数を示す指標である。また、弾性表面波には弾
性表面波が伝搬するJE ’ill: )、’;、板の
表層内において、弾性表面波の伝搬する方向と直交する
方向に粒子変位をなすシア−ホリゾンタル型の弾性表面
波があり、1111記結合係数が大きいこと等で注目さ
れはじめている。
?侍Uj−の弾性表面波素子の用途に、自動車電話等の
移動無線器の高周波化に伴い、電圧制御発振器等に弾性
表面波J(振f−が用いられ、小型、軽量、低コスト化
に役立っているが、周波数可変幅が狭いという問題があ
る。
移動無線器の高周波化に伴い、電圧制御発振器等に弾性
表面波J(振f−が用いられ、小型、軽量、低コスト化
に役立っているが、周波数可変幅が狭いという問題があ
る。
従来技術における金属ストリップを用いた反射器を有す
る弾性表面波素子の−・例として、弾性表面波共振r・
の−・例を第7図にif<す、すなわち、この弾性表面
波共振rは、弾セ1表面波が伝搬する圧電)、(扱1の
I−に・沖性表面波IIjJ振用のすだれ状電極2と、
弾に1表面波の伝搬方向に直角に多数本の金属ストリッ
プを周期的に配列した反射器3.3′を形成して構成さ
れている。そして、すだれ状電極2に特定周波数の電圧
を印加すると、すだれ状電極2の間隙の圧電基板1表面
に電界がかかり、圧電基板1の圧電性により電圧に比例
したひずみが生じ、そのひずみが圧電基板lの材料によ
って定まった音速で表面波として両側に伝搬する。この
表面波は、両側の格子状反射器3,3′によって反射さ
れ、再びすだれ状電極2に帰還して共振がなされるよう
になっている。
る弾性表面波素子の−・例として、弾性表面波共振r・
の−・例を第7図にif<す、すなわち、この弾性表面
波共振rは、弾セ1表面波が伝搬する圧電)、(扱1の
I−に・沖性表面波IIjJ振用のすだれ状電極2と、
弾に1表面波の伝搬方向に直角に多数本の金属ストリッ
プを周期的に配列した反射器3.3′を形成して構成さ
れている。そして、すだれ状電極2に特定周波数の電圧
を印加すると、すだれ状電極2の間隙の圧電基板1表面
に電界がかかり、圧電基板1の圧電性により電圧に比例
したひずみが生じ、そのひずみが圧電基板lの材料によ
って定まった音速で表面波として両側に伝搬する。この
表面波は、両側の格子状反射器3,3′によって反射さ
れ、再びすだれ状電極2に帰還して共振がなされるよう
になっている。
このような弾性表面波共振子は1を気菌等価回路で表わ
すと、水晶振動子の場合と同様に第9図のように表わす
ことができる。第8図において、 G。
すと、水晶振動子の場合と同様に第9図のように表わす
ことができる。第8図において、 G。
はすだれ状電極2の静電容r−であり、インダクタンス
し、容iii、 におよび抵抗Rの直列共振回路は、共
振子の)(振現象を表わしている。また、GoとCとの
比Co/Cを容li1比といい、γで表わす、容jji
比γは、共振子の共振J、’、]波数特性等を決定する
重大なパラメータの−・つであり、γが小さいと電圧制
御発振器に用いた場合、広い周波数範囲にわたり、発振
周波数をi’if変することかできる。容ち11Lγは
、y=(π’ /8に2) 瞼r ・−(、D (r
≧1)T近似することができる、ここで、 k2は前
記の結合係数、rは反射器の性能により決まる定数であ
る。
し、容iii、 におよび抵抗Rの直列共振回路は、共
振子の)(振現象を表わしている。また、GoとCとの
比Co/Cを容li1比といい、γで表わす、容jji
比γは、共振子の共振J、’、]波数特性等を決定する
重大なパラメータの−・つであり、γが小さいと電圧制
御発振器に用いた場合、広い周波数範囲にわたり、発振
周波数をi’if変することかできる。容ち11Lγは
、y=(π’ /8に2) 瞼r ・−(、D (r
≧1)T近似することができる、ここで、 k2は前
記の結合係数、rは反射器の性能により決まる定数であ
る。
r=1は理論限界を表わす。■式よりわかるように、容
品比γは、使用する圧電ノ^板の結合係数および反射器
の性能により決まるが、従来は圧電基板の結合係数のみ
が着目され、反射器の構成等による反射器性能の向」二
に目が向けられておらず。
品比γは、使用する圧電ノ^板の結合係数および反射器
の性能により決まるが、従来は圧電基板の結合係数のみ
が着目され、反射器の構成等による反射器性能の向」二
に目が向けられておらず。
反射器が大きくなり、素子の小型化がはかられず、また
、容量比が大きく、電圧制御発振器に用いた場合、可変
周波数が大きくとれない等の欠点があった。
、容量比が大きく、電圧制御発振器に用いた場合、可変
周波数が大きくとれない等の欠点があった。
従来の反射器の部分拡大図を第8図に示す、すなわち、
反射器に用いる金属ストリップ幅と、金属ストリップ間
隔が大官等しく、反射器の線幅比ηRかηR=0.5と
なるように作られている。これが反射器の性能、具体的
には反射率を本来の特性から劣化させ1反射器全体の反
射率を上げるためには多数本の金属ストリップを用いな
ければならないので素子が大型化し、また、容量比γも
小さくならないという欠点となっていた。
反射器に用いる金属ストリップ幅と、金属ストリップ間
隔が大官等しく、反射器の線幅比ηRかηR=0.5と
なるように作られている。これが反射器の性能、具体的
には反射率を本来の特性から劣化させ1反射器全体の反
射率を上げるためには多数本の金属ストリップを用いな
ければならないので素子が大型化し、また、容量比γも
小さくならないという欠点となっていた。
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、金属
ストリップを用いた反射器の反射率を向上させて素子の
小型化を図り、また、容量比を小さくして電圧制御発振
器に用いた場合、周波数可変幅の拡大、弾性表面波の反
射器を有するフィルターの小型化、低挿入損失化等の性
能改善がなされた弾性表面波素子およびその製造方法を
提供することにある。
ストリップを用いた反射器の反射率を向上させて素子の
小型化を図り、また、容量比を小さくして電圧制御発振
器に用いた場合、周波数可変幅の拡大、弾性表面波の反
射器を有するフィルターの小型化、低挿入損失化等の性
能改善がなされた弾性表面波素子およびその製造方法を
提供することにある。
「発明の構成」
本発明の弾性表面波素子は、シア−ホリゾンタル型の弾
性表面波が伝搬する圧電基板上に、中心間隔が上記弾性
表面波の伝搬波長の略1/2である多数の互いに接続し
ている金属ストリップからなる反射器を備え、上記反射
器の金属指幅をLR1金属指間隔をSRとし、線幅比η
RをηR=LR/(LR+ SR)で表わした場合、0
.0<ηR(0、5とされていることを特徴とする。
性表面波が伝搬する圧電基板上に、中心間隔が上記弾性
表面波の伝搬波長の略1/2である多数の互いに接続し
ている金属ストリップからなる反射器を備え、上記反射
器の金属指幅をLR1金属指間隔をSRとし、線幅比η
RをηR=LR/(LR+ SR)で表わした場合、0
.0<ηR(0、5とされていることを特徴とする。
本発明のさらに改良された弾性表面波素子は、シア−ホ
リゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電基板上に、中
心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略1/2である多
数の互いに接続している金属ストリップからなる反射器
と、少なくとも一組のすだれ状電極とを備え、上記反射
器の金属指幅をLR1金属指間隔をSRとし、線幅比η
RをηR=しR/(LR+ SR)で表わした場合、0
.0<ηRcO、5とされており、かつ、上記すだれ状
電極の電極指幅をLT、電極指幅間隔をSTとし、線幅
比η丁をηT=LT/ (LT + ST)で表わした
場合、ηT〉ηRとされていることを特徴とする。
リゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電基板上に、中
心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略1/2である多
数の互いに接続している金属ストリップからなる反射器
と、少なくとも一組のすだれ状電極とを備え、上記反射
器の金属指幅をLR1金属指間隔をSRとし、線幅比η
RをηR=しR/(LR+ SR)で表わした場合、0
.0<ηRcO、5とされており、かつ、上記すだれ状
電極の電極指幅をLT、電極指幅間隔をSTとし、線幅
比η丁をηT=LT/ (LT + ST)で表わした
場合、ηT〉ηRとされていることを特徴とする。
本発明による弾性表面波素子の製造方法は、シア−ホリ
ゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電ノ1(板」−に
、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略1/2であ
る多数の互いに接続している金属ストリップからなる反
射器を備えた弾性表面波素子の製造方法であって、上記
反射器の金属指幅をLR、金属指間隔をSRとし、線幅
比ηRをηR=LR/ (LR+ SR)で表わした場
合、0.0<ηR<0 、5 となるように、反射器の
パターンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを用
いて写真製版技術により製造することを特徴とする。
ゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧電ノ1(板」−に
、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略1/2であ
る多数の互いに接続している金属ストリップからなる反
射器を備えた弾性表面波素子の製造方法であって、上記
反射器の金属指幅をLR、金属指間隔をSRとし、線幅
比ηRをηR=LR/ (LR+ SR)で表わした場
合、0.0<ηR<0 、5 となるように、反射器の
パターンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを用
いて写真製版技術により製造することを特徴とする。
本発明のさらに改良されたり1性表面波素子の製造方法
は、シア−ホリゾンタル型のり1性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
1/2である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子の製造方法において、−に記反射
器の金属指幅をLR1金属指間隔をSRとし、線幅比η
RをηR=LR/ (LR+ SR)で表わした場合、
0.0〈ηR(0,5となるように、かつ、」1記すだ
れ状電極の電極指幅をLT、電極指幅間隔をSTとし、
線幅比ηTをηT;LT/(LT+ ST)で表わした
場合、9丁>ηRとなるように、反射器およびすだれ状
電極のパターンの線幅比を設定して作成したフォトマス
クを用いて写真製版技術により製造することを特徴とす
る。
は、シア−ホリゾンタル型のり1性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
1/2である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子の製造方法において、−に記反射
器の金属指幅をLR1金属指間隔をSRとし、線幅比η
RをηR=LR/ (LR+ SR)で表わした場合、
0.0〈ηR(0,5となるように、かつ、」1記すだ
れ状電極の電極指幅をLT、電極指幅間隔をSTとし、
線幅比ηTをηT;LT/(LT+ ST)で表わした
場合、9丁>ηRとなるように、反射器およびすだれ状
電極のパターンの線幅比を設定して作成したフォトマス
クを用いて写真製版技術により製造することを特徴とす
る。
本発明のI/l′l性表面波大表面波素子射器のパター
ンを上記のように設定することにより、反射器の反射率
を向]−させることができる。また、反射器およびすだ
れ状電極のパターンを」1記のように設定することによ
り、共振抵抗や通過帯域外減衰:lシを安定にし1小型
で容X11比の小さいものか得られる。また、未発明の
弾性表面波素子の製造方法では、上記のようなパターン
を有する弾性表面波素子を高粘度かつ簡便に製造するこ
とができる。
ンを上記のように設定することにより、反射器の反射率
を向]−させることができる。また、反射器およびすだ
れ状電極のパターンを」1記のように設定することによ
り、共振抵抗や通過帯域外減衰:lシを安定にし1小型
で容X11比の小さいものか得られる。また、未発明の
弾性表面波素子の製造方法では、上記のようなパターン
を有する弾性表面波素子を高粘度かつ簡便に製造するこ
とができる。
さらに、に記反射盟やすだれ状電極の形状を実効的に模
した検査用パターンをフォトマスクに設けておくことに
より、電気的方法、機械的方法、光学的方法等により高
精度かつ簡便に線幅比を414゛iテすることができ、
素f−の良否をエンチング直後に行なうことができる。
した検査用パターンをフォトマスクに設けておくことに
より、電気的方法、機械的方法、光学的方法等により高
精度かつ簡便に線幅比を414゛iテすることができ、
素f−の良否をエンチング直後に行なうことができる。
未発明において、金属ストリップからなる反射X)やす
だれ状電極は同一の金属で形成することが&I’ましい
か、反射器の特性、プロセスの容易性、コスト等の面か
ら、金属としてはA1またはA1合金かi!fましく、
あるいはA1またはA1合金と高融点金属との多層膜構
造とすることか好ましい。
だれ状電極は同一の金属で形成することが&I’ましい
か、反射器の特性、プロセスの容易性、コスト等の面か
ら、金属としてはA1またはA1合金かi!fましく、
あるいはA1またはA1合金と高融点金属との多層膜構
造とすることか好ましい。
「発明の実施例」
実施例1
第1図、第2図および第3図には1本発明を弾性表面波
共振了−に適用した−・実施例が示されており、第1図
は上面図、第2図は断面図、第3図は反射器部分の部分
拡大断面図である。
共振了−に適用した−・実施例が示されており、第1図
は上面図、第2図は断面図、第3図は反射器部分の部分
拡大断面図である。
鏡面研磨を施した36度回転Y輛カントのタンタル酸リ
チウムをシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する
圧電基板lとして用い、その■−にA1を膜厚2000
人となるようにスパッタ蒸着した。次いで、反射器3.
3“の線幅比ηRおよびすだれ状電極2の線幅比η丁を
予め変えて作ったフォトマスクを用い、パターンをフォ
トレジストに転写して、通常の湿式エツチング法により
反射器3.3′およびすだれ状電極2をパターン形成し
た。この際に、反射器3.3′およびすだれ状電極2を
模した検査用パターンも−・緒に形成した。この検査用
パターンに光学的手法を用いて′A11定した線幅比に
よる弾性表面波共振子の特性を第1表に示す。なお、伝
搬方向は大略X軸方向であった。また、この弾性表面波
共振子は1反射器3.3°のWいに接続している金属ス
トリップの数が200本、すだれ状電極2の対数は10
対、反射器3.3°およびすだれ状電極2のピッチは約
4μmであり、共振周波数は約510 MHzであった
。
チウムをシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する
圧電基板lとして用い、その■−にA1を膜厚2000
人となるようにスパッタ蒸着した。次いで、反射器3.
3“の線幅比ηRおよびすだれ状電極2の線幅比η丁を
予め変えて作ったフォトマスクを用い、パターンをフォ
トレジストに転写して、通常の湿式エツチング法により
反射器3.3′およびすだれ状電極2をパターン形成し
た。この際に、反射器3.3′およびすだれ状電極2を
模した検査用パターンも−・緒に形成した。この検査用
パターンに光学的手法を用いて′A11定した線幅比に
よる弾性表面波共振子の特性を第1表に示す。なお、伝
搬方向は大略X軸方向であった。また、この弾性表面波
共振子は1反射器3.3°のWいに接続している金属ス
トリップの数が200本、すだれ状電極2の対数は10
対、反射器3.3°およびすだれ状電極2のピッチは約
4μmであり、共振周波数は約510 MHzであった
。
第1表
第1表によれば、容品2比は、反射器3.3°の線幅比
ηRが小さくなるに従い小さくなることがわかる。すな
わち、反射器の反射率があがっていることを示している
。
ηRが小さくなるに従い小さくなることがわかる。すな
わち、反射器の反射率があがっていることを示している
。
また、他の実施例として、前記実施例と同様の構凸であ
るが、反射器3.3°を構成する金属ストリップの本数
を150本に減らして作成した。すだれ状+lj極2の
線幅比を1);i記実施例と同様に0.5にしたとき、
反射器3゜3゛の線幅比ηRが0,5では容に比が15
%程度大きくなり、ηRが0.3以下ではほとんど変化
はなかった。
るが、反射器3.3°を構成する金属ストリップの本数
を150本に減らして作成した。すだれ状+lj極2の
線幅比を1);i記実施例と同様に0.5にしたとき、
反射器3゜3゛の線幅比ηRが0,5では容に比が15
%程度大きくなり、ηRが0.3以下ではほとんど変化
はなかった。
このことより、本発明による反射器3.3°の反射率は
従来例より極めて大きいことがわかり、低容l賃比化お
よび小型化に極めて有効であるといえる。この場合、η
Rの大きさは1本発明の範囲である0、0<ηR(0,
5であれば特性が従来例より優れるのは明確であるが1
本発明の効果を充分に得るためにはηRは0.45以下
が好ましく、一方、ηRをあまり小さくすると反射器を
構成する金属ストす、ブの断線が生じるri(能性が増
し、歩留りが低下するため、ηRは0.1以」−が好ま
しい。
従来例より極めて大きいことがわかり、低容l賃比化お
よび小型化に極めて有効であるといえる。この場合、η
Rの大きさは1本発明の範囲である0、0<ηR(0,
5であれば特性が従来例より優れるのは明確であるが1
本発明の効果を充分に得るためにはηRは0.45以下
が好ましく、一方、ηRをあまり小さくすると反射器を
構成する金属ストす、ブの断線が生じるri(能性が増
し、歩留りが低下するため、ηRは0.1以」−が好ま
しい。
−[−記の特性は、Al−3i(Si 1〜3%) 、
Al[:u(CuO,5〜4$) 、 AI−Ti(
Ti0.5〜2%) (7)AI合金テ形IAした電極
材料や、 Or、Mo、 W 、 Ti等の高融点金属
を20〜400人の厚さに形成し、その上にA1や」二
足A1合金を形成した多層構造の電極材料や、さらにそ
の!−にCr、 No、W、Ti等の高融点金属を50
〜500人の厚さに形成した多層構造の電極材才1を用
いた場合にも同様な傾向を示した。したがって、本発明
で得られる効果はjli極材料には依存しないことかわ
かる。
Al[:u(CuO,5〜4$) 、 AI−Ti(
Ti0.5〜2%) (7)AI合金テ形IAした電極
材料や、 Or、Mo、 W 、 Ti等の高融点金属
を20〜400人の厚さに形成し、その上にA1や」二
足A1合金を形成した多層構造の電極材料や、さらにそ
の!−にCr、 No、W、Ti等の高融点金属を50
〜500人の厚さに形成した多層構造の電極材才1を用
いた場合にも同様な傾向を示した。したがって、本発明
で得られる効果はjli極材料には依存しないことかわ
かる。
実施例2
実施例1のシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬す
る圧電基板1を41度回転Y軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略X軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、」二足と同様に特性を測定した結
果、その特性は実施例1と同様な傾向を示した。
る圧電基板1を41度回転Y軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略X軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、」二足と同様に特性を測定した結
果、その特性は実施例1と同様な傾向を示した。
実施例3
実施例1のシア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬す
る圧電基板lを64度回転Y軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略X軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、上記と同様に特性を測定した結果
、その特性は実施例1と同様な傾向を示した。
る圧電基板lを64度回転Y軸カットのニオブ酸リチウ
ムに代えて大略X軸方向に伝搬するように作製した弾性
表面波素子について、上記と同様に特性を測定した結果
、その特性は実施例1と同様な傾向を示した。
このように、本発明においては、シア−ホリゾンタル型
の弾性表面波が伝搬する圧電基板1として、カット角、
伝搬方向の異なる各種のものを採用することができる。
の弾性表面波が伝搬する圧電基板1として、カット角、
伝搬方向の異なる各種のものを採用することができる。
実施例4
第4図には本発明を共振型フィルターに適用したさらに
他の実施例が示されている。この共振型フィルターは、
2組のすだれ状電極2.2°を有し、その外側に反射器
3.3′が形成されている。
他の実施例が示されている。この共振型フィルターは、
2組のすだれ状電極2.2°を有し、その外側に反射器
3.3′が形成されている。
この共振型フィルターにおいて、すだれ状電極2.2°
の線幅比1丁を0.5と−・定にし、反射器3.3′の
線幅比ηRを変えてその特性を測定した結果を第2表に
示す。
の線幅比1丁を0.5と−・定にし、反射器3.3′の
線幅比ηRを変えてその特性を測定した結果を第2表に
示す。
第2表
第2表より明らかなように1反射Z+3.3’の線幅比
ηRを小さくするに従って、反射器3.3゛の反射率が
大きくなり、フィルターの挿入損失が小さくなっていく
ことがわかる。
ηRを小さくするに従って、反射器3.3゛の反射率が
大きくなり、フィルターの挿入損失が小さくなっていく
ことがわかる。
なお、この実施例の圧電基板1は、36度Yカットのタ
ンタル酸リチウムであり、弾性表面波の伝搬方向は大略
X軸方向である。しかし、他の圧電基板を用いた場合も
同様な傾向が得られた。
ンタル酸リチウムであり、弾性表面波の伝搬方向は大略
X軸方向である。しかし、他の圧電基板を用いた場合も
同様な傾向が得られた。
ところで、すだれ状電極の線幅比1丁には望ましくは以
下に述へるような制限が設けられる。
下に述へるような制限が設けられる。
第5図には、すだれ状電極の線幅比1丁と、電極容量と
の関係が示されている。これによると、すだれ状電極の
線幅比1丁を大きくすると電極容量が大きくなり、結果
的に容量比が大きくなる。
の関係が示されている。これによると、すだれ状電極の
線幅比1丁を大きくすると電極容量が大きくなり、結果
的に容量比が大きくなる。
また、帯域外減衰量も劣化する。
第6図には、すだれ状電極の線幅比ηTと放射コンダク
タンスとの関係が示されている。ここで、放射コンダク
タンスは、例えば弾性表面波共振子の共振抵抗と逆比例
の関係がある0弾性表面波共振子の共振抵抗は一般に小
さいほうがよいが、そのため′にはすだれ状電極の放射
コンダクタンスは大きいほうがよい。
タンスとの関係が示されている。ここで、放射コンダク
タンスは、例えば弾性表面波共振子の共振抵抗と逆比例
の関係がある0弾性表面波共振子の共振抵抗は一般に小
さいほうがよいが、そのため′にはすだれ状電極の放射
コンダクタンスは大きいほうがよい。
以I−のことから、すだれ状電極のm幅比ηTは、0.
3≦ηT≦0.7の範囲が容量比、共振抵抗の点より好
ましいといえる。
3≦ηT≦0.7の範囲が容量比、共振抵抗の点より好
ましいといえる。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、互いに接続して
いる金属ストリップを用いた反射器の線幅比を小さくす
ることにより1反射器の反射率を大きくすることができ
る。したがって、弾性表面波共振子に適用した場合、容
を比や共振抵抗が小さくなるので、漏子を小型化するこ
とが可能となり、電圧制御発振器などに適用すれば周波
数可変幅が従来例より格段に広くなる。また、共振型フ
ィルターに適用すれば、従来より小型でかつ低損失の素
子が得られる。
いる金属ストリップを用いた反射器の線幅比を小さくす
ることにより1反射器の反射率を大きくすることができ
る。したがって、弾性表面波共振子に適用した場合、容
を比や共振抵抗が小さくなるので、漏子を小型化するこ
とが可能となり、電圧制御発振器などに適用すれば周波
数可変幅が従来例より格段に広くなる。また、共振型フ
ィルターに適用すれば、従来より小型でかつ低損失の素
子が得られる。
第1図は本発明を弾性表面波共振子に適用した−・実施
例を示す平面図、第2図は回り1性表面波共振子の断面
図、第3図は同弾性表面波共振子の部分拡大断面図、第
4図は本発明を共振型フィルターに適用した他の実施例
を示すf面図、第5図はすだれ状電極の線幅比を変えた
場合の電極間合にの変化を示す特性図表、第6図はすだ
れ状電極の線幅比を変えた場合の放射コンダクタンスの
変化を示す特性図表、第7図は従来の弾性表面波共振子
を示す・F tni図、第8図は回弾性表面波」(振子
の部分拡大断面図、fjS9図は弾性表面波素子の電気
的等価回路図である。 図中、1は圧’屯)、’;板、2.2′はすだれ状電極
、3.3゛は反射器である。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人 j「埋土 三油邦夫 回 弁理−ト 松井 茂 第1図 第2図 第3区 第4図 オス 情 に (1T) 第5図 1線 幅 化(’7T) 第6図
例を示す平面図、第2図は回り1性表面波共振子の断面
図、第3図は同弾性表面波共振子の部分拡大断面図、第
4図は本発明を共振型フィルターに適用した他の実施例
を示すf面図、第5図はすだれ状電極の線幅比を変えた
場合の電極間合にの変化を示す特性図表、第6図はすだ
れ状電極の線幅比を変えた場合の放射コンダクタンスの
変化を示す特性図表、第7図は従来の弾性表面波共振子
を示す・F tni図、第8図は回弾性表面波」(振子
の部分拡大断面図、fjS9図は弾性表面波素子の電気
的等価回路図である。 図中、1は圧’屯)、’;板、2.2′はすだれ状電極
、3.3゛は反射器である。 特許出願人 アルプス電気株式会社 代理人 j「埋土 三油邦夫 回 弁理−ト 松井 茂 第1図 第2図 第3区 第4図 オス 情 に (1T) 第5図 1線 幅 化(’7T) 第6図
Claims (6)
- (1)シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
1/2である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器を備えた弾性表面波素子において、上記
反射器の金属指幅をLR、金属指間隔をSRとし、線幅
比ηRをηR:LR/(LR+SR)で表わした場合、
0.0<ηR<0.5とされていることを特徴とする弾
性表面波素子。 - (2)特許請求の範囲第1項において、0.1≦ηR≦
0.45とされている弾性表面波素子。 - (3)シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
1/2である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子において、上記反射器の金属指幅
をLR、金属指間隔をSRとし、線幅比ηRをηR:L
R/(LR+SR)で表わした場合、0.5<ηR<1
.0とされており、かつ、上記すだれ状電極の電極指幅
をLT、電極指幅間隔をSTとし、線幅比ηTをηT=
LT/(LT+ST)で表わした場合、ηT>ηRとさ
れていることを特徴とする弾性表面波素子。 - (4)特許請求の範囲第3項において、0.1≦ηR≦
0.45とされ、かつ、0.3≦ηT≦0.7とされて
いる弾性表面波素子。 - (5)シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
1/2である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器を備えた弾性表面波素子の製造方法にお
いて、上記反射器の金属指幅をLR、金属指間隔をSR
とし、線幅比ηRをηR=LR/(LR+SR)で表わ
した場合、0.0<ηR<0.5となるように、反射器
のパターンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを
用いて写真製版技術により製造することを特徴とする弾
性表面波素子の製造方法。 - (6)シア−ホリゾンタル型の弾性表面波が伝搬する圧
電基板上に、中心間隔が上記弾性表面波の伝搬波長の略
1/2である多数の互いに接続している金属ストリップ
からなる反射器と、少なくとも一組のすだれ状電極とを
備えた弾性表面波素子の製造方法において、上記反射器
の金属指幅をLR、金属指間隔をSRとし、線幅比ηR
をηR=LR/(LR+SR)で表わした場合、0.0
<ηR(0、5となるように、かつ、上記すだれ状電極
の電極指幅をLT、電極指幅間隔をSTとし、線幅比η
TをηT=LT/(LT+ST)で表わした場合、ηT
>ηRとなるように、反射器およびすだれ状電極のパタ
ーンの線幅比を設定して作成したフォトマスクを用いて
写真製版技術により製造することを特徴とする弾性表面
波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27116385A JPS62130010A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27116385A JPS62130010A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62130010A true JPS62130010A (ja) | 1987-06-12 |
Family
ID=17496213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27116385A Pending JPS62130010A (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62130010A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02250412A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH02295212A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
JPH0426211A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
EP0980138A1 (en) | 1998-02-27 | 2000-02-16 | Toyo Communication Equipment Co. Ltd. | Wideband surface wave filter |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP27116385A patent/JPS62130010A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02250412A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH02295212A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
JPH0426211A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
EP0980138A1 (en) | 1998-02-27 | 2000-02-16 | Toyo Communication Equipment Co. Ltd. | Wideband surface wave filter |
US6369674B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
EP0980138B1 (en) * | 1998-02-27 | 2007-10-31 | Epson Toyocom Corporation | Wideband surface wave filter |
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