JPS621140A - 情報信号の書込装置 - Google Patents
情報信号の書込装置Info
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- JPS621140A JPS621140A JP61121391A JP12139186A JPS621140A JP S621140 A JPS621140 A JP S621140A JP 61121391 A JP61121391 A JP 61121391A JP 12139186 A JP12139186 A JP 12139186A JP S621140 A JPS621140 A JP S621140A
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- Japan
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- signal
- light
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Indexing, Searching, Synchronizing, And The Amount Of Synchronization Travel Of Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ビデオ・ディスク部材の情報担持百出に、
該百出のトラック状に配置された線状の一連の第1及び
第2の標識として、周波数変調された電気信号を書込む
ことに関する。
該百出のトラック状に配置された線状の一連の第1及び
第2の標識として、周波数変調された電気信号を書込む
ことに関する。
ビデオ・ディスク部材に周波数変調信号を書込む装置は
、可動の書込みビームと、ターンテーブルに装着された
ビデオ・ディスク部材とを含む。
、可動の書込みビームと、ターンテーブルに装着された
ビデオ・ディスク部材とを含む。
ターンテーブルが、ディスクを正確に円状に一定の回転
速度で回転させる運動制御集成体と、書込みビームを非
常に安定な、且つ非常に低い速度で、回転するディスク
の半径に沿って並進させる並進駆動集成体とによって、
駆動される。ディスクの回転駆動部が書込みビームの並
進駆動部と同期していて、予定のピッチを持つ渦巻形ト
ラックを作る。
速度で回転させる運動制御集成体と、書込みビームを非
常に安定な、且つ非常に低い速度で、回転するディスク
の半径に沿って並進させる並進駆動集成体とによって、
駆動される。ディスクの回転駆動部が書込みビームの並
進駆動部と同期していて、予定のピッチを持つ渦巻形ト
ラックを作る。
好ましい実施例では、渦巻の隣り合ったトラックの間の
間隔が中心間で2ミクロンである。1ミクロンの幅を持
つ標識が形成される。このため隣シ合った標識の間には
1ミクロンのトラック間区域又は安全区域が残される。
間隔が中心間で2ミクロンである。1ミクロンの幅を持
つ標識が形成される。このため隣シ合った標識の間には
1ミクロンのトラック間区域又は安全区域が残される。
希望によっては、今述べた様に、一定速度で並進させる
代シに、増分的に段階的に並進させることによシ、標識
を同心円として形成することができる。
代シに、増分的に段階的に並進させることによシ、標識
を同心円として形成することができる。
好ましい実施例では、顕微鏡用の対物レンズを、空気支
承部にのせたビデオ・ディスク部材の上方の一定の高さ
の所に配置する。この対物レンズは書込みビームをビデ
オ・ディスク部材の感光面上に集束するために用いられ
る。対物レンズは焦点深度が浅いので、この一定の高さ
が必要である。
承部にのせたビデオ・ディスク部材の上方の一定の高さ
の所に配置する。この対物レンズは書込みビームをビデ
オ・ディスク部材の感光面上に集束するために用いられ
る。対物レンズは焦点深度が浅いので、この一定の高さ
が必要である。
0.65NA形乾式顕微鏡用対物レンズを用いて、書込
みレーザ・ビームを感光被覆上直径1ミクロンのスポッ
トに集束する。被覆が比較的高い速度で回転しているた
め、感光被覆に形成される標識の長さは、スポットの強
度がこの様な標識を形成するのに必要な強度を超えてい
る時間の長さに関係する。
みレーザ・ビームを感光被覆上直径1ミクロンのスポッ
トに集束する。被覆が比較的高い速度で回転しているた
め、感光被覆に形成される標識の長さは、スポットの強
度がこの様な標識を形成するのに必要な強度を超えてい
る時間の長さに関係する。
直線偏光イオン・レーザを書込みビームの源として使う
。ポッケルス・セルを使って、一定の直線偏光平面に対
して、書込みビームの偏光平面を回転させる。直線偏光
子が、書込みビームの光の偏光と直線偏光子の軸線との
間の差に比例する量だけ、回転した書込みビームを減衰
させる。、ポッケルス・セルと直線偏光子との組合せに
よシ、書込みビームが貯蔵しようとするビデオ情報で変
調される。この変調は、ポ゛ツケルス・セル駆動器から
供給される制御信号の定めるパターンに従う。
。ポッケルス・セルを使って、一定の直線偏光平面に対
して、書込みビームの偏光平面を回転させる。直線偏光
子が、書込みビームの光の偏光と直線偏光子の軸線との
間の差に比例する量だけ、回転した書込みビームを減衰
させる。、ポッケルス・セルと直線偏光子との組合せに
よシ、書込みビームが貯蔵しようとするビデオ情報で変
調される。この変調は、ポ゛ツケルス・セル駆動器から
供給される制御信号の定めるパターンに従う。
記録しようとするビデオ信号が周波数変調回路に印加さ
れる。変調回路の出力は矩形波であシ、その周波数がビ
デオ信号に比例する。矩形波形の各サイクルの持続時間
は、周波数変調信号の特性として可変である。矩形波は
その特性として、上側電圧レベル及び下側電圧レベルを
有する。矩形波の上側及び下側電圧レベルがポッケルス
・セル駆動器によって増幅され、ポッケルス・セルを制
御するために使われる。ポッケルス・セルが、ポッケル
ス・セル駆動器から供給された制御信号の瞬時電圧レベ
ルに応答して、それを通過する光の偏光角度を変える。
れる。変調回路の出力は矩形波であシ、その周波数がビ
デオ信号に比例する。矩形波形の各サイクルの持続時間
は、周波数変調信号の特性として可変である。矩形波は
その特性として、上側電圧レベル及び下側電圧レベルを
有する。矩形波の上側及び下側電圧レベルがポッケルス
・セル駆動器によって増幅され、ポッケルス・セルを制
御するために使われる。ポッケルス・セルが、ポッケル
ス・セル駆動器から供給された制御信号の瞬時電圧レベ
ルに応答して、それを通過する光の偏光角度を変える。
ポッケルス・セル駆動器に印加された矩形状制御信号の
1つの電圧レベルに応答する第1の動作様式では、光ビ
ームが、光応答性被覆知第1の標識を形成するのに十分
な第1の強度で、ポッケルス・セルと直線偏光子との組
合せを妨げなく通過する。制御信号が第2の電圧レベル
を表わす様に変化すると、ポッケルス・セルが偏光を回
転し、書込みビームを新しい偏光角にする。書込みビー
ムを形成する光、のこの偏光の変化によシ、ポッケルス
・セルから出てくる光の偏光角と直線偏光子の好ましい
偏光角との間に不整合が起こる。この場合、直線偏光子
は減衰器として作用し、直線偏光子を通過する光が少な
くなる。このため、書込みビームの光強度は光応答性被
覆に第1の標識を形成するのに必要な強度よシ低くなる
。
1つの電圧レベルに応答する第1の動作様式では、光ビ
ームが、光応答性被覆知第1の標識を形成するのに十分
な第1の強度で、ポッケルス・セルと直線偏光子との組
合せを妨げなく通過する。制御信号が第2の電圧レベル
を表わす様に変化すると、ポッケルス・セルが偏光を回
転し、書込みビームを新しい偏光角にする。書込みビー
ムを形成する光、のこの偏光の変化によシ、ポッケルス
・セルから出てくる光の偏光角と直線偏光子の好ましい
偏光角との間に不整合が起こる。この場合、直線偏光子
は減衰器として作用し、直線偏光子を通過する光が少な
くなる。このため、書込みビームの光強度は光応答性被
覆に第1の標識を形成するのに必要な強度よシ低くなる
。
書込みビームの一部分をポッケルス・セル安定化回路で
感知し、若干の温度変動によって生じたポッケルス・セ
ルの伝達特性の変化があっても、変調された光ビームの
平均エネルギを予定のレベルに維持する。安定化回路が
、エネルギ・レベルを選択的に調節するレベル調節回路
を含んでいて、あとで明らかにする様に、相異なる感光
被覆に標識を形成する。
感知し、若干の温度変動によって生じたポッケルス・セ
ルの伝達特性の変化があっても、変調された光ビームの
平均エネルギを予定のレベルに維持する。安定化回路が
、エネルギ・レベルを選択的に調節するレベル調節回路
を含んでいて、あとで明らかにする様に、相異なる感光
被覆に標識を形成する。
三角波周波数変調器を使ってポッケルス・・セル駆動器
を駆動すると共に、直線偏光子から正弦状の光変調出力
信号が得られる様にする回路を説明する。直線偏光子の
出力は、偏光子か・もの172エネルギの点が情報貯蔵
層を形成する材料の聞直エネルギ・レベルに等しくなる
様に調節する。変調された書込みビームの第2高調波混
変調歪みを除去する第2高調波バイアス回路を用いる。
を駆動すると共に、直線偏光子から正弦状の光変調出力
信号が得られる様にする回路を説明する。直線偏光子の
出力は、偏光子か・もの172エネルギの点が情報貯蔵
層を形成する材料の聞直エネルギ・レベルに等しくなる
様に調節する。変調された書込みビームの第2高調波混
変調歪みを除去する第2高調波バイアス回路を用いる。
この書込み方法並びに装置には、異なる種°類のビデオ
・ディスク部材を使うことができる。各々の部材は異な
る形式を有する。第1の形式では、ビデオ・ディスク部
材が硝子基板を含み、この基板の上面が光応答性被覆と
して、薄い金属被覆を担持している。この形式では、書
込みビームが金属被覆内にトラック状に可変の長さの開
口を形成する。
・ディスク部材を使うことができる。各々の部材は異な
る形式を有する。第1の形式では、ビデオ・ディスク部
材が硝子基板を含み、この基板の上面が光応答性被覆と
して、薄い金属被覆を担持している。この形式では、書
込みビームが金属被覆内にトラック状に可変の長さの開
口を形成する。
書込みビームの強度は、例えば貯蔵しようとする周波数
変調信号の正の各々の半サイクルの間、開口が形成され
るが、負の半サイクルの間は開口が形成されない様に1
調節する。このため、貯蔵された情報を表わす第1及び
第2の標識は、線状の一連の開口であって、これらの開
口が表面被覆の中間部公知よって隔てられている。
変調信号の正の各々の半サイクルの間、開口が形成され
るが、負の半サイクルの間は開口が形成されない様に1
調節する。このため、貯蔵された情報を表わす第1及び
第2の標識は、線状の一連の開口であって、これらの開
口が表面被覆の中間部公知よって隔てられている。
この第1の形式では、硝子基板の一部分が各々の開口で
露出する。硝子基板の露出部分は入射ビームに対し、非
鏡面形光反射性を持つ領域となる。
露出する。硝子基板の露出部分は入射ビームに対し、非
鏡面形光反射性を持つ領域となる。
鏡面反射性を持つ部分の間に残っている金属被覆の中間
部分は、光ビームの通路【沿って戻る反射光のかなシの
部分があることを意味する。即ち、入射及び反射ビーム
の通路の間に1800の反転がある。非鏡面形反射性は
、入射ビームの目立った部分が入射ビームの通路に沿っ
て反射しないことを意味する。
部分は、光ビームの通路【沿って戻る反射光のかなシの
部分があることを意味する。即ち、入射及び反射ビーム
の通路の間に1800の反転がある。非鏡面形反射性は
、入射ビームの目立った部分が入射ビームの通路に沿っ
て反射しないことを意味する。
第2の形式では、ビデオ・ディスク部材が硝子基板を持
ち、その上面が光応答性被覆として薄いフォトレジスト
層を担持している。この形式では、書込みビームがフォ
トレジスト被覆内に、トラック状!/c′IL出した並
びに露出しないフォトレジスト材料の可変の長官の偏替
冬形Fvナスー傘込Aビームの強度は、例えば貯蔵しよ
うとする周波数変調信号の正の半サイクルの間に、露出
したフォトレジスト材料の領域が形成されるが、負の半
サイクルの間は、露出しないフォトレジスト材料の領域
が残る様に調節される。このため、貯蔵される情報を表
わす第1及び第2の標識は、表面被覆の内、線状の一連
の露出部分及び非露出部分である。
ち、その上面が光応答性被覆として薄いフォトレジスト
層を担持している。この形式では、書込みビームがフォ
トレジスト被覆内に、トラック状!/c′IL出した並
びに露出しないフォトレジスト材料の可変の長官の偏替
冬形Fvナスー傘込Aビームの強度は、例えば貯蔵しよ
うとする周波数変調信号の正の半サイクルの間に、露出
したフォトレジスト材料の領域が形成されるが、負の半
サイクルの間は、露出しないフォトレジスト材料の領域
が残る様に調節される。このため、貯蔵される情報を表
わす第1及び第2の標識は、表面被覆の内、線状の一連
の露出部分及び非露出部分である。
好ましい実施例の読取装置は、好ましい偏光角を持つコ
リメートされた偏光ビームを発生する読取レーザを用い
る。読取光学装置がレーザ・ビームをビデオ・ディスク
部材の表面に担持された標識に入射させる。ビデオ・デ
ィスク部材が線状の一連の領域の形で、その表ryrt
lfc周波数変調信号を貯蔵する。領域は交互に鏡面形
光反射性及び非鏡面形光反射性である。読取光学装置が
読取ビームを直径約1ミクロンの光スポットに集束し、
集束されたスポットを線状の一連の領域に入射させる。
リメートされた偏光ビームを発生する読取レーザを用い
る。読取光学装置がレーザ・ビームをビデオ・ディスク
部材の表面に担持された標識に入射させる。ビデオ・デ
ィスク部材が線状の一連の領域の形で、その表ryrt
lfc周波数変調信号を貯蔵する。領域は交互に鏡面形
光反射性及び非鏡面形光反射性である。読取光学装置が
読取ビームを直径約1ミクロンの光スポットに集束し、
集束されたスポットを線状の一連の領域に入射させる。
読取ビームの強度は、読取光学装置によって十分強力な
反射読取ビーム信号が収集される様に、調節される。
反射読取ビーム信号が収集される様に、調節される。
運動制御集成体が、初めに貯蔵されている周波数変調信
号の周波数を再生するのに十分な一様な速度で、ビデオ
・ディスク部材を回転させる。この材料に貯蔵される典
型的な周波数変調信号は周波数が2乃至10’Xがサイ
クルの間で変化する。
号の周波数を再生するのに十分な一様な速度で、ビデオ
・ディスク部材を回転させる。この材料に貯蔵される典
型的な周波数変調信号は周波数が2乃至10’Xがサイ
クルの間で変化する。
ビデオ・ディスク部材の回転速度は、空間的に貯蔵され
た周波数変調信号を実時間の電気信号に変えるために、
大体xsoorpmに設定するのが好ましい。運動制御
集成体が、読取ビームを非常に安定した極く低い速度で
回転するディスクの半径に沿って並進させ、ディスクに
ある線状の一連の光反射領域及び光散乱領域に入射する
様にする並進壓動集成体を含む。
た周波数変調信号を実時間の電気信号に変えるために、
大体xsoorpmに設定するのが好ましい。運動制御
集成体が、読取ビームを非常に安定した極く低い速度で
回転するディスクの半径に沿って並進させ、ディスクに
ある線状の一連の光反射領域及び光散乱領域に入射する
様にする並進壓動集成体を含む。
読取光学装置によって収集された反射読取ビームが光忌
知回路に送られ、強度変調された反射光ビームを、強度
変調された反射光ビームに対応する周波数変調された電
気信号に変える。
知回路に送られ、強度変調された反射光ビームを、強度
変調された反射光ビームに対応する周波数変調された電
気信号に変える。
偏光選択性ビーム分割素子を読取レーザ源とビデオ・デ
ィスク部材との中間で、読取ビームの通路内に配置する
。読取ビームが偏光選択性ビーム分割素子を通過した後
、実際の光ビームは好ましい平面内に直線偏光している
。4分の1波長板を偏光選択性ビーム分割素子の出力と
ビデオ・ディスク部材との中間に配置する。この4分の
1波長板が読取ビームの光を直線偏光から円偏光に変え
る。反射光は、2回目に41i−のl波長板を通過する
まで、円偏光を持っている。4分の1波長板を2回目に
通過する時、反射光は円偏光によって、直線偏光KFA
#)、前に述べた偏光選択性ビーム分割素子によって定
められた好ましい平面から90゜回転する。
ィスク部材との中間で、読取ビームの通路内に配置する
。読取ビームが偏光選択性ビーム分割素子を通過した後
、実際の光ビームは好ましい平面内に直線偏光している
。4分の1波長板を偏光選択性ビーム分割素子の出力と
ビデオ・ディスク部材との中間に配置する。この4分の
1波長板が読取ビームの光を直線偏光から円偏光に変え
る。反射光は、2回目に41i−のl波長板を通過する
まで、円偏光を持っている。4分の1波長板を2回目に
通過する時、反射光は円偏光によって、直線偏光KFA
#)、前に述べた偏光選択性ビーム分割素子によって定
められた好ましい平面から90゜回転する。
偏光選択性ビーム分割素子が反射光ビーム中のこの90
°の変化に応答して、反射ビームを光感知回路に方向転
換し、反射光ビームが読取レーザ源に再び入らない様に
する。
°の変化に応答して、反射ビームを光感知回路に方向転
換し、反射光ビームが読取レーザ源に再び入らない様に
する。
読取光学装置に発散レンズを使って、読取レーザ源から
の略平行な光ビームを対物レンズの少くとも入口開口に
あふれる様に拡げる。
の略平行な光ビームを対物レンズの少くとも入口開口に
あふれる様に拡げる。
第2の実施例の読取光学装置では、反射読取ビームの通
路内に光学フィルタが配置され、読取レーザ源によって
発生された光の波長以外の光の全ての波長を戸渡して除
く。
路内に光学フィルタが配置され、読取レーザ源によって
発生された光の波長以外の光の全ての波長を戸渡して除
く。
記録装置では、書込み作用だけを用いて、周波数変調さ
れた情報をビデオ・ディスク部材に書込む。ビデオ・デ
ィスク・プレーヤでは、読取作用だけを用いて、ビデオ
・ディスク部材の表面に貯蔵された周波数変調された情
報を再生する。第3の動作様式では、1台の装置に読取
及び書込み機能を組合せる。この組合せ形の装置では、
読取装置を使って、書込み装置によって書込まれた情報
の精度を検査する。
れた情報をビデオ・ディスク部材に書込む。ビデオ・デ
ィスク・プレーヤでは、読取作用だけを用いて、ビデオ
・ディスク部材の表面に貯蔵された周波数変調された情
報を再生する。第3の動作様式では、1台の装置に読取
及び書込み機能を組合せる。この組合せ形の装置では、
読取装置を使って、書込み装置によって書込まれた情報
の精度を検査する。
監視機能を実現するため、ヘリウム・ネオン()(e−
Ne)読取レーザからの読取ビームを書込みビームの通
路に加える。読取光学系を調節して、書込みビームに対
して或る光角度で読取ビームを顕微鏡用対物レンズに通
す。この角度は、読取ビームが書込みビームによって書
込まれたのと同じトラック上の区域を照明する様に選ば
れるが、書込ミスホットから下流側に大体4乃至6ミク
ロンの所で行なう様にする。更に詳しく言うと、読取ビ
ームは書込みビームによって形成されたばかシの情報ト
ラックに像を結ぶ。ビデオ・ディスク部材に情報標識が
形成される様にする十分な時間をおく。こうして、読取
ビームが反射率の異なる交互の領域に入射する。1形式
の読取装置では、読取ビームが書込みビームによって加
熱されていない金属部分に入射すると共に、書込みスポ
ットによって形成されたばかりの開口内で露出している
硝子基板にも入射する。反射率の異なる領域が一定の強
度を持つ入射読取ビームを強度変調された反射読取ビー
ムに変える様に作用する。
Ne)読取レーザからの読取ビームを書込みビームの通
路に加える。読取光学系を調節して、書込みビームに対
して或る光角度で読取ビームを顕微鏡用対物レンズに通
す。この角度は、読取ビームが書込みビームによって書
込まれたのと同じトラック上の区域を照明する様に選ば
れるが、書込ミスホットから下流側に大体4乃至6ミク
ロンの所で行なう様にする。更に詳しく言うと、読取ビ
ームは書込みビームによって形成されたばかシの情報ト
ラックに像を結ぶ。ビデオ・ディスク部材に情報標識が
形成される様にする十分な時間をおく。こうして、読取
ビームが反射率の異なる交互の領域に入射する。1形式
の読取装置では、読取ビームが書込みビームによって加
熱されていない金属部分に入射すると共に、書込みスポ
ットによって形成されたばかりの開口内で露出している
硝子基板にも入射する。反射率の異なる領域が一定の強
度を持つ入射読取ビームを強度変調された反射読取ビー
ムに変える様に作用する。
この監視動作様式では、読取レーザ・ビームは、書込み
レーザ・ビームとは異なる波長で動作する様に選ばれる
。波長選択性光学フィルタを反射光ビームの通路内に配
置する。このフィルタは読取レーザ・ビームを含む通過
帯を有する。反射読取通路をたどる書込みレーザ・ビー
ム・エネルギがあっても、それはフィルタによって除外
され、従って読取過程の妨げにはなシ得ない。監視動作
様式はh記錬される信号の品質を検査する一助として、
ビデオ・ディスク部材にビデオ情報を書込む時に用いら
れる。読取通路からの出力信号をオツシロスコープ及び
/又はテレビジョン・モニタに表示する。この表示され
る信号を可視的に検査することによシ、標識が好ましい
デユーティ・サイクルで形成されているかどうかが判る
。好ましいデユーティ・サイクルは、周波数変調信号の
半サイクルを表わす鏡面形反射領域の長さが、平均して
、周波数変調信号の次に続く半サイクルを表わす、次の
非鏡面形反射性を持つ領域と同じである時に達成される
。
レーザ・ビームとは異なる波長で動作する様に選ばれる
。波長選択性光学フィルタを反射光ビームの通路内に配
置する。このフィルタは読取レーザ・ビームを含む通過
帯を有する。反射読取通路をたどる書込みレーザ・ビー
ム・エネルギがあっても、それはフィルタによって除外
され、従って読取過程の妨げにはなシ得ない。監視動作
様式はh記錬される信号の品質を検査する一助として、
ビデオ・ディスク部材にビデオ情報を書込む時に用いら
れる。読取通路からの出力信号をオツシロスコープ及び
/又はテレビジョン・モニタに表示する。この表示され
る信号を可視的に検査することによシ、標識が好ましい
デユーティ・サイクルで形成されているかどうかが判る
。好ましいデユーティ・サイクルは、周波数変調信号の
半サイクルを表わす鏡面形反射領域の長さが、平均して
、周波数変調信号の次に続く半サイクルを表わす、次の
非鏡面形反射性を持つ領域と同じである時に達成される
。
書込み後の読取り、即ち、監視動作様式は、特にディジ
タル情報を書込む場合、誤まシ検査様式でも使われる。
タル情報を書込む場合、誤まシ検査様式でも使われる。
入力ビデオ情報を或る期間遅延させる。この期間は、書
込み過程の間の入力ビデオ情報信号の周波数変調から始
まって、感知回路からの再生された反射信号の笥波数変
調の復調の間続き、貯蔵部材上の点が入力ビデオ情報信
号を貯蔵する点から読取光ビームの入射点まで移動する
遅延時間を含む。次知再生した情報を遅延させた入力情
報と比較し、正確さを調べる。違いが犬すぎれば、それ
は検査のやり直し、並びに装置の整合のし直し、又はデ
ィスクの排除の根拠になる。
込み過程の間の入力ビデオ情報信号の周波数変調から始
まって、感知回路からの再生された反射信号の笥波数変
調の復調の間続き、貯蔵部材上の点が入力ビデオ情報信
号を貯蔵する点から読取光ビームの入射点まで移動する
遅延時間を含む。次知再生した情報を遅延させた入力情
報と比較し、正確さを調べる。違いが犬すぎれば、それ
は検査のやり直し、並びに装置の整合のし直し、又はデ
ィスクの排除の根拠になる。
読取装置は、標準形の家庭用テレビジョン受像機の1つ
のチャンネルに合った適当な搬送波層波数にビデオ信号
を加えるためのRF変調器を加えれば、標準形の家庭用
テレビジョン受像機と一緒に使うのに適している。標準
形テレビジョン受像機が、この時この信号を、普通の放
送局から受信したのと同様に処理する。
のチャンネルに合った適当な搬送波層波数にビデオ信号
を加えるためのRF変調器を加えれば、標準形の家庭用
テレビジョン受像機と一緒に使うのに適している。標準
形テレビジョン受像機が、この時この信号を、普通の放
送局から受信したのと同様に処理する。
図面全体にわたシ、同じ素子には同じ参照数字を用いて
いる。記碌並びに貯蔵という言葉は書込みという言葉と
互換性を持って使う。再生という言葉は読取という言葉
と互換性を持って使う。
いる。記碌並びに貯蔵という言葉は書込みという言葉と
互換性を持って使う。再生という言葉は読取という言葉
と互換性を持って使う。
情報貯蔵部材10に周波数変調信号の形をしたビデオ情
報を貯蔵する装置が、第1図に示されている。情報信号
源回路12を使って、記鎌しようとする情報信号を用意
する。線14に現われるこの情報信号が周波数変調信号
であり、その情報内容は、記鎌しようとする情報を表わ
す時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数の形をしてい
る。第5図に周波数変調信号の典型的な一例を示す。情
報信号源回路12はビデオ信号回路16を持っていて、
線18に情報信号を発生する。この情報信号の情報内容
は、時間的に或る形式で変化する電圧である。第4図に
時間的に変化する電圧信号の典型的な一例を示す。周波
数変調回路20がビデオ信号回路16に応答して、時間
的に変化する電圧信号を、第5図に示す線14の周波数
変調信号に変換する。
報を貯蔵する装置が、第1図に示されている。情報信号
源回路12を使って、記鎌しようとする情報信号を用意
する。線14に現われるこの情報信号が周波数変調信号
であり、その情報内容は、記鎌しようとする情報を表わ
す時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数の形をしてい
る。第5図に周波数変調信号の典型的な一例を示す。情
報信号源回路12はビデオ信号回路16を持っていて、
線18に情報信号を発生する。この情報信号の情報内容
は、時間的に或る形式で変化する電圧である。第4図に
時間的に変化する電圧信号の典型的な一例を示す。周波
数変調回路20がビデオ信号回路16に応答して、時間
的に変化する電圧信号を、第5図に示す線14の周波数
変調信号に変換する。
情報貯蔵部材10がターンテーブル21に装着される。
第2図に標識が形成されていない部材10が示されてお
シ、これは第1の面24及び第1の面24を覆う光応答
性被覆26を持つ基板22を含む。運動制御集成体28
が、光源30によって発生された書込みビーム29′に
対して、貯蔵部材10に一様な運動を加える。運動制御
集成体28は第9図に示されておシ、後で詳しく説明す
る。
シ、これは第1の面24及び第1の面24を覆う光応答
性被覆26を持つ基板22を含む。運動制御集成体28
が、光源30によって発生された書込みビーム29′に
対して、貯蔵部材10に一様な運動を加える。運動制御
集成体28は第9図に示されておシ、後で詳しく説明す
る。
運動制御集成体28が、情報貯蔵部材10に一様な回転
運動を伝える回転、感知回路32と、この回転駆動回路
32と同期していて、集束された光ビーム29’を被覆
16の半径方向に動かす並進駆動回路34とを含む。運
動制御集成体28は、回転駆動回路32によって部材1
0に加えられる回転運動と並進駆動回路34によって光
ビーム29に加えられる並進運動との間に一定の関係を
保つ電気的な同期集成体3Gをも含む。
運動を伝える回転、感知回路32と、この回転駆動回路
32と同期していて、集束された光ビーム29’を被覆
16の半径方向に動かす並進駆動回路34とを含む。運
動制御集成体28は、回転駆動回路32によって部材1
0に加えられる回転運動と並進駆動回路34によって光
ビーム29に加えられる並進運動との間に一定の関係を
保つ電気的な同期集成体3Gをも含む。
光源30が光ビーム29を発生する。この光ビームは、
被覆26の運動中、被覆が移動する情報貯蔵部材10の
上にある間、被覆26と相互作用し又はそれを変更する
のに十分な強度を持っている。更に、光ビーム29′の
強度は、記鎌しようとする情報を表わす永久的な標識を
被覆26内知作るのに十分である。適当な光源30は、
偏光した単色光のコリメートされた書込みビームを発生
する書込みレーザで構成される。
被覆26の運動中、被覆が移動する情報貯蔵部材10の
上にある間、被覆26と相互作用し又はそれを変更する
のに十分な強度を持っている。更に、光ビーム29′の
強度は、記鎌しようとする情報を表わす永久的な標識を
被覆26内知作るのに十分である。適当な光源30は、
偏光した単色光のコリメートされた書込みビームを発生
する書込みレーザで構成される。
第2図には、第1の形式の適当なビデオ・ディスク部材
10が断面図で示されている。適当な基板22は硝子で
作られ、滑らかで平坦な平面状の第1の面24を有する
。光応答性被覆26が面24の上に形成される。
10が断面図で示されている。適当な基板22は硝子で
作られ、滑らかで平坦な平面状の第1の面24を有する
。光応答性被覆26が面24の上に形成される。
一実施例では、被覆26は薄い透明なメタライズ層でア
シ、書込みレーザ30からの書込み光ビーム29が入射
したことに応答して、局部的な加熱が起こる様な適当な
物理的な性質を有する。動作の際、この加熱によって、
被覆26が局部的に溶融し、それに伴って、溶融材料が
溶融区域の周縁に向って引込む。このため、冷却した時
、薄い金属被覆26には、第3図及び第8図の37に示
す様な永久的な開口が残る。開口37は、情報を表わす
ために用いられる標識の1つの形式である。
シ、書込みレーザ30からの書込み光ビーム29が入射
したことに応答して、局部的な加熱が起こる様な適当な
物理的な性質を有する。動作の際、この加熱によって、
被覆26が局部的に溶融し、それに伴って、溶融材料が
溶融区域の周縁に向って引込む。このため、冷却した時
、薄い金属被覆26には、第3図及び第8図の37に示
す様な永久的な開口が残る。開口37は、情報を表わす
ために用いられる標識の1つの形式である。
この実施例では、相次ぐ位置にある開口37が、変化の
なかった被覆260部分38によって隔てられている。
なかった被覆260部分38によって隔てられている。
部分38は情報を表わすために用いられる2番目の種類
の標識である。標識37.38が周波数変調信号を表わ
す様子について、更に詳しいことは、第5図乃至第8図
について説明する。
の標識である。標識37.38が周波数変調信号を表わ
す様子について、更に詳しいことは、第5図乃至第8図
について説明する。
可動光学集成体40及びビーム方向ぎめ光学集成体41
が一緒になって、光源30から出る光ビーム29に対す
る光路を定める。光学集成体が読取ビーム29を貯蔵部
材10が担持する被覆26上のスポット42に結ぶ。光
路が数字29.29’で表わしだ線によって示されてい
る。
が一緒になって、光源30から出る光ビーム29に対す
る光路を定める。光学集成体が読取ビーム29を貯蔵部
材10が担持する被覆26上のスポット42に結ぶ。光
路が数字29.29’で表わしだ線によって示されてい
る。
光強度変調集成体44が光源30と被覆26との間の光
路29内に配置される。最も広義にみた動作様式では、
光強度変調集成体は、貯蔵しようとする情報で光ビーム
290強度変調をする。光強度変調集成体44は、第5
図に示す増幅された周波数変調信号の制御の下(動作す
る。この周波数変調信号が、周波数変調信号の各サイク
ルの間、集成体44をその高い方の光透過状態及び低い
方の光透過状態の間で変化させる。透過状態の間のこの
急速な変化によシ、貯蔵しようとする周波数変調信号で
光ビーム29が変調される。
路29内に配置される。最も広義にみた動作様式では、
光強度変調集成体は、貯蔵しようとする情報で光ビーム
290強度変調をする。光強度変調集成体44は、第5
図に示す増幅された周波数変調信号の制御の下(動作す
る。この周波数変調信号が、周波数変調信号の各サイク
ルの間、集成体44をその高い方の光透過状態及び低い
方の光透過状態の間で変化させる。透過状態の間のこの
急速な変化によシ、貯蔵しようとする周波数変調信号で
光ビーム29が変調される。
光ビーム29は、光強度変調集成体44を通過する時に
変調される。その後、変調された光ビーム(これを数字
29′で表わす)か、光学集成体40゜41によシ、被
覆26上に像を結ぶ。変調された光ビーム29′が被覆
26に入射すると、貯蔵しようとする周波数変調信号を
′表わす標識が被覆26内(形成される。
変調される。その後、変調された光ビーム(これを数字
29′で表わす)か、光学集成体40゜41によシ、被
覆26上に像を結ぶ。変調された光ビーム29′が被覆
26に入射すると、貯蔵しようとする周波数変調信号を
′表わす標識が被覆26内(形成される。
光強度変調集成体44は電気的に制御可能な集成体46
を含む。集成体46は、周波数変調器20に応答して、
光ビーム29′の強度を、集束されたビーム29′が情
報貯蔵部材10が担持する被覆26を変更する様な予定
の強度よシ上に変える。更に、電気的に制御可能な集成
体46は、周波数変調器20に応答して、光ビームの強
度を°、集束されたビーム29′が被覆26を変更し得
ない予定の強度よシ下に変える。被覆26内に形成され
た変化が、貯頁しようとする周波数変調信号を表わす。
を含む。集成体46は、周波数変調器20に応答して、
光ビーム29′の強度を、集束されたビーム29′が情
報貯蔵部材10が担持する被覆26を変更する様な予定
の強度よシ上に変える。更に、電気的に制御可能な集成
体46は、周波数変調器20に応答して、光ビームの強
度を°、集束されたビーム29′が被覆26を変更し得
ない予定の強度よシ下に変える。被覆26内に形成され
た変化が、貯頁しようとする周波数変調信号を表わす。
フォトレジスト層が情報貯蔵部材10の被覆26を形成
する時、上に述べた変化は、夫々標識37.38につい
て述べたのと同様な寸法の露出した並びに露出しないフ
ォトレジスト部材の形をとる。
する時、上に述べた変化は、夫々標識37.38につい
て述べたのと同様な寸法の露出した並びに露出しないフ
ォトレジスト部材の形をとる。
情報貯蔵部材10が担持する被覆26が金属被覆である
時、電気的に制御可能な集成体46が、書込みビーム2
9′の強度を、集束されたビーム29′が金属被覆を蒸
発させずに溶融させる様な第1の予定の強度より上に変
えると共に、書込みビームの強度を、集束されたビーム
29′が金属面を溶融させない様な予定の強度より下に
変える。
時、電気的に制御可能な集成体46が、書込みビーム2
9′の強度を、集束されたビーム29′が金属被覆を蒸
発させずに溶融させる様な第1の予定の強度より上に変
えると共に、書込みビームの強度を、集束されたビーム
29′が金属面を溶融させない様な予定の強度より下に
変える。
光強度変調集成体44は帰還信号を発生する安定化回路
48を含む。この帰還信号は、電気的に制御可能な集成
体46の動作レベルの温度を安定にして、予定の高い方
の光強度及び予定の低い方の光強度レベルの間で動作さ
せるために使われる。
48を含む。この帰還信号は、電気的に制御可能な集成
体46の動作レベルの温度を安定にして、予定の高い方
の光強度及び予定の低い方の光強度レベルの間で動作さ
せるために使われる。
光強度変調集成体44が、電気的に制御可能な集成体4
6から出てくる光ビームの少くとも一部分(29//
で示す)を感知して、ビーム29′の平均強度を表わす
電気帰還信号を発生する光感知回路を含む。帰還信号が
線50a、 50t)を介して電気的に制御可能な集成
体46に送られ、その動作レベルを安定化させる。
6から出てくる光ビームの少くとも一部分(29//
で示す)を感知して、ビーム29′の平均強度を表わす
電気帰還信号を発生する光感知回路を含む。帰還信号が
線50a、 50t)を介して電気的に制御可能な集成
体46に送られ、その動作レベルを安定化させる。
光感知手段が、変調された光ビーム29′の平均強度を
表わす電気帰還信号を発生する。こうして光強度変調集
成体44は、略一定の平均エネルギ・レベルで光ビーム
を出す様に安定化される。安定化回路48は、光ビーム
29′の平均エネルギ・レベルを予定の値て選択的に調
節して、金属被覆26又はフォトレジスト被覆26又は
被覆26として使われるその他の任意の材料に好ましい
デユーティ・サイクルを達成するレベル調節手段をも含
む。
表わす電気帰還信号を発生する。こうして光強度変調集
成体44は、略一定の平均エネルギ・レベルで光ビーム
を出す様に安定化される。安定化回路48は、光ビーム
29′の平均エネルギ・レベルを予定の値て選択的に調
節して、金属被覆26又はフォトレジスト被覆26又は
被覆26として使われるその他の任意の材料に好ましい
デユーティ・サイクルを達成するレベル調節手段をも含
む。
可動光学集成体40が対物レンズ52と、被覆26の上
方にレンズ52を支持するための流体力学的な空気支承
部54とを含む。レーザ源30によって発生されたレー
ザ・ビーム29′は略平行な光線で形成されている。レ
ンズ66がない場合、略平行な光線は発散する自然の傾
向が殆んどない。
方にレンズ52を支持するための流体力学的な空気支承
部54とを含む。レーザ源30によって発生されたレー
ザ・ビーム29′は略平行な光線で形成されている。レ
ンズ66がない場合、略平行な光線は発散する自然の傾
向が殆んどない。
対物レンズ52は、光ビーム29′の直径より直径の大
きい入口開口56を有する。光ビーム29′の途中に配
置された平面状の凸の発散レンズ66を用いて、略平行
な光ビーム29′を、少くとも対物レンズ52の入口開
口56に溢れる様に拡げる。
きい入口開口56を有する。光ビーム29′の途中に配
置された平面状の凸の発散レンズ66を用いて、略平行
な光ビーム29′を、少くとも対物レンズ52の入口開
口56に溢れる様に拡げる。
更にビーム方向ぎめ光学集成体41が、光ビーム29′
及び29″を希望する様に曲げる多数の鏡部材58,6
0,62.64を含む。鏡60は可動鏡として示されて
おシ、好ましい渦巻形トラックの代りに、厳密に円形の
トラックを作るために用いられる。渦巻形トラックには
固定鏡しか必要としない。
及び29″を希望する様に曲げる多数の鏡部材58,6
0,62.64を含む。鏡60は可動鏡として示されて
おシ、好ましい渦巻形トラックの代りに、厳密に円形の
トラックを作るために用いられる。渦巻形トラックには
固定鏡しか必要としない。
前に述べた様に、光源30が偏光レーザ・ビーム29を
発生する。電気的文制御可能な集成体46が、周波数変
調信号の制御の下に、このレーザ・ビーム29の偏光平
面を回転させる。適当な電気的に制御可能な集成体は、
ポッケルス・セル68゜直線偏光子70及びポッケルス
・セル駆動器72を含む。ポッケルス・セル駆動器72
は実質的に線形増幅器であシ、線14の周波数変調信号
に応答する。ポッケルス・セル1駆動器72の出力がポ
ッケルス・セル68に、駆動信号を送り、レーザ・ビー
ム29の偏光平面を回転させる。直線偏光子70は、レ
ーザ源30から出てくるレーザ・ビーム29の初めの偏
光平面に対して予定の関係を持つ向きになっている。
発生する。電気的文制御可能な集成体46が、周波数変
調信号の制御の下に、このレーザ・ビーム29の偏光平
面を回転させる。適当な電気的に制御可能な集成体は、
ポッケルス・セル68゜直線偏光子70及びポッケルス
・セル駆動器72を含む。ポッケルス・セル駆動器72
は実質的に線形増幅器であシ、線14の周波数変調信号
に応答する。ポッケルス・セル1駆動器72の出力がポ
ッケルス・セル68に、駆動信号を送り、レーザ・ビー
ム29の偏光平面を回転させる。直線偏光子70は、レ
ーザ源30から出てくるレーザ・ビーム29の初めの偏
光平面に対して予定の関係を持つ向きになっている。
第7図にみられる様に、直線偏光子70の最大光透過軸
線は源30から出てくる光の偏光角に対して直角である
。この構成のため、偏光子70から出てくる光は最小限
になり、ポッケルス・セル68によって書込みビーム2
9に加えられる回転は0°である。ポッケルス・セル6
8によって書込みビーム29に90°の回転が加えられ
て、偏光子70から最大の光が出てくる。今述べた様に
直線偏光子を配置することは選択事項である。偏光子7
0の最大光透過軸線をレーザ源30から出てくる光の偏
光角と整合させることにより、最大及び最小状態は、0
°及び90°の回転を受けた時、今述べたのと反対にな
る。しかし、書込み装置は略同じ様に動作する。直線偏
光子70が、自然の偏光角から回転したビーム29の強
度を減衰させる様て作用する。周波数変調信号に対応す
る変調されたレーザ・ビーム29′を形成するのは、直
線偏光子70によるこの減衰作用である。直線偏光子7
0として使うには、グラン・プリズムが適している。
線は源30から出てくる光の偏光角に対して直角である
。この構成のため、偏光子70から出てくる光は最小限
になり、ポッケルス・セル68によって書込みビーム2
9に加えられる回転は0°である。ポッケルス・セル6
8によって書込みビーム29に90°の回転が加えられ
て、偏光子70から最大の光が出てくる。今述べた様に
直線偏光子を配置することは選択事項である。偏光子7
0の最大光透過軸線をレーザ源30から出てくる光の偏
光角と整合させることにより、最大及び最小状態は、0
°及び90°の回転を受けた時、今述べたのと反対にな
る。しかし、書込み装置は略同じ様に動作する。直線偏
光子70が、自然の偏光角から回転したビーム29の強
度を減衰させる様て作用する。周波数変調信号に対応す
る変調されたレーザ・ビーム29′を形成するのは、直
線偏光子70によるこの減衰作用である。直線偏光子7
0として使うには、グラン・プリズムが適している。
ポッケルス・セル駆動器72がポッケルス・セル68に
交流結合される。安定化帰還回路48がポッケルス・セ
ル68に直流結合される。
交流結合される。安定化帰還回路48がポッケルス・セ
ル68に直流結合される。
第4図乃至第7図について包括的に説明すると、これら
の図には第1図に示した実施例の中に現れる電気信号及
び光信号の選択的な波形が示されている。ビデオ信号源
回路16によって発生されるビデオ信号が第4図に示さ
れている。これらのビデオ信号を発生する典型的な装置
はテレビジョン・カメラ、又はテレビジョン・カメラに
よって発生され且つ前に記録された信号を再生するビデ
オ・テープ・レコーダである。飛点走査器がこの様なビ
デオ信号の別の源である。第4図に示す情報信号は典型
的にはピーク間が1ボルトの信号であって、その情報内
容は、線73で表わされる様な時間的に或る形式で変化
する電圧である。典型的なビデオ信号の最大瞬時変化率
は4.5Xがサイクルの帯域幅によって制限される。こ
のビデオ信号はテレビジョン・モニタに直接的に表示し
得る種類のものである。
の図には第1図に示した実施例の中に現れる電気信号及
び光信号の選択的な波形が示されている。ビデオ信号源
回路16によって発生されるビデオ信号が第4図に示さ
れている。これらのビデオ信号を発生する典型的な装置
はテレビジョン・カメラ、又はテレビジョン・カメラに
よって発生され且つ前に記録された信号を再生するビデ
オ・テープ・レコーダである。飛点走査器がこの様なビ
デオ信号の別の源である。第4図に示す情報信号は典型
的にはピーク間が1ボルトの信号であって、その情報内
容は、線73で表わされる様な時間的に或る形式で変化
する電圧である。典型的なビデオ信号の最大瞬時変化率
は4.5Xがサイクルの帯域幅によって制限される。こ
のビデオ信号はテレビジョン・モニタに直接的に表示し
得る種類のものである。
第4図に示すビデオ信号が第1図に示す周波数変調器2
0に印加される。変調器20が第5図に示す周波数変調
波形74を発生する。第5図に示す波形の情報内容は第
4図に示す波形の情報内容と同じであるが、形が異なる
。第5図に示す情報信号は周波数変調信号であって、そ
の情報内容は中心周波数の前後に時間的な周波数変化を
持つ鍜送波周波数の形をしている。
0に印加される。変調器20が第5図に示す周波数変調
波形74を発生する。第5図に示す波形の情報内容は第
4図に示す波形の情報内容と同じであるが、形が異なる
。第5図に示す情報信号は周波数変調信号であって、そ
の情報内容は中心周波数の前後に時間的な周波数変化を
持つ鍜送波周波数の形をしている。
図をみれば、第4図に示すビデオ波形73の下側振幅領
域75が、第5図に示す周波数変調信号74の低周波数
部分に対応することが判る。周波数変調信号74の低周
波数部分の1サイクルを括弧76で全体的に示しである
。ビデオ波形73の高振幅領域77は周波数変調信号7
4の高周波数部分に対応する。周波数変調信号74の高
周波数部分の完全な1サイクルを括弧78で示しである
。
域75が、第5図に示す周波数変調信号74の低周波数
部分に対応することが判る。周波数変調信号74の低周
波数部分の1サイクルを括弧76で全体的に示しである
。ビデオ波形73の高振幅領域77は周波数変調信号7
4の高周波数部分に対応する。周波数変調信号74の高
周波数部分の完全な1サイクルを括弧78で示しである
。
ビデオ波形73の中間振幅領域79は周波数変調信号7
4の中間周波数部分に対応する。中間振幅領域79を表
わす周波数変調信号の高周波数部分の1サイクルを括弧
79aで示しである。
4の中間周波数部分に対応する。中間振幅領域79を表
わす周波数変調信号の高周波数部分の1サイクルを括弧
79aで示しである。
第4図及び第5図をみれば、第1図に示す周波数変調器
20が第4図に示した時間的に変化する電圧信号を第5
図に示す周波数変調信号に変換することが判る。
20が第4図に示した時間的に変化する電圧信号を第5
図に示す周波数変調信号に変換することが判る。
第6図は書込みレーザ30によって発生された書込みビ
ーム29の強度を示す。書込みビーム29の強度が線8
0で示した一定のレベルにあることが示されている。初
期の設定手順の後、この強度は不変である。
ーム29の強度を示す。書込みビーム29の強度が線8
0で示した一定のレベルにあることが示されている。初
期の設定手順の後、この強度は不変である。
第7図は書込みビーム29′が光強度変調集成体4チを
通過した後の強度を示す。強度変調された書込みビーム
が、光強度変調集成体44の高い方の光透過状態を表わ
す複数個の上側ビーク92と、光強度変調集成体44の
低い光透過状態を表わす複数個の谷94とを持つことが
判る。レーザ30の最大強度を表わす線80を波形29
′に重畳して、集成体44で光の強度に若干の損失が起
こることを示している。この損失を線96で示しである
が、これはレーザ30によって発生された光ビーム29
′の強度と、集成体44によって変調された光ビームの
最大強度92との間の差を表わす。
通過した後の強度を示す。強度変調された書込みビーム
が、光強度変調集成体44の高い方の光透過状態を表わ
す複数個の上側ビーク92と、光強度変調集成体44の
低い光透過状態を表わす複数個の谷94とを持つことが
判る。レーザ30の最大強度を表わす線80を波形29
′に重畳して、集成体44で光の強度に若干の損失が起
こることを示している。この損失を線96で示しである
が、これはレーザ30によって発生された光ビーム29
′の強度と、集成体44によって変調された光ビームの
最大強度92との間の差を表わす。
強度変調された書込みビーム29′を形成するための書
込みビーム29の強度変調は、第6図及び第7図をみれ
ば最もよく理解される。第6図は、線80で表わす一定
の強度を持つ変調されていないビーム29を示す。第7
図は92の所に最大強度レベルを持ち、94の所に示す
様な最小の強度レベルを持つ変調されたビーム29′ヲ
示している。
込みビーム29の強度変調は、第6図及び第7図をみれ
ば最もよく理解される。第6図は、線80で表わす一定
の強度を持つ変調されていないビーム29を示す。第7
図は92の所に最大強度レベルを持ち、94の所に示す
様な最小の強度レベルを持つ変調されたビーム29′ヲ
示している。
書込みビーム29の強度変調は、線98,100゜10
2について示したポッケルス・セル68の回転効果と較
べられる。線98と線29′との交わりは、ポッケルス
・セル68がその中を通過する光の偏光角に何ら回転を
加えない時の、直線偏光子70から出てくるビーム29
′の強度を示す。線100と線29′との交わりは、ポ
ッケルス・セル68がその中を通過する光の偏光角に4
5°の回転を加える時の、直線偏光子70から出てくる
ビーム29′の強度を示す。線102と線29′との交
わりは、ポッケルス・セル68がその中を通過する光の
偏光角に90°の回転を加える時の、直線偏光子70か
ら出てくる読取ビーム29′の強度を示す。
2について示したポッケルス・セル68の回転効果と較
べられる。線98と線29′との交わりは、ポッケルス
・セル68がその中を通過する光の偏光角に何ら回転を
加えない時の、直線偏光子70から出てくるビーム29
′の強度を示す。線100と線29′との交わりは、ポ
ッケルス・セル68がその中を通過する光の偏光角に4
5°の回転を加える時の、直線偏光子70から出てくる
ビーム29′の強度を示す。線102と線29′との交
わりは、ポッケルス・セル68がその中を通過する光の
偏光角に90°の回転を加える時の、直線偏光子70か
ら出てくる読取ビーム29′の強度を示す。
第7図に示した強度変調されたビーム29′による、第
3図及び第8図の371C示す様な開口の形成は、第7
図及び第8図を比較すれば一番判りゃすい。
3図及び第8図の371C示す様な開口の形成は、第7
図及び第8図を比較すれば一番判りゃすい。
線100は集成体44の高い方の光透過状態を表わす強
度92と集成体44の低い方の透過状態を表わす強度9
4との間の中点にひかれている。線100は、ポッケル
ス・セル68がその中を通過する書込みビーム29の回
転角を45°の角度だけ回転させる時に、集成体44に
よって発生される強度を表わす。更に、線100は、光
応答性被覆26に標識を形成するのに必要な変調ビーム
29′の閾値強度を表わす。書込みビーム29の偏光角
が45゜の角度だけ回転すると、この閾値て達する。
度92と集成体44の低い方の透過状態を表わす強度9
4との間の中点にひかれている。線100は、ポッケル
ス・セル68がその中を通過する書込みビーム29の回
転角を45°の角度だけ回転させる時に、集成体44に
よって発生される強度を表わす。更に、線100は、光
応答性被覆26に標識を形成するのに必要な変調ビーム
29′の閾値強度を表わす。書込みビーム29の偏光角
が45゜の角度だけ回転すると、この閾値て達する。
第7図と第8図を比較することにより、ポッケルス・セ
ル28がその中を通過する書込みビーム29の偏光角を
45°乃至90°並びに逆に45°まで回転させる間、
開口37が形成されることが判る。ポッケルス・セル6
8がその中を通過する書込みビーム29の偏光角を45
°から0°へ、そして再び45°までの間で回転させる
時は、開口が形成されない。
ル28がその中を通過する書込みビーム29の偏光角を
45°乃至90°並びに逆に45°まで回転させる間、
開口37が形成されることが判る。ポッケルス・セル6
8がその中を通過する書込みビーム29の偏光角を45
°から0°へ、そして再び45°までの間で回転させる
時は、開口が形成されない。
第3図には、第8図に半径方向の断面図で示したビデオ
・ディスク部材の平面図が示されている。
・ディスク部材の平面図が示されている。
第3図をみると、ビデオ・ディスク部材10上に線状の
一連の光反射領域及び光散乱領域38.37が形成され
る様子が判る。ディスク部材10は1800rpmの好
ましい回転速度で回転し、標識37.38が第8図に示
す様に、光応答性被覆26内に形成される。第1図に示
した運動制御集成体28が、開口37を円形の。トラッ
ク状に形成する。
一連の光反射領域及び光散乱領域38.37が形成され
る様子が判る。ディスク部材10は1800rpmの好
ましい回転速度で回転し、標識37.38が第8図に示
す様に、光応答性被覆26内に形成される。第1図に示
した運動制御集成体28が、開口37を円形の。トラッ
ク状に形成する。
数字104は内側トラックの一部分を表わし、数字10
5は外側トラックの一部分を表わす。破線106はトラ
ック105の中心線を示し、破線107はトラック10
4の中心線を示す。線108の長さは、隣り合ったトラ
ック105.104の中心線106,107の間の・距
離を表わす。隣シ合ったトラックの中心線の間の典型的
な距離は2ミクロンである。開口37の幅は線109の
長゛さによって表わされる。開口の典型的な幅は1ミク
ロンである。隣り合った開口の間の距離は線110の長
さ知よって表わされる。
5は外側トラックの一部分を表わす。破線106はトラ
ック105の中心線を示し、破線107はトラック10
4の中心線を示す。線108の長さは、隣り合ったトラ
ック105.104の中心線106,107の間の・距
離を表わす。隣シ合ったトラックの中心線の間の典型的
な距離は2ミクロンである。開口37の幅は線109の
長゛さによって表わされる。開口の典型的な幅は1ミク
ロンである。隣り合った開口の間の距離は線110の長
さ知よって表わされる。
隣シ合ったトラックの間の距離はトラック間領域と呼ば
れ、典型的には長さが1ミクロンである。
れ、典型的には長さが1ミクロンである。
開口の長さが線112によって表わされ、典型的知範囲
、書込み光学装置41.42によって形成されるスポッ
ト42の寸法、及びディスク10に選んだ回転速度に関
係する。
、書込み光学装置41.42によって形成されるスポッ
ト42の寸法、及びディスク10に選んだ回転速度に関
係する。
第9図には第1図に示した運動制御集成体28が更に詳
しくブロック図で示されている。回転、駆動回路32が
スピンドル・サーボ回路130及びスピンドル軸132
を含む。スピンドル軸132はターンテーブル21に一
体に結合されている。スピンドル軸132が印刷配線形
モータ134によって、駆動される。印刷配線形モータ
134によって加えられる回転運動がスピンドル・サー
ボ回路130によって制御される。回路130は、ター
ンテーブル21の回転速度を、同期集成体36ので部分
を形成する色副京送波水晶発振器136によって発生さ
れる信号て対して、位相固定する。更に、同期集成体3
6が第1の割算回路138及び第2の割算回路140を
有する。第1の割算回路138は発振回路136で発生
された色副搬送波周波数を回転基準周波数まで分周する
。スピンドル軸132がタコメータ143を持っていて
、これが軸132とターンテーブル21の組合せの正確
な回転速度を表わす周波数信号を発生する。タコメータ
信号が線142に出る。第1の割算回路138からの回
転基準信号が線144に出る。線142のタコメータ信
号がスピンドル番サーボ回路130に印加され、線14
4の回転基単信号もスピンドル・サーボ回路130に印
加される。スピンドル・サーボ回路130が2つの入力
信号の位相を比較する。タコメータ信号の位相が回転基
準信号の位相より進んでいる時、回転速度が高すぎるの
で、スピンドル・サーボ回路130で発生された信号が
線146を介してモータ134に印加され、回転速度を
減速し、タコメータ信号を回転基準信号の位相と合う様
にする。スピンドル・サーボ回路130に於ける比較に
よシ、タコメータ信号の位相が回転基準信号の位相より
遅れている時、回転速度が遅すぎるのであシ、スピンド
ル・サーボ回路130で発生された信号が線148を介
してモータ134に印加され、回転速度を高め、タコメ
ータ信号の位相を回転基準信号の位相と合う様にする。
しくブロック図で示されている。回転、駆動回路32が
スピンドル・サーボ回路130及びスピンドル軸132
を含む。スピンドル軸132はターンテーブル21に一
体に結合されている。スピンドル軸132が印刷配線形
モータ134によって、駆動される。印刷配線形モータ
134によって加えられる回転運動がスピンドル・サー
ボ回路130によって制御される。回路130は、ター
ンテーブル21の回転速度を、同期集成体36ので部分
を形成する色副京送波水晶発振器136によって発生さ
れる信号て対して、位相固定する。更に、同期集成体3
6が第1の割算回路138及び第2の割算回路140を
有する。第1の割算回路138は発振回路136で発生
された色副搬送波周波数を回転基準周波数まで分周する
。スピンドル軸132がタコメータ143を持っていて
、これが軸132とターンテーブル21の組合せの正確
な回転速度を表わす周波数信号を発生する。タコメータ
信号が線142に出る。第1の割算回路138からの回
転基準信号が線144に出る。線142のタコメータ信
号がスピンドル番サーボ回路130に印加され、線14
4の回転基単信号もスピンドル・サーボ回路130に印
加される。スピンドル・サーボ回路130が2つの入力
信号の位相を比較する。タコメータ信号の位相が回転基
準信号の位相より進んでいる時、回転速度が高すぎるの
で、スピンドル・サーボ回路130で発生された信号が
線146を介してモータ134に印加され、回転速度を
減速し、タコメータ信号を回転基準信号の位相と合う様
にする。スピンドル・サーボ回路130に於ける比較に
よシ、タコメータ信号の位相が回転基準信号の位相より
遅れている時、回転速度が遅すぎるのであシ、スピンド
ル・サーボ回路130で発生された信号が線148を介
してモータ134に印加され、回転速度を高め、タコメ
ータ信号の位相を回転基準信号の位相と合う様にする。
第2の割算回路140が発振器136によって発生され
た色副搬送波周波数を、部材10の完全な1回転毎に、
並進駆動回路34を一定の距離だけ前進させるための並
進基準信号まで分周する。好ましい実施例では、並進、
駆動回路34が部材10の1回転毎に前進する距離は2
ミクロンである。
た色副搬送波周波数を、部材10の完全な1回転毎に、
並進駆動回路34を一定の距離だけ前進させるための並
進基準信号まで分周する。好ましい実施例では、並進、
駆動回路34が部材10の1回転毎に前進する距離は2
ミクロンである。
色副去送波水晶発振器136が、関連した2つの割算回
路138,140と共て電気同期回路として作用し、回
転、駆動集成体32によって行なわれるディスクの回転
運動と、並進駆動集成体34によって行なわれる書込み
ビーム29及び被覆26の間の並進運動との間に一定の
関係を維持する。
路138,140と共て電気同期回路として作用し、回
転、駆動集成体32によって行なわれるディスクの回転
運動と、並進駆動集成体34によって行なわれる書込み
ビーム29及び被覆26の間の並進運動との間に一定の
関係を維持する。
第1図、第10図及び第11図に示す可動光学集成体が
台142に装着される。この可動台は並進駆動集成体3
4によって半径方向に、駆動される。
台142に装着される。この可動台は並進駆動集成体3
4によって半径方向に、駆動される。
この集成体が台142をスピンドル軸132の1回転毎
に2.0ミクロン前進させる。この並進方向は回転する
ディスク10に対して半径方向である。スピンドル軸1
32の1回転当りのこの半径方向の前進を記録のピッチ
と呼ぶ。完成された記録のピッチの一様性は、台142
に装着された光学集成体の定常的な前進に依存するから
、並進、駆動集成体34にある親ねじ143をラップ仕
上げし、並進駆動ナツト144に予備荷重を加えること
に注意が払われる。このナツトが親ねじ14a iC係
合し、ナツト144と台142との間の接続部を、棒1
46で表わす様に、できるだけ堅固にする。
に2.0ミクロン前進させる。この並進方向は回転する
ディスク10に対して半径方向である。スピンドル軸1
32の1回転当りのこの半径方向の前進を記録のピッチ
と呼ぶ。完成された記録のピッチの一様性は、台142
に装着された光学集成体の定常的な前進に依存するから
、並進、駆動集成体34にある親ねじ143をラップ仕
上げし、並進駆動ナツト144に予備荷重を加えること
に注意が払われる。このナツトが親ねじ14a iC係
合し、ナツト144と台142との間の接続部を、棒1
46で表わす様に、できるだけ堅固にする。
第10図ては、前に説明した線状の一連の標識37.3
8として情報貯蔵部材10に貯蔵されている周波数変調
信号を再生するために使われる読取装置が示されている
。読取ビーム150が読取レーザ152によって発生さ
れる。このレーザは偏光したコリメートされた光ビーム
150を発生する。
8として情報貯蔵部材10に貯蔵されている周波数変調
信号を再生するために使われる読取装置が示されている
。読取ビーム150が読取レーザ152によって発生さ
れる。このレーザは偏光したコリメートされた光ビーム
150を発生する。
ターンテーブル21の様な支持部材を用いて、情報貯蔵
部材10を略予定の位置に保持する。
部材10を略予定の位置に保持する。
不動の読取光学集成体154及び可動の光学集成体15
6が読取光路を構成し、読取光ビーム150がレーザ源
152と情報貯蔵部材10との間でこの光路を通る。更
に、何れかの光学集成体を用いて、光ビーム150を、
情報貯蔵部材10の相次ぐ位置に担持された交互の位置
にある光反射領域38及び光散乱領域37に集束するこ
とができる。可動の光学集成体156は、光反射領域3
8及び光散乱領域37からの反射を収集するために使わ
れる。
6が読取光路を構成し、読取光ビーム150がレーザ源
152と情報貯蔵部材10との間でこの光路を通る。更
に、何れかの光学集成体を用いて、光ビーム150を、
情報貯蔵部材10の相次ぐ位置に担持された交互の位置
にある光反射領域38及び光散乱領域37に集束するこ
とができる。可動の光学集成体156は、光反射領域3
8及び光散乱領域37からの反射を収集するために使わ
れる。
運動制御集成体28が読取ビーム150と光反射性並び
に光散乱性を持つ交互Ω領域38.37との間で相対運
動を行な°わせる。
に光散乱性を持つ交互Ω領域38.37との間で相対運
動を行な°わせる。
光学集成体154,156は被覆26から反射されたビ
ームが通る光路をも構成する。反射ビームの通路を数字
150′で示しである。この反射光通路150′は最初
の読取ビーム通路150の一部分を含む。反射ビーム1
50′が読取ビーム150と一致する部分では、数字1
50.150’の両方を用いている。光感知素子158
を反射光ビーム通路150′内に配置し、それに入射す
る反射に対応する周波数変調された電気信号を発生する
。光感知素子158によって発生される周波数変調され
た電気信号が線160に出るが、その情報内容は、貯蔵
されている情報【対応する時間的な周波数変化を持つ搬
送波周波数の形をしている。光感知素子158の出力が
増幅器164を介して弁別回路162に印加される。
ームが通る光路をも構成する。反射ビームの通路を数字
150′で示しである。この反射光通路150′は最初
の読取ビーム通路150の一部分を含む。反射ビーム1
50′が読取ビーム150と一致する部分では、数字1
50.150’の両方を用いている。光感知素子158
を反射光ビーム通路150′内に配置し、それに入射す
る反射に対応する周波数変調された電気信号を発生する
。光感知素子158によって発生される周波数変調され
た電気信号が線160に出るが、その情報内容は、貯蔵
されている情報【対応する時間的な周波数変化を持つ搬
送波周波数の形をしている。光感知素子158の出力が
増幅器164を介して弁別回路162に印加される。
弁別回路162は光惑知回路158の出力に応答し、周
波数変調された電気信号を、貯蔵されていた情報を表わ
す時間に依存性を持つ電圧信号に変える。
波数変調された電気信号を、貯蔵されていた情報を表わ
す時間に依存性を持つ電圧信号に変える。
時間に依存性を持つ電圧信号はビデオ信号とも呼び、こ
れが線165に現われる。この時間に依存性を持つ電圧
信号の情報内容は、時間的な或る形式で変化する電圧で
あり、標臨形テレビジョン・モニタ166及び/又はオ
シシロスコープ168テ表示するのに適している。
れが線165に現われる。この時間に依存性を持つ電圧
信号の情報内容は、時間的な或る形式で変化する電圧で
あり、標臨形テレビジョン・モニタ166及び/又はオ
シシロスコープ168テ表示するのに適している。
読取光学集成体154,156は偏光選択性ビーム分割
部材170をも含む。この分割部材は入射ビーム150
に対してビーム偏光子として作用すると共に、反射ビー
ム150′に対して選択性ビーム分割器として作用する
。更に読取光学集成体が4分の1波長板172を含む。
部材170をも含む。この分割部材は入射ビーム150
に対してビーム偏光子として作用すると共に、反射ビー
ム150′に対して選択性ビーム分割器として作用する
。更に読取光学集成体が4分の1波長板172を含む。
ビーム偏光子170が、読取ビーム150から、ビーム
偏光子170の偏光軸線と整合していないあらゆる疑似
的な光波をF波する。
偏光子170の偏光軸線と整合していないあらゆる疑似
的な光波をF波する。
読取ビーム150の偏光軸線が部材170によって特定
の向きに固定されているので、4分の1波長板172が
偏光平面を直線偏光から円偏光に変える。
の向きに固定されているので、4分の1波長板172が
偏光平面を直線偏光から円偏光に変える。
部材170及び4分の1波長板172が読取光ビーム通
路150内に配置されている。部材170は読取ビーム
150の源152と4分の1波長板172との間に配置
される。4分の1波長板172は反射読取ビーム通路1
50′内にも配置されている。従って、4分の1波長板
172は読取ビームの偏光を、それが読取レーザ152
から情報貯蔵部材10へ通過する時に、直線偏光から円
偏光に変えるだけでなく、円偏光の反射光を、源152
及び部材170によって固定された好ましい方向に対し
て90°回転した直線偏光にも変える。この回転したビ
ーム150′が選択的に光感知素子158に送られ、こ
の素子が反射光ビーム150′を対応する電気信号に変
える。
路150内に配置されている。部材170は読取ビーム
150の源152と4分の1波長板172との間に配置
される。4分の1波長板172は反射読取ビーム通路1
50′内にも配置されている。従って、4分の1波長板
172は読取ビームの偏光を、それが読取レーザ152
から情報貯蔵部材10へ通過する時に、直線偏光から円
偏光に変えるだけでなく、円偏光の反射光を、源152
及び部材170によって固定された好ましい方向に対し
て90°回転した直線偏光にも変える。この回転したビ
ーム150′が選択的に光感知素子158に送られ、こ
の素子が反射光ビーム150′を対応する電気信号に変
える。
部材170が、その中を通過する時に、入射光ビーム1
50の強度を減少させることに注意されたい。
50の強度を減少させることに注意されたい。
この強度低下は、読取ビーム150の初期の強度をこの
減少を埋合せるの例十分なレベルに設定することによっ
て、補償される。4分の1波長板172は、直線偏光か
ら円偏光へ、そして再び直線偏光へ変る間、入射ビーム
150に対して合計90°の回転を反射ビーム150′
に加える。前に述べた様に、部材170も反射読取ビー
ム通路150′内にあるビーム分割キューブである。反
射読取ビーム150′の偏光平面が、4分の1波長板1
72を2回通過したことによって90°変ると、部材1
70のビーム分割キューブ部分が反射読取ビーム150
′を光感知回路158へ送る。光感知素子158として
作用するのに適した素子はフォトダイオードである。こ
の各々の素子158が、周波数変調された反射光ビーム
150′を、敬遠波周波数からの時間的な周波数変化を
持つ搬送波周波数としての情報内容を持つ電気信号て変
えることができる。光学集成体154゜156が更に対
物レンズ52を含む。このレンズが流体力学的な空気支
承部材54によって支持されている。この支承部材が情
報貯蔵部材10に担持された被覆26の上方にレンズ5
2を支持する。
減少を埋合せるの例十分なレベルに設定することによっ
て、補償される。4分の1波長板172は、直線偏光か
ら円偏光へ、そして再び直線偏光へ変る間、入射ビーム
150に対して合計90°の回転を反射ビーム150′
に加える。前に述べた様に、部材170も反射読取ビー
ム通路150′内にあるビーム分割キューブである。反
射読取ビーム150′の偏光平面が、4分の1波長板1
72を2回通過したことによって90°変ると、部材1
70のビーム分割キューブ部分が反射読取ビーム150
′を光感知回路158へ送る。光感知素子158として
作用するのに適した素子はフォトダイオードである。こ
の各々の素子158が、周波数変調された反射光ビーム
150′を、敬遠波周波数からの時間的な周波数変化を
持つ搬送波周波数としての情報内容を持つ電気信号て変
えることができる。光学集成体154゜156が更に対
物レンズ52を含む。このレンズが流体力学的な空気支
承部材54によって支持されている。この支承部材が情
報貯蔵部材10に担持された被覆26の上方にレンズ5
2を支持する。
前に述べた様に、読取ビーム150は略平行な光線で形
成されている。対物レンズ52は、レーザ源152によ
って発生された読取ビーム150の直径よシ大きい直径
の入口開口56を有する。平面、状ノ凸ノ発散レンズ1
74がレーザ源152及び対物レンズ52の入口開口5
6の中間に設けられ、読取ビーム150を形成する略平
行な光線を、少くとも対物レンズ52の入口開口に溢れ
る位の直径を持つ光ビーム150に拡げる。光学集成体
154.156が多数の不動の又は調節自在の鏡176
、178をも含んでいて、読取光ビーム150及び反射
光ビーム150′を、前に述べた素子に入射する様に計
算された通路に沿って折シ曲げる。
成されている。対物レンズ52は、レーザ源152によ
って発生された読取ビーム150の直径よシ大きい直径
の入口開口56を有する。平面、状ノ凸ノ発散レンズ1
74がレーザ源152及び対物レンズ52の入口開口5
6の中間に設けられ、読取ビーム150を形成する略平
行な光線を、少くとも対物レンズ52の入口開口に溢れ
る位の直径を持つ光ビーム150に拡げる。光学集成体
154.156が多数の不動の又は調節自在の鏡176
、178をも含んでいて、読取光ビーム150及び反射
光ビーム150′を、前に述べた素子に入射する様に計
算された通路に沿って折シ曲げる。
随意選択の光学フィルタ180が反射ビーム通路150
′内に配置され、入射ビームの波長以外の全ての波長を
F波する。このフィルタ180を使うことにより、テレ
ビジョン・モニタ166で表示される画像の品質が改善
される。この読取装置を、後で第11図について詳しく
説明する書込み装置と一緒に使う時、このフィルタ18
0は不可欠である。
′内に配置され、入射ビームの波長以外の全ての波長を
F波する。このフィルタ180を使うことにより、テレ
ビジョン・モニタ166で表示される画像の品質が改善
される。この読取装置を、後で第11図について詳しく
説明する書込み装置と一緒に使う時、このフィルタ18
0は不可欠である。
この書込み後の読取を行なう場合、書込みビーム29の
一部分が反射読取ビーム通路150′を通る。
一部分が反射読取ビーム通路150′を通る。
フィルタが書込みビームのこの部分を止め、反射ビーム
150′の全強度を通す。
150′の全強度を通す。
随意選択の収斂レンズ182が反射ビーム通路150′
内に配置され、反射ビームを光感知素子158の活性区
域に像を結ぶ。この収斂レンズ182は反射ビーム15
0′の直径を小さくシ、光感知素子158の活性区域て
対して反射ビームの西強度を集中する。
内に配置され、反射ビームを光感知素子158の活性区
域に像を結ぶ。この収斂レンズ182は反射ビーム15
0′の直径を小さくシ、光感知素子158の活性区域て
対して反射ビームの西強度を集中する。
増幅器164が光感知素子158の出力を増幅し、光感
知素子158によって発生された周波数変調された電気
信号の振幅を高め、復調器162の入力信号条件に合う
様にする。
知素子158によって発生された周波数変調された電気
信号の振幅を高め、復調器162の入力信号条件に合う
様にする。
再び第4図乃至第7図の電気波形てついて説明すると、
これらの波形は、ディスク10に担持される被覆26内
に貯蔵された周波数変調信号を再生する間、第10図に
示す読取装置によっても発生される。第6図は線80で
表わす一定の強度を持つ書込みレーザ・ビームを発生す
るレーザ源を示す。読取レーザ152が、一定の強度で
あるが、レベルは一層低い読取ビーム150を発生する
。
これらの波形は、ディスク10に担持される被覆26内
に貯蔵された周波数変調信号を再生する間、第10図に
示す読取装置によっても発生される。第6図は線80で
表わす一定の強度を持つ書込みレーザ・ビームを発生す
るレーザ源を示す。読取レーザ152が、一定の強度で
あるが、レベルは一層低い読取ビーム150を発生する
。
第7図は強度変調された誉込みレーザ・ビーム・を示す
。反射読取ビーム1501が、ディスク部材lOに担持
される光反射領域及び光散乱領域38゜37に入射する
ことによって、強度変調される。
。反射読取ビーム1501が、ディスク部材lOに担持
される光反射領域及び光散乱領域38゜37に入射する
ことによって、強度変調される。
反射読取ビーム150′は第7図に示す様な完全な矩形
波ではなく、矩形の縁が、読取スポットの有限の寸法の
ために丸くなる。
波ではなく、矩形の縁が、読取スポットの有限の寸法の
ために丸くなる。
第5図は、中心周波数の前後に時間的に変化する周波数
変化を持つ搬送波信号の形で情報内容を持つ周波数変調
された電気信号を示す。光感知素子158の出力は同じ
種類の信号である。第4図は、時間的な或る形式で変化
する電圧として情報内容を持つビデオ信号を示す。復調
器162の出力は同じ形式の信号である。
変化を持つ搬送波信号の形で情報内容を持つ周波数変調
された電気信号を示す。光感知素子158の出力は同じ
種類の信号である。第4図は、時間的な或る形式で変化
する電圧として情報内容を持つビデオ信号を示す。復調
器162の出力は同じ形式の信号である。
第10図に示す運動制御集成体28は、第1図に示した
運動制御集成体28と同じ様に動作する。
運動制御集成体28と同じ様に動作する。
読取装置では、運動制御集成体28が、回転駆動集成体
32の制御の下に、ディスク部材に対して回転運動を伝
える。更に集成体28が、貯蔵部材の面の半径方向に可
動の読取光学集成体156を動かすために、並進運動を
発生する。
32の制御の下に、ディスク部材に対して回転運動を伝
える。更に集成体28が、貯蔵部材の面の半径方向に可
動の読取光学集成体156を動かすために、並進運動を
発生する。
更に集成体28が、読取ビーム150がディスク部材1
0に担持される情報トラックに入射する様に、回転運動
と並進運動との間に一定の関係を維持する同期回路を含
む。典型的な情報トラックの一部分を第3図の104,
105に示しである。
0に担持される情報トラックに入射する様に、回転運動
と並進運動との間に一定の関係を維持する同期回路を含
む。典型的な情報トラックの一部分を第3図の104,
105に示しである。
第11図には第1図に示しだ書込み装置及び第10図て
示した読取装置の組合せのブロック図が示されている。
示した読取装置の組合せのブロック図が示されている。
第11図に示す素子は、前に述べたのと同様に動作し、
その動作を詳しく繰返して説明する必要はない。繰返し
を避けるだめに、簡単に説明する。
その動作を詳しく繰返して説明する必要はない。繰返し
を避けるだめに、簡単に説明する。
変調されていない書込みビームの通路が29に示されて
おシ、変調されたビームの通路を29′に示しである。
おシ、変調されたビームの通路を29′に示しである。
第1の光学集成体が直線偏光子70の出力と被覆26と
の間に変調ビーム通路29′を構成する。固定の書込み
光学集成体41が@58を含む。可動の書込み光学集成
体40が発散レンズ66、一部分透過性の鏡200.可
動鏡60及び対物レンズ52を含む。変調された書込み
ビーム29′が光応答性被覆上の書込みスポット42に
像を結び、被覆と相互作用して前述の様に標識を形成す
る。読取ビーム通路150に示す。読取光学集成体が読
取レーザ152と情報貯蔵用記録担体10との間に読取
ビーム150のための第2の光路を構成する。固定の読
取光学集成体154が鏡176を含む。可動の読取光学
集成体156が発散レンズ174゜偏光変更手段172
.第2の固定鏡202.一部分透過性の鏡200.可動
鏡60及びレンズ52を含む。
の間に変調ビーム通路29′を構成する。固定の書込み
光学集成体41が@58を含む。可動の書込み光学集成
体40が発散レンズ66、一部分透過性の鏡200.可
動鏡60及び対物レンズ52を含む。変調された書込み
ビーム29′が光応答性被覆上の書込みスポット42に
像を結び、被覆と相互作用して前述の様に標識を形成す
る。読取ビーム通路150に示す。読取光学集成体が読
取レーザ152と情報貯蔵用記録担体10との間に読取
ビーム150のための第2の光路を構成する。固定の読
取光学集成体154が鏡176を含む。可動の読取光学
集成体156が発散レンズ174゜偏光変更手段172
.第2の固定鏡202.一部分透過性の鏡200.可動
鏡60及びレンズ52を含む。
読取ビーム150は、後で第12図について更に詳しく
説明する様て、書込みスポット42よシ下流側に隔った
点に読取スポット157を結ぶ。
説明する様て、書込みスポット42よシ下流側に隔った
点に読取スポット157を結ぶ。
鏡200はダイクロイック・ミラーであり、書込みビー
ム29′の波長では透過性であるが、読取ビーム150
′の波長では反射性である。
ム29′の波長では透過性であるが、読取ビーム150
′の波長では反射性である。
書込みビーム29′の強度は読取ビーム150の強度よ
り強い。書込みビーム29′は貯蔵しようとするビデオ
信号を表わす標識を保有する様に光応答性被覆26を変
更しなければならないが、読取ビーム1500強度は、
被覆26に形成された標識を照射して、読取光学集成体
で収集した、強度変調された反射ビーム150′を光感
知回路158で周波数変調された電気信号【変換した後
に、良好な信号が得られる位の強度を持つ反射光ビーム
150′を発生しさえすればよい。
り強い。書込みビーム29′は貯蔵しようとするビデオ
信号を表わす標識を保有する様に光応答性被覆26を変
更しなければならないが、読取ビーム1500強度は、
被覆26に形成された標識を照射して、読取光学集成体
で収集した、強度変調された反射ビーム150′を光感
知回路158で周波数変調された電気信号【変換した後
に、良好な信号が得られる位の強度を持つ反射光ビーム
150′を発生しさえすればよい。
書込み光路にある固定の鏡58及び読取光路の2つの固
定の鏡176.202を用いて、書込みビーム29′を
、読取ビーム150に対して制御された角度で、対物レ
ンズ56に向ける。2つの入射ビームの間のこの角度に
よシ、夫々のビームが被覆26に像を結ぶ時、書込みス
ポット42と読取スポット157−との間に間隔が得ら
れる。
定の鏡176.202を用いて、書込みビーム29′を
、読取ビーム150に対して制御された角度で、対物レ
ンズ56に向ける。2つの入射ビームの間のこの角度に
よシ、夫々のビームが被覆26に像を結ぶ時、書込みス
ポット42と読取スポット157−との間に間隔が得ら
れる。
動作の際、十分な間隔ば4乃至6ミクロンであることが
判った。この距離は第12図にはっきシ示す【は小さす
ぎる角度に対応する。このため、見やすくするために、
第12図ではこの角度を誇張して示しである。
判った。この距離は第12図にはっきシ示す【は小さす
ぎる角度に対応する。このため、見やすくするために、
第12図ではこの角度を誇張して示しである。
読取ビーム150′プ:弁別回路162で復調され、標
準形テレビジョンーモニタ166及びオッシロス:7−
7’168に表示される。テレビジョン俸モニタ166
が記録の画像の品質を示し、オツシロスコープ168が
ビデオ信号を更に詳しく示す。書込み後に読取るこの機
能によシ、書込み動作の間に貯蔵されたビデオ信号の品
質を瞬時的に監視することができる。貯蔵された信号の
品質が不良である場合、それがすぐ判シ、書込み手順を
是正するか、品質の不良なビデオ情報信号を貯蔵してい
る情報貯蔵部材10を廃棄することができる。
準形テレビジョンーモニタ166及びオッシロス:7−
7’168に表示される。テレビジョン俸モニタ166
が記録の画像の品質を示し、オツシロスコープ168が
ビデオ信号を更に詳しく示す。書込み後に読取るこの機
能によシ、書込み動作の間に貯蔵されたビデオ信号の品
質を瞬時的に監視することができる。貯蔵された信号の
品質が不良である場合、それがすぐ判シ、書込み手順を
是正するか、品質の不良なビデオ情報信号を貯蔵してい
る情報貯蔵部材10を廃棄することができる。
書込み後の読取動作様式では、書込みレーザ30及び読
取レーザ152が同時に動作する。ダイクロイック・ミ
ラー200を用いて、読取ビーム150を書込みビーム
29′と組合せる。この書込み後の読取動作様式では、
書込みビーム29の波長は読取ビーム150の波長とは
違う様に選ばれる。光学フィルタ180を用いて、書込
みビームの内、反射読取ビーム通路をたどる部分を阻止
する。従って、光学フィルタ180は反射読取ビーム1
50′を通過させ、書込みレーザ・ビーム29′の内、
反射読取ビーム通路150′をたどる部分があれば、そ
れをF波する。
取レーザ152が同時に動作する。ダイクロイック・ミ
ラー200を用いて、読取ビーム150を書込みビーム
29′と組合せる。この書込み後の読取動作様式では、
書込みビーム29の波長は読取ビーム150の波長とは
違う様に選ばれる。光学フィルタ180を用いて、書込
みビームの内、反射読取ビーム通路をたどる部分を阻止
する。従って、光学フィルタ180は反射読取ビーム1
50′を通過させ、書込みレーザ・ビーム29′の内、
反射読取ビーム通路150′をたどる部分があれば、そ
れをF波する。
比較動作様式では、書込み後の読取動作は、第11図に
ついて述べた様に実施される。この監視動作様式で動作
する時、比較回路204が復調器162の出力を源18
から供給されたもとのビデオ情報信号と比較する。
ついて述べた様に実施される。この監視動作様式で動作
する時、比較回路204が復調器162の出力を源18
から供給されたもとのビデオ情報信号と比較する。
更に詳しく言えば、弁別器162のビデオ出力が線20
6を介して比較器204に印加される。比較器204の
他方の入力はビデオ源16から線18.別の線208及
び遅延線210を介して入る。遅延線210が入力ビデ
オ情報信号に対し、入力ビデオ情報信号の周波数変調か
ら始まって、感知回路150による再生された電気信号
の周波数復調にわたる遅延の累積値に等しい遅延時間を
加える。この遅延は、入力ビデオ情報が書込みスポット
42によって情報貯蔵部材に貯蔵される貯蔵部材10上
の点から、読取スポット157の入射点までの移動時間
に相当する遅延をも含む。
6を介して比較器204に印加される。比較器204の
他方の入力はビデオ源16から線18.別の線208及
び遅延線210を介して入る。遅延線210が入力ビデ
オ情報信号に対し、入力ビデオ情報信号の周波数変調か
ら始まって、感知回路150による再生された電気信号
の周波数復調にわたる遅延の累積値に等しい遅延時間を
加える。この遅延は、入力ビデオ情報が書込みスポット
42によって情報貯蔵部材に貯蔵される貯蔵部材10上
の点から、読取スポット157の入射点までの移動時間
に相当する遅延をも含む。
正確な遅延量を発生するには、遅延回路210を可変遅
延回路とし、最適動作が得られる様に調節するのが最も
よい。
延回路とし、最適動作が得られる様に調節するのが最も
よい。
弁別器162のビデオ出力、信号があらゆる点て線18
.208のビデオ入力信号と同一であることが理想であ
る。その違いがあれば、それはディスクの表面の欠陥又
は書込み回路の誤動作によって起とシ得る誤差を表わす
。ディジタル情報を記録する時は重大であるが、これは
他の情報を記録する時はそれ程問題ではない。
.208のビデオ入力信号と同一であることが理想であ
る。その違いがあれば、それはディスクの表面の欠陥又
は書込み回路の誤動作によって起とシ得る誤差を表わす
。ディジタル情報を記録する時は重大であるが、これは
他の情報を記録する時はそれ程問題ではない。
比較回路204からの出力信号を計数器(図に示してな
い)で計数して、任意のディスクに存在する実際の誤差
の数を定めることができる。計数された誤差が予定の選
ばれた数を超える時、書込み動作を終了する。必要であ
れば、新しいディスクに書込むことができる。誤差の多
すぎるディスクは再処理することができる。
い)で計数して、任意のディスクに存在する実際の誤差
の数を定めることができる。計数された誤差が予定の選
ばれた数を超える時、書込み動作を終了する。必要であ
れば、新しいディスクに書込むことができる。誤差の多
すぎるディスクは再処理することができる。
第11図で、比較器204が線2Of3.206 K、
出る出力信号を比較する。比較6204のこれとは別の
、もつと直接的なやり方は、周波数変調器20の出力と
第10図に示した増幅器164の出力とを比較すること
である。
出る出力信号を比較する。比較6204のこれとは別の
、もつと直接的なやり方は、周波数変調器20の出力と
第10図に示した増幅器164の出力とを比較すること
である。
第12図には、書込みレーザ30からの強度変調された
書込みビーム29′及び読取レーザ152からの変調さ
れていない読取ビーム150の若干具なる光路が幾分誇
張して示されている。情報貯蔵部材10は矢印217で
示す向きに移動している。これはまだ露出していない被
覆26が書込みビーム29′に接近しつつあることを示
しておシ、線状の一連の開口37が書込みビーム29′
と被覆26との交点から離れつ\あることを示している
。書込みビーム29′は原微鏡用対物レンズ52の光軸
と一致する。212に示した読取ビーム150の中心軸
線は、214に示した書込みビーム29′の中心軸線と
は或る角度を成す。この角度を二重の矢印216で示し
である。書込みビーム29′及び読取ビーム150がレ
ンズ52を通過する時の光路にこのわずかな違いがある
ため、書込みスポット42は読取スポット152よシ或
る距離だけ前方に入射する。
書込みビーム29′及び読取レーザ152からの変調さ
れていない読取ビーム150の若干具なる光路が幾分誇
張して示されている。情報貯蔵部材10は矢印217で
示す向きに移動している。これはまだ露出していない被
覆26が書込みビーム29′に接近しつつあることを示
しておシ、線状の一連の開口37が書込みビーム29′
と被覆26との交点から離れつ\あることを示している
。書込みビーム29′は原微鏡用対物レンズ52の光軸
と一致する。212に示した読取ビーム150の中心軸
線は、214に示した書込みビーム29′の中心軸線と
は或る角度を成す。この角度を二重の矢印216で示し
である。書込みビーム29′及び読取ビーム150がレ
ンズ52を通過する時の光路にこのわずかな違いがある
ため、書込みスポット42は読取スポット152よシ或
る距離だけ前方に入射する。
書込みスポット42は線218の長さに等しい距離だけ
、読取スポット157よシ進んでいる。線218の長さ
は、対物レンズ52の焦点距離て角度を乗じた値に等し
い。この結果、書込みと読取との間V;宝り正シ;舛?
デスとシfヒh ぞI馳1 番本毫ツ六躍り武が凝固
することができ、このため最終的な凝固した状態で記録
が読取られる。金属がまだ溶融している様な早すぎる時
期に読取をすると、開口の縁からの反射は、モニタ16
6で表示するだめの品質の高い信号にはならない。
、読取スポット157よシ進んでいる。線218の長さ
は、対物レンズ52の焦点距離て角度を乗じた値に等し
い。この結果、書込みと読取との間V;宝り正シ;舛?
デスとシfヒh ぞI馳1 番本毫ツ六躍り武が凝固
することができ、このため最終的な凝固した状態で記録
が読取られる。金属がまだ溶融している様な早すぎる時
期に読取をすると、開口の縁からの反射は、モニタ16
6で表示するだめの品質の高い信号にはならない。
第13図には、第1図の装置に使うのに適したポッケル
ス・セル安定化回路48の理想化した線図が示されてい
る。公知の様に、ポッケルス・セル68は加えられた書
込み光ビーム29の偏光平面を、第7図に示した印加電
圧の関数として回転させる。
ス・セル安定化回路48の理想化した線図が示されてい
る。公知の様に、ポッケルス・セル68は加えられた書
込み光ビーム29の偏光平面を、第7図に示した印加電
圧の関数として回転させる。
個々のポッケルス・セル68に応シて、100ボルト程
度の電工変化により、セルがその中を通過する光の偏光
平面を90°いっばいに回転させる。
度の電工変化により、セルがその中を通過する光の偏光
平面を90°いっばいに回転させる。
ポッケルス・セル駆動器は情報信号源12からの出力を
ピーク間100ボルトの出力に増幅する様に作用する。
ピーク間100ボルトの出力に増幅する様に作用する。
これによって、ポッケルス・セル68に対する適正な入
力1駆動信号が得られる。ポッケルス・セル駆動器72
が第5図に示す形の波形を発生する。そのピーク間電圧
は100ボルトである。
力1駆動信号が得られる。ポッケルス・セル駆動器72
が第5図に示す形の波形を発生する。そのピーク間電圧
は100ボルトである。
ポッケルス・セルは、変調された光ビーム強度が電気駆
動信号を最も忠実に再現する様に、平均45°の回転で
動作させるべきである。ポッケルス・セルをこの平均動
作点に保つため、ポッケルス・セルにバイアス電圧を加
えなければならない。実際には、45°の回転の動作点
く対応するバイアス電圧は連続的に変化する。この連続
的に変化するバイアス電圧がサーボ帰還ループを使うこ
とによって発生される。この帰還ループは、透過した光
の干均喧を調節自在の基準値に比較し、その差の信号を
直流増幅器を介してポッケルス・セルに印加するもので
ある。この構成てより、動作点が安定化する。基準値は
45°の動作点に対応する平均透過量知対応する様に調
節することができ、サーボ帰還ループがポッケルス・セ
ルをこの平均の45゜の回転に保つための補正バイアス
電圧を供給する。
動信号を最も忠実に再現する様に、平均45°の回転で
動作させるべきである。ポッケルス・セルをこの平均動
作点に保つため、ポッケルス・セルにバイアス電圧を加
えなければならない。実際には、45°の回転の動作点
く対応するバイアス電圧は連続的に変化する。この連続
的に変化するバイアス電圧がサーボ帰還ループを使うこ
とによって発生される。この帰還ループは、透過した光
の干均喧を調節自在の基準値に比較し、その差の信号を
直流増幅器を介してポッケルス・セルに印加するもので
ある。この構成てより、動作点が安定化する。基準値は
45°の動作点に対応する平均透過量知対応する様に調
節することができ、サーボ帰還ループがポッケルス・セ
ルをこの平均の45゜の回転に保つための補正バイアス
電圧を供給する。
安定比回路48が光感知手段225を含む。シリコン・
ダイオードが適当な光感知手段として作用する。ダイオ
ード225が、光変調器44かも出てきて、第1図に示
した一部分反射性の鏡58を通過する書込みビーム29
′の一部分29″ を感知する。シリコン・ダイオード
225が大体太陽電池と同じ様に作用し、入射する放射
によって照射された時、電気エネルギ源になる。シリコ
ン・ダイオード225の1本の出力線が線227によっ
て共通の基準電位226に接続される。ダイオード22
5の他方の出力線が線230によって差動増幅器228
の一方の入力に接続される。シリコン・セル225の出
力線が負荷抵抗232によって分路されておシ、この抵
抗は直線形応答ができる様にする。
ダイオードが適当な光感知手段として作用する。ダイオ
ード225が、光変調器44かも出てきて、第1図に示
した一部分反射性の鏡58を通過する書込みビーム29
′の一部分29″ を感知する。シリコン・ダイオード
225が大体太陽電池と同じ様に作用し、入射する放射
によって照射された時、電気エネルギ源になる。シリコ
ン・ダイオード225の1本の出力線が線227によっ
て共通の基準電位226に接続される。ダイオード22
5の他方の出力線が線230によって差動増幅器228
の一方の入力に接続される。シリコン・セル225の出
力線が負荷抵抗232によって分路されておシ、この抵
抗は直線形応答ができる様にする。
差動増幅器228に対する他方の入力が線238によっ
てポテンショメータ236の調節自在のアーム234に
接続される。ポテンショメータ236の一端が線240
によって基準電位226に接続される。電源242がポ
テンショメータ236の他端に結合され、差動増幅器2
28を調節して、変調されたレーザ・ビーム29′の平
均エネルギ・レベルを予定の値に調節するための帰還信
号を線244,246に発生する。
てポテンショメータ236の調節自在のアーム234に
接続される。ポテンショメータ236の一端が線240
によって基準電位226に接続される。電源242がポ
テンショメータ236の他端に結合され、差動増幅器2
28を調節して、変調されたレーザ・ビーム29′の平
均エネルギ・レベルを予定の値に調節するための帰還信
号を線244,246に発生する。
差動増幅器228の出力端子が抵抗素子248゜250
及び出力線244.246を介して第1図に示したポッ
ケルス・セル68の入力端子に接続される。
及び出力線244.246を介して第1図に示したポッ
ケルス・セル68の入力端子に接続される。
ポッケルス・セル駆動器72が容量性素子252゜25
4を介してポッケルス・セル68に交流結合される。差
動増幅器228はポッケルス・セル68に直流結合され
る。
4を介してポッケルス・セル68に交流結合される。差
動増幅器228はポッケルス・セル68に直流結合され
る。
動作について説明すると、この装置を付勢した時、書込
みビーム29′からの光の部分29″がシリコン・ダイ
オード225に入射することにより、差動増幅器228
の一方の入力に差電圧が発生される。
みビーム29′からの光の部分29″がシリコン・ダイ
オード225に入射することにより、差動増幅器228
の一方の入力に差電圧が発生される。
最初、ポテンショメータ236は、ポッケルス・セルの
平均透過量が45°の回転に対応する様に調節される。
平均透過量が45°の回転に対応する様に調節される。
その後、シリコン・セル225に入射する平均強度レベ
ルが増加又は減少すると、差動増幅器228によって補
正電圧が発生される。ポッケルス・セル6・8に印加さ
れる補正電圧は、ポテンショメータ236の調節自在の
アーム234を動かすことによって、差動増幅器の他方
の入力に線238を介して印加される入力電圧を調節す
ることによつイニ彊ビh?g−墨中小1ノ/%! n−
Ill”1梠F’s FliF + t Rn−心開溜
させるのに適切な極性並びに大きさである。
ルが増加又は減少すると、差動増幅器228によって補
正電圧が発生される。ポッケルス・セル6・8に印加さ
れる補正電圧は、ポテンショメータ236の調節自在の
アーム234を動かすことによって、差動増幅器の他方
の入力に線238を介して印加される入力電圧を調節す
ることによつイニ彊ビh?g−墨中小1ノ/%! n−
Ill”1梠F’s FliF + t Rn−心開溜
させるのに適切な極性並びに大きさである。
ポテンショメータ236の調節自在のアーム234が、
書込みレーザ30によって発生される光の平均強度レベ
ルを選択する手段である。開口37の長さが、前述の様
に、次に続く空間38の長さと正確に等しい時、最適の
結果が得られる。ポテンショメータ236の調節は、こ
の様に長さを等しくする手段になる。開口の長さがその
隣りにある空間の長さに等しい時、デユーティ・サイク
ルは5〇−50になる。このデユーティ・サイクルは、
書込んだばかりの情報が前述の様にテレビジョン・モニ
タ及ヒ/又ハオツシロスコープ166.168f表示さ
れる時、その状態を検査することによって検出し得る。
書込みレーザ30によって発生される光の平均強度レベ
ルを選択する手段である。開口37の長さが、前述の様
に、次に続く空間38の長さと正確に等しい時、最適の
結果が得られる。ポテンショメータ236の調節は、こ
の様に長さを等しくする手段になる。開口の長さがその
隣りにある空間の長さに等しい時、デユーティ・サイク
ルは5〇−50になる。このデユーティ・サイクルは、
書込んだばかりの情報が前述の様にテレビジョン・モニ
タ及ヒ/又ハオツシロスコープ166.168f表示さ
れる時、その状態を検査することによって検出し得る。
開口37の長さが、この開口とその次の位置にある空間
との合計の長さの40乃至60%の間で変化する時、商
業的に許容し得る結果が得られる。言いかえれば、開口
並びに次に続く位置にある空間の長さが測定される。そ
の時、開口は合計の長さの40乃至60%の範囲内に入
る長さであればよい。
との合計の長さの40乃至60%の間で変化する時、商
業的に許容し得る結果が得られる。言いかえれば、開口
並びに次に続く位置にある空間の長さが測定される。そ
の時、開口は合計の長さの40乃至60%の範囲内に入
る長さであればよい。
第8図に第3図に示した情報トラックの半径方向断面図
が示されている。鏡面形光反射領域38が1対の非鏡面
形光反射領域37の中間にある。
が示されている。鏡面形光反射領域38が1対の非鏡面
形光反射領域37の中間にある。
第8図に示した半径方向断面図で、入射する読取又は書
込みビームは矢印217で示す向きに、部材10に対し
て移動する。つまシ、読取ビームは最初に鏡面形光反射
領域38aに入射してから、非鏡面形光反射領域37a
に入射する。この形式では、記録される信号の正の半サ
イクルは鏡面形光反射領域38aによって表わされ、記
録される信号の負の半サイクルは非鏡面形光反射領域3
7aによって表わされる。第8図に示す信号のデユーテ
ィ・サイクルは、括弧260で表わした鏡面形光反射領
域38aの長さが、括弧262で表わした非鏡l形光反
射領域37aの長さと等しければ、50%のデユーティ
・サイクルである。好ましいデユーティ・サイクルは、
書込みレーザ30の電源を調節することによって、書込
みビーム29の絶対的な強度を調節すると共に、安定化
回路48内のポテンショメータ236を、書込みビーム
29の偏光角が45゜回転する状態から開口が形成され
始まる様なレベルに調節することによって、設定するこ
とができる。
込みビームは矢印217で示す向きに、部材10に対し
て移動する。つまシ、読取ビームは最初に鏡面形光反射
領域38aに入射してから、非鏡面形光反射領域37a
に入射する。この形式では、記録される信号の正の半サ
イクルは鏡面形光反射領域38aによって表わされ、記
録される信号の負の半サイクルは非鏡面形光反射領域3
7aによって表わされる。第8図に示す信号のデユーテ
ィ・サイクルは、括弧260で表わした鏡面形光反射領
域38aの長さが、括弧262で表わした非鏡l形光反
射領域37aの長さと等しければ、50%のデユーティ
・サイクルである。好ましいデユーティ・サイクルは、
書込みレーザ30の電源を調節することによって、書込
みビーム29の絶対的な強度を調節すると共に、安定化
回路48内のポテンショメータ236を、書込みビーム
29の偏光角が45゜回転する状態から開口が形成され
始まる様なレベルに調節することによって、設定するこ
とができる。
第7図及び第8図に例示した開口形成過程について再び
説明すると、光スポツト内のエネルギが金属被膜の組成
並びに厚さ、及び基板の特性に特有な閾値を超える時、
薄い金属被覆26の溶融が起こる。スポットのエネルギ
は光強度変調集成体44によって変調されている。オン
・オフの変化を短かく抑えて、溶融 値に変動があって
も、孔の末端の位置が正確になる様にする。金属被覆の
厚さの変動や、情報貯蔵層として違う材料を使うことに
よシ、溶融閾値の変動が起こり得る。
説明すると、光スポツト内のエネルギが金属被膜の組成
並びに厚さ、及び基板の特性に特有な閾値を超える時、
薄い金属被覆26の溶融が起こる。スポットのエネルギ
は光強度変調集成体44によって変調されている。オン
・オフの変化を短かく抑えて、溶融 値に変動があって
も、孔の末端の位置が正確になる様にする。金属被覆の
厚さの変動や、情報貯蔵層として違う材料を使うことに
よシ、溶融閾値の変動が起こり得る。
200乃至300オングストロームの厚さを持つ薄い金
属被覆26内に開口を形成するのに必要なスポットの平
均エネルギは、200ミリワット程度である。F =W
yH送波周波数が約BMHzであるから、毎秒8810
6個の可変の長さを持つ孔が切込まれ、1つの孔雀たシ
のエネルギは2.5×10−9ジユールである。
属被覆26内に開口を形成するのに必要なスポットの平
均エネルギは、200ミリワット程度である。F =W
yH送波周波数が約BMHzであるから、毎秒8810
6個の可変の長さを持つ孔が切込まれ、1つの孔雀たシ
のエネルギは2.5×10−9ジユールである。
ビデオ・ディスク部材10のこの第1の実施例では、硝
子基板の一部分が各々の開口で露出する。
子基板の一部分が各々の開口で露出する。
硝子基板の露出した部分は、入射する読取ビームに対し
て、非鏡面形光反射領域となる。相次ぐ位置にある開口
の間に残っている金属被覆の部分は、入射する読取ビー
ム疋対して光反射の強い領域となる。
て、非鏡面形光反射領域となる。相次ぐ位置にある開口
の間に残っている金属被覆の部分は、入射する読取ビー
ム疋対して光反射の強い領域となる。
フォトレジスト被覆を使って第1及び蕗2の標識を形成
する時、書込みビーム29′の強度は、偏光平面の45
°の回転によって、フォトレジスト被覆の運動中、それ
が移動する情報貯蔵部材10上にある間に、被覆26を
露出させ並びに/又はこのフォトレジスト被覆と相互作
用するための閾値強度を持つ光ビーム29′を発生する
様に調節される。ポッケルス・セル68及びグラン・プ
リズム70の組合せは光強度変調部材となシ、設定され
た45°の状態から、0°に近い動作状態に関連する低
い光透過状態、並びに90°に近い動作状態に関連する
高い光透過状態まで動作する。書込み光ぐ−ム29′の
強度が最初に調節されたレベル、又は予定の開始時強度
よシ高くなシ、高い方の光透過状態に向って増加する時
、入射する書込み光ビーム29′はそれによって照射さ
れるフォトレジストを露出する。この露出は、書込みビ
ームの強度が最大光透過状態に達し、且つ書込みレーザ
30かも出る光め偏光平面に対する45°の回転に関連
した最初の予定の強度に向って下がシ始めた後も、継続
する。回転が45°の値よシ下ると、グラン・プリズム
70から出てくる書込みビーム29′の強度は閾値強度
よシ低くなり、この時集束された書込みビームはそれに
よって照射されたフォトレジストを露出しなくなる。こ
の様に照射されたフォトレジストを露出しなくなるのは
、書込みビームの強度が最小光透過状態に達し且つ書込
みレーザ30かも出る光の偏光平面の45°の回転に伴
う最初に定めた強度に向って再び増加し始める後まで継
続する。
する時、書込みビーム29′の強度は、偏光平面の45
°の回転によって、フォトレジスト被覆の運動中、それ
が移動する情報貯蔵部材10上にある間に、被覆26を
露出させ並びに/又はこのフォトレジスト被覆と相互作
用するための閾値強度を持つ光ビーム29′を発生する
様に調節される。ポッケルス・セル68及びグラン・プ
リズム70の組合せは光強度変調部材となシ、設定され
た45°の状態から、0°に近い動作状態に関連する低
い光透過状態、並びに90°に近い動作状態に関連する
高い光透過状態まで動作する。書込み光ぐ−ム29′の
強度が最初に調節されたレベル、又は予定の開始時強度
よシ高くなシ、高い方の光透過状態に向って増加する時
、入射する書込み光ビーム29′はそれによって照射さ
れるフォトレジストを露出する。この露出は、書込みビ
ームの強度が最大光透過状態に達し、且つ書込みレーザ
30かも出る光め偏光平面に対する45°の回転に関連
した最初の予定の強度に向って下がシ始めた後も、継続
する。回転が45°の値よシ下ると、グラン・プリズム
70から出てくる書込みビーム29′の強度は閾値強度
よシ低くなり、この時集束された書込みビームはそれに
よって照射されたフォトレジストを露出しなくなる。こ
の様に照射されたフォトレジストを露出しなくなるのは
、書込みビームの強度が最小光透過状態に達し且つ書込
みレーザ30かも出る光の偏光平面の45°の回転に伴
う最初に定めた強度に向って再び増加し始める後まで継
続する。
ポッケルス・セル駆動器72は典型的には高利得の高圧
増幅器であ!+、100ボルトの電圧の振れを持つ出力
信号を発生する。この信号はポッケルス・セル68の、
駆動条件に合せるためである。
増幅器であ!+、100ボルトの電圧の振れを持つ出力
信号を発生する。この信号はポッケルス・セル68の、
駆動条件に合せるためである。
典型的には、ポッケルス・セル駆動器72の出力の電圧
中央値は、レーザ30から得られる全部の光の内の大体
半分が直線偏光子70から出てくる様に、ポッケルス・
セル68を45°駆動するのに十分な制御電圧である。
中央値は、レーザ30から得られる全部の光の内の大体
半分が直線偏光子70から出てくる様に、ポッケルス・
セル68を45°駆動するのに十分な制御電圧である。
駆動器72の出力信号が電圧中央値より正になると、レ
ーザからの一層多くの光が通過する。駆動器72の出力
信号が負になると、レーザからの光が少くなる。
ーザからの一層多くの光が通過する。駆動器72の出力
信号が負になると、レーザからの光が少くなる。
金属被覆26を使う第1の実施例では、レーザ30から
の出力は、駆動器72からの出力がゼロであって、ポッ
ケルス・セルの動作点が45°である時、ディスク10
上にある金属層の被覆26を溶融し始める様な強度が発
生する様に調節される。
の出力は、駆動器72からの出力がゼロであって、ポッ
ケルス・セルの動作点が45°である時、ディスク10
上にある金属層の被覆26を溶融し始める様な強度が発
生する様に調節される。
このため、駆動器72かもの出力が正に向うと、溶融が
続けられる。駆動器72からの出力が負に向うと、溶融
が止まる。
続けられる。駆動器72からの出力が負に向うと、溶融
が止まる。
フォトレジスト被覆26を使う第2の実施例では、レー
ザ30からの出力は、駆動器72からの出力が電圧中央
値を発生している時、フォトレジスト被覆26を照射す
ると共に露出させる様な強度を発生する様に調節される
。このため、駆動器72からの出力が正に向う、と、書
込みビームによって照射されたフォトレジストの露出が
続く。駆動器72からの出力が負に向うと、照射は続く
が、書込みビームのエネルギは照射された領域を露出さ
せるには不十分である。この明細書では、露出という言
葉は、露出されたフォトレジストに伴つ物理的な現象を
表わす意味で使われている。露出されたフォトレジスト
は現像することができ、現像したフォトレジストは標進
的な方法によって除去される。フォトレジストを露出す
るのに不十分な強度の光によって照射されたフォトレジ
ストは、現像して除去することができない。
ザ30からの出力は、駆動器72からの出力が電圧中央
値を発生している時、フォトレジスト被覆26を照射す
ると共に露出させる様な強度を発生する様に調節される
。このため、駆動器72からの出力が正に向う、と、書
込みビームによって照射されたフォトレジストの露出が
続く。駆動器72からの出力が負に向うと、照射は続く
が、書込みビームのエネルギは照射された領域を露出さ
せるには不十分である。この明細書では、露出という言
葉は、露出されたフォトレジストに伴つ物理的な現象を
表わす意味で使われている。露出されたフォトレジスト
は現像することができ、現像したフォトレジストは標進
的な方法によって除去される。フォトレジストを露出す
るのに不十分な強度の光によって照射されたフォトレジ
ストは、現像して除去することができない。
今説明した第1及び第2の何れの実施例でも、第6図の
線80で示すエネルギ・レベル80の絶対値は、書込み
レーザ30の電源を調節することにより、この様な結果
が得られる様に上下に調節される。書込みレーザ30の
エネルギ・レベルの絶対値の調節と組合せて、ポテンシ
ョメータ236を使って、ビーム29が前述の様に45
’よシ大きく回転させられた時、被覆26に標識が形成
される様にする。
線80で示すエネルギ・レベル80の絶対値は、書込み
レーザ30の電源を調節することにより、この様な結果
が得られる様に上下に調節される。書込みレーザ30の
エネルギ・レベルの絶対値の調節と組合せて、ポテンシ
ョメータ236を使って、ビーム29が前述の様に45
’よシ大きく回転させられた時、被覆26に標識が形成
される様にする。
第10図に示す読取専用装置では、光学フィルタ180
は随意選択であシ、必要としないのが普通である。読取
専用装置でそれを使うと、反射通路で若干の減衰が入シ
込み、このため、フィルタ180を使わない読取専用装
置と較べた時、検出器158で同じ強度が得られる様に
保証するためには、読取レーザ152の強度を若干強く
することが必要である。
は随意選択であシ、必要としないのが普通である。読取
専用装置でそれを使うと、反射通路で若干の減衰が入シ
込み、このため、フィルタ180を使わない読取専用装
置と較べた時、検出器158で同じ強度が得られる様に
保証するためには、読取レーザ152の強度を若干強く
することが必要である。
収斂レンズ182は随意選択である。正しく構成された
読取装置では、反射読取ビーム150′は光検出器15
8の作用面積と略同じ直径を有する。そうでない場合、
収斂レンズ182を用いて、反射読取ビーム150′を
選ばれた光検出器158の一層小さい作用面積に集中さ
せる。
読取装置では、反射読取ビーム150′は光検出器15
8の作用面積と略同じ直径を有する。そうでない場合、
収斂レンズ182を用いて、反射読取ビーム150′を
選ばれた光検出器158の一層小さい作用面積に集中さ
せる。
改良された形のマスター作成装置の詳しい動作様式を説
明する前に、以下の説明で特別の意味を持つ幾つかの用
語を説明しておくのがよいと思われる。書込みレーザ源
によって発生されるレーザ強度とは、ビデオ・ディスク
の情報担持部分と相互作用して、霜送波周波数並びに搬
送波周波数からの時間的な周波数変化を表わす標識を形
成するために使われる、マスター・ビデオ・ディスクに
入射する時の強度を言う。
明する前に、以下の説明で特別の意味を持つ幾つかの用
語を説明しておくのがよいと思われる。書込みレーザ源
によって発生されるレーザ強度とは、ビデオ・ディスク
の情報担持部分と相互作用して、霜送波周波数並びに搬
送波周波数からの時間的な周波数変化を表わす標識を形
成するために使われる、マスター・ビデオ・ディスクに
入射する時の強度を言う。
ビデオ・ディスクの情報担持層の入射点でレーザ・ビー
ムに要求される閾値エネルギ・レベルハ、情報担持層を
作る材料によって異なる。ビスマスの様な金属並びにフ
ォトレジストの様な感光材料について述べた前述の2つ
の例では、標識を形成するためて要求される閾値エネル
ギ・レベルはかなシ異なり、閾嘔エネルギという言葉を
説明するよい例になる。勿論、各々の例で、他の材料の
値エネルギも異なる。
ムに要求される閾値エネルギ・レベルハ、情報担持層を
作る材料によって異なる。ビスマスの様な金属並びにフ
ォトレジストの様な感光材料について述べた前述の2つ
の例では、標識を形成するためて要求される閾値エネル
ギ・レベルはかなシ異なり、閾嘔エネルギという言葉を
説明するよい例になる。勿論、各々の例で、他の材料の
値エネルギも異なる。
ビスマスで被覆されたビデオ・ディスク・マスターに形
成される標識は、光反射性並びに光非反射性を持つ交互
の領域である。光非反射性の区域は、ビスマスが溶融し
た後、冷却する前にビスマスが引込んで、その下にある
硝子基板の一部分を露出することによって生ずる。金属
層に入射する光は反射が強いが、硝子基板の露出部分に
入射する光は吸収され、そのために先非反射性になる。
成される標識は、光反射性並びに光非反射性を持つ交互
の領域である。光非反射性の区域は、ビスマスが溶融し
た後、冷却する前にビスマスが引込んで、その下にある
硝子基板の一部分を露出することによって生ずる。金属
層に入射する光は反射が強いが、硝子基板の露出部分に
入射する光は吸収され、そのために先非反射性になる。
閾値エネルギは、光強度が増大するレーザ・ビームが存
在する時に、金属層を溶融させ且つ引込めさせるのにレ
ーザ・ビームに要求されるエネルギである。閾値エネル
ギ・レベルは、金属層が溶融しなくなシ、入射光が入射
する領域から引込む時の、減少しつつある光強度を持つ
信号の強度とも言える。更に特定して言えば、入射光ビ
ームのエネルギが記録材料の閾値エネルギ条件を超える
時、記録材料の中に孔が形成される。入射光ビームの光
エネルギ強度が記録材料の閾値エネルギ・レベルよシ低
いと、記録媒質例は孔が形成されない。入射光ビーム知
よって孔が形成されること並びに孔が形成されないこと
が、ビスマスで被覆されたマスターに入射する光ビーム
が、ビスマス層と相互作用して、記鎌面に標識を形成す
る主な態様である。標識は、搬送波」波数を中心として
時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数を表わす。
在する時に、金属層を溶融させ且つ引込めさせるのにレ
ーザ・ビームに要求されるエネルギである。閾値エネル
ギ・レベルは、金属層が溶融しなくなシ、入射光が入射
する領域から引込む時の、減少しつつある光強度を持つ
信号の強度とも言える。更に特定して言えば、入射光ビ
ームのエネルギが記録材料の閾値エネルギ条件を超える
時、記録材料の中に孔が形成される。入射光ビームの光
エネルギ強度が記録材料の閾値エネルギ・レベルよシ低
いと、記録媒質例は孔が形成されない。入射光ビーム知
よって孔が形成されること並びに孔が形成されないこと
が、ビスマスで被覆されたマスターに入射する光ビーム
が、ビスマス層と相互作用して、記鎌面に標識を形成す
る主な態様である。標識は、搬送波」波数を中心として
時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数を表わす。
フォトレジストの薄い層がその上に形成されたビデオ・
ディスク・マスターは、それ自身の閾値エネルギ中レベ
ルを持っている。光ビームがフォトレジスト層を露出す
るメカニズムは、光子理論に従い、フォトレジストの一
部分を露出するには、入射光ビーム中に十分な数の光子
を必要とする。
ディスク・マスターは、それ自身の閾値エネルギ中レベ
ルを持っている。光ビームがフォトレジスト層を露出す
るメカニズムは、光子理論に従い、フォトレジストの一
部分を露出するには、入射光ビーム中に十分な数の光子
を必要とする。
正に向う変調された光ビー4がこの閾値エネルギ・レベ
ルより多い光子を持っている時、その区域のフォトレジ
ストが露出され、そのため、その後で現像すると、露出
したフォトレジストが除去される。光強度が減少しつ\
ある変調された光ビーム中の光子レベルがフォトレジス
トの普通の閾値エネルギ・レベルより下ると、フォトレ
ジストは、その後で現像しても、この閾値エネルギ・レ
ベルより低い光子を持つ入射光ビーム【よって照射され
たフォトレジストを除去することができない位に、露出
されなくなる。
ルより多い光子を持っている時、その区域のフォトレジ
ストが露出され、そのため、その後で現像すると、露出
したフォトレジストが除去される。光強度が減少しつ\
ある変調された光ビーム中の光子レベルがフォトレジス
トの普通の閾値エネルギ・レベルより下ると、フォトレ
ジストは、その後で現像しても、この閾値エネルギ・レ
ベルより低い光子を持つ入射光ビーム【よって照射され
たフォトレジストを除去することができない位に、露出
されなくなる。
変調されたレーザ源からの入射光ビームが情報担持層と
相互作用して、この入射光ビームによって照射されたフ
ォトレジスト層を完全に露出し又は露出不足にする。こ
れが、搬送波周波数を中心として時間的に変化する周波
数変化を持り搬送波周波数としての標識を形成するため
の、入射光ビーム中の光子と情報担持部材との間の相互
作用である。搬送波周波数並びに時間的な周波数変化を
貯蔵した標識は、現像工程の後に更にはっきりとする。
相互作用して、この入射光ビームによって照射されたフ
ォトレジスト層を完全に露出し又は露出不足にする。こ
れが、搬送波周波数を中心として時間的に変化する周波
数変化を持り搬送波周波数としての標識を形成するため
の、入射光ビーム中の光子と情報担持部材との間の相互
作用である。搬送波周波数並びに時間的な周波数変化を
貯蔵した標識は、現像工程の後に更にはっきりとする。
この現像工程により、十分に露出されたフォトレジスト
材料の部分が実効的に除去され、ビデオ・ディスク部材
には露出不足の部分が残る。
材料の部分が実効的に除去され、ビデオ・ディスク部材
には露出不足の部分が残る。
第23図には、ポッケルス・セル68の動作バイアスを
172エネルギの点に維持するために、この発明の好ま
しい実施例で使われるポッケルス・セル・バイアス・サ
ーボ装置がブロック図で示されている。ポッケルス・セ
ルの直流バイアスは、最初に定常状態に調節され、ポッ
ケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せの172エ
ネルギの点が、ポッケルス・セル68の回転が45°に
なる点と一致する様にする。この直流バイアス点を固定
バイアス点と呼ぶ。FM変調器36に対する入力ビデオ
信号が何ら第2高調波歪みを含んでいない装置では、今
説明した手順で選ばれる直流バイアス点で満足に動作す
る。しかし、FM変調器に対するビデオ情報入力信号が
第2高調波歪みを含んでいる場合、こういう歪みが変調
された光ビーム29′の中に現われる。FM変調器から
の出力がポッケルス・セル駆動器72に印加され、ポッ
ケルス・セルを0°から90°までの回転変化にわたっ
て駆動するのに必要な電圧を発生する。レーザ29から
の変調されていない光ビームがポッケルス・セル68に
印加されることは前に説明した通りである。
172エネルギの点に維持するために、この発明の好ま
しい実施例で使われるポッケルス・セル・バイアス・サ
ーボ装置がブロック図で示されている。ポッケルス・セ
ルの直流バイアスは、最初に定常状態に調節され、ポッ
ケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せの172エ
ネルギの点が、ポッケルス・セル68の回転が45°に
なる点と一致する様にする。この直流バイアス点を固定
バイアス点と呼ぶ。FM変調器36に対する入力ビデオ
信号が何ら第2高調波歪みを含んでいない装置では、今
説明した手順で選ばれる直流バイアス点で満足に動作す
る。しかし、FM変調器に対するビデオ情報入力信号が
第2高調波歪みを含んでいる場合、こういう歪みが変調
された光ビーム29′の中に現われる。FM変調器から
の出力がポッケルス・セル駆動器72に印加され、ポッ
ケルス・セルを0°から90°までの回転変化にわたっ
て駆動するのに必要な電圧を発生する。レーザ29から
の変調されていない光ビームがポッケルス・セル68に
印加されることは前に説明した通りである。
ポッケルス・セル・バイアス・サーボの目的は、フォト
ダイオード260によって検出される出力光信号に、で
きるだけ第2高調波分がない様に、ポッケルス・セル6
8をバイアスすることである。
ダイオード260によって検出される出力光信号に、で
きるだけ第2高調波分がない様に、ポッケルス・セル6
8をバイアスすることである。
第2高調波歪みは複数個の原因のために変調された光ビ
ーム29′に入り込む。第1の原因は、ポッケルス噛セ
ル68並びにグラン・プリズム700両方の伝達関数が
非直線であることである。線18の入力ビデオ信号が第
2高調波歪みを持つている時、これによって光ビーム2
9′中の全体の第2高調波歪みは更に増加する。
ーム29′に入り込む。第1の原因は、ポッケルス噛セ
ル68並びにグラン・プリズム700両方の伝達関数が
非直線であることである。線18の入力ビデオ信号が第
2高調波歪みを持つている時、これによって光ビーム2
9′中の全体の第2高調波歪みは更に増加する。
ポッケルス・セル・バイアス制御回路はポッケルス・セ
ル68に印加される直流バイアスを調節する様に作用す
る。この直流バイアスがポッケルス・セルを172エネ
ルギの点にバイアスして、出力光ビームの第2高調波分
を最小限に抑える。
ル68に印加される直流バイアスを調節する様に作用す
る。この直流バイアスがポッケルス・セルを172エネ
ルギの点にバイアスして、出力光ビームの第2高調波分
を最小限に抑える。
l/2エネルギの点からの直流バイアス・レベルの変更
は、次の様な一連の工程によって行なわれる。ポッケル
ス・セル68からの変調された光ビーム28′をフォト
ダイオード260に印加する。フォトダイオード260
は標準的な動作様式で動作し、搬送波周波数を中心とし
た周波数変化を持つ搬送波周波数の形をした信号を発生
する。この周波数変調された波形は、ディスク面に入射
する変調された光ビーム29′の信号成分を正確【反映
する位に、フォトダイオード261に入射する光の十分
直線的な表示である。更に詳しく言うと、フォトダイオ
ード260からの出力信号は、変調された光ビーム29
′中に存在する歪みを持っている。フォトダイオード2
60からの出力を線262を介して第2高調波検出器2
61に印加する。これはバイアス制御回路264の一部
盆を形成する。第2高調波検出器の出力が高圧増幅器2
66に送られ、これが線268に直流バイアス信号を発
生する。線268が加算回路270に接続され、その2
番目の入力信号はポッケルス・セル駆動器72の出力で
ある。線268の直流バイアス信号をポッケルス・セル
駆動器72かもの出力と加算し、ポッケルス・セル68
に印加して、ポッケルス・セル68の直流バイアスを変
える。
は、次の様な一連の工程によって行なわれる。ポッケル
ス・セル68からの変調された光ビーム28′をフォト
ダイオード260に印加する。フォトダイオード260
は標準的な動作様式で動作し、搬送波周波数を中心とし
た周波数変化を持つ搬送波周波数の形をした信号を発生
する。この周波数変調された波形は、ディスク面に入射
する変調された光ビーム29′の信号成分を正確【反映
する位に、フォトダイオード261に入射する光の十分
直線的な表示である。更に詳しく言うと、フォトダイオ
ード260からの出力信号は、変調された光ビーム29
′中に存在する歪みを持っている。フォトダイオード2
60からの出力を線262を介して第2高調波検出器2
61に印加する。これはバイアス制御回路264の一部
盆を形成する。第2高調波検出器の出力が高圧増幅器2
66に送られ、これが線268に直流バイアス信号を発
生する。線268が加算回路270に接続され、その2
番目の入力信号はポッケルス・セル駆動器72の出力で
ある。線268の直流バイアス信号をポッケルス・セル
駆動器72かもの出力と加算し、ポッケルス・セル68
に印加して、ポッケルス・セル68の直流バイアスを変
える。
第2高調波検出器261の動作について説明すると、こ
の装置は、出力光ビームの第2高調波と基本波との比に
対して大体直線的な電圧を発生する。
の装置は、出力光ビームの第2高調波と基本波との比に
対して大体直線的な電圧を発生する。
更に、この出力信号は第2高調波の位相特性を反映し、
第2高調波が基本波と同相であれば、第2高調波検出器
の出力は第1の電圧レベル、即ち、正のレベルである。
第2高調波が基本波と同相であれば、第2高調波検出器
の出力は第1の電圧レベル、即ち、正のレベルである。
第2高調波の位相が基本波と反対であれば、第2高調波
検出器の出力は第2の電圧レベル、即ち、負の電圧レベ
ルにある。第2高調波検出器の出力を高圧増幅器266
で増幅する。
検出器の出力は第2の電圧レベル、即ち、負の電圧レベ
ルにある。第2高調波検出器の出力を高圧増幅器266
で増幅する。
この増幅器がO乃至300ボルトの範囲の直流バイアス
を発生する。この直流バイアスを、ポッケルス・セル駆
動器72で増幅されたF、 M変調器20からの信号と
加算し、ポッケルス・セル68に印加する。
を発生する。この直流バイアスを、ポッケルス・セル駆
動器72で増幅されたF、 M変調器20からの信号と
加算し、ポッケルス・セル68に印加する。
第2高調波検出器は、第24図に示す制限器272及び
第24図に示す差動増幅器274を含む。フォトダイオ
ード260の出力信号を$276.278を介して制限
器272に交流結合する。制限器272は、第1の出力
枝路280を介して差動増幅器に印加される第1の出力
信号を有する。制限器272の第2の出力が、第2の出
力枝路282を介して差動増幅器の第2の入力【印加さ
れる。制限器272の出力信号は互いに相手の論理的な
補数である。更に具体的て言うと、一方の出力が比較的
高の電圧レベルにある時、他方の出力は比較的低の電圧
レベルにある。枝路280.282の2つの出力信号が
差動増幅器2ハに送られる。この差動増幅器の出力は、
入力信号線276、278にある第2高調波成分を反映
する。
第24図に示す差動増幅器274を含む。フォトダイオ
ード260の出力信号を$276.278を介して制限
器272に交流結合する。制限器272は、第1の出力
枝路280を介して差動増幅器に印加される第1の出力
信号を有する。制限器272の第2の出力が、第2の出
力枝路282を介して差動増幅器の第2の入力【印加さ
れる。制限器272の出力信号は互いに相手の論理的な
補数である。更に具体的て言うと、一方の出力が比較的
高の電圧レベルにある時、他方の出力は比較的低の電圧
レベルにある。枝路280.282の2つの出力信号が
差動増幅器2ハに送られる。この差動増幅器の出力は、
入力信号線276、278にある第2高調波成分を反映
する。
標準的な動作様式では、フォトダイオード260かもの
入力信号に実質的に第2高調波歪みがない時、差動増幅
器274の端子284の出力信号は正確に50%のデユ
ーティ・サイクルを持つ矩形波であり、電圧レベルは一
定の基準レベルの上下の2つの予定の電圧レベルの間で
ある。50%のデユーティ・サイクルは、高の電圧の半
サイクルの9幅が次に続く低の電圧の半サイクルと等し
いことを意味する。この状態では、2つの半サイクルの
実効的な直流レベルが相殺する。従って、差動増幅器2
74の出力は平均するとゼロである。
入力信号に実質的に第2高調波歪みがない時、差動増幅
器274の端子284の出力信号は正確に50%のデユ
ーティ・サイクルを持つ矩形波であり、電圧レベルは一
定の基準レベルの上下の2つの予定の電圧レベルの間で
ある。50%のデユーティ・サイクルは、高の電圧の半
サイクルの9幅が次に続く低の電圧の半サイクルと等し
いことを意味する。この状態では、2つの半サイクルの
実効的な直流レベルが相殺する。従って、差動増幅器2
74の出力は平均するとゼロである。
フォトダイオード260の出力中にある程度の第2高調
波歪みが存在する時、高調波歪みによって平均値は移動
し、対称的な場合から非対称の場合になる。この場合、
差動増幅器の出力は50−50のデユーティサイクルを
持つ矩形波以外のものになる。従って、差動増幅器が入
ってくる信号の実効的な直流レベルの変化を検出し、入
力信号の非対称性に応じて、平均してゼロより高い又は
低い出力を発生する。従って、差動増幅器の出力が高圧
増幅器に印加されると、これが差動増幅器274の出力
を直流平滑し、その結果でてくる正又は負の直流レベル
を増幅する。この結果が、ポッケルス・セルの動作点を
、高調波歪みがゼロになる1/2エネルギの点に戻すた
めに、ポッケルス・セルに印加すべきバイアス信号の所
要の変化である。
波歪みが存在する時、高調波歪みによって平均値は移動
し、対称的な場合から非対称の場合になる。この場合、
差動増幅器の出力は50−50のデユーティサイクルを
持つ矩形波以外のものになる。従って、差動増幅器が入
ってくる信号の実効的な直流レベルの変化を検出し、入
力信号の非対称性に応じて、平均してゼロより高い又は
低い出力を発生する。従って、差動増幅器の出力が高圧
増幅器に印加されると、これが差動増幅器274の出力
を直流平滑し、その結果でてくる正又は負の直流レベル
を増幅する。この結果が、ポッケルス・セルの動作点を
、高調波歪みがゼロになる1/2エネルギの点に戻すた
めに、ポッケルス・セルに印加すべきバイアス信号の所
要の変化である。
ポッケルス・セル自バイアス・サーボの標準的な動作様
式をまとめて言えば、変調された光ビーム中に存在する
歪みを表わす光信号を発生する。
式をまとめて言えば、変調された光ビーム中に存在する
歪みを表わす光信号を発生する。
この光ビーム中に存在する第2高調波歪みの大きさを検
出して、この歪みを表わす信号を発生する手段を設ける
。第2高調波歪令の大きさを表わす信号は、第2高調波
歪みが基本周波数と同相でおるか或いは位相がずれてい
るかをも表わす。第2高調波歪みの大きさ並びに基本周
波数に対する第2高調波歪みの位相を表わす出力信号が
、ポッケルス・セルを、第2高調波歪みがなくなる様な
動作点にもってくるために1このセルに印加する必要が
あるバイアス信号を発生する手段に印加される。バイア
ス信号の変化を周波数変調された入力ビデオ信号゛と加
算する加算回路を°設ける。この加算電圧がポッケルス
・セル68に対する入力として印加される。
出して、この歪みを表わす信号を発生する手段を設ける
。第2高調波歪令の大きさを表わす信号は、第2高調波
歪みが基本周波数と同相でおるか或いは位相がずれてい
るかをも表わす。第2高調波歪みの大きさ並びに基本周
波数に対する第2高調波歪みの位相を表わす出力信号が
、ポッケルス・セルを、第2高調波歪みがなくなる様な
動作点にもってくるために1このセルに印加する必要が
あるバイアス信号を発生する手段に印加される。バイア
ス信号の変化を周波数変調された入力ビデオ信号゛と加
算する加算回路を°設ける。この加算電圧がポッケルス
・セル68に対する入力として印加される。
第14図は、書込み光ビーム29の改良された形の光変
調を例示する一連の波形を示す。第14図の欄Aは、ビ
デオ・テープ・レコーダ又はテレビジョン・カメラから
ビデオ信号として典型的に供給される理想的な又は簡単
知したビデオ波形を示す。この波形は第4図に示すもの
と略同じであり、Fλf変調器20に印加されるビデオ
信号を表わす。2つの出力信号が欄B及びCに示されて
いる。夫々はFM変調した出力信号であり、何れも同じ
周波数情報を持っている。欄Bの波形は第5図に示した
波形を昇揚したものであり、便宜的に含めた。欄Bの波
形は、プルチパイブレータ形51変調器20によって普
通発生される出力を示す。
調を例示する一連の波形を示す。第14図の欄Aは、ビ
デオ・テープ・レコーダ又はテレビジョン・カメラから
ビデオ信号として典型的に供給される理想的な又は簡単
知したビデオ波形を示す。この波形は第4図に示すもの
と略同じであり、Fλf変調器20に印加されるビデオ
信号を表わす。2つの出力信号が欄B及びCに示されて
いる。夫々はFM変調した出力信号であり、何れも同じ
周波数情報を持っている。欄Bの波形は第5図に示した
波形を昇揚したものであり、便宜的に含めた。欄Bの波
形は、プルチパイブレータ形51変調器20によって普
通発生される出力を示す。
欄Cに示す波形は、三角形の出力波形を持つFM変調器
20によって発生される出力を示す。両方の波形は同じ
周波数情報を持っている。三角形の波形は、ポッケルス
・セルに印加される一定の強度の光ビームを光変調する
ために、ポッケルス・セル68を駆動するのに使う時、
一層よい結果が得られる。
20によって発生される出力を示す。両方の波形は同じ
周波数情報を持っている。三角形の波形は、ポッケルス
・セルに印加される一定の強度の光ビームを光変調する
ために、ポッケルス・セル68を駆動するのに使う時、
一層よい結果が得られる。
各々の波形B及びCK含まれる周波数は、常に同一であ
って、欄Aのビデオ波形の電圧レベルを表わす。この図
をみれば、数字75で全体的に示したビデオ波形の下側
振幅領域が低い搬送波周波数に対応し、ビデオ波形の高
い方の振器領域77が欄B及びCに示した高い方の周波
数に対応することが判る。テレビジョン業界では、テレ
ビジョン・カメラによって発生されるビデオ信号として
、ピーク間が1ボルトの電圧変化を持つ電圧信号を使う
のが普通である。この信号特性は、テレビジョン・モニ
タ16Gを駆動するのに必要なものと同じである。ポッ
ケルス・セル68を駆動するために三角形の波形を使う
利点は、ポッケルス・セルの伝達特性を変調信号の選ば
れた波形とあわせて、ポッケルス畳セル及びグラン・プ
リズム78を通過する光ビームを正弦状に変調すること
である。
って、欄Aのビデオ波形の電圧レベルを表わす。この図
をみれば、数字75で全体的に示したビデオ波形の下側
振幅領域が低い搬送波周波数に対応し、ビデオ波形の高
い方の振器領域77が欄B及びCに示した高い方の周波
数に対応することが判る。テレビジョン業界では、テレ
ビジョン・カメラによって発生されるビデオ信号として
、ピーク間が1ボルトの電圧変化を持つ電圧信号を使う
のが普通である。この信号特性は、テレビジョン・モニ
タ16Gを駆動するのに必要なものと同じである。ポッ
ケルス・セル68を駆動するために三角形の波形を使う
利点は、ポッケルス・セルの伝達特性を変調信号の選ば
れた波形とあわせて、ポッケルス畳セル及びグラン・プ
リズム78を通過する光ビームを正弦状に変調すること
である。
欄Cの三角形の波形は時間に対して直線的な電圧変化で
ある。この三角形の駆動波形の時間に対して直線的な電
圧変化に、正弦状の電圧変化対ポッケルス・セル68の
光伝達関数を乗すると、グラン・プリズムからの正弦状
に変化する光強度を持つ出力になる。
ある。この三角形の駆動波形の時間に対して直線的な電
圧変化に、正弦状の電圧変化対ポッケルス・セル68の
光伝達関数を乗すると、グラン・プリズムからの正弦状
に変化する光強度を持つ出力になる。
欄りに示す波形は、ポッケルス・セルが欄Cに示す三角
形の波形によって駆動された時の、グラン・プリズムか
らの光強度出力に対応する正弦状の波形を示す。
形の波形によって駆動された時の、グラン・プリズムか
らの光強度出力に対応する正弦状の波形を示す。
特に欄りに示す波形の一番低い点285及び一番高い点
286からみて、この夫々からE、Hに等距離にある点
を1/2エネルギの点と呼ぶ。品質の高いマスター作成
動作には、この1/2エネルギの点の利用の仕方を理解
することが必要である。
286からみて、この夫々からE、Hに等距離にある点
を1/2エネルギの点と呼ぶ。品質の高いマスター作成
動作には、この1/2エネルギの点の利用の仕方を理解
することが必要である。
三角形の波形のピーク間電圧が欄Cの線287に示した
第1の最大電圧レベルV9.及び線288の第2の最小
電圧レベルV1によって表わされている。
第1の最大電圧レベルV9.及び線288の第2の最小
電圧レベルV1によって表わされている。
点287,288の間の電圧の差が、ポッケルス°セル
68の駆動電圧である。この電圧の差は、ボツケルス・
セル68がそれを通過する光の偏光を90゜回転するの
に必要な電圧に等しくなる様に調節される。ポッケルス
−セルのバイアスは、電圧レベルv1及びV、が常にポ
ッケルス・セル68を通過する光ビームの00及び90
oの回転に対応する様に保つ。光ビームの45°の回転
は、三角形の波形の2つの極限の中間である。この中間
の電圧は、ポッケルス・セル68に対して常に同じであ
る。
68の駆動電圧である。この電圧の差は、ボツケルス・
セル68がそれを通過する光の偏光を90゜回転するの
に必要な電圧に等しくなる様に調節される。ポッケルス
−セルのバイアスは、電圧レベルv1及びV、が常にポ
ッケルス・セル68を通過する光ビームの00及び90
oの回転に対応する様に保つ。光ビームの45°の回転
は、三角形の波形の2つの極限の中間である。この中間
の電圧は、ポッケルス・セル68に対して常に同じであ
る。
しかし、温度に対する不安定性のため、この中間電圧は
0ボルトに対してドリフトすることがあり、そのために
:1/2エネルギの電圧の点もドリフトする。中間電圧
の正しいバイアス作用は、後で第18図、第1α図及び
第20図について詳しく説明する。
0ボルトに対してドリフトすることがあり、そのために
:1/2エネルギの電圧の点もドリフトする。中間電圧
の正しいバイアス作用は、後で第18図、第1α図及び
第20図について詳しく説明する。
第14図の欄Cの波形は、FΔ1変調器20によって発
生される三角形の波形を示しているが、これはポッケル
ス・セル駆動器72によって発生される信号の波形をも
表わしている。F M変調器の出力は典型的には小さな
電圧範囲、典型的には10ボルト未満であるが、ポッケ
ルス・セル駆動器72の出力は、ポッケルス・セル68
をゼロ回転状態から90°の回転状態まで駆動するため
に、ポッケルス・セルに対して適当な駆動電圧を供給す
るため、100ポルトの振れがある。電圧レベルV□。
生される三角形の波形を示しているが、これはポッケル
ス・セル駆動器72によって発生される信号の波形をも
表わしている。F M変調器の出力は典型的には小さな
電圧範囲、典型的には10ボルト未満であるが、ポッケ
ルス・セル駆動器72の出力は、ポッケルス・セル68
をゼロ回転状態から90°の回転状態まで駆動するため
に、ポッケルス・セルに対して適当な駆動電圧を供給す
るため、100ポルトの振れがある。電圧レベルV□。
Vg及びこれらの電圧を表わす線288,287につい
て説明するため、第14図の欄Cを参照する。
て説明するため、第14図の欄Cを参照する。
ポッケルス・セル駆動器68からの出力は、波形の振幅
は違うが、同じ形だからである。これは便宜上であって
、振幅だけが違う略同−の波形を除くためである。
は違うが、同じ形だからである。これは便宜上であって
、振幅だけが違う略同−の波形を除くためである。
第15図には、これまで説明したこの発明のマスター作
成方法に従って形成されたビデオ・ディスクの簡略断面
図が示されている。基板部材300が平面状の上面30
2を有する。情報担持層304が基板300の上面30
2の上に形成されている。情報担持層304は基板30
0の面300に全体にわたって一様な厚さである。情報
層304自体は平方状の上面306を有する。
成方法に従って形成されたビデオ・ディスクの簡略断面
図が示されている。基板部材300が平面状の上面30
2を有する。情報担持層304が基板300の上面30
2の上に形成されている。情報担持層304は基板30
0の面300に全体にわたって一様な厚さである。情報
層304自体は平方状の上面306を有する。
第15図を第14図の欄Cの下に並べであるが、この図
には、ポッケルス・セル68に対する駆動波形としての
三角形の出力波形を発生する電圧制御発振器をF M変
調器20に用いた改良された実施例で、ポッケルス・セ
ルとグラン・プリズムの組合せを通過する光ビームの強
度が示されている。
には、ポッケルス・セル68に対する駆動波形としての
三角形の出力波形を発生する電圧制御発振器をF M変
調器20に用いた改良された実施例で、ポッケルス・セ
ルとグラン・プリズムの組合せを通過する光ビームの強
度が示されている。
前に述べた様に、情報担持層の閾値エネルギ・レベルは
、入射する光ビームに応答して、情報担持層内に標識を
形成するのに必要なエネルギと定義する。金属面の場合
、温度閾値は、金属層を溶融させ、金属層を加熱された
入射領域から引込めさせるのに必要なエネルギである。
、入射する光ビームに応答して、情報担持層内に標識を
形成するのに必要なエネルギと定義する。金属面の場合
、温度閾値は、金属層を溶融させ、金属層を加熱された
入射領域から引込めさせるのに必要なエネルギである。
フォトレジスト層では、閾値エネルギは、フォトレジス
トの情報担持層を完全に露出するのに十分な光子を供給
するのに必要なエネルギ・レベルである。金属層の場合
、加熱された金属が入射区域から引込んで、その下にあ
る基板300を露出する。フォトレジスト材料の場合、
光子のエネルギは、第16図に示す様に、基板320の
上面322まで、フォトレジスト層324の厚さ全体を
完全に露出するのに十分である。
トの情報担持層を完全に露出するのに十分な光子を供給
するのに必要なエネルギ・レベルである。金属層の場合
、加熱された金属が入射区域から引込んで、その下にあ
る基板300を露出する。フォトレジスト材料の場合、
光子のエネルギは、第16図に示す様に、基板320の
上面322まで、フォトレジスト層324の厚さ全体を
完全に露出するのに十分である。
ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2
エネルギの点を、一定強度のビームの透過量が最大にな
る第1の動作点と、一定強度のビームのグラン・プリズ
ム70の透過量が最小になる第2の動作点との間の真中
の点に決めることを前に説明した。1/2エネルギの点
は、ポッケルス・セルを通過する光が、透過エネルギが
ゼロである点から45°回転した点である。
エネルギの点を、一定強度のビームの透過量が最大にな
る第1の動作点と、一定強度のビームのグラン・プリズ
ム70の透過量が最小になる第2の動作点との間の真中
の点に決めることを前に説明した。1/2エネルギの点
は、ポッケルス・セルを通過する光が、透過エネルギが
ゼロである点から45°回転した点である。
動作の際、レーザの出力エネルギは、ポッケルス・セル
とグラン・プリズムの組合せの172エネルギの点が、
部材304の様な、使われる情報担持部材の閾値エネル
ギ・レベルに等しい十分なエネルギを供給する様に調節
される。ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せ
の172エネルギの点をこの様に調整したことにより、
記録されるビデオ周波数信号の、記録忠実度は最高にな
り、ビデオ・ディスク記録部材から再生される信号の混
変調歪みは最小になる。
とグラン・プリズムの組合せの172エネルギの点が、
部材304の様な、使われる情報担持部材の閾値エネル
ギ・レベルに等しい十分なエネルギを供給する様に調節
される。ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せ
の172エネルギの点をこの様に調整したことにより、
記録されるビデオ周波数信号の、記録忠実度は最高にな
り、ビデオ・ディスク記録部材から再生される信号の混
変調歪みは最小になる。
この様にエネルギ・レベルを合わせることが、第14図
の欄り及び第15図に示されておシ、第14図の欄りに
示し丸線290で表わす1/2エネルギの点と、第15
図の開口310とによって示されている。開口310の
長さは、変調された光ビームの透過強度が第14図の欄
りに示した1/2エネルギの点を表わす線290を超え
る時間に対応する。
の欄り及び第15図に示されておシ、第14図の欄りに
示し丸線290で表わす1/2エネルギの点と、第15
図の開口310とによって示されている。開口310の
長さは、変調された光ビームの透過強度が第14図の欄
りに示した1/2エネルギの点を表わす線290を超え
る時間に対応する。
この実施例では、1/2エネルギの点を表わす線290
は、第14図の欄Cに示した三角形の波形のゼロ交差を
も表わす。ゼロ交差点が第14B図及び第14C図の線
291,292によっても示されている。1/2エネル
ギの点を調整することの重要性を第20図及び第21図
について詳しく説明する。
は、第14図の欄Cに示した三角形の波形のゼロ交差を
も表わす。ゼロ交差点が第14B図及び第14C図の線
291,292によっても示されている。1/2エネル
ギの点を調整することの重要性を第20図及び第21図
について詳しく説明する。
第16図は上面322を持つ基板320を含む情報貯蔵
部材を示す。一様な厚さのフォトレジストの薄い層32
4が基板320の平面状の上面322の上に形成される
。薄いフォトレジスト層324が平面状の上面326を
有する。金属ビスマス層384が光応答上の層である様
に、フォトレジスト層3244 光応答性の層である。
部材を示す。一様な厚さのフォトレジストの薄い層32
4が基板320の平面状の上面322の上に形成される
。薄いフォトレジスト層324が平面状の上面326を
有する。金属ビスマス層384が光応答上の層である様
に、フォトレジスト層3244 光応答性の層である。
薄い不透明なメタライズ被覆304もフォトレジスト層
324も、ビデオ入力信号を表わす標識を保有する様に
作用する。金属層304の場合、メタライズ層に開口3
10が形成され、情報貯蔵部材の中に相次いで光反射領
域及び先非反射領域を形成する。
324も、ビデオ入力信号を表わす標識を保有する様に
作用する。金属層304の場合、メタライズ層に開口3
10が形成され、情報貯蔵部材の中に相次いで光反射領
域及び先非反射領域を形成する。
第17図は、フォトレジストで被覆された情報貯蔵部材
を示す。領域330が、第15図に示す構造で領域31
0が形成されたのと略同様にして形成される。第15図
に示す様に開口310が形成される代りに、開口310
に対応して露出領域330が形成される。第16図では
、露出したフォトレジスト材料は、フォトレジスト情報
担持層324内でこれらの領域内に斜線を施すことによ
って表されている。露出したフォトレジスト材料をこの
後で現像すると、露出したフォトレジスト材料が除去さ
れ、第15図に示した開口310に和尚する開口が残る
。
を示す。領域330が、第15図に示す構造で領域31
0が形成されたのと略同様にして形成される。第15図
に示す様に開口310が形成される代りに、開口310
に対応して露出領域330が形成される。第16図では
、露出したフォトレジスト材料は、フォトレジスト情報
担持層324内でこれらの領域内に斜線を施すことによ
って表されている。露出したフォトレジスト材料をこの
後で現像すると、露出したフォトレジスト材料が除去さ
れ、第15図に示した開口310に和尚する開口が残る
。
動作の際、フォトレジストで被覆された基板から或るビ
デオ・ディスク部材を使う時、書込みレーザの出力エネ
ルギは、グラン・プリズムの1/2エネルギの点で、ポ
ッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを通過する
変調されたレーザ・ビームのエネルギが、入射する光ビ
ームによって照射されたフォトレジストを完全に露出す
るのに必要な光子閾値エネルギに等しくなる様に調節す
る。
デオ・ディスク部材を使う時、書込みレーザの出力エネ
ルギは、グラン・プリズムの1/2エネルギの点で、ポ
ッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを通過する
変調されたレーザ・ビームのエネルギが、入射する光ビ
ームによって照射されたフォトレジストを完全に露出す
るのに必要な光子閾値エネルギに等しくなる様に調節す
る。
ビスマスで被覆されたマスター・ビデオ・ディスク方式
の場合と同じく、これによって記録の忠実度は最高にな
り、記録されていたビデオ信号を再生する際、混変調歪
みは最小知なる。
の場合と同じく、これによって記録の忠実度は最高にな
り、記録されていたビデオ信号を再生する際、混変調歪
みは最小知なる。
第15図及び第16図で、第14図の欄りに示す波形の
内、線290よシ上側にある部分によって表される様1
/C,1/2エネルギの点より高い所で、グラン・プリ
ズムを通過する光ビームの部分は、第15図に示すビス
マスで被覆したビデオ・ディスクの場合は感光面304
.第16図に示すフォトレジストで被覆されたビデオ・
ディスクの場合はフォトレジスト被覆324の特性【非
可逆的な変化を生ずる。ビスマスで被覆されたビデオ・
ディスク部材300の場合、この非可逆変化は、不透明
なメタライズ被覆304中に相次いで形成された開口3
10の形をとる。フォトレジストで被覆された基板32
0の場合、フォトレジスト層324の特性の非可逆的な
変化は、相次いで完全に露出された領域332として起
る。
内、線290よシ上側にある部分によって表される様1
/C,1/2エネルギの点より高い所で、グラン・プリ
ズムを通過する光ビームの部分は、第15図に示すビス
マスで被覆したビデオ・ディスクの場合は感光面304
.第16図に示すフォトレジストで被覆されたビデオ・
ディスクの場合はフォトレジスト被覆324の特性【非
可逆的な変化を生ずる。ビスマスで被覆されたビデオ・
ディスク部材300の場合、この非可逆変化は、不透明
なメタライズ被覆304中に相次いで形成された開口3
10の形をとる。フォトレジストで被覆された基板32
0の場合、フォトレジスト層324の特性の非可逆的な
変化は、相次いで完全に露出された領域332として起
る。
ビスマスを好ましい金属層として挙げたが、テルル、イ
ンコネル及びニッケルの様な他の金属を使うことができ
る。
ンコネル及びニッケルの様な他の金属を使うことができ
る。
第18図には、ポッケルス・セル18に対する駆動入力
の直線的な電圧変化に対して、ポッケルス・セル68を
通過する光の回転角度が正弦状に変化することを表わす
、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せの伝達
特性が示されている。
の直線的な電圧変化に対して、ポッケルス・セル68を
通過する光の回転角度が正弦状に変化することを表わす
、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せの伝達
特性が示されている。
90°の回転が点340に示されており、これはグラン
・プリズム70の最大光透過状態に等しい。ooの回転
が点342に示されており、これはグラン・プリズム7
0のゼロ又は最小光透過状態て等しい。
・プリズム70の最大光透過状態に等しい。ooの回転
が点342に示されており、これはグラン・プリズム7
0のゼロ又は最小光透過状態て等しい。
光の透過がゼロになる点342は、第14図の欄Cに示
した線288で表わす電圧レベルV1に対応する。90
°の回転を表わす点は、第14図の@Cに示したa28
7で表わす電圧レベルv2に対応する。
した線288で表わす電圧レベルV1に対応する。90
°の回転を表わす点は、第14図の@Cに示したa28
7で表わす電圧レベルv2に対応する。
これらの2つの電圧の間の中点(線292で表わす)が
Z方向のV、 −V工に等しく、ポッケルス・セルを通
過する光ビームの45°の回転に対応する。
Z方向のV、 −V工に等しく、ポッケルス・セルを通
過する光ビームの45°の回転に対応する。
周知の様に、ポッケルス・セルを通るエネルギは実質的
に不変である。ポッケルス・セルで変化する唯一の特性
は、通過する光の回転角度である。
に不変である。ポッケルス・セルで変化する唯一の特性
は、通過する光の回転角度である。
普通、ポッケルス・セル68及びグラン・プ17ズム7
0を一緒に使って、光の変調を行なう。このため、ポッ
ケルス・セル及びグラン・プリズム70の主軸を整合さ
せ、90°偏光した光ビームがグラン・プリズムを実質
的に減衰せずに通過する様にする。この様に高度に偏光
した同じ光をポッケルス・セル68で90°回転させて
、0°の回転に戻すと、光ビームはグラン・プリズム7
0を通過しない。実際には、全部が透過する状態並びに
全く透過しない状態には、高い動作周波数では到達しな
い。第18図に示す波形は、周波数変調されたビデオ情
報の2サイクルに対応する様に回転を行なったポッケル
ス・セル68の伝達特性を示す。
0を一緒に使って、光の変調を行なう。このため、ポッ
ケルス・セル及びグラン・プリズム70の主軸を整合さ
せ、90°偏光した光ビームがグラン・プリズムを実質
的に減衰せずに通過する様にする。この様に高度に偏光
した同じ光をポッケルス・セル68で90°回転させて
、0°の回転に戻すと、光ビームはグラン・プリズム7
0を通過しない。実際には、全部が透過する状態並びに
全く透過しない状態には、高い動作周波数では到達しな
い。第18図に示す波形は、周波数変調されたビデオ情
報の2サイクルに対応する様に回転を行なったポッケル
ス・セル68の伝達特性を示す。
これは、伝達特性が伝達関数曲線の0°乃至90゜の部
分にわたって連続的て動作することを示している。
分にわたって連続的て動作することを示している。
第19図にはグラン・プリズム70の伝達特性が示され
ている。点350でグラン・プリズム70は透過量が最
大になり、入ってくる光ビームは90゜回転している。
ている。点350でグラン・プリズム70は透過量が最
大になり、入ってくる光ビームは90゜回転している。
点352では、グラン・プリズム70の光の透過が最小
又はゼロになり、この時入ってくる光ビームの回転はゼ
ロである。グラン・プリズム70に入る光の回転が45
°の場合、点354に示す様に、入射光ビームの強度の
半分がグラン・プリズム70を通過する。勿論、45°
の回転の時にグラン・プリズム70を通過する光のエネ
ルギの絶対値は、光源の光出力強度を調節することによ
って調節し得る。この実施例では、光源は書込みレーザ
30である。
又はゼロになり、この時入ってくる光ビームの回転はゼ
ロである。グラン・プリズム70に入る光の回転が45
°の場合、点354に示す様に、入射光ビームの強度の
半分がグラン・プリズム70を通過する。勿論、45°
の回転の時にグラン・プリズム70を通過する光のエネ
ルギの絶対値は、光源の光出力強度を調節することによ
って調節し得る。この実施例では、光源は書込みレーザ
30である。
好ましい実施例では、書込みレーザ30のエネルギ出力
は、1/2エネルギの点でグラン・プリズムを通過する
光の強度が、記録媒質の閾値エネルギ・レベルに一致す
る様に調節する。ビスマス層を溶融させるには、フォト
レジスト層を完全に露出するよシも一層多くのエネルギ
を必要とするので、ビスマスのマスター・ディスクの書
込みに使われる書込みビームの強度の絶対値は、フォト
レジストで覆われたマスター・ビデオ・ディスクとの相
互作用のために使われる書込みレーザの強度より大きい
。
は、1/2エネルギの点でグラン・プリズムを通過する
光の強度が、記録媒質の閾値エネルギ・レベルに一致す
る様に調節する。ビスマス層を溶融させるには、フォト
レジスト層を完全に露出するよシも一層多くのエネルギ
を必要とするので、ビスマスのマスター・ディスクの書
込みに使われる書込みビームの強度の絶対値は、フォト
レジストで覆われたマスター・ビデオ・ディスクとの相
互作用のために使われる書込みレーザの強度より大きい
。
第20図及び第21図例は、書込みレーザ30によって
マスター・ビデオ・ディスクに切込まれる孔の長さと、
相次いで形成される孔の間の切込まれていないランド区
域の長さとの間の関係を説明するのに役立つ一連の波形
が包括的に示されている。この関係は、切断用尖頭エネ
ルギの値、切断用平均エネルギ及び金属層に於けるスポ
ットの焦点によって形成される関係であるが、これらを
包括して1つの言葉で言ったものがデユーティ・サイク
ルであシ、この言葉はこれらの3つの特性全部を表わし
ている。
マスター・ビデオ・ディスクに切込まれる孔の長さと、
相次いで形成される孔の間の切込まれていないランド区
域の長さとの間の関係を説明するのに役立つ一連の波形
が包括的に示されている。この関係は、切断用尖頭エネ
ルギの値、切断用平均エネルギ及び金属層に於けるスポ
ットの焦点によって形成される関係であるが、これらを
包括して1つの言葉で言ったものがデユーティ・サイク
ルであシ、この言葉はこれらの3つの特性全部を表わし
ている。
前に述べた様に、ビデオ・ディスク基板上の情報担持層
と相互作用するのに必要なエネルギは、マスター・ビデ
オ・ディスク部材上に配置するために選んだ材料に非可
逆的な変化を起こすのに必要なエネルギである。ビスマ
ス′で被覆されたマスターの場合、必要なエネルギは、
エネルギがビスマス層の閾値エネルギ・レベルより高い
場所で、ビスマス被覆層の一部分を選択的【除去するの
に必要なエネルギである。光スポツト中に含まれるこの
エネルギが、ビスマス層に正しく集束されないと、この
エネルギを所期の目的に使うことができず、所期の作用
をせずに散逸される。焦点の外れたスポットだけによっ
て切断作用が行なわれると、マスター作成過程に歪みが
入り込む。
と相互作用するのに必要なエネルギは、マスター・ビデ
オ・ディスク部材上に配置するために選んだ材料に非可
逆的な変化を起こすのに必要なエネルギである。ビスマ
ス′で被覆されたマスターの場合、必要なエネルギは、
エネルギがビスマス層の閾値エネルギ・レベルより高い
場所で、ビスマス被覆層の一部分を選択的【除去するの
に必要なエネルギである。光スポツト中に含まれるこの
エネルギが、ビスマス層に正しく集束されないと、この
エネルギを所期の目的に使うことができず、所期の作用
をせずに散逸される。焦点の外れたスポットだけによっ
て切断作用が行なわれると、マスター作成過程に歪みが
入り込む。
切断用尖頭エネルギが記録媒質の閾値エネルギ・レベル
を大きく超える場合、材料が破壊的に除去され、この破
象的な除去のために表面に歪みができる。切断用平均エ
ネルギは、高い方の第1の切断用エネルギと低い方の第
2の切断用エネルギとの中点のエネルギである。前に説
明した様に、切断用平均エネルギは記録簾質の閾唾エネ
ルギ・レベルに等しくなる様に定めることが好ましい。
を大きく超える場合、材料が破壊的に除去され、この破
象的な除去のために表面に歪みができる。切断用平均エ
ネルギは、高い方の第1の切断用エネルギと低い方の第
2の切断用エネルギとの中点のエネルギである。前に説
明した様に、切断用平均エネルギは記録簾質の閾唾エネ
ルギ・レベルに等しくなる様に定めることが好ましい。
この意味で、切断用平均エネルギよシ高い強度の光ビー
ムが情報担持層と相互作用して、2碌しようとする信号
の標識を形成する。切断用平均エネルギよシ低い強度の
光ビームは、孔を形成するのに必要な点まで、ビスマス
で被覆されたマスターを加熱することができないか、或
いはフォトレジストで被覆されたマスターの一部分を完
全に露出することができない。
ムが情報担持層と相互作用して、2碌しようとする信号
の標識を形成する。切断用平均エネルギよシ低い強度の
光ビームは、孔を形成するのに必要な点まで、ビスマス
で被覆されたマスターを加熱することができないか、或
いはフォトレジストで被覆されたマスターの一部分を完
全に露出することができない。
第14図の欄B及びCについて簡単に説明すると、第1
4図の欄Bに示し丸線291及び欄Cに示した線292
と一致する様に、切断用平均エネルギを調節すると、そ
の時のデユーティ・サイクルは、孔の長さがその後の位
置にあるランド区域の長さに等しくなる。これが50%
又は50−50のデユーティ・サイクルと言われる。5
0−50のデユーティ・サイクルは記録手屓に於ける好
ましいデユーティ・サイクルであるが、60−40乃至
40−60の範囲内でも、商業的に許容し得る再生信号
が得られる。つまり、孔又はその中間のランド部材の一
方が一層大きくなり、他方が一層小さくなってもよい。
4図の欄Bに示し丸線291及び欄Cに示した線292
と一致する様に、切断用平均エネルギを調節すると、そ
の時のデユーティ・サイクルは、孔の長さがその後の位
置にあるランド区域の長さに等しくなる。これが50%
又は50−50のデユーティ・サイクルと言われる。5
0−50のデユーティ・サイクルは記録手屓に於ける好
ましいデユーティ・サイクルであるが、60−40乃至
40−60の範囲内でも、商業的に許容し得る再生信号
が得られる。つまり、孔又はその中間のランド部材の一
方が一層大きくなり、他方が一層小さくなってもよい。
第20図で、線360で表わす波形は、ポッケルス・セ
ルとグラン・プリズムの組合せを透過した2サイクルの
光強度を表わし、第14図の欄りに節することにより、
ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過す
る光強度の172エネルギの点に等しくする。
ルとグラン・プリズムの組合せを透過した2サイクルの
光強度を表わし、第14図の欄りに節することにより、
ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過す
る光強度の172エネルギの点に等しくする。
閾値レベルを172エネルギの点に正しく調節すると、
マスター・ビデオ・ディ゛スクの情、報表面層には、点
364から始まって、強度が点366に下るまでの時間
の間引続いて、標識が形成される。破線364’、 3
’66’を図の欄Aまで引いたのは、光の強度が点36
4を通り越して370の所で最大1直まで上昇し、次に
点366マで下る期間の間く形成された負部368によ
って表わされる標識を示すためである。点366よシ低
い光の強度が、372で最小堰まで下シ、引続いて37
4の所にある新しい最大値に向って上昇する。強度の低
いレベル372と強度の高いレベル374との間の或る
点で、光の強度が376の所で、記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルに等しくなる。点376から始まつぞ、光ビ
ームのエネルギが、第20図の欄Aに示す負部378に
よ。
マスター・ビデオ・ディ゛スクの情、報表面層には、点
364から始まって、強度が点366に下るまでの時間
の間引続いて、標識が形成される。破線364’、 3
’66’を図の欄Aまで引いたのは、光の強度が点36
4を通り越して370の所で最大1直まで上昇し、次に
点366マで下る期間の間く形成された負部368によ
って表わされる標識を示すためである。点366よシ低
い光の強度が、372で最小堰まで下シ、引続いて37
4の所にある新しい最大値に向って上昇する。強度の低
いレベル372と強度の高いレベル374との間の或る
点で、光の強度が376の所で、記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルに等しくなる。点376から始まつぞ、光ビ
ームのエネルギが、第20図の欄Aに示す負部378に
よ。
つて表わされる標識を形成し始める。破線376′は、
光の強度が閾値レベル362を超えた点で、標識378
の形成が開始されることを示す。標識378は、光の強
度が374の所で最大値に達し、375の所で新しい最
小値まで下シ始める間、引続いて形成される。しかし、
線360と362に示した閾値エネルギ・レベルとの交
点で、光の強度は閾値エネルギ・レベルより低くなり、
最早標識は形成されない。好ましい実施例では、線38
4によって表わす標識の長さが、線388の長さによっ
て表わされるランド領域386の長さに等しい。従って
、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せからの
172エネルギの点の光強度の出力を記録面の閾1直エ
ネルギ・レベルに合せると、デユーティ・サイクルが5
0−50になり、標識368の長さが次に続くランド領
域386の長さに等しくなる。線306上に示した点3
64,366.376、j82は、初めの周波数変調さ
れたビデオ信号のゼロ交差を表わす。従って、標識36
8. 38.6が周波数変調されたビデオ信号を辰わす
ことが理解されよう。好ましい実施例に於けるこの表わ
し方は、50−50のデユーティ・サイクルでアシ、ポ
ッケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せから出て
くるビームの172エネルギ・レベルを記録媒質の閾値
エネルギ・レベルに等しく調節することによって達成さ
れる。
光の強度が閾値レベル362を超えた点で、標識378
の形成が開始されることを示す。標識378は、光の強
度が374の所で最大値に達し、375の所で新しい最
小値まで下シ始める間、引続いて形成される。しかし、
線360と362に示した閾値エネルギ・レベルとの交
点で、光の強度は閾値エネルギ・レベルより低くなり、
最早標識は形成されない。好ましい実施例では、線38
4によって表わす標識の長さが、線388の長さによっ
て表わされるランド領域386の長さに等しい。従って
、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せからの
172エネルギの点の光強度の出力を記録面の閾1直エ
ネルギ・レベルに合せると、デユーティ・サイクルが5
0−50になり、標識368の長さが次に続くランド領
域386の長さに等しくなる。線306上に示した点3
64,366.376、j82は、初めの周波数変調さ
れたビデオ信号のゼロ交差を表わす。従って、標識36
8. 38.6が周波数変調されたビデオ信号を辰わす
ことが理解されよう。好ましい実施例に於けるこの表わ
し方は、50−50のデユーティ・サイクルでアシ、ポ
ッケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せから出て
くるビームの172エネルギ・レベルを記録媒質の閾値
エネルギ・レベルに等しく調節することによって達成さ
れる。
線360で示す可変の光強度を含めて、第20図に示し
た波形は、マスター・ビデオ・ディスク部材に使う記録
媒質に無関係に、50−50のデユーティ・サイクルを
達成する好ましい動作様式を表わす。種々の点に於ける
強度の絶対値は、変調された光ビームが記録面と相互作
用するの【必要な強度の絶対値に従って変化するが、相
対的な波形並びにそれらの′相対的な位置は変らない。
た波形は、マスター・ビデオ・ディスク部材に使う記録
媒質に無関係に、50−50のデユーティ・サイクルを
達成する好ましい動作様式を表わす。種々の点に於ける
強度の絶対値は、変調された光ビームが記録面と相互作
用するの【必要な強度の絶対値に従って変化するが、相
対的な波形並びにそれらの′相対的な位置は変らない。
更に詳しく言えば、ビスマスて対する閾値エネルギ・レ
ベルの強度の絶対値は、フォトレジストに対fる閾値エ
ネルギ・レベルの強度の絶対値とは異なるが、強度を表
わす線360に対する関係は同じである。
ベルの強度の絶対値は、フォトレジストに対fる閾値エ
ネルギ・レベルの強度の絶対値とは異なるが、強度を表
わす線360に対する関係は同じである。
第20図及び第21図の欄Bについて、ポッケルス・セ
ルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネルギの点の
出力を記録媒質の閾値エネルギ・レベルと合せなかった
場合の結果を説明する。第20図で第2の破線380は
、使われる記録媒質の実際の閾値エネルギ・レベルト、
ポッケルス・セル68とグラン・プリズム70の組合せ
からの光強度の出力との間の関係を示す。閾値エネルギ
・レベル線380が多数の場所390,392,394
,396で強度線360と交差する。線390′は光強
度線360が閾値エネルギ・レベル380と交差したこ
とを表わし、第21図の欄Bに示す標識398が形成さ
れ始めることを知らせる。標識398は、光の強度が閾
値エネルギ・レベルより高い時間の間、形成される。標
識398の長さが、光の強度が370の所の最大値に達
し、その後練399で示す様に、閾値の点392まで下
るのに要する時間てよって表わされる。ランド区域40
0の長さは線402で示す長さである。線402の長さ
は、光の強度が閾値を表わす点392から次の間愼を表
わす点394°まで変るのに要する時間によって決定さ
れる。この時間の間、光ビームの強度は、記録媒質と相
互作用をしない程低い。第2の標識を406に示してあ
シ、その長さは、線360で表わす波形の強度が点39
4で示した閾値エネルギ・レベルを超える点に対応する
。
ルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネルギの点の
出力を記録媒質の閾値エネルギ・レベルと合せなかった
場合の結果を説明する。第20図で第2の破線380は
、使われる記録媒質の実際の閾値エネルギ・レベルト、
ポッケルス・セル68とグラン・プリズム70の組合せ
からの光強度の出力との間の関係を示す。閾値エネルギ
・レベル線380が多数の場所390,392,394
,396で強度線360と交差する。線390′は光強
度線360が閾値エネルギ・レベル380と交差したこ
とを表わし、第21図の欄Bに示す標識398が形成さ
れ始めることを知らせる。標識398は、光の強度が閾
値エネルギ・レベルより高い時間の間、形成される。標
識398の長さが、光の強度が370の所の最大値に達
し、その後練399で示す様に、閾値の点392まで下
るのに要する時間てよって表わされる。ランド区域40
0の長さは線402で示す長さである。線402の長さ
は、光の強度が閾値を表わす点392から次の間愼を表
わす点394°まで変るのに要する時間によって決定さ
れる。この時間の間、光ビームの強度は、記録媒質と相
互作用をしない程低い。第2の標識を406に示してあ
シ、その長さは、線360で表わす波形の強度が点39
4で示した閾値エネルギ・レベルを超える点に対応する
。
標識406の長さは線408で示してあり、これは、光
の強度が374の所の最大値まで上昇し、点396の所
の閾値レベルまで下るのに要する時間によって決定され
る。
の強度が374の所の最大値まで上昇し、点396の所
の閾値レベルまで下るのに要する時間によって決定され
る。
標識とその中間のランド区域の初めと終りを示す槽々の
線を示しであるが、これらの線には、光強度線360と
閾値エネルギ・レベル線362.380との対応する交
点を表わすために、ダッシュをつけた数字を用いている
。
線を示しであるが、これらの線には、光強度線360と
閾値エネルギ・レベル線362.380との対応する交
点を表わすために、ダッシュをつけた数字を用いている
。
相次ぐ位置にある標識398及びランド領域400が、
2碌された周波数変調ビデオ信号の1サイクルを表わす
。標識398は、線399及び線402の長さの合計の
約65%を表わす。これは65−35のデユーティ・サ
イクルを表わす。利用し得る空間の65%が標識であシ
、35%がランド区域である。典型的には、最終的な形
式の標識は***部又は孔の様な光散乱部材であシ、ラン
ド区域は高度に反射性の材料で覆われた平面状の蘭であ
る。
2碌された周波数変調ビデオ信号の1サイクルを表わす
。標識398は、線399及び線402の長さの合計の
約65%を表わす。これは65−35のデユーティ・サ
イクルを表わす。利用し得る空間の65%が標識であシ
、35%がランド区域である。典型的には、最終的な形
式の標識は***部又は孔の様な光散乱部材であシ、ラン
ド区域は高度に反射性の材料で覆われた平面状の蘭であ
る。
第21図の欄Aに示した相次ぐ位置にある先非反射部材
368及び光反射部材386によって表わされる、周波
数変調されたビデオ情報は、50−50の好ましいデユ
ーティ・サイクルを表わす。フォトレジストを使ったマ
スター作成方法を使う時、フォトレジスト層の上面の反
射率は、書込みビームが入射したことによって、フォト
レジスト部材の現像された部分並びに現像されなかった
部分からの反射光ビームの間に違いを検出できる程、目
立って変化しない。フォトレジストで被覆されたマスタ
ー・ビデオ・ディスクを使う書込み後の読取手順が出来
ないのは、このためである。
368及び光反射部材386によって表わされる、周波
数変調されたビデオ情報は、50−50の好ましいデユ
ーティ・サイクルを表わす。フォトレジストを使ったマ
スター作成方法を使う時、フォトレジスト層の上面の反
射率は、書込みビームが入射したことによって、フォト
レジスト部材の現像された部分並びに現像されなかった
部分からの反射光ビームの間に違いを検出できる程、目
立って変化しない。フォトレジストで被覆されたマスタ
ー・ビデオ・ディスクを使う書込み後の読取手順が出来
ないのは、このためである。
第21図の欄Cには、欄Aに示し之標識368及びラン
ド区域386の順序によって表わされる再生ビデオ信号
が示されている。欄CK示す波形は、歪みのない正弦波
410であシ、第20図に示した線360によって表わ
される光強度波形によって示される、歪みのない同じ周
波数変調清報を持っている。第21図(7)aCに示す
正弦波は、線412によって表わされる中心線を持って
いる。この線が、線362が第20図に示した強度線3
60と交差するのと同じ交点で、正弦波410と交差す
る。
ド区域386の順序によって表わされる再生ビデオ信号
が示されている。欄CK示す波形は、歪みのない正弦波
410であシ、第20図に示した線360によって表わ
される光強度波形によって示される、歪みのない同じ周
波数変調清報を持っている。第21図(7)aCに示す
正弦波は、線412によって表わされる中心線を持って
いる。この線が、線362が第20図に示した強度線3
60と交差するのと同じ交点で、正弦波410と交差す
る。
第21図の欄DKは、不良の第2高調波歪みを持つ再生
された周波数変調ビデオ信号が示されている。欄りの線
414によって表わされる波形の基本周波数は、欄Cに
示す波形と同じである。しかし、欄りに示す情報は不良
の第2高調波歪みを持っている。不良の第2高調波歪み
が問題にならない様な装置で使った時、前に説明した5
o−s。
された周波数変調ビデオ信号が示されている。欄りの線
414によって表わされる波形の基本周波数は、欄Cに
示す波形と同じである。しかし、欄りに示す情報は不良
の第2高調波歪みを持っている。不良の第2高調波歪み
が問題にならない様な装置で使った時、前に説明した5
o−s。
のデユーティ・サイクルに厳密に従う必要はない。
しかし、ビデオ・ディスクの面から実質的に歪みのない
出力信号を再生する必要がある時、上に述べた手順に従
うことが必要である。
出力信号を再生する必要がある時、上に述べた手順に従
うことが必要である。
第22図には、好ましい形のマスター作成過程の間に形
成された、相次ぐ位置にある光反射領域及び先非反射領
域に入射する時の、読取ビーム中の読取スポットの強度
が示されている。好ましい実施例では、このために金属
を使い、好ましい金属はビスマスである。
成された、相次ぐ位置にある光反射領域及び先非反射領
域に入射する時の、読取ビーム中の読取スポットの強度
が示されている。好ましい実施例では、このために金属
を使い、好ましい金属はビスマスである。
第22図の欄Aは、ビデオ・ディ艮り・マスターの表面
に形成された複数個の標識を示す。好ましい実施例で、
ビスマス層420に形成される孔を422.424,4
26に示しである。層420の内、°孔422,424
,426を形成することによって影響を受けなかった中
間の部分は、ランド区域と呼ばれ、これを428,43
0で示しである。ランド区域は高度に反射性である。孔
422,424,426が形成されることにより、その
下にある硝子基板が露出し、これは実質的に光を吸収し
、このため硝子基板は先非反射領域である。波形432
は、スポットが先非反射領域の上を通る時の、読取ビー
ム中のスポットの光強度波形を表わす。これは先非反射
領域を通過する時のスポットの空間的な関係を示す。第
22図の欄Bには、欄Aに示す強度関係を持つスポット
が相次ぐ位置にある光反射領域及び先非反射領域を通過
する時の、反射光の強度波形を示す波形が線434で示
されている。線434の実線部分436は、スポットが
先非反射領域424を通過する時の反射光の強度波形を
示す。反射光の強度妊、先非反射領域424の中心に対
応する点438で、最小1直になる。先非反射部分42
4の中心が線440上の点442として示されている。
に形成された複数個の標識を示す。好ましい実施例で、
ビスマス層420に形成される孔を422.424,4
26に示しである。層420の内、°孔422,424
,426を形成することによって影響を受けなかった中
間の部分は、ランド区域と呼ばれ、これを428,43
0で示しである。ランド区域は高度に反射性である。孔
422,424,426が形成されることにより、その
下にある硝子基板が露出し、これは実質的に光を吸収し
、このため硝子基板は先非反射領域である。波形432
は、スポットが先非反射領域の上を通る時の、読取ビー
ム中のスポットの光強度波形を表わす。これは先非反射
領域を通過する時のスポットの空間的な関係を示す。第
22図の欄Bには、欄Aに示す強度関係を持つスポット
が相次ぐ位置にある光反射領域及び先非反射領域を通過
する時の、反射光の強度波形を示す波形が線434で示
されている。線434の実線部分436は、スポットが
先非反射領域424を通過する時の反射光の強度波形を
示す。反射光の強度妊、先非反射領域424の中心に対
応する点438で、最小1直になる。先非反射部分42
4の中心が線440上の点442として示されている。
反射光の強度波形は、相次ぐ位置にある非反射領域42
2゜424の間にあるランド区域428の中心点446
に対応して、444で最大値になる。中心点446が、
情報トラックの中心線を表わす線448上に示されてい
る。線434の内の破線部分は、光が非反射領域422
を通過した時の反射光の強度波形のこれまでの経過を示
している。波形434の破線部分452は、読取スポッ
トが非反射領域426を通過する時に予想される反射光
ビームの強度を示している。
2゜424の間にあるランド区域428の中心点446
に対応して、444で最大値になる。中心点446が、
情報トラックの中心線を表わす線448上に示されてい
る。線434の内の破線部分は、光が非反射領域422
を通過した時の反射光の強度波形のこれまでの経過を示
している。波形434の破線部分452は、読取スポッ
トが非反射領域426を通過する時に予想される反射光
ビームの強度を示している。
第22図の欄Cには、欄BK示した光強度信号を表わす
再生された電気信号が示されている。この電気信号を線
454で示してあり、第1図【示す光検出器70で発生
される。
再生された電気信号が示されている。この電気信号を線
454で示してあり、第1図【示す光検出器70で発生
される。
適当な高圧増幅器の回路図が第25図て示されている。
こ\で説明したマスター作成過程で書込みながら読取る
ことができるということの特別の利点は、書込んだばか
りの情報を瞬時的に監視し、反射領域及び非反射領域の
デユーティ・サイクルを制御する手段として使うことを
含む。再生された周波数変調ビデオ信号を書込み過程の
間にテレビジョン・モニターに表示することにより、デ
ユーティ・サイクルを監視することができる。モニタで
目につく歪みがあれば、それはデユーティ・サイクルの
変化が起つたことを示す。デユーティ・サイクルを好ま
しい50−50の動作点に調節することにより、書込ま
れた情報のデユーティ・サイクルを調節して歪みを除去
する手段が設けられる。デユーティ・サイクルの変化は
、平均強度バイアス・サーボ又は第2高調波バイアス・
サーボt[一つ装置では、ポッケルス・セルとグラン・
プリズムの1/2エネルギの点の出力を2碌媒質の閾値
エネルギ・レベルに等t、くなる様に調節する回路と関
連して、レーザ30で発生される光ビームの強度の絶対
値を調節することKよって補正するのが典型的である。
ことができるということの特別の利点は、書込んだばか
りの情報を瞬時的に監視し、反射領域及び非反射領域の
デユーティ・サイクルを制御する手段として使うことを
含む。再生された周波数変調ビデオ信号を書込み過程の
間にテレビジョン・モニターに表示することにより、デ
ユーティ・サイクルを監視することができる。モニタで
目につく歪みがあれば、それはデユーティ・サイクルの
変化が起つたことを示す。デユーティ・サイクルを好ま
しい50−50の動作点に調節することにより、書込ま
れた情報のデユーティ・サイクルを調節して歪みを除去
する手段が設けられる。デユーティ・サイクルの変化は
、平均強度バイアス・サーボ又は第2高調波バイアス・
サーボt[一つ装置では、ポッケルス・セルとグラン・
プリズムの1/2エネルギの点の出力を2碌媒質の閾値
エネルギ・レベルに等t、くなる様に調節する回路と関
連して、レーザ30で発生される光ビームの強度の絶対
値を調節することKよって補正するのが典型的である。
1/2エネルギの点並びに平均強度という言葉は、FN
■変調器によって発生される三角形の波形を使うことに
関連して、この明細書では互換性をもって使われている
。グラン・プリズム38から出てくる変調された光ビー
ム40は正弦状である。この場合、1/2エネルギの点
は平均強度に等しく、これはあらゆる対称的な波形の場
合がそうである。FM変調器からの周波数変調出力は、
この様な対称的な波形として作用することが判った。
■変調器によって発生される三角形の波形を使うことに
関連して、この明細書では互換性をもって使われている
。グラン・プリズム38から出てくる変調された光ビー
ム40は正弦状である。この場合、1/2エネルギの点
は平均強度に等しく、これはあらゆる対称的な波形の場
合がそうである。FM変調器からの周波数変調出力は、
この様な対称的な波形として作用することが判った。
この発明を好ましい実施例並びにその変形について具体
的に図示し且つ説明したが、当業者であればこの発゛明
の範囲内で糧々の変更が可能であることが理解されよう
。
的に図示し且つ説明したが、当業者であればこの発゛明
の範囲内で糧々の変更が可能であることが理解されよう
。
第1図は書込み装置のブロック図、第2図は第1図に示
す書込み装置を使って書込む前の、ビデオ・ディスク部
材の断面図、第3図は第1図に示した書込み装置を使っ
て書込みを行なった後の、ビデオ・ディスク部材の部分
平面図、第4図は第1図の書込み装置に使われるビデオ
信号の波形図、第5図は第1図に示した書込み装置で使
われる周波数変調信号の波形図、第6図は第1図に示し
た書込み装置で使われる書込みレーザの強度を示すグラ
フ、第7@は第1図に示した書込み装置によって変調書
込みビームを変えることを示すグラフ、第8図は第3図
に示したディスクを線8−8で切った半径方向断面図、
第9図は適当な運動制御集成体の詳しいプロ゛ツク図、
第1O図は読取装置のブロック図、第11図は読取及び
書込み装置の組合せを示すブロック図、第12図は第1
図のブロック図で使われた1個の対物レンズを通過する
読取及び書込みビームを示す略図、第13図は第1図に
示した書込み装置に使われる適当な安定化回路の回路図
、第14図はマスター作成装置の動作を説明するための
波形図、第15図は1形式のビデオ・ディスクの閉略断
面図、第16図はフォトレジストで被覆された貯凰部材
を示す図、第17図は第16図のフォトレジストで被覆
された貯蔵部材の一部分を示す図、第18図はポッケル
ス・セルの伝達特性を示すグラフ、第19図はグラン・
プリズムの伝達特性を示すグラフ、第20図は光強度波
形図、第21図は第20図と共に記録のデユーティ・サ
イクルを説明するのに役立つ一連の波形図、第22図は
マスター作成装置の動作を説明するための波形図、第2
3図はポッケルス・セル・バイアス・サーボ装置のブロ
ック図、第24図は第23図で使われる第2高調波検出
器の回路図、第25図は第23図で使われる高圧増幅器
の回路図である。 主な符号の説明 10・・・情報貯罵部材、12・・・情報信号源、24
・・・第1の面、26・・・被覆、28・・・運動制御
集成体、30・・・書込みレーザ、40・・・可動光学
集成体、44・・・光強度変調集成体、48・・・安定
化回路。 幻ノ FIG、10 FIG、13 t−tri、tt I!慴 FIG、18 脇見・変′Iヒ FIG、 19 FIG、22
す書込み装置を使って書込む前の、ビデオ・ディスク部
材の断面図、第3図は第1図に示した書込み装置を使っ
て書込みを行なった後の、ビデオ・ディスク部材の部分
平面図、第4図は第1図の書込み装置に使われるビデオ
信号の波形図、第5図は第1図に示した書込み装置で使
われる周波数変調信号の波形図、第6図は第1図に示し
た書込み装置で使われる書込みレーザの強度を示すグラ
フ、第7@は第1図に示した書込み装置によって変調書
込みビームを変えることを示すグラフ、第8図は第3図
に示したディスクを線8−8で切った半径方向断面図、
第9図は適当な運動制御集成体の詳しいプロ゛ツク図、
第1O図は読取装置のブロック図、第11図は読取及び
書込み装置の組合せを示すブロック図、第12図は第1
図のブロック図で使われた1個の対物レンズを通過する
読取及び書込みビームを示す略図、第13図は第1図に
示した書込み装置に使われる適当な安定化回路の回路図
、第14図はマスター作成装置の動作を説明するための
波形図、第15図は1形式のビデオ・ディスクの閉略断
面図、第16図はフォトレジストで被覆された貯凰部材
を示す図、第17図は第16図のフォトレジストで被覆
された貯蔵部材の一部分を示す図、第18図はポッケル
ス・セルの伝達特性を示すグラフ、第19図はグラン・
プリズムの伝達特性を示すグラフ、第20図は光強度波
形図、第21図は第20図と共に記録のデユーティ・サ
イクルを説明するのに役立つ一連の波形図、第22図は
マスター作成装置の動作を説明するための波形図、第2
3図はポッケルス・セル・バイアス・サーボ装置のブロ
ック図、第24図は第23図で使われる第2高調波検出
器の回路図、第25図は第23図で使われる高圧増幅器
の回路図である。 主な符号の説明 10・・・情報貯罵部材、12・・・情報信号源、24
・・・第1の面、26・・・被覆、28・・・運動制御
集成体、30・・・書込みレーザ、40・・・可動光学
集成体、44・・・光強度変調集成体、48・・・安定
化回路。 幻ノ FIG、10 FIG、13 t−tri、tt I!慴 FIG、18 脇見・変′Iヒ FIG、 19 FIG、22
Claims (7)
- (1)情報トラックに沿った局部的な点に差し向けられ
る放射29′の強度が情報信号に従って変調される様に
して、或る強度(閾値レベル)のレーザ又はその他の放
射に応答して、1つの放射反射特性を持つ状態から別の
放射反射特性を持つ状態に変換することが出来る様な面
26を持つディスク10上の信号情報トラックに書込む
方法に於て、情報信号が、振幅が時間と共に直接的に変
化する(第3c図)部分で構成された変調された連続的
な三角形電圧波形の形をしていて、変調が、その制御電
圧とその放射伝達関数の間に正弦状の関係を持つ変調器
68によって行なわれることを特徴とする方法。 - (2)特許請求の範囲(1)に記載した方法に於て、前
記変調された三角波形の部分の勾配が振幅変調されたビ
デオ情報信号73の瞬時振幅を表わす方法。 - (3)特許請求の範囲(1)又は(2)に記載した方法
に於て、変調器68が放射の偏光平面に角度変化を生ず
る方法。 - (4)特許請求の範囲(1)乃至(2)に記載した方法
に於て、変調された放射の平均強度が設定レベルに保た
れる方法。 - (5)特許請求の範囲(4)に記載した方法に於て、変
調された放射の平均強度が閾値レベルに一定に保たれる
方法。 - (6)特許請求の範囲(1)乃至(5)に記載した書込
み方法に於て、信号がビデオ信号であり、ビームがトラ
ックに沿って移動する時、ビーム強度が閾値レベルより
高い間は第1の標識37が発生され、ビーム強度がこの
レベルより低い間は第2の標識58が発生され、放射ビ
ームの強度が閾値レベルより高い期間の長さが、強度が
閾値レベルより低い直ぐ隣接する期間の長さに等しくな
る様に、ビームの強度が自動的に制御される(50a、
b)方法。 - (7)特許請求の範囲(1)乃至(3)に記載した方法
に於て、前記応答する面に入射する前の変調されたビー
ムに存在する第2高調波歪みの大きさを感知(261)
してバイアス制御信号を発生し、該バイアス制御信号を
用いて変調器をバイアスして、最小の第2高調波歪みを
持つ変調されたビームを発生することにより、前記ビー
ムの強度が自動的に制御される方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US890407 | 1978-03-27 | ||
US05/890,407 US4225873A (en) | 1978-03-27 | 1978-03-27 | Recording and playback system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS621140A true JPS621140A (ja) | 1987-01-07 |
JPH0346893B2 JPH0346893B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=25396633
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1793679A Pending JPS54128703A (en) | 1978-03-27 | 1979-02-20 | Device for recording modulated electric signal |
JP61121392A Pending JPS621126A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 情報担持記録体 |
JP61121390A Pending JPS621139A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 電気信号を貯蔵する装置 |
JP61121389A Pending JPS621138A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 情報信号のデイスク書込み方法 |
JP61121393A Pending JPS623440A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 情報貯蔵部材に電気信号を貯蔵する装置 |
JP61121388A Pending JPS621137A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 電気情報信号を記録する装置 |
JP61121391A Granted JPS621140A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 情報信号の書込装置 |
JP6032792A Pending JPH0721562A (ja) | 1978-03-27 | 1994-01-20 | 電気情報信号を記録する装置 |
JP6032793A Expired - Lifetime JP2737638B2 (ja) | 1978-03-27 | 1994-01-20 | 情報記録装置及び情報記録再生装置 |
JP7223937A Expired - Lifetime JP2772514B2 (ja) | 1978-03-27 | 1995-08-31 | 電気情報信号を記録する装置 |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1793679A Pending JPS54128703A (en) | 1978-03-27 | 1979-02-20 | Device for recording modulated electric signal |
JP61121392A Pending JPS621126A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 情報担持記録体 |
JP61121390A Pending JPS621139A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 電気信号を貯蔵する装置 |
JP61121389A Pending JPS621138A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 情報信号のデイスク書込み方法 |
JP61121393A Pending JPS623440A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 情報貯蔵部材に電気信号を貯蔵する装置 |
JP61121388A Pending JPS621137A (ja) | 1978-03-27 | 1986-05-28 | 電気情報信号を記録する装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6032792A Pending JPH0721562A (ja) | 1978-03-27 | 1994-01-20 | 電気情報信号を記録する装置 |
JP6032793A Expired - Lifetime JP2737638B2 (ja) | 1978-03-27 | 1994-01-20 | 情報記録装置及び情報記録再生装置 |
JP7223937A Expired - Lifetime JP2772514B2 (ja) | 1978-03-27 | 1995-08-31 | 電気情報信号を記録する装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4225873A (ja) |
JP (10) | JPS54128703A (ja) |
DE (1) | DE2911861A1 (ja) |
DK (1) | DK68979A (ja) |
NL (1) | NL7901227A (ja) |
NO (1) | NO152150C (ja) |
SE (1) | SE7901438L (ja) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4345261A (en) * | 1979-02-21 | 1982-08-17 | Discovision Associates | Dielectric recording medium |
JPS5668935A (en) * | 1979-10-22 | 1981-06-09 | Discovision Ass | Device for recording dataasignal on movable optical recording medium |
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JPS56136390A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Recording by laser |
JPS56153488A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | Recording device |
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