JP2002368573A

JP2002368573A - 超薄板圧電振動子及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002368573A
Application number: JP2001173339A
Authority: JP
Inventors: Osamu Ishii; 修石井
Original assignee: Toyo Communication Equipment Co Ltd
Current assignee: Toyo Communication Equipment Co Ltd
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2001-06-08
Publication date: 2002-12-20

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】電極膜厚制御が容易で、ワイヤボンディング
による外部との導通を図ることができ、更に、ＣＩ値
（クリスタル・インピーダンス）の増大を防止すること
を可能とした電極構造を備えた超薄板圧電振動子を提供
することを目的とする。【解決手段】薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板圧電振動子において、
主凹陥部内であって、且つ、平坦側の励振用主電極と対
向する位置に更に副凹陥部を設け、励振用主電極が配置
される部位の圧電素板の厚みを更に薄くせしめた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は圧電振動子に関し、
殊に１００ＭＨｚ以上の高い基本波共振周波数を有し、
ＣＩ値の劣化を防止し、且つ、良好な共振特性を得るに
好適な電極構造を備えた超薄板圧電振動子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種電子機器や伝送通信機器にお
ける情報量の増大と処理速度の高速化に伴って、それら
の機器に用いる基準周波数信号源として機能する圧電振
動子に対して、高周波化及び高い周波数安定度の要求が
著しくなっている。こうした背景のなか、従来から圧電
振動子や圧電フィルタとして多用されてきた一般的なＡ
Ｔカット水晶振動子は周波数温度特性は極めて優れてい
るものの、ＡＴカット水晶圧電板の厚みすべり振動を利
用しているため、その共振周波数は板厚に反比例する、
つまり周波数が高くなればなるほどＡＴカット水晶基板
の厚みは薄くなることから、基板の製造技術及び基板の
耐衝撃性等の機械的強度の観点から基板の厚みが約３０
μｍの５５ＭＨｚ程度が上限であった。

【０００３】そこで、更に高い周波数信号を得る手段と
して、ＡＴカット水晶振動子の高調波成分を抽出して基
本波共振周波数の奇数倍の周波数を出力する、所謂オー
バートーン周波数発振回路が知られている。しかし、オ
ーバートーン信号を選択するために、発振回路にコイル
を含むＬＣ同調回路を備える必要があるが、発振回路を
半導体集積回路化して小型化する際、周知の通りコイル
は集積化の上で不都合である。また、オーバートーン発
振回路は、必然的に、ＡＴカット水晶振動子の容量比γ
が大きなるため発振周波数の可変範囲が狭まること、且
つインピーダンスレベルが高くなり発振することが困難
である等のデメリットがあった。

【０００４】一方、圧電性を有する基板上に導電性材料
を用いてすだれ状電極（Interdigital Transducer：以
下、ＩＤＴ）を形成してなる弾性表面波（Surface Acou
sticWave：以下、ＳＡＷ）共振子を用いて、高い周波数
信号を得る手段も知られている。即ち、ＳＡＷ共振子
は、共振周波数とＩＤＴのピッチとが反比例の関係に有
り、近年のフォトリソグラフィ技術の進歩によって高精
細なＩＤＴを形成することが可能であることから、共振
周波数は１〜２ＧＨｚ程度まで可能となった。しかし、
ＳＡＷ共振子に用いる圧電基板の周波数温度特性がＡＴ
カット水晶基板の周波数温度特性に比べて著しく劣るた
め、高い周波数安定度を必要とする基準周波数信号源に
は適用できなかった。

【０００５】そこで、本願出願人は、前述したＡＴカッ
ト水晶振動子の基本波共振周波数上限５５ＭＨｚを上げ
るために、フォトリソグラフィ技術やエッチング等の技
法を用いて図３に示すような凹陥型の水晶基板からなる
高周波圧電振動子を提案し、超薄板圧電振動子として既
に量産中である。図３（ａ）は超薄板圧電振動子の構成
を示す平面図であり、図３（ｂ）はそのＡ−Ａにおける
断面図である。ＡＴカット水晶基板１は、凹陥部２の内
底面の振動部３と前記振動部３の周囲を支持する環状囲
繞部４との一体形成からなり、更に、ＡＴカット水晶基
板１の平坦側の主面上に、振動部３に対向する所定の部
位に励振用主電極５、前記励振用主電極５から延出した
リード電極６、リード電極６と接続したワイヤボンディ
ング用パッド電極７とを形成し、凹陥部２の側壁を含む
凹陥側の全面には全面電極８を形成している。

【０００６】以下に、図４に従って、前記超薄板圧電振
動子の製造工程について説明する。図４（ａ）に示すよ
うにＡＴカット水晶基板９の両主面にフォトリソグラフ
ィ技術により保護膜１０を形成し、凹陥を形成すべき所
定の部位１１のみ水晶基板を露出させる。図４（ｂ）に
示すように水晶基板が露出した部位１１にエッチングを
施し凹陥せしめ、該凹陥部２の内底面の厚さを所望の厚
みになるまでエッチングし、超薄肉の振動部３を形成す
ると共に、該振動部３の周囲を支持する厚肉の環状囲繞
部４を一体的に形成した後、保護膜１０を剥離する。

【０００７】尚、超薄肉の振動部３のエッチングされた
平面は水晶基板１の他方の主面と平行にエッチングされ
る性質があるため、良好な平面度、平行度を有する振動
部３を形成することができる。

【０００８】次に、図４（ｃ）に示すように、凹陥部２
側全面に真空蒸着やスパッタ成膜等により導体膜を形成
し全面電極８とし、平坦側の主面上には、真空蒸着、ス
パッタ成膜、フォトリソグラフィ技法等を用いて、振動
部３のほぼ中央部に主電極５、該主電極５から延出する
リード電極６及び外部との電気的接続を図るためのワイ
ヤボンディング用パッド電極７を同時に形成し、共振周
波数の極めて高いＡＴカット水晶振動子を実現してい
る。

【０００９】前述したように厚み滑り振動をするＡＴカ
ット水晶振動子の共振周波数ｆは、振動部３の厚みｔに
反比例し、その関係式は、周知の通り、次式で表すこと
ができる。ｆ＝ｋ／ｔ尚、共振周波数ｆの単位はＭＨｚ、厚みｔの単位はμｍ
であり、定数ｋは、ＡＴカット水晶基板の場合、１６７
０ＭＨｚ・μｍである。

【００１０】例えば、基本波共振周波数１００ＭＨｚの
超薄板圧電振動子を実現するためには、ＡＴカット水晶
基板の厚みｔは約１７μｍとなり、前記ＡＴカット水晶
基板１の一方の主面の中央部に形成する凹陥部２の内底
面、つまり振動部３の厚みｔが約１７μｍとなるまでエ
ッチングすることになる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ＡＴカット水晶振動子
において、質量負荷効果により圧電基板に設けた電極部
分のみに振動エネルギーを閉じ込めた「エネルギー閉じ
込め型圧電振動子」が研究され、実用化されていること
は周知の通りである。

【００１２】上述した如き高周波化を可能とした超薄板
圧電振動子において、「振動エネルギー閉じ込め型圧電
振動子」を適用する場合、薄くなった振動部の板厚、つ
まりＡＴカット水晶基板１の凹陥部２の内底面に位置す
る振動部３の板厚に準じて、電極膜厚も薄くする必要が
ある。

【００１３】即ち、１００ＭＨｚ以上の基本波共振周波
数が振動するよう、エネルギー閉じ込め効果を考慮して
設計を行うと、電極膜厚は３０ｎｍ以下の超薄膜とな
る。

【００１４】しかしながら、現在の製造プロセスにおい
ては、圧電基板へ導電膜を成膜する際の膜厚コントロー
ルが非常に困難であるという問題や前記ワイヤボンディ
ング用パッド電極７と外部との間で信号を導出或は導入
するためにワイヤボンディングによって結線を行うため
には、少なくとも５０ｎｍ以上の電極膜厚が必要であり
ワイヤボンディングの工程で支障をきたすという問題が
あった。

【００１５】更には、電極膜厚が３０μｍ以下と非常に
薄い薄膜であることから、抵抗損失が大きく、更にリー
ド電極６においては他の電極より細幅であるために抵抗
損失がより大きくなってしまう。即ち、電極膜厚の薄さ
に起因する抵抗損失によって、超薄板圧電振動子のＣＩ
値（クリスタル・インピーダンス＝水晶振動子の等価抵
抗）が大きくなってしまうという問題があった。

【００１６】そこで、３０μｍ以下という非常に薄い電
極膜厚に鑑みて、凹陥型の水晶基板の平坦側に形成した
励振電極直下のみに更に副凹陥部を設けることによっ
て、エネルギー閉じ込め効果を得ると共に、５０ｎｍ以
上の電極膜厚を可能とした構造も提案されている。しか
し、ＡＴカット水晶基板には、結晶軸方向により異方性
を有するため、エッチングを行い凹陥部を形成した時、
図５（ｂ）に示すようにＸ軸方向のＡ−Ａ断面図におけ
る凹陥部側壁の傾斜度θＡと図５（ｃ）に示すように
Ｚ'軸方向のＢ−Ｂ断面図における凹陥部側壁の傾斜度
θＢでは、傾斜度が異なり、θＢ＜θＡとなる性質を有
している。

【００１７】即ち、副凹陥部内底面に形成した励振用電
極からボンディング用パッド電極まで延出して形成した
リード電極が凹陥部側壁で、水晶の結晶軸方向によって
は断線してしまうという問題があり、量産に当たって、
結晶軸方向を管理する工程を加えなければならなかっ
た。

【００１８】よって、本発明は、上述した従来の超薄板
圧電振動子に関する諸問題を解決するためになされたも
のであって、現在の製造プロセスにおいて充分成膜コン
トロールが可能であり、ワイヤボンディングも可能な電
極膜厚を有し、且つ、電極の薄膜化による抵抗損失も防
止した電極構造を備えた超薄板圧電振動子を提供するこ
とを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係る超薄板圧電振動子及びその製造方法の請
求項１記載の発明は、薄肉の振動部と前記振動部の周囲
を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その
断面構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板圧電振動子にお
いて、主凹陥部内であって、且つ、平坦側の励振用主電
極と対向する位置に更に副凹陥部を設け、励振用主電極
が配置される部位の圧電基板の厚みを更に薄くしたこと
を特徴としている。

【００２０】請求項2記載の発明は、薄肉の振動部と前
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板
圧電振動子において、主凹陥部内であって、且つ、平坦
側の励振用主電極と対向する位置に更に副凹陥部を設
け、励振用主電極が配置される部位の圧電基板の厚みを
更に薄くし、凹陥側全面を全面電極としたことを特徴と
している。

【００２１】請求項3記載の発明は、薄肉の振動部と前
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型のＡＴカ
ット水晶基板を用いた超薄板圧電振動子において、主凹
陥部内であって、且つ、平坦側の励振用主電極と対向す
る位置に更に副凹陥部を設け、励振用主電極が配置され
る部位の圧電基板の厚みを更に薄くしたことを特徴とし
ている。

【００２２】請求項4記載の発明は、薄肉の振動部と前
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型のＡＴカ
ット水晶基板を用いた超薄板圧電振動子において、主凹
陥部内であって、且つ、平坦側の励振用主電極と対向す
る位置に更に副凹陥部を設け、励振用主電極が配置され
る部位の圧電基板の厚みを更に薄くし、凹陥側全面を全
面電極としたことを特徴としている。

【００２３】請求項5記載の発明は、薄肉の振動部と前
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型の超薄板
圧電振動子において、圧電基板の所定の位置に所望の寸
法と深さの副凹陥部に相当する凹陥をフォトリソグラフ
ィ及びエッチング技法により形成する工程と、前記凹陥
を含む前記圧電基板主面に所望の大きさの主凹陥部をフ
ォトリソグラフィ及びエッチング技法により形成する工
程と、平坦側主面の副凹陥部に対向する部位に該副凹陥
部の外形とほぼ同一の寸法、且つ、所望の膜厚を有する
励振用主電極、該励振用主電極から延出したリード電
極、及び前記主面端部の所望部位に位置し前記リード電
極に接続したパッド電極とを一体形成する工程と、凹陥
側全面に全面電極を形成する工程とを備えたことを特徴
とする超薄板圧電振動子の製造方法である。

【００２４】請求項6記載の発明は、薄肉の振動部と前
記振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲繞部とを一体的
に構成し、その断面構造が凹型若しくは逆凹型のＡＴカ
ット水晶基板を用いた超薄板圧電振動子において、圧電
基板の所定の位置に所望の寸法と深さの副凹陥部に相当
する凹陥をフォトリソグラフィ及びエッチング技法によ
り形成する工程と、該凹陥を含む前記圧電基板主面に所
望の大きさの主凹陥部をフォトリソグラフィ及びエッチ
ング技法により形成する工程と、平坦側主面の副凹陥部
に対向する部位に該副凹陥部の外形とほぼ同一の寸法、
且つ、所望の膜厚を有する励振用主電極、該励振用主電
極から延出したリード電極、及び前記主面端部の所望部
位に位置し前記リード電極に接続したパッド電極とを一
体形成する工程と、凹陥側全面に全面電極を形成する工
程とを備えたことを特徴とする超薄板圧電振動子の製造
方法である。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、図示した実施の形態例に基
づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係る
超薄板圧電振動子の電極構造を示す図であって、図１
（ａ）はその平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ａに
おける断面図である。ＡＴカット水晶基板１２は、主凹
陥部１３、主凹陥部１３の内底面に形成された副凹陥部
１４、及び主凹陥部１３の内底面の超薄肉部の周囲を支
持する厚肉の環状囲繞部１５との一体形成からなり、更
に、ＡＴカット水晶基板１２の平坦側の主面上に、副凹
陥部１４に対向する部位に副凹陥部の外形と同寸法（Ｌ
１，Ｌ２）の励振用主電極１６、前記励振用主電極１６
から延出したリード電極１７、リード電極１７と接続し
たワイヤボンディング用パッド電極１８とを形成し、凹
陥側全面には全面電極１９を形成している。

【００２６】以下に、図２に従って、前記超薄板圧電振
動子の製造工程について説明する。図２（ａ）の如くＡ
Ｔカット水晶基板２０の両主面にフォトリソグラフィ技
術により保護膜２１を形成し、副凹陥部１４に相当する
凹陥を形成する所定の部位２２のみ水晶基板を露出させ
る。図２（ｂ）の如く水晶基板が露出した部位２２に所
要の深さまでエッチングを行い凹陥部２３を形成後、図
２（ｃ）に示すように保護膜２１を剥離する。次に、図
２（ｄ）の如くＡＴカット水晶基板２４の両主面にフォ
トリソグラフィ技術により保護膜２５を形成し、前記凹
陥部２３を含む所定の部位２６のみ水晶基板を露出させ
る。そして、図２（ｅ）の如く水晶基板が露出した部位
２６に所要の深さまでエッチングを行い、図２（ｆ）に
示すような超薄肉部２７とその周囲を支持する厚肉の環
状囲繞部２８を一体的に形成した後、保護膜２５を剥離
する。このとき、ＡＴカット水晶基板１２には、主凹陥
部１３とその内底面に副凹陥部１４が形成されている。

【００２７】エッチングされた凹陥側の平面は水晶基板
１２の平坦側の主面と平行にエッチングされる性質があ
るので、主凹陥部１３を形成した時、図２（ｃ）の凹陥
部２３に相当する副凹陥部１４を確実に形成することが
できる。尚、凹陥形成において、本実施例においてエッ
チング技法を用いているが、本発明は、これに限定され
るものではなく機械加工等の技術によって凹陥を形成し
てもよい。

【００２８】ここで、ＡＴカット水晶基板２０に、先ず
副凹陥部に相当する凹陥２３を形成して、その後に主凹
陥部１３を形成した理由は、初めに主凹陥部１３を形成
した後に副凹陥部１４を形成する工法では、主凹陥部１
３形成後の副凹陥部１４を形成するためのフォトリソグ
ラフィを行う際に保護膜を塗布する工程で、ＡＴカット
水晶基板に形成された主凹陥部の深さが副凹陥部の深さ
に比べて、極めて大きいために均一に保護膜を形成でき
ず保護膜にムラができてしまい、結果的に高精度なバラ
ツキのない副凹陥部を形成できないという問題があるか
らである。

【００２９】次に、図２（ｇ）に示すように、凹陥側全
面に真空蒸着やスパッタ成膜等により導体膜を形成し全
面電極１９とし、平坦側の主面上には、電極形状がかた
どられたマスク等を用いた真空蒸着やスパッタ成膜、或
はフォトリソグラフィ技法等を用いて、副凹陥部１４に
対向する部位に副凹陥部１４の外形とほぼ同寸法（Ｌ
１，Ｌ２）の励振用主電極１６、該励振用主電極１６か
ら延出するリード電極１７及び外部との電気的接続を図
るためのワイヤボンディング用パッド電極１８を同時に
形成する。

【００３０】尚、副凹陥部の深さ、つまりエッチング量
Δｔは以下の式によって求めることができる。 Δｔ＝（ｔｅ１−ｔｅ２）×（ρｅ／ρｘ）ここで、上記各パラメータは、Δｔ：エッチング量，ｔ
ｅ１：電極膜厚，ｔｅ２：エネルギー閉じ込めに要する
設計上の電極膜厚，ρｅ：電極材料の密度，ρｘ：水晶
の密度である。

【００３１】一例として、数値を用いて説明するなら
ば、基本波共振周波数が１００ＭＨｚのＡＴカット水晶
振動子を設計する場合、電極材料を金、電極膜厚ｔｅ１
を１００ｎｍ、エネルギー閉じ込めに要する設計上の電
極膜厚ｔｅ２を３０ｎｍ、金の密度ρｅを１９．３ｋｇ
／ｍ^３、水晶の密度ρｘを２．６５ｋｇ／ｍ^３とすれ
ば、前述の式から、エッチング量Δｔは約５１０ｎｍと
求めることができる。

【００３２】上述の如く構成することによって、平坦側
に形成する励振用主電極１６，リード電極１７，及びボ
ンディング用パッド電極１８の電極膜厚を、導電膜を成
膜する工程においては成膜コントロール可能な範囲内
で、そしてワイヤボンディンク工程においてはボンディ
ングが可能である５０ｎｍ以上の電極膜を備えた共振周
波数の極めて高いＡＴカット水晶振動子を実現すること
ができる。

【００３３】更に、電極膜厚を５０ｎｍ以上とすること
が可能となったので、抵抗損失の増大を招くことなくＣ
Ｉ値の劣化も防止することができる。

【００３４】また、本発明では、励振用主電極からボン
ディング用パッド電極まで延出したリード電極はＡＴカ
ット水晶基板の平坦側に形成されているので断線するこ
とはなく、また凹陥側も全面電極としたので水晶の結晶
軸によらないため断線することはない。

【００３５】以上、ＡＴカット水晶基板を用いた超薄板
圧電振動子を本発明の実施例として説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、他の圧電材料、例え
ばランガサイト（Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４）や四ホウ酸
リチウム（Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７）などの圧電材料についても
本発明を適用することができるのは言うまでもない。

【００３６】

【発明の効果】本発明に係るプリント基板は、以上説明
した如く構成したので下記の如く優れた効果を奏する。
請求項１乃至４の発明は、平坦側に形成する励振用主電
極，リード電極，及びボンディング用パッド電極の電極
膜厚を、現在の製造プロセスにおいて成膜コントロー
ル、及びワイヤボンディングが可能である５０ｎｍ以上
の電極膜構造とすることができるという優れた効果を奏
する。

【００３７】更に、電極膜厚が５０ｎｍ以上であるた
め、抵抗損失の増大を招くことがないのでＣＩ値の劣化
も防止することができるという優れた効果を奏する。

【００３８】従って、ＣＩ値の小さなエネルギー閉じ込
め型の超薄板圧電振動子を提供することができるという
優れた効果を奏する。

【００３９】また、励振用主電極からボンディング用パ
ッド電極まで延出したリード電極は圧電基板の平坦側に
形成され、且つ、凹陥側も全面電極としたので圧電基板
の結晶軸によらないことから断線が生じないという優れ
た効果を奏する。

【００４０】請求項５乃至６の発明は、従来の製造工程
を大幅に変えることなく、共振特性の優れたバラツキの
ない、且つ、良品率の高い超薄板圧電振動子をバッチ処
理で製造することが可能となるため、大量生産に好適で
あるという優れた効果を奏する。

【００４１】従って、高周波帯の基本波振動で動作する
超薄板圧電振動子を低価格で提供することができるとい
う優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施形態を説明するための図であ
って、（ａ）は超薄板圧電振動子の平面図、（ｂ）はそ
の断面図である。

【図２】（ａ）乃至（ｇ）は、本発明に係る超薄板圧電
振動子の製造工程を説明するための断面図である。

【図３】（ａ）は従来の超薄板圧電振動子の平面図、
（ｂ）はその断面図である。

【図４】（ａ）乃至（ｃ）は、従来の超薄板圧電振動子
の製造工程を説明するための断面図である。

【図５】圧電基板の結晶軸方向の異方性とエッチングと
の関係を説明するための図であって、（ａ）は圧電基板
の平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図、（ｃ）は、その
Ｂ−Ｂ断面図である。

【符号の説明】

１圧電基板２凹陥部３振動部４環状囲繞部５主電極６リード電極７ボンディング用パッド電極８全面電極９圧電基板１０保護膜１１露出面１２圧電基板１３主凹陥部１４副凹陥部１５環状囲繞部１６主電極１７リード電極１８ボンディング用パッド電極１９全面電極２０圧電基板２１保護膜２２露出面２３凹陥２４圧電基板２５保護膜２６露出面２７超薄肉部２８環状囲繞部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板圧電振動子において、
主凹陥部内であって、且つ、平坦側の励振用主電極と対
向する位置に更に副凹陥部を設け、励振用主電極が配置
される部位の圧電基板の厚みを更に薄くしたことを特徴
とする超薄板圧電振動子。
【請求項２】薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型の超薄板圧電振動子において、
主凹陥部内であって、且つ、平坦側の励振用主電極と対
向する位置に更に副凹陥部を設け、励振用主電極が配置
される部位の圧電基板の厚みを更に薄くし、凹陥側全面
を全面電極としたことを特徴とする超薄板圧電振動子。
【請求項３】薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型のＡＴカット水晶基板を用いた
超薄板圧電振動子において、主凹陥部内であって、且
つ、平坦側の励振用主電極と対向する位置に更に副凹陥
部を設け、励振用主電極が配置される部位の圧電基板の
厚みを更に薄くしたことを特徴とする超薄板圧電振動
子。
【請求項４】薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造が凹型若しくは逆凹型のＡＴカット水晶基板を用いた
超薄板圧電振動子において、主凹陥部内であって、且
つ、平坦側の励振用主電極と対向する位置に更に副凹陥
部を設け、励振用主電極が配置される部位の圧電基板の
厚みを更に薄くし、凹側全面を全面電極としたことを特
徴とする超薄板圧電振動子。
【請求項５】薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造は凹型若しくは逆凹型であり、主凹陥部内であって、
且つ、平坦側の励振用主電極と対向する位置に更に副凹
陥部を設け、励振用主電極が配置される部位の圧電基板
の厚みを更に薄くした超薄板圧電振動子の製造方法にお
いて、圧電基板の所定の位置に所望の寸法と深さの副凹
陥部に相当する凹陥をフォトリソグラフィ及びエッチン
グ技法により形成する工程と、前記凹陥を含む前記圧電
基板主面に所望の大きさの主凹陥部をフォトリソグラフ
ィ及びエッチング技法により形成する工程と、平坦側主
面の副凹陥部に対向する部位に該副凹陥部の外形とほぼ
同一の寸法、且つ、所望の膜厚を有する励振用主電極、
該励振用主電極から延出したリード電極、及び前記主面
端部の所望部位に位置し前記リード電極に接続したパッ
ド電極とを一体形成する工程と、凹陥側全面に全面電極
を形成する工程とを備えたことを特徴とする超薄板圧電
振動子の製造方法。
【請求項６】薄肉の振動部と前記振動部の周囲を支持
する厚肉の環状囲繞部とを一体的に構成し、その断面構
造は凹型若しくは逆凹型であり、主凹陥部内であって、
且つ、平坦側の励振用主電極と対向する位置に更に副凹
陥部を設け、励振用主電極が配置される部位の圧電基板
の厚みを更に薄くしたＡＴカット水晶基板を用いた超薄
板圧電振動子の製造方法において、圧電基板の所定の位
置に所望の寸法と深さの副凹陥部に相当する凹陥をフォ
トリソグラフィ及びエッチング技法により形成する工程
と、前記凹陥を含む前記圧電基板主面に所望の大きさの
主凹陥部をフォトリソグラフィ及びエッチング技法によ
り形成する工程と、平坦側主面の副凹陥部に対向する部
位に該副凹陥部の外形とほぼ同一の寸法、且つ、所望の
膜厚を有する励振用主電極、該励振用主電極から延出し
たリード電極、及び前記主面端部の所望部位に位置し前
記リード電極に接続したパッド電極とを一体形成する工
程と、凹陥側全面に全面電極を形成する工程とを備えた
ことを特徴とする超薄板圧電振動子の製造方法。