JPH0863774A - 電気情報信号を記録する装置 - Google Patents
電気情報信号を記録する装置Info
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- JPH0863774A JPH0863774A JP7223937A JP22393795A JPH0863774A JP H0863774 A JPH0863774 A JP H0863774A JP 7223937 A JP7223937 A JP 7223937A JP 22393795 A JP22393795 A JP 22393795A JP H0863774 A JPH0863774 A JP H0863774A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高忠実度で情報を光学的に記録できる記録装置
を提供すること。 【構成】記録面に収束した高強度レーザ光書込みビーム
を向けて電気情報信号を記録する装置である。基板とそ
の基板上を覆う薄い光感応表面層を有する情報貯蔵部材
と、貯蔵部材を所定の形態で移動させる手段と、充分な
強度を有する書込み光ビームを供給して光感応表面層と
反応させ、情報信号を表わす標識を生成するレーザ光源
と、書込みビームと薄い表面層との間に位置し電気信号
に応答してビームが薄い表面層に標識を形成する所定の
第1の強度とビームが薄い表面層に標識を形成しない所
定の第2の強度とを有するように書込みビームの強度を
変調する光学変調器と、光学変調器の動作レベルを安定
化して前記表面層の閾値パワーレベルに等しい所定の平
均パワーレベルで書込みビームを発生させるフィードバ
ック装置とを具備する。
を提供すること。 【構成】記録面に収束した高強度レーザ光書込みビーム
を向けて電気情報信号を記録する装置である。基板とそ
の基板上を覆う薄い光感応表面層を有する情報貯蔵部材
と、貯蔵部材を所定の形態で移動させる手段と、充分な
強度を有する書込み光ビームを供給して光感応表面層と
反応させ、情報信号を表わす標識を生成するレーザ光源
と、書込みビームと薄い表面層との間に位置し電気信号
に応答してビームが薄い表面層に標識を形成する所定の
第1の強度とビームが薄い表面層に標識を形成しない所
定の第2の強度とを有するように書込みビームの強度を
変調する光学変調器と、光学変調器の動作レベルを安定
化して前記表面層の閾値パワーレベルに等しい所定の平
均パワーレベルで書込みビームを発生させるフィードバ
ック装置とを具備する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、収束した高強度レー
ザ光書込みビームを記録面に向けて電気情報信号を記録
する装置に関する。
ザ光書込みビームを記録面に向けて電気情報信号を記録
する装置に関する。
【0002】
【本発明の概要、作用及び効果】ビデオ・ディスク部材
に周波数変調信号を書込む装置は、可動の書込みビーム
と、ターンテーブルに装着されたビデオ・ディスク部材
とを含む。ターンテーブルが、ディスクを正確に円状に
一定の回転速度で回転させる運動制御集成体と、書込み
ビームを非常に安定な、且つ非常に低い速度で、回転す
るディスクの半径に沿って並進させる並進駆動集成体と
によって駆動される。ディスクの回転駆動部が書込みビ
ームの並進駆動部と同期していて、予定のピッチを持つ
渦巻形トラックを作る。好ましい実施例では、渦巻の隣
り合ったトラックの間の間隔が中心間で2ミクロンであ
る。1ミクロンの幅を持つ標識が形成される。このため
隣り合った標識の間には1ミクロンのトラック間区域又
は安全区域が残される。希望によっては、今述べた様
に、一定速度で並進させる代りに、増分的に段階的に並
進させることにより、標識を同心円として形成すること
ができる。
に周波数変調信号を書込む装置は、可動の書込みビーム
と、ターンテーブルに装着されたビデオ・ディスク部材
とを含む。ターンテーブルが、ディスクを正確に円状に
一定の回転速度で回転させる運動制御集成体と、書込み
ビームを非常に安定な、且つ非常に低い速度で、回転す
るディスクの半径に沿って並進させる並進駆動集成体と
によって駆動される。ディスクの回転駆動部が書込みビ
ームの並進駆動部と同期していて、予定のピッチを持つ
渦巻形トラックを作る。好ましい実施例では、渦巻の隣
り合ったトラックの間の間隔が中心間で2ミクロンであ
る。1ミクロンの幅を持つ標識が形成される。このため
隣り合った標識の間には1ミクロンのトラック間区域又
は安全区域が残される。希望によっては、今述べた様
に、一定速度で並進させる代りに、増分的に段階的に並
進させることにより、標識を同心円として形成すること
ができる。
【0003】好ましい実施例では、顕微鏡用の対物レン
ズを、空気支承部にのせたビデオ・ディスク部材の上方
の一定の高さの所に配置する。この対物レンズは書込み
ビームをビデオ・ディスク部材の感光面上に集束するた
めに用いられる。対物レンズは焦点深度が浅いので、こ
の一定の高さが必要である。0.65NA形乾式顕微鏡用対
物レンズを用いて、書込みレーザ・ビームを感光被覆上
直径1ミクロンのスポットに集束する。被覆が比較的高
い速度で回転しているため、感光被覆に形成される標識
の長さは、スポットの強度がこの様な標識を形成するの
に必要な強度を超えている時間の長さに関係する。
ズを、空気支承部にのせたビデオ・ディスク部材の上方
の一定の高さの所に配置する。この対物レンズは書込み
ビームをビデオ・ディスク部材の感光面上に集束するた
めに用いられる。対物レンズは焦点深度が浅いので、こ
の一定の高さが必要である。0.65NA形乾式顕微鏡用対
物レンズを用いて、書込みレーザ・ビームを感光被覆上
直径1ミクロンのスポットに集束する。被覆が比較的高
い速度で回転しているため、感光被覆に形成される標識
の長さは、スポットの強度がこの様な標識を形成するの
に必要な強度を超えている時間の長さに関係する。
【0004】直線偏光イオン・レーザを書込みビームの
源として使う。ポッケルス・セルを使って、一定の直線
偏光平面に対して、書込みビームの偏光平面を回転させ
る。直線偏光子が、書込みビームの光の偏光と直線偏光
子の軸線との間の差に比例する量だけ、回転した書込み
ビームを減衰させる。ポッケルス・セルと直線偏光子と
の組合せにより、書込みビームが貯蔵しようとするビデ
オ情報で変調される。この変調は、ポッケルス・セル駆
動器から供給される制御信号の定めるパターンに従う。
源として使う。ポッケルス・セルを使って、一定の直線
偏光平面に対して、書込みビームの偏光平面を回転させ
る。直線偏光子が、書込みビームの光の偏光と直線偏光
子の軸線との間の差に比例する量だけ、回転した書込み
ビームを減衰させる。ポッケルス・セルと直線偏光子と
の組合せにより、書込みビームが貯蔵しようとするビデ
オ情報で変調される。この変調は、ポッケルス・セル駆
動器から供給される制御信号の定めるパターンに従う。
【0005】記録しようとするビデオ信号が周波数変調
回路に印加される。変調回路の出力は矩形波であり、そ
の周波数がビデオ信号に比例する。矩形波形の各サイク
ルの持続時間は、周波数変調信号の特性として可変であ
る。矩形波はその特性として、上側電圧レベル及び下側
電圧レベルを有する。矩形波の上側及び下側電圧レベル
がポッケルス・セル駆動器によって増幅され、ポッケル
ス・セルを制御するために使われる。ポッケルス・セル
が、ポッケルス・セル駆動器から供給された制御信号の
瞬時電圧レベルに応答して、それを通過する光の偏光角
度を変える。
回路に印加される。変調回路の出力は矩形波であり、そ
の周波数がビデオ信号に比例する。矩形波形の各サイク
ルの持続時間は、周波数変調信号の特性として可変であ
る。矩形波はその特性として、上側電圧レベル及び下側
電圧レベルを有する。矩形波の上側及び下側電圧レベル
がポッケルス・セル駆動器によって増幅され、ポッケル
ス・セルを制御するために使われる。ポッケルス・セル
が、ポッケルス・セル駆動器から供給された制御信号の
瞬時電圧レベルに応答して、それを通過する光の偏光角
度を変える。
【0006】ポッケルス・セル駆動器に印加された矩形
状制御信号の1つの電圧レベルに応答する第1の動作様
式では、光ビームが、光応答性被覆に第1の標識を形成
するのに十分な第1の強度で、ポッケルス・セルと直線
偏光子との組合せを妨げなく通過する。制御信号が第2
の電圧レベルを表わす様に変化すると、ポッケルス・セ
ルが偏光を回転し、書込みビームを新しい偏光角にす
る。書込みビームを形成する光のこの偏光の変化によ
り、ポッケルス・セルから出てくる光の偏光角と直線偏
光子の好ましい偏光角との間に不整合が起こる。この場
合、直線偏光子は減衰器として作用し、直線偏光子を通
過する光が少なくなる。このため、書込みビームの光強
度は光応答性被覆に第1の標識を形成するのに必要な強
度より低くなる。
状制御信号の1つの電圧レベルに応答する第1の動作様
式では、光ビームが、光応答性被覆に第1の標識を形成
するのに十分な第1の強度で、ポッケルス・セルと直線
偏光子との組合せを妨げなく通過する。制御信号が第2
の電圧レベルを表わす様に変化すると、ポッケルス・セ
ルが偏光を回転し、書込みビームを新しい偏光角にす
る。書込みビームを形成する光のこの偏光の変化によ
り、ポッケルス・セルから出てくる光の偏光角と直線偏
光子の好ましい偏光角との間に不整合が起こる。この場
合、直線偏光子は減衰器として作用し、直線偏光子を通
過する光が少なくなる。このため、書込みビームの光強
度は光応答性被覆に第1の標識を形成するのに必要な強
度より低くなる。
【0007】書込みビームの一部分をポッケルス・セル
安定化回路で感知し、若干の温度変動によって生じたポ
ッケルス・セルの伝達特性の変化があっても、変調され
た光ビームの平均エネルギを予定のレベルに維持する。
安定化回路が、エネルギ・レベルを選択的に調節するレ
ベル調節回路を含んでいて、あとで明らかにする様に、
相異なる感光被覆に標識を形成する。
安定化回路で感知し、若干の温度変動によって生じたポ
ッケルス・セルの伝達特性の変化があっても、変調され
た光ビームの平均エネルギを予定のレベルに維持する。
安定化回路が、エネルギ・レベルを選択的に調節するレ
ベル調節回路を含んでいて、あとで明らかにする様に、
相異なる感光被覆に標識を形成する。
【0008】三角形周波数変調器を使ってポッケルス・
セル駆動器を駆動すると共に、直線偏光子から正弦状の
光変調出力信号が得られる様にする回路を説明する。直
線偏光子の出力は、偏光子からの1/2エネルギの点が
情報貯蔵層を形成する材料の閾値エネルギ・レベルに等
しくなる様に調節する。変調された書込みビームの第2
高調波混変調歪みを除去する第2高調波バイアス回路を
用いる。
セル駆動器を駆動すると共に、直線偏光子から正弦状の
光変調出力信号が得られる様にする回路を説明する。直
線偏光子の出力は、偏光子からの1/2エネルギの点が
情報貯蔵層を形成する材料の閾値エネルギ・レベルに等
しくなる様に調節する。変調された書込みビームの第2
高調波混変調歪みを除去する第2高調波バイアス回路を
用いる。
【0009】この書込み方法並びに装置には、異なる種
類のビデオ・ディスク部材を使うことができる。各々の
部材は異なる形式を有する。第1の形式では、ビデオ・
ディスク部材が硝子基板を含み、この基板の上面が光応
答性被覆として、薄い金属被覆を担持している。この形
式では、書込みビームが金属被覆内にトラック状に可変
の長さの開口を形成する。
類のビデオ・ディスク部材を使うことができる。各々の
部材は異なる形式を有する。第1の形式では、ビデオ・
ディスク部材が硝子基板を含み、この基板の上面が光応
答性被覆として、薄い金属被覆を担持している。この形
式では、書込みビームが金属被覆内にトラック状に可変
の長さの開口を形成する。
【0010】書込みビームの強度は、例えば貯蔵しよう
とする周波数変調信号の正の各々の半サイクルの間、開
口が形成されるが、負の半サイクルの間は開口が形成さ
れない様に、調節する。このため、貯蔵された情報を表
わす第1及び第2の標識は、線状の一連の開口であっ
て、これらの開口が表面被覆の中間部分によって隔てら
れている。
とする周波数変調信号の正の各々の半サイクルの間、開
口が形成されるが、負の半サイクルの間は開口が形成さ
れない様に、調節する。このため、貯蔵された情報を表
わす第1及び第2の標識は、線状の一連の開口であっ
て、これらの開口が表面被覆の中間部分によって隔てら
れている。
【0011】この第1の形式では、硝子基板の一部分が
各々の開口で露出する。硝子基板の露出部分は入射ビー
ムに対し、非鏡面形光反射性を持つ領域となる。鏡面反
射性を持つ部分の間に残っている金属被覆の中間部分
は、光ビームの通路に沿って戻る反射光のかなりの部分
があることを意味する。即ち、入射及び反射ビームの通
路の間に180°の反転がある。非鏡面形反射性は、入
射ビームの目立った部分が入射ビームの通路に沿って反
射しないことを意味する。
各々の開口で露出する。硝子基板の露出部分は入射ビー
ムに対し、非鏡面形光反射性を持つ領域となる。鏡面反
射性を持つ部分の間に残っている金属被覆の中間部分
は、光ビームの通路に沿って戻る反射光のかなりの部分
があることを意味する。即ち、入射及び反射ビームの通
路の間に180°の反転がある。非鏡面形反射性は、入
射ビームの目立った部分が入射ビームの通路に沿って反
射しないことを意味する。
【0012】第2の形式では、ビデオ・ディスク部材が
硝子基板を持ち、その上面が光応答性被覆として薄いフ
ォトレジスト層を担持している。この形式では、書込み
ビームがフォトレジスト被覆内に、トラック状に露出し
た並びに露出しないフォトレジスト材料の可変の長さの
領域を形成する。書込みビームの強度は、例えば貯蔵し
ようとする周波数変調信号の正の半サイクルの間に、露
出したフォトレジスト材料の領域が形成されるが、負の
半サイクルの間は、露出しないフォトレジスト材料の領
域が残る様に調節される。このため、貯蔵される情報を
表わす第1及び第2の標識は、表面被覆の内、線状の一
連の露出部分及び非露出部分である。
硝子基板を持ち、その上面が光応答性被覆として薄いフ
ォトレジスト層を担持している。この形式では、書込み
ビームがフォトレジスト被覆内に、トラック状に露出し
た並びに露出しないフォトレジスト材料の可変の長さの
領域を形成する。書込みビームの強度は、例えば貯蔵し
ようとする周波数変調信号の正の半サイクルの間に、露
出したフォトレジスト材料の領域が形成されるが、負の
半サイクルの間は、露出しないフォトレジスト材料の領
域が残る様に調節される。このため、貯蔵される情報を
表わす第1及び第2の標識は、表面被覆の内、線状の一
連の露出部分及び非露出部分である。
【0013】好ましい実施例の読取装置は、好ましい偏
光角を持つコリメートされた偏光ビームを発生する読取
レーザを用いる。読取光学装置がレーザ・ビームをビデ
オ・ディスク部材の表面に担持された標識に入射させ
る。ビデオ・ディスク部材が線状の一連の領域の形で、
その表面に周波数変調信号を貯蔵する。領域は交互に鏡
面形光反射性および非鏡面形光反射性である。読取光学
装置が読取ビームを直径約1ミクロンの光スポットに集
束し、集束されたスポットを線状の一連の領域に入射さ
せる。読取ビームの強度は、読取光学装置によって十分
強力な反射読取ビーム信号が収集される様に調節され
る。
光角を持つコリメートされた偏光ビームを発生する読取
レーザを用いる。読取光学装置がレーザ・ビームをビデ
オ・ディスク部材の表面に担持された標識に入射させ
る。ビデオ・ディスク部材が線状の一連の領域の形で、
その表面に周波数変調信号を貯蔵する。領域は交互に鏡
面形光反射性および非鏡面形光反射性である。読取光学
装置が読取ビームを直径約1ミクロンの光スポットに集
束し、集束されたスポットを線状の一連の領域に入射さ
せる。読取ビームの強度は、読取光学装置によって十分
強力な反射読取ビーム信号が収集される様に調節され
る。
【0014】運動制御集成体が、初めに貯蔵されている
周波数変調信号の周波数を再生するのに十分な一様な速
度で、ビデオ・ディスク部材を回転させる。この材料に
貯蔵される典型的な周波数変調信号は周波数が2乃至1
0Xがサイクルの間で変化する。ビデオ・ディスク部材
の回転速度は、空間的に貯蔵された周波数変調信号を実
時間の電気信号に変えるために、大体1800rpmに
設定するのが好ましい。運動制御集成体が、読取ビーム
を非常に安定した極く低い速度で回転するディスクの半
径に沿って並進させ、ディスクにある線状の一連の光反
射領域及び光散乱領域に入射する様にする並進駆動集成
体を含む。
周波数変調信号の周波数を再生するのに十分な一様な速
度で、ビデオ・ディスク部材を回転させる。この材料に
貯蔵される典型的な周波数変調信号は周波数が2乃至1
0Xがサイクルの間で変化する。ビデオ・ディスク部材
の回転速度は、空間的に貯蔵された周波数変調信号を実
時間の電気信号に変えるために、大体1800rpmに
設定するのが好ましい。運動制御集成体が、読取ビーム
を非常に安定した極く低い速度で回転するディスクの半
径に沿って並進させ、ディスクにある線状の一連の光反
射領域及び光散乱領域に入射する様にする並進駆動集成
体を含む。
【0015】読取光学装置によって収集された反射読取
ビームが光感知回路に送られ、強度変調された反射光ビ
ームを、強度変調された反射光ビームに対応する周波数
変調された電気信号に変える。
ビームが光感知回路に送られ、強度変調された反射光ビ
ームを、強度変調された反射光ビームに対応する周波数
変調された電気信号に変える。
【0016】偏光選択性ビーム分割素子を読取レーザ源
とビデオ・ディスク部材との中間で、読取ビームの通路
内に配置する。読取ビームが偏光選択性ビーム分割素子
を通過した後、実際の光ビームは好ましい平面内に直線
偏光している。4分の1波長板を偏光選択性ビーム分割
素子の出力とビデオ・ディスク部材との中間に配置す
る。この4分の1波長板が読取ビームの光を直線偏光か
ら円偏光に変える。反射光は、2回目に4分の1波長板
を通過するまで、円偏光を持っている。4分の1波長板
を2回目に通過する時、反射光は円偏光によって、直線
偏光に戻り、前に述べた偏光選択性ビーム分割素子によ
って定められた好ましい平面から90°回転する。
とビデオ・ディスク部材との中間で、読取ビームの通路
内に配置する。読取ビームが偏光選択性ビーム分割素子
を通過した後、実際の光ビームは好ましい平面内に直線
偏光している。4分の1波長板を偏光選択性ビーム分割
素子の出力とビデオ・ディスク部材との中間に配置す
る。この4分の1波長板が読取ビームの光を直線偏光か
ら円偏光に変える。反射光は、2回目に4分の1波長板
を通過するまで、円偏光を持っている。4分の1波長板
を2回目に通過する時、反射光は円偏光によって、直線
偏光に戻り、前に述べた偏光選択性ビーム分割素子によ
って定められた好ましい平面から90°回転する。
【0017】偏光選択性ビーム分割素子が反射光ビーム
中のこの90°の変化に応答して、反射ビームを光感知
回路に方向転換し、反射光ビームが読取レーザ源に再び
入らない様にする。
中のこの90°の変化に応答して、反射ビームを光感知
回路に方向転換し、反射光ビームが読取レーザ源に再び
入らない様にする。
【0018】読取光学装置に発散レンズを使って、読取
レーザ源からの略平行な光ビームを対物レンズの少くと
も入口開口にあふれる様に拡げる。
レーザ源からの略平行な光ビームを対物レンズの少くと
も入口開口にあふれる様に拡げる。
【0019】第2の実施例の読取光学装置では、反射読
取ビームの通路内に光学フィルタが配置され、読取レー
ザ源によって発生された光の波長以外の光の全ての波長
を濾波して除く。
取ビームの通路内に光学フィルタが配置され、読取レー
ザ源によって発生された光の波長以外の光の全ての波長
を濾波して除く。
【0020】記録装置では、書込み作用だけを用いて、
周波数変調された情報をビデオ・ディスク部材に書込
む。ビデオ・ディスク・プレーヤでは、読取作用だけを
用いて、ビデオ・ディスク部材の表面に貯蔵された周波
数変調された情報を再生する。第3の動作様式では、1
台の装置に読取及び書込み機能を組合せる。この組合せ
形の装置では、読取装置を使って、書込み装置によって
書込まれた情報の精度を検査する。
周波数変調された情報をビデオ・ディスク部材に書込
む。ビデオ・ディスク・プレーヤでは、読取作用だけを
用いて、ビデオ・ディスク部材の表面に貯蔵された周波
数変調された情報を再生する。第3の動作様式では、1
台の装置に読取及び書込み機能を組合せる。この組合せ
形の装置では、読取装置を使って、書込み装置によって
書込まれた情報の精度を検査する。
【0021】監視機能を実現するため、ヘリウム・ネオ
ン(He−Ne)読取レーザからの読取ビームを書込み
ビームの通路に加える。読取光学系を調節して、書込み
ビームに対して或る光角度で読取ビームを顕微鏡用対物
レンズに通す。この角度は、読取ビームが書込みビーム
によって書込まれたのと同じトラック上の区域を照明す
る様に選ばれるが、書込みスポットから下流側に大体4
乃至6ミクロンの所で行なう様にする。更に詳しく言う
と、読取ビームは書込みビームによって形成されたばか
りの情報トラックに像を結ぶ。ビデオ・ディスク部材に
情報標識が形成される様にする十分な時間をおく。こう
して、読取ビームが反射率の異なる交互の領域に入射す
る。1形式の読取装置では、読取ビームが書込みビーム
によって加熱されていない金属部分に入射すると共に、
書込みスポットによって形成されたばかりの開口内で露
出している硝子基板にも入射する。反射率の異なる領域
が一定の強度を持つ入射読取ビームを強度変調された反
射読取ビームに変える様に作用する。
ン(He−Ne)読取レーザからの読取ビームを書込み
ビームの通路に加える。読取光学系を調節して、書込み
ビームに対して或る光角度で読取ビームを顕微鏡用対物
レンズに通す。この角度は、読取ビームが書込みビーム
によって書込まれたのと同じトラック上の区域を照明す
る様に選ばれるが、書込みスポットから下流側に大体4
乃至6ミクロンの所で行なう様にする。更に詳しく言う
と、読取ビームは書込みビームによって形成されたばか
りの情報トラックに像を結ぶ。ビデオ・ディスク部材に
情報標識が形成される様にする十分な時間をおく。こう
して、読取ビームが反射率の異なる交互の領域に入射す
る。1形式の読取装置では、読取ビームが書込みビーム
によって加熱されていない金属部分に入射すると共に、
書込みスポットによって形成されたばかりの開口内で露
出している硝子基板にも入射する。反射率の異なる領域
が一定の強度を持つ入射読取ビームを強度変調された反
射読取ビームに変える様に作用する。
【0022】この監視動作様式では、読取レーザ・ビー
ムは、書込みレーザ・ビームとは異なる波長で動作する
様に選ばれる。波長選択性光学フィルタを反射光ビーム
の通路内に配置する。このフィルタは読取レーザ・ビー
ムを含む通過帯を有する。反射読取通路をたどる書込み
レーザ・ビーム・エネルギがあっても、それはフィルタ
によって除外され、従って読取過程の妨げにはなり得な
い。監視動作様式は、記録される信号の品質を検査する
一助として、ビデオ・ディスク部材にビデオ情報を書込
む時に用いられる。読取通路からの出力信号をオッシロ
スコープ及び/又はテレビジョン・モニタに表示する。
この表示される信号を可視的に検査することにより、標
識が好ましいデューティ・サイクルで形成されているか
どうかが判る。好ましいデューティ・サイクルは、周波
数変調信号の半サイクルを表わす鏡面形反射領域の長さ
が、平均して、周波数変調信号の次に続く半サイクルを
表わす、次の非鏡面形反射性を持つ領域と同じである時
に達成される。
ムは、書込みレーザ・ビームとは異なる波長で動作する
様に選ばれる。波長選択性光学フィルタを反射光ビーム
の通路内に配置する。このフィルタは読取レーザ・ビー
ムを含む通過帯を有する。反射読取通路をたどる書込み
レーザ・ビーム・エネルギがあっても、それはフィルタ
によって除外され、従って読取過程の妨げにはなり得な
い。監視動作様式は、記録される信号の品質を検査する
一助として、ビデオ・ディスク部材にビデオ情報を書込
む時に用いられる。読取通路からの出力信号をオッシロ
スコープ及び/又はテレビジョン・モニタに表示する。
この表示される信号を可視的に検査することにより、標
識が好ましいデューティ・サイクルで形成されているか
どうかが判る。好ましいデューティ・サイクルは、周波
数変調信号の半サイクルを表わす鏡面形反射領域の長さ
が、平均して、周波数変調信号の次に続く半サイクルを
表わす、次の非鏡面形反射性を持つ領域と同じである時
に達成される。
【0023】書込み後の読取り、即ち、監視動作様式
は、特にディジタル情報を書込む場合、誤まり検査様式
でも使われる。入力ビデオ情報を或る期間遅延させる。
この期間は、書込み過程の間の入力ビデオ情報信号の周
波数変調から始まって、感知回路からの再生された反射
信号の周波数変調の復調の間続き、貯蔵部材上の点が入
力ビデオ情報信号を貯蔵する点から読取光ビームの入射
点まで移動する遅延時間を含む。次に再生した情報を遅
延させた入力情報と比較し、正確さを調べる。違いが大
すぎれば、それは検査のやり直し、並びに装置の整合の
し直し、又はディスクの排除の根拠になる。
は、特にディジタル情報を書込む場合、誤まり検査様式
でも使われる。入力ビデオ情報を或る期間遅延させる。
この期間は、書込み過程の間の入力ビデオ情報信号の周
波数変調から始まって、感知回路からの再生された反射
信号の周波数変調の復調の間続き、貯蔵部材上の点が入
力ビデオ情報信号を貯蔵する点から読取光ビームの入射
点まで移動する遅延時間を含む。次に再生した情報を遅
延させた入力情報と比較し、正確さを調べる。違いが大
すぎれば、それは検査のやり直し、並びに装置の整合の
し直し、又はディスクの排除の根拠になる。
【0024】読取装置は、標準形の家庭用テレビジョン
受像機の1つのチャンネルに合った適当な搬送波周波数
にビデオ信号を加えるためのRF変調器を加えれば、標
準形の家庭用テレビジョン受像機と一緒に使うのに適し
ている。標準形テレビジョン受像機が、この時この信号
を、普通の放送局から受信したのと同様に処理する。
受像機の1つのチャンネルに合った適当な搬送波周波数
にビデオ信号を加えるためのRF変調器を加えれば、標
準形の家庭用テレビジョン受像機と一緒に使うのに適し
ている。標準形テレビジョン受像機が、この時この信号
を、普通の放送局から受信したのと同様に処理する。
【0025】
【実施例】図面全体にわたり、同じ素子には同じ参照数
字を用いている。記録並びに貯蔵という言葉は書込みと
いう言葉と互換性を持って使う。再生という言葉は読取
という言葉と互換性を持って使う。
字を用いている。記録並びに貯蔵という言葉は書込みと
いう言葉と互換性を持って使う。再生という言葉は読取
という言葉と互換性を持って使う。
【0026】情報貯蔵部材10に周波数変調信号の形を
したビデオ情報を貯蔵する装置が、図1に示されてい
る。情報信号源回路12を使って、記録しようとする情
報信号を用意する。線14に現われるこの情報信号が周
波数変調信号であり、その情報内容は、記録しようとす
る情報を表わす時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数
の形をしている。図5に周波数変調信号の典型的な一例
を示す。情報信号源回路12はビデオ信号回路16を持
っていて、線18に情報信号を発生する。この情報信号
の情報内容は、時間的に或る形式で変化する電圧であ
る。図4に時間的に変化する電圧信号の典型的な一例を
示す。周波数変調回路20がビデオ信号回路16に応答
して、時間的に変化する電圧信号を、図5に示す線14
の周波数変調信号に変換する。
したビデオ情報を貯蔵する装置が、図1に示されてい
る。情報信号源回路12を使って、記録しようとする情
報信号を用意する。線14に現われるこの情報信号が周
波数変調信号であり、その情報内容は、記録しようとす
る情報を表わす時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数
の形をしている。図5に周波数変調信号の典型的な一例
を示す。情報信号源回路12はビデオ信号回路16を持
っていて、線18に情報信号を発生する。この情報信号
の情報内容は、時間的に或る形式で変化する電圧であ
る。図4に時間的に変化する電圧信号の典型的な一例を
示す。周波数変調回路20がビデオ信号回路16に応答
して、時間的に変化する電圧信号を、図5に示す線14
の周波数変調信号に変換する。
【0027】情報貯蔵部材10がターンテーブル21に
装着される。図2に標識が形成されていない部材10が
示されており、これは第1の面24及び第1の面24を
覆う光応答性被覆26を持つ基板22を含む。運動制御
集成体28が、光源30によって発生された書込みビー
ム29′に対して、貯蔵部材10に一様な運動を加え
る。運動制御集成体28は図9に示されており、後で詳
しく説明する。運動制御集成体28が、情報貯蔵部材1
0に一様な回転運動を伝える回転駆動回路32と、この
回転駆動回路32と同期していて、集束された光ビーム
29′を被覆16の半径方向に動かす並進駆動回路34
とを含む。運動制御集成体28は、回転駆動回路32に
よって部材10に加えられる回転運動と並進駆動回路3
4によって光ビーム29に加えられる並進運動との間に
一定の関係を保つ電気的な同期集成体36をも含む。
装着される。図2に標識が形成されていない部材10が
示されており、これは第1の面24及び第1の面24を
覆う光応答性被覆26を持つ基板22を含む。運動制御
集成体28が、光源30によって発生された書込みビー
ム29′に対して、貯蔵部材10に一様な運動を加え
る。運動制御集成体28は図9に示されており、後で詳
しく説明する。運動制御集成体28が、情報貯蔵部材1
0に一様な回転運動を伝える回転駆動回路32と、この
回転駆動回路32と同期していて、集束された光ビーム
29′を被覆16の半径方向に動かす並進駆動回路34
とを含む。運動制御集成体28は、回転駆動回路32に
よって部材10に加えられる回転運動と並進駆動回路3
4によって光ビーム29に加えられる並進運動との間に
一定の関係を保つ電気的な同期集成体36をも含む。
【0028】光源30が光ビーム29を発生する。この
光ビームは、被覆26の運動中、被覆が移動する情報貯
蔵部材10の上にある間、被覆26と相互作用し又はそ
れを変更するのに十分な強度を持っている。更に、光ビ
ーム29′の強度は、記録しようとする情報を表わす永
久的な標識を被覆26内に作るのに十分である。適当な
光源30は、偏光した単色光のコリメートされた書込み
ビームを発生する書込みレーザで構成される。
光ビームは、被覆26の運動中、被覆が移動する情報貯
蔵部材10の上にある間、被覆26と相互作用し又はそ
れを変更するのに十分な強度を持っている。更に、光ビ
ーム29′の強度は、記録しようとする情報を表わす永
久的な標識を被覆26内に作るのに十分である。適当な
光源30は、偏光した単色光のコリメートされた書込み
ビームを発生する書込みレーザで構成される。
【0029】図2には、第1の形式の適当なビデオ・デ
ィスク部材10が断面図で示されている。適当な基板2
2は硝子で作られ、滑らかで平坦な平面状の第1の面2
4を有する。光応答性被覆26が面24の上に形成され
る。
ィスク部材10が断面図で示されている。適当な基板2
2は硝子で作られ、滑らかで平坦な平面状の第1の面2
4を有する。光応答性被覆26が面24の上に形成され
る。
【0030】一実施例では、被覆26は薄い透明なメタ
ライズ層であり、書込みレーザ30からの書込み光ビー
ム29が入射したことに応答して、局部的な加熱が起こ
る様な適当な物理的な性質を有する。動作の際、この加
熱によって、被覆26が局部的に溶融し、それに伴っ
て、溶融材料が溶融区域の周縁に向って引込む。このた
め、冷却した時、薄い金属被覆26には、図3及び図8
の37に示す様な永久的な開口が残る。開口37は、情
報を表わすために用いられる標識の1つの形式である。
この実施例では、相次ぐ位置にある開口37が、変化の
なかった被覆26の部分38によって隔てられている。
部分38は情報を表わすために用いられる2番目の種類
の標識である。標識37,38が周波数変調信号を表わ
す様子について、更に詳しいことは、図5乃至図8につ
いて説明する。
ライズ層であり、書込みレーザ30からの書込み光ビー
ム29が入射したことに応答して、局部的な加熱が起こ
る様な適当な物理的な性質を有する。動作の際、この加
熱によって、被覆26が局部的に溶融し、それに伴っ
て、溶融材料が溶融区域の周縁に向って引込む。このた
め、冷却した時、薄い金属被覆26には、図3及び図8
の37に示す様な永久的な開口が残る。開口37は、情
報を表わすために用いられる標識の1つの形式である。
この実施例では、相次ぐ位置にある開口37が、変化の
なかった被覆26の部分38によって隔てられている。
部分38は情報を表わすために用いられる2番目の種類
の標識である。標識37,38が周波数変調信号を表わ
す様子について、更に詳しいことは、図5乃至図8につ
いて説明する。
【0031】可動光学集成体40及びビーム方向ぎめ光
学集成体41が一緒になって、光源30から出る光ビー
ム29に対する光路を定める。光学集成体が読取ビーム
29を貯蔵部材10が担持する被覆26上のスポット4
2に結ぶ。光路が数字29,29′で表わした線によっ
て示されている。
学集成体41が一緒になって、光源30から出る光ビー
ム29に対する光路を定める。光学集成体が読取ビーム
29を貯蔵部材10が担持する被覆26上のスポット4
2に結ぶ。光路が数字29,29′で表わした線によっ
て示されている。
【0032】光強度変調集成体44が光源30と被覆2
6との間の光路29内に配置される。最も広義にみた動
作様式では、光強度変調集成体は、貯蔵しようとする情
報で光ビーム29の強度変調をする。光強度変調集成体
44は、図5に示す増幅された周波数変調信号の制御の
下に動作する。この周波数変調信号が、周波数変調信号
の各サイクルの間、集成体44をその高い方の光透過状
態及び低い方の光透過状態の間で変化させる。透過状態
の間のこの急速な変化により、貯蔵しようとする周波数
変調信号で光ビーム29が変調される。
6との間の光路29内に配置される。最も広義にみた動
作様式では、光強度変調集成体は、貯蔵しようとする情
報で光ビーム29の強度変調をする。光強度変調集成体
44は、図5に示す増幅された周波数変調信号の制御の
下に動作する。この周波数変調信号が、周波数変調信号
の各サイクルの間、集成体44をその高い方の光透過状
態及び低い方の光透過状態の間で変化させる。透過状態
の間のこの急速な変化により、貯蔵しようとする周波数
変調信号で光ビーム29が変調される。
【0033】光ビーム29は、光強度変調集成体44を
通過する時に変調される。この後、変調された光ビーム
(これを数字29′で表わす)が、光学集成体40,4
1により、被覆26上に像を結ぶ。変調された光ビーム
29′が被覆26に入射すると、貯蔵しようとする周波
数変調信号を表わす標識が被覆26内に形成される。
通過する時に変調される。この後、変調された光ビーム
(これを数字29′で表わす)が、光学集成体40,4
1により、被覆26上に像を結ぶ。変調された光ビーム
29′が被覆26に入射すると、貯蔵しようとする周波
数変調信号を表わす標識が被覆26内に形成される。
【0034】光強度変調集成体44は電気的に制御可能
な集成体46を含む。集成体46は、周波数変調器20
に応答して、光ビーム29′の強度を、集束されたビー
ム29′が情報貯蔵部材10が担持する被覆26を変更
する様な予定の強度より上に変える。更に、電気的に制
御可能な集成体46は、周波数変調器20に応答して、
光ビームの強度を、集束されたビーム29′が被覆26
を変更し得ない予定の強度より下に変える。被覆26内
に形成された変化が、貯蔵しようとする周波数変調信号
を表わす。フォトレジスト層が情報貯蔵部材10の被覆
26を形成する時、上に述べた変化は、夫々標識37,
38について述べたのと同様な寸法の露出した並びに露
出しないフォトレジスト部材の形をとる。
な集成体46を含む。集成体46は、周波数変調器20
に応答して、光ビーム29′の強度を、集束されたビー
ム29′が情報貯蔵部材10が担持する被覆26を変更
する様な予定の強度より上に変える。更に、電気的に制
御可能な集成体46は、周波数変調器20に応答して、
光ビームの強度を、集束されたビーム29′が被覆26
を変更し得ない予定の強度より下に変える。被覆26内
に形成された変化が、貯蔵しようとする周波数変調信号
を表わす。フォトレジスト層が情報貯蔵部材10の被覆
26を形成する時、上に述べた変化は、夫々標識37,
38について述べたのと同様な寸法の露出した並びに露
出しないフォトレジスト部材の形をとる。
【0035】情報貯蔵部材10が担持する被覆26が金
属被覆である時、電気的に制御可能な集成体46が、書
込みビーム29′の強度を、集束されたビーム29′が
金属被覆を蒸発させずに溶融させる様な第1の予定の強
度より上に変えると共に、書込みビームの強度を、集束
されたビーム29′が金属面を溶融させない様な予定の
強度より下に変える。
属被覆である時、電気的に制御可能な集成体46が、書
込みビーム29′の強度を、集束されたビーム29′が
金属被覆を蒸発させずに溶融させる様な第1の予定の強
度より上に変えると共に、書込みビームの強度を、集束
されたビーム29′が金属面を溶融させない様な予定の
強度より下に変える。
【0036】光強度変調集成体44は帰還信号を発生す
る安定化回路48を含む。この帰還信号は、電気的に制
御可能な集成体46の動作レベルの温度を安定にして、
予定の高い方の光強度及び予定の低い方の光強度レベル
の間で動作させるために使われる。光強度変調集成体4
4が、電気的に制御可能な集成体46から出てくる光ビ
ームの少くとも一部分(29″で示す)を感知して、ビ
ーム29′の平均強度を表わす電気帰還信号を発生する
光感知回路を含む。帰還信号が線50a,50bを介し
て電気的に制御可能な集成体46に送られ、その動作レ
ベルを安定化させる。
る安定化回路48を含む。この帰還信号は、電気的に制
御可能な集成体46の動作レベルの温度を安定にして、
予定の高い方の光強度及び予定の低い方の光強度レベル
の間で動作させるために使われる。光強度変調集成体4
4が、電気的に制御可能な集成体46から出てくる光ビ
ームの少くとも一部分(29″で示す)を感知して、ビ
ーム29′の平均強度を表わす電気帰還信号を発生する
光感知回路を含む。帰還信号が線50a,50bを介し
て電気的に制御可能な集成体46に送られ、その動作レ
ベルを安定化させる。
【0037】光感知手段が、変調された光ビーム29′
の平均強度を表わす電気帰還信号を発生する。こうして
光強度変調集成体44は、略一定の平均エネルギ・レベ
ルで光ビームを出す様に安定化される。安定化回路48
は、光ビーム29′の平均エネルギ・レベルを予定の値
に選択的に調節して、金属被覆26又はフォトレジスト
被覆26又は被覆26として使われるその他の任意の材
料に好ましいデューティ・サイクルを達成するレベル調
節手段をも含む。
の平均強度を表わす電気帰還信号を発生する。こうして
光強度変調集成体44は、略一定の平均エネルギ・レベ
ルで光ビームを出す様に安定化される。安定化回路48
は、光ビーム29′の平均エネルギ・レベルを予定の値
に選択的に調節して、金属被覆26又はフォトレジスト
被覆26又は被覆26として使われるその他の任意の材
料に好ましいデューティ・サイクルを達成するレベル調
節手段をも含む。
【0038】可動光学集成体40が対物レンズ52と、
被覆26の上方にレンズ52を支持するための流体力学
的な空気支承部54とを含む。レーザ源30によって発
生されたレーザ・ビーム29′は略平行な光線で形成さ
れている。レンズ66がない場合、略平行な光線は発散
する自然の傾向が殆んどない。対物レンズ52は、光ビ
ーム29′の直径より直径の大きい入口開口56を有す
る。光ビーム29′の途中に配置された平面状の凸の発
散レンズ66を用いて、略平行な光ビーム29′を、少
くとも対物レンズ52の入口開口56に溢れる様に拡げ
る。
被覆26の上方にレンズ52を支持するための流体力学
的な空気支承部54とを含む。レーザ源30によって発
生されたレーザ・ビーム29′は略平行な光線で形成さ
れている。レンズ66がない場合、略平行な光線は発散
する自然の傾向が殆んどない。対物レンズ52は、光ビ
ーム29′の直径より直径の大きい入口開口56を有す
る。光ビーム29′の途中に配置された平面状の凸の発
散レンズ66を用いて、略平行な光ビーム29′を、少
くとも対物レンズ52の入口開口56に溢れる様に拡げ
る。
【0039】更にビーム方向ぎめ光学集成体41が、光
ビーム29′及び29″を希望する様に曲げる多数の鏡
部材58,60,62,64を含む。鏡60は可動鏡と
して示されており、好ましい渦巻形トラックの代りに、
厳密に円形のトラックを作るために用いられる。渦巻形
トラックには固定鏡しか必要としない。
ビーム29′及び29″を希望する様に曲げる多数の鏡
部材58,60,62,64を含む。鏡60は可動鏡と
して示されており、好ましい渦巻形トラックの代りに、
厳密に円形のトラックを作るために用いられる。渦巻形
トラックには固定鏡しか必要としない。
【0040】前に述べた様に、光源30が偏光レーザ・
ビーム29を発生する。電気的に制御可能な集成体46
が、周波数変調信号の制御の下に、このレーザ・ビーム
29の偏光平面を回転させる。適当な電気的に制御可能
な集成体は、ポッケルス・セル68、直線偏光子70及
びポッケルス・セル駆動器72を含む。ポッケルス・セ
ル駆動器72は実質的に線形増幅器であり、線14の周
波数変調信号に応答する。ポッケルス・セル駆動器72
の出力がポッケルス・セル68に駆動信号を送り、レー
ザ・ビーム29の偏光平面を回転させる。直線偏光子7
0は、レーザ源30から出てくるレーザ・ビーム29の
初めの偏光平面に対して予定の関係を持つ向きになって
いる。
ビーム29を発生する。電気的に制御可能な集成体46
が、周波数変調信号の制御の下に、このレーザ・ビーム
29の偏光平面を回転させる。適当な電気的に制御可能
な集成体は、ポッケルス・セル68、直線偏光子70及
びポッケルス・セル駆動器72を含む。ポッケルス・セ
ル駆動器72は実質的に線形増幅器であり、線14の周
波数変調信号に応答する。ポッケルス・セル駆動器72
の出力がポッケルス・セル68に駆動信号を送り、レー
ザ・ビーム29の偏光平面を回転させる。直線偏光子7
0は、レーザ源30から出てくるレーザ・ビーム29の
初めの偏光平面に対して予定の関係を持つ向きになって
いる。
【0041】図7にみられる様に、直線偏光子70の最
大光透過軸線は源30から出てくる光の偏光角に対して
直角である。この構成のため、偏光子70から出てくる
光は最小限になり、ポッケルス・セル68によって書込
みビーム29に加えられる回転は0°である。ポッケル
ス・セル68によって書込みビーム29に90°の回転
が加えられて、偏光子70から最大の光が出てくる。今
述べた様に直線偏光子を配置することは選択事項であ
る。偏光子70の最大光透過軸線をレーザ源30から出
てくる光の偏光角と整合させることにより、最大及び最
小状態は、0°及び90°の回転を受けた時、今述べた
のと反対になる。しかし、書込み装置は略同じ様に動作
する。直線偏光子70が、自然の偏光角から回転したビ
ーム29の強度を減衰させる様に作用する。周波数変調
信号に対応する変調されたレーザ・ビーム29′を形成
するのは、直線偏光子70によるこの減衰作用である。
直線偏光子70として使うには、グラン・プリズムが適
している。
大光透過軸線は源30から出てくる光の偏光角に対して
直角である。この構成のため、偏光子70から出てくる
光は最小限になり、ポッケルス・セル68によって書込
みビーム29に加えられる回転は0°である。ポッケル
ス・セル68によって書込みビーム29に90°の回転
が加えられて、偏光子70から最大の光が出てくる。今
述べた様に直線偏光子を配置することは選択事項であ
る。偏光子70の最大光透過軸線をレーザ源30から出
てくる光の偏光角と整合させることにより、最大及び最
小状態は、0°及び90°の回転を受けた時、今述べた
のと反対になる。しかし、書込み装置は略同じ様に動作
する。直線偏光子70が、自然の偏光角から回転したビ
ーム29の強度を減衰させる様に作用する。周波数変調
信号に対応する変調されたレーザ・ビーム29′を形成
するのは、直線偏光子70によるこの減衰作用である。
直線偏光子70として使うには、グラン・プリズムが適
している。
【0042】ポッケルス・セル駆動器72がポッケルス
・セル68に交流結合される。安定化帰還回路48がポ
ッケルス・セル68に直流結合される。
・セル68に交流結合される。安定化帰還回路48がポ
ッケルス・セル68に直流結合される。
【0043】図4乃至図7について包括的に説明する
と、これらの図には図1に示した実施例の中に現れる電
気信号及び光信号の選択的な波形が示されている。ビデ
オ信号源回路16によって発生されるビデオ信号が図4
に示されている。これらのビデオ信号を発生する典型的
な装置はテレビジョン・カメラ、又はテレビジョン・カ
メラによって発生され且つ前に記録された信号を再生す
るビデオ・テープ・レコーダである。飛点走査器がこの
様なビデオ信号の別の源である。図4に示す情報信号は
典型的にはピーク間が1ボルトの信号であって、その情
報内容は、線73で表わされる様な時間的に或る形式で
変化する電圧である。典型的なビデオ信号の最大瞬時変
化率は4.5Xがサイクルの帯域幅によって制限され
る。このビデオ信号はテレビジョン・モニタに直接的に
表示し得る種類のものである。
と、これらの図には図1に示した実施例の中に現れる電
気信号及び光信号の選択的な波形が示されている。ビデ
オ信号源回路16によって発生されるビデオ信号が図4
に示されている。これらのビデオ信号を発生する典型的
な装置はテレビジョン・カメラ、又はテレビジョン・カ
メラによって発生され且つ前に記録された信号を再生す
るビデオ・テープ・レコーダである。飛点走査器がこの
様なビデオ信号の別の源である。図4に示す情報信号は
典型的にはピーク間が1ボルトの信号であって、その情
報内容は、線73で表わされる様な時間的に或る形式で
変化する電圧である。典型的なビデオ信号の最大瞬時変
化率は4.5Xがサイクルの帯域幅によって制限され
る。このビデオ信号はテレビジョン・モニタに直接的に
表示し得る種類のものである。
【0044】図4に示すビデオ信号が図1に示す周波数
変調器20に印加される。変調器20が図5に示す周波
数変調波形74を発生する。図5に示す波形の情報内容
は図4に示す波形の情報内容と同じであるが、形が異な
る。図5に示す情報信号は周波数変調信号であって、そ
の情報内容は中心周波数の前後に時間的な周波数変化を
持つ搬送波周波数の形をしている。
変調器20に印加される。変調器20が図5に示す周波
数変調波形74を発生する。図5に示す波形の情報内容
は図4に示す波形の情報内容と同じであるが、形が異な
る。図5に示す情報信号は周波数変調信号であって、そ
の情報内容は中心周波数の前後に時間的な周波数変化を
持つ搬送波周波数の形をしている。
【0045】図をみれば、図4に示すビデオ波形73の
下側振幅領域75が、図5に示す周波数変調信号74の
低周波数部分に対応することが判る。周波数変調信号7
4の低周波数部分の1サイクルを括弧76で全体的に示
してある。ビデオ波形73の高振幅領域77は周波数変
調信号74の高周波数部分に対応する。周波数変調信号
74の高周波数部分の完全な1サイクルを括弧78で示
してある。ビデオ波形73の中間振幅領域79は周波数
変調信号74の中間周波数部分に対応する。中間振幅領
域79を表わす周波数変調信号の高周波数部分の1サイ
クルを括弧79aで示してある。
下側振幅領域75が、図5に示す周波数変調信号74の
低周波数部分に対応することが判る。周波数変調信号7
4の低周波数部分の1サイクルを括弧76で全体的に示
してある。ビデオ波形73の高振幅領域77は周波数変
調信号74の高周波数部分に対応する。周波数変調信号
74の高周波数部分の完全な1サイクルを括弧78で示
してある。ビデオ波形73の中間振幅領域79は周波数
変調信号74の中間周波数部分に対応する。中間振幅領
域79を表わす周波数変調信号の高周波数部分の1サイ
クルを括弧79aで示してある。
【0046】図4及び図5をみれば、図1に示す周波数
変調器20が図4に示した時間的に変化する電圧信号を
図5に示す周波数変調信号に変換することが判る。
変調器20が図4に示した時間的に変化する電圧信号を
図5に示す周波数変調信号に変換することが判る。
【0047】図6は書込みレーザ30によって発生され
た書込みビーム29の強度を示す。書込みビーム29の
強度が線80で示した一定のレベルにあることが示され
ている。初期の設定手順の後、この強度は不変である。
た書込みビーム29の強度を示す。書込みビーム29の
強度が線80で示した一定のレベルにあることが示され
ている。初期の設定手順の後、この強度は不変である。
【0048】図7は書込みビーム29′が光強度変調集
成体44を通過した後の強度を示す。強度変調された書
込みビームが、光強度変調集成体44の高い方の光透過
状態を表わす複数個の上側ピーク92と、光強度変調集
成体44の低い光透過状態を表わす複数個の谷94とを
持つことが判る。レーザ30の最大強度を表わす線80
を波形29′に重畳して、集成体44で光の強度に若干
の損失が起こることを示している。この損失を線96で
示してあるが、これはレーザ30によって発生された光
ビーム29′の強度と、集成体44によって変調された
光ビームの最大強度92との間の差を表わす。
成体44を通過した後の強度を示す。強度変調された書
込みビームが、光強度変調集成体44の高い方の光透過
状態を表わす複数個の上側ピーク92と、光強度変調集
成体44の低い光透過状態を表わす複数個の谷94とを
持つことが判る。レーザ30の最大強度を表わす線80
を波形29′に重畳して、集成体44で光の強度に若干
の損失が起こることを示している。この損失を線96で
示してあるが、これはレーザ30によって発生された光
ビーム29′の強度と、集成体44によって変調された
光ビームの最大強度92との間の差を表わす。
【0049】強度変調された書込みビーム29′を形成
するための書込みビーム29の強度変調は、図6及び図
7をみれば最もよく理解される。図6は、線80で表わ
す一定の強度を持つ変調されていないビーム29を示
す。図7は92の所に最大強度レベルを持ち、94の所
に示す様な最小の強度レベルを持つ変調されたビーム2
9′を示している。
するための書込みビーム29の強度変調は、図6及び図
7をみれば最もよく理解される。図6は、線80で表わ
す一定の強度を持つ変調されていないビーム29を示
す。図7は92の所に最大強度レベルを持ち、94の所
に示す様な最小の強度レベルを持つ変調されたビーム2
9′を示している。
【0050】書込みビーム29の強度変調は、線98,
100,102について示したポッケルス・セル68の
回転効果と較べられる。線98と線29′との交わり
は、ポッケルス・セル68がその中を通過する光の偏光
角に何ら回転を加えない時の、直線偏光子70から出て
くるビーム29′の強度を示す。線100と線29′と
の交わりは、ポッケルス・セル68がその中を通過する
光の偏光角に45°の回転を加える時の、直線偏光子7
0から出てくるビーム29′の強度を示す。線102と
線29′との交わりは、ポッケルス・セル68がその中
を通過する光の偏光角に90°の回転を加える時の、直
線偏光子70から出てくる読取ビーム29′の強度を示
す。
100,102について示したポッケルス・セル68の
回転効果と較べられる。線98と線29′との交わり
は、ポッケルス・セル68がその中を通過する光の偏光
角に何ら回転を加えない時の、直線偏光子70から出て
くるビーム29′の強度を示す。線100と線29′と
の交わりは、ポッケルス・セル68がその中を通過する
光の偏光角に45°の回転を加える時の、直線偏光子7
0から出てくるビーム29′の強度を示す。線102と
線29′との交わりは、ポッケルス・セル68がその中
を通過する光の偏光角に90°の回転を加える時の、直
線偏光子70から出てくる読取ビーム29′の強度を示
す。
【0051】図7に示した強度変調されたビーム29′
による、図3及び図8の37に示す様な開口の形成は、
図7及び図8を比較すれば一番判りやすい。
による、図3及び図8の37に示す様な開口の形成は、
図7及び図8を比較すれば一番判りやすい。
【0052】線100は集成体44の高い方の光透過状
態を表わす強度92と集成体44の低い方の透過状態を
表わす強度94との間の中心にひかれている。線100
は、ポッケルス・セル68がその中を通過する書込みビ
ーム29の回転角を45°の角度だけ回転させる時に、
集成体44によって発生される強度を表わす。更に、線
100は、光応答性被覆26に標識を形成するのに必要
な変調ビーム29′の閾値強度を表わす。書込みビーム
29の偏光角が45°の角度だけ回転すると、この閾値
に達する。
態を表わす強度92と集成体44の低い方の透過状態を
表わす強度94との間の中心にひかれている。線100
は、ポッケルス・セル68がその中を通過する書込みビ
ーム29の回転角を45°の角度だけ回転させる時に、
集成体44によって発生される強度を表わす。更に、線
100は、光応答性被覆26に標識を形成するのに必要
な変調ビーム29′の閾値強度を表わす。書込みビーム
29の偏光角が45°の角度だけ回転すると、この閾値
に達する。
【0053】図7と図8を比較することにより、ポッケ
ルス・セル28がその中を通過する書込みビーム29の
偏光角を45°乃至90°並びに逆に45°まで回転さ
せる間、開口37が形成されることが判る。ポッケルス
・セル68がその中を通過する書込みビーム29の偏光
角を45°から0°へ、そして再び45°までの間で回
転させる時は、開口が形成されない。
ルス・セル28がその中を通過する書込みビーム29の
偏光角を45°乃至90°並びに逆に45°まで回転さ
せる間、開口37が形成されることが判る。ポッケルス
・セル68がその中を通過する書込みビーム29の偏光
角を45°から0°へ、そして再び45°までの間で回
転させる時は、開口が形成されない。
【0054】図3には、図8に半径方向の断面図で示し
たビデオ・ディスク部材の平面図が示されている。図3
をみると、ビデオ・ディスク部材10上に線状の一連の
光反射領域及び光散乱領域38,37が形成される様子
が判る。ディスク部材10は1800rpmの好ましい
回転速度で回転し、標識37,38が図8に示す様に、
光応答性被覆26内に形成される。図1に示した運動制
御集成体28が、開口37を円形のトラック状に形成す
る。数字104は内側トラックの一部分を表わし、数字
105は外側トラックの一部分を表わす。破線106は
トラック105の中心線を示し、破線107はトラック
104の中心線を示す。線108の長さは、隣り合った
トラック105,104の中心線106,107の間の
距離を表わす。隣り合ったトラックの中心線の間の典型
的な距離は2ミクロンである。開口37の幅は線109
の長さによって表わされる。開口の典型的な幅は1ミク
ロンである。隣り合った開口の間の距離は線110の長
さによって表わされる。隣り合ったトラックの間の距離
はトラック間領域と呼ばれ、典型的には長さが1ミクロ
ンである。開口の長さが線112によって表わされ、典
型的には1.0乃至1.5ミクロンである。これら全て
の寸法は書込み装置のいろいろな変数に関係する。例え
ば、これらの寸法は周波数変調器20によって発生する
周波数範囲、書込み光学装置41,42によって形成さ
れるスポット42の寸法、及びディスク10に選んだ回
転速度に関係する。
たビデオ・ディスク部材の平面図が示されている。図3
をみると、ビデオ・ディスク部材10上に線状の一連の
光反射領域及び光散乱領域38,37が形成される様子
が判る。ディスク部材10は1800rpmの好ましい
回転速度で回転し、標識37,38が図8に示す様に、
光応答性被覆26内に形成される。図1に示した運動制
御集成体28が、開口37を円形のトラック状に形成す
る。数字104は内側トラックの一部分を表わし、数字
105は外側トラックの一部分を表わす。破線106は
トラック105の中心線を示し、破線107はトラック
104の中心線を示す。線108の長さは、隣り合った
トラック105,104の中心線106,107の間の
距離を表わす。隣り合ったトラックの中心線の間の典型
的な距離は2ミクロンである。開口37の幅は線109
の長さによって表わされる。開口の典型的な幅は1ミク
ロンである。隣り合った開口の間の距離は線110の長
さによって表わされる。隣り合ったトラックの間の距離
はトラック間領域と呼ばれ、典型的には長さが1ミクロ
ンである。開口の長さが線112によって表わされ、典
型的には1.0乃至1.5ミクロンである。これら全て
の寸法は書込み装置のいろいろな変数に関係する。例え
ば、これらの寸法は周波数変調器20によって発生する
周波数範囲、書込み光学装置41,42によって形成さ
れるスポット42の寸法、及びディスク10に選んだ回
転速度に関係する。
【0055】図9には図1に示した運動制御集成体28
が更に詳しくブロック図で示されている。回転駆動回路
32がスピンドル・サーボ回路130及びスピンドル軸
132を含む。スピンドル軸132はターンテーブル2
1に一体に結合されている。スピンドル軸132が印刷
配線形モータ134によって駆動される。印刷配線形モ
ータ134によって加えられる回転運動がスピンドル・
サーボ回路130によって制御される。回路130は、
ターンテーブル21の回転速度を、同期集成体36の一
部分を形成する色副搬送波水晶発振器136によって発
生される信号に対して、位相固定する。更に、同期集成
体36が第1の割算回路138及び第2の割算回路14
0を有する。第1の割算回路138は発振回路136で
発生された色副搬送波周波数を回転基準周波数まで分周
する。スピンドル軸132がタコメータ143を持って
いて、これが軸132とターンテーブル21の組合せの
正確な回転速度を表わす周波数信号を発生する。タコメ
ータ信号が線142に出る。第1の割算回路138から
の回転基準信号が線144に出る。線142のタコメー
タ信号がスピンドル・サーボ回路130に印加され、線
144の回転基準信号もスピンドル・サーボ回路130
に印加される。スピンドル・サーボ回路130が2つの
入力信号の位相を比較する。タコメータ信号の位相が回
転基準信号の位相より進んでいる時、回転速度が高すぎ
るので、スピンドル・サーボ回路130で発生された信
号が線146を介してモータ134に印加され、回転速
度を減速し、タコメータ信号を回転基準信号の位相と合
う様にする。スピンドル・サーボ回路130に於ける比
較により、タコメータ信号の位相が回転基準信号の位相
より遅れている時、回転速度が遅すぎるのであり、スピ
ンドル・サーボ回路130で発生された信号が線148
を介してモータ134に印加され、回転速度を高め、タ
コメータ信号の位相を回転基準信号の位相と合う様にす
る。
が更に詳しくブロック図で示されている。回転駆動回路
32がスピンドル・サーボ回路130及びスピンドル軸
132を含む。スピンドル軸132はターンテーブル2
1に一体に結合されている。スピンドル軸132が印刷
配線形モータ134によって駆動される。印刷配線形モ
ータ134によって加えられる回転運動がスピンドル・
サーボ回路130によって制御される。回路130は、
ターンテーブル21の回転速度を、同期集成体36の一
部分を形成する色副搬送波水晶発振器136によって発
生される信号に対して、位相固定する。更に、同期集成
体36が第1の割算回路138及び第2の割算回路14
0を有する。第1の割算回路138は発振回路136で
発生された色副搬送波周波数を回転基準周波数まで分周
する。スピンドル軸132がタコメータ143を持って
いて、これが軸132とターンテーブル21の組合せの
正確な回転速度を表わす周波数信号を発生する。タコメ
ータ信号が線142に出る。第1の割算回路138から
の回転基準信号が線144に出る。線142のタコメー
タ信号がスピンドル・サーボ回路130に印加され、線
144の回転基準信号もスピンドル・サーボ回路130
に印加される。スピンドル・サーボ回路130が2つの
入力信号の位相を比較する。タコメータ信号の位相が回
転基準信号の位相より進んでいる時、回転速度が高すぎ
るので、スピンドル・サーボ回路130で発生された信
号が線146を介してモータ134に印加され、回転速
度を減速し、タコメータ信号を回転基準信号の位相と合
う様にする。スピンドル・サーボ回路130に於ける比
較により、タコメータ信号の位相が回転基準信号の位相
より遅れている時、回転速度が遅すぎるのであり、スピ
ンドル・サーボ回路130で発生された信号が線148
を介してモータ134に印加され、回転速度を高め、タ
コメータ信号の位相を回転基準信号の位相と合う様にす
る。
【0056】第2の割算回路140が発振器136によ
って発生された色副搬送波周波数を、部材10の完全な
1回転毎に、並進駆動回路34を一定の距離だけ前進さ
せるための並進基準信号まで分周する。好ましい実施例
では、並進駆動回路34が部材10の1回転毎に前進す
る距離は2ミクロンである。
って発生された色副搬送波周波数を、部材10の完全な
1回転毎に、並進駆動回路34を一定の距離だけ前進さ
せるための並進基準信号まで分周する。好ましい実施例
では、並進駆動回路34が部材10の1回転毎に前進す
る距離は2ミクロンである。
【0057】色副搬送波水晶発振器136が、関連した
2つの割算回路138,140と共に電気同期回路とし
て作用し、回転駆動集成体32によって行なわれるディ
スクの回転運動と、並進駆動集成体34によって行なわ
れる書込みビーム29及び被覆26の間の並進運動との
間に一定の関係を維持する。
2つの割算回路138,140と共に電気同期回路とし
て作用し、回転駆動集成体32によって行なわれるディ
スクの回転運動と、並進駆動集成体34によって行なわ
れる書込みビーム29及び被覆26の間の並進運動との
間に一定の関係を維持する。
【0058】図1、図10及び図11に示す可動光学集
成体が台142に装着される。この可動台は並進駆動集
成体34によって半径方向に駆動される。この集成体が
台142をスピンドル軸132の1回転毎に2.0ミク
ロン前進させる。この並進方向は回転するディスク10
に対して半径方向である。スピンドル軸132の1回転
当りのこの半径方向の前進を記録のピッチと呼ぶ。完成
された記録のピッチの一様性は、台142に装着された
光学集成体の定常的な前進に依存するから、並進駆動集
成体34にある親ねじ143をラップ仕上げし、並進駆
動ナット144に予備荷重を加えることに注意が払われ
る。このナットが親ねじ143に係合し、ナット144
と台142との間の接続部を、棒146で表わす様に、
できるだけ堅固にする。
成体が台142に装着される。この可動台は並進駆動集
成体34によって半径方向に駆動される。この集成体が
台142をスピンドル軸132の1回転毎に2.0ミク
ロン前進させる。この並進方向は回転するディスク10
に対して半径方向である。スピンドル軸132の1回転
当りのこの半径方向の前進を記録のピッチと呼ぶ。完成
された記録のピッチの一様性は、台142に装着された
光学集成体の定常的な前進に依存するから、並進駆動集
成体34にある親ねじ143をラップ仕上げし、並進駆
動ナット144に予備荷重を加えることに注意が払われ
る。このナットが親ねじ143に係合し、ナット144
と台142との間の接続部を、棒146で表わす様に、
できるだけ堅固にする。
【0059】図10には、前に説明した線状の一連の標
識37,38として情報貯蔵部材10に貯蔵されている
周波数変調信号を再生するために使われる読取装置が示
されている。読取ビーム150が読取レーザ152によ
って発生される。このレーザは偏光したコリメートされ
た光ビーム150を発生する。ターンテーブル21の様
な支持部材を用いて、情報貯蔵部材10を略予定の位置
に保持する。
識37,38として情報貯蔵部材10に貯蔵されている
周波数変調信号を再生するために使われる読取装置が示
されている。読取ビーム150が読取レーザ152によ
って発生される。このレーザは偏光したコリメートされ
た光ビーム150を発生する。ターンテーブル21の様
な支持部材を用いて、情報貯蔵部材10を略予定の位置
に保持する。
【0060】不動の読取光学集成体154及び可動の光
学集成体156が読取光路を構成し、読取光ビーム15
0がレーザ源152と情報貯蔵部材10との間でこの光
路を通る。更に、何れかの光学集成体を用いて、光ビー
ム150を、情報貯蔵部材10の相次ぐ位置に担持され
た交互の位置にある光反射領域38及び光散乱領域37
に集束することができる。可動の光学集成体156は、
光反射領域38及び光散乱領域37からの反射を収集す
るために使われる。運動制御集成体28が読取ビーム1
50と光反射性並びに光散乱性を持つ交互の領域38,
37との間で相対運動を行なわせる。
学集成体156が読取光路を構成し、読取光ビーム15
0がレーザ源152と情報貯蔵部材10との間でこの光
路を通る。更に、何れかの光学集成体を用いて、光ビー
ム150を、情報貯蔵部材10の相次ぐ位置に担持され
た交互の位置にある光反射領域38及び光散乱領域37
に集束することができる。可動の光学集成体156は、
光反射領域38及び光散乱領域37からの反射を収集す
るために使われる。運動制御集成体28が読取ビーム1
50と光反射性並びに光散乱性を持つ交互の領域38,
37との間で相対運動を行なわせる。
【0061】光学集成体154,156は被覆26から
反射されたビームが通る光路をも構成する。反射ビーム
の通路を数字150′で示してある。この反射光通路1
50′は最初の読取ビーム通路150の一部分を含む。
反射ビーム150′が読取ビーム150′と一致する部
分では、数字150,150′の両方を用いている。光
感知素子158を反射光ビーム通路150′内に配置
し、それに入射する反射に対応する周波数変調された電
気信号を発生する。光感知素子158によって発生され
る周波数変調された電気信号が線160に出るが、その
情報内容は、貯蔵されている情報に対応する時間的な周
波数変化を持つ搬送波周波数の形をしている。光感知素
子158の出力が増幅器164を介して弁別回路162
に印加される。弁別回路162は光感知回路158の出
力に応答し、周波数変調された電気信号を、貯蔵されて
いた情報を表わす時間に依存性を持つ電圧信号に変え
る。時間に依存性を持つ電圧信号はビデオ信号とも呼
び、これが線165に現われる。この時間に依存性を持
つ電圧信号の情報内容は、時間的な或る形式で変化する
電圧であり、標準形テレビジョン・モニタ166及び/
又はオッシロスコープ168で表示するのに適してい
る。
反射されたビームが通る光路をも構成する。反射ビーム
の通路を数字150′で示してある。この反射光通路1
50′は最初の読取ビーム通路150の一部分を含む。
反射ビーム150′が読取ビーム150′と一致する部
分では、数字150,150′の両方を用いている。光
感知素子158を反射光ビーム通路150′内に配置
し、それに入射する反射に対応する周波数変調された電
気信号を発生する。光感知素子158によって発生され
る周波数変調された電気信号が線160に出るが、その
情報内容は、貯蔵されている情報に対応する時間的な周
波数変化を持つ搬送波周波数の形をしている。光感知素
子158の出力が増幅器164を介して弁別回路162
に印加される。弁別回路162は光感知回路158の出
力に応答し、周波数変調された電気信号を、貯蔵されて
いた情報を表わす時間に依存性を持つ電圧信号に変え
る。時間に依存性を持つ電圧信号はビデオ信号とも呼
び、これが線165に現われる。この時間に依存性を持
つ電圧信号の情報内容は、時間的な或る形式で変化する
電圧であり、標準形テレビジョン・モニタ166及び/
又はオッシロスコープ168で表示するのに適してい
る。
【0062】読取光学集成体154,156は偏光選択
性ビーム分割部材170をも含む。この分割部材は入射
ビーム150に対してビーム偏光子として作用すると共
に、反射ビーム150′に対して選択性ビーム分割器と
して作用する。更に読取光学集成体が4分の1波長板1
72を含む。ビーム偏光子170が、読取ビーム150
から、ビーム偏光子170の偏光軸線と整合していない
あらゆる擬似的な光波を濾波する。読取ビーム150の
偏光軸線が部材170によって特定の向きに固定されて
いるので、4分の1波長板172が偏光平面を直線偏光
から円偏光に変える。部材170及び4分の1波長板1
72が読取光ビーム通路150内に配置されている。部
材170は読取ビーム150の源152と4分の1波長
板172との間に配置される。4分の1波長板172は
反射読取ビーム通路150′内にも配置されている。従
って、4分の1波長板172は読取ビームの偏光を、そ
れが読取レーザ152から情報貯蔵部材10へ通過する
時に、直線偏光から円偏光に変えるだけでなく、円偏光
の反射光を、源152及び部材170によって固定され
た好ましい方向に対して90°回転した直線偏光にも変
える。この回転したビーム150′が選択的に光感知素
子158に送られ、この素子が反射光ビーム150′を
対応する電気信号に変える。部材170が、その中を通
過する時に、入射光ビーム150の強度を減少させるこ
とに注意されたい。この強度低下は、読取ビーム150
の初期の強度をこの減少を埋合せるのに十分なレベルに
設定することによって、補償される。4分の1波長板1
72は、直線偏光から円偏光へ、そして再び直線偏光へ
変る間、入射ビーム150に対して合計90°の回転を
反射ビーム150′に加える。前に述べた様に、部材1
70も反射読取ビーム通路150′内にあるビーム分割
キューブである。反射読取ビーム150′の偏光平面
が、4分の1波長板172を2回通過したことによって
90°変ると、部材170のビーム分割キューブ部分が
反射読取ビーム150′を光感知回路158へ送る。光
感知素子158として作用するのに適した素子はフォト
ダイオードである。この各々の素子158が、周波数変
調された反射光ビーム150′を、搬送波周波数からの
時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数としての情報内
容を持つ電気信号に変えることができる。光学集成体1
54,156が更に対物レンズ52を含む。このレンズ
が流体力学的な空気支承部材54によって支持されてい
る。この支承部材が情報貯蔵部材10に担持された被覆
26の上方にレンズ52を支持する。
性ビーム分割部材170をも含む。この分割部材は入射
ビーム150に対してビーム偏光子として作用すると共
に、反射ビーム150′に対して選択性ビーム分割器と
して作用する。更に読取光学集成体が4分の1波長板1
72を含む。ビーム偏光子170が、読取ビーム150
から、ビーム偏光子170の偏光軸線と整合していない
あらゆる擬似的な光波を濾波する。読取ビーム150の
偏光軸線が部材170によって特定の向きに固定されて
いるので、4分の1波長板172が偏光平面を直線偏光
から円偏光に変える。部材170及び4分の1波長板1
72が読取光ビーム通路150内に配置されている。部
材170は読取ビーム150の源152と4分の1波長
板172との間に配置される。4分の1波長板172は
反射読取ビーム通路150′内にも配置されている。従
って、4分の1波長板172は読取ビームの偏光を、そ
れが読取レーザ152から情報貯蔵部材10へ通過する
時に、直線偏光から円偏光に変えるだけでなく、円偏光
の反射光を、源152及び部材170によって固定され
た好ましい方向に対して90°回転した直線偏光にも変
える。この回転したビーム150′が選択的に光感知素
子158に送られ、この素子が反射光ビーム150′を
対応する電気信号に変える。部材170が、その中を通
過する時に、入射光ビーム150の強度を減少させるこ
とに注意されたい。この強度低下は、読取ビーム150
の初期の強度をこの減少を埋合せるのに十分なレベルに
設定することによって、補償される。4分の1波長板1
72は、直線偏光から円偏光へ、そして再び直線偏光へ
変る間、入射ビーム150に対して合計90°の回転を
反射ビーム150′に加える。前に述べた様に、部材1
70も反射読取ビーム通路150′内にあるビーム分割
キューブである。反射読取ビーム150′の偏光平面
が、4分の1波長板172を2回通過したことによって
90°変ると、部材170のビーム分割キューブ部分が
反射読取ビーム150′を光感知回路158へ送る。光
感知素子158として作用するのに適した素子はフォト
ダイオードである。この各々の素子158が、周波数変
調された反射光ビーム150′を、搬送波周波数からの
時間的な周波数変化を持つ搬送波周波数としての情報内
容を持つ電気信号に変えることができる。光学集成体1
54,156が更に対物レンズ52を含む。このレンズ
が流体力学的な空気支承部材54によって支持されてい
る。この支承部材が情報貯蔵部材10に担持された被覆
26の上方にレンズ52を支持する。
【0063】前に述べた様に、読取ビーム150は略平
行な光線で形成されている。対物レンズ52は、レーザ
源152によって発生された読取ビーム150の直径よ
り大きい直径の入口開口56を有する。平面状の凸の発
散レンズ174がレーザ源152及び対物レンズ52の
入口開口56の中間に設けられ、読取ビーム150を形
成する略平行な光線を、少くとも対物レンズ52の入口
開口に溢れる位の直径を持つ光ビーム150に拡げる。
光学集成体154,156が多数の不動の又は調節自在
の鏡176,178をも含んでいて、読取光ビーム15
0及び反射光ビーム150′を、前に述べた素子に入射
する様に計算された通路に沿って折り曲げる。
行な光線で形成されている。対物レンズ52は、レーザ
源152によって発生された読取ビーム150の直径よ
り大きい直径の入口開口56を有する。平面状の凸の発
散レンズ174がレーザ源152及び対物レンズ52の
入口開口56の中間に設けられ、読取ビーム150を形
成する略平行な光線を、少くとも対物レンズ52の入口
開口に溢れる位の直径を持つ光ビーム150に拡げる。
光学集成体154,156が多数の不動の又は調節自在
の鏡176,178をも含んでいて、読取光ビーム15
0及び反射光ビーム150′を、前に述べた素子に入射
する様に計算された通路に沿って折り曲げる。
【0064】随意選択の光学フィルタ180が反射ビー
ム通路150′内に配置され、入射ビームの波長以外の
全ての波長を濾波する。このフィルタ180を使うこと
により、テレビジョン・モニタ166で表示される画像
の品質が改善される。この読取装置を、後で図11につ
いて詳しく説明する書込み装置と一緒に使う時、このフ
ィルタ180は不可欠である。この書込み後の読取を行
なう場合、書込みビーム29の一部分が反射読取ビーム
通路150′を通る。フィルタが書込みビームのこの部
分の止め、反射ビーム150′の全強度を通す。
ム通路150′内に配置され、入射ビームの波長以外の
全ての波長を濾波する。このフィルタ180を使うこと
により、テレビジョン・モニタ166で表示される画像
の品質が改善される。この読取装置を、後で図11につ
いて詳しく説明する書込み装置と一緒に使う時、このフ
ィルタ180は不可欠である。この書込み後の読取を行
なう場合、書込みビーム29の一部分が反射読取ビーム
通路150′を通る。フィルタが書込みビームのこの部
分の止め、反射ビーム150′の全強度を通す。
【0065】随意選択の収斂レンズ182が反射ビーム
通路150′内に配置され、反射ビームを光感知素子1
58の活性区域に像を結ぶ。この収斂レンズ182は反
射ビーム150′の直径を小さくし、光感知素子158
の活性区域に対して反射ビームの光強度を集中する。
通路150′内に配置され、反射ビームを光感知素子1
58の活性区域に像を結ぶ。この収斂レンズ182は反
射ビーム150′の直径を小さくし、光感知素子158
の活性区域に対して反射ビームの光強度を集中する。
【0066】増幅器164が光感知素子158の出力を
増幅し、光感知素子158によって発生された周波数変
調された電気信号の振幅を高め、復調器162の入力信
号条件に合う様にする。
増幅し、光感知素子158によって発生された周波数変
調された電気信号の振幅を高め、復調器162の入力信
号条件に合う様にする。
【0067】再び図4乃至図7の電気波形について説明
すると、これらの波形は、ディスク10に担持される被
覆26内に貯蔵された周波数変調信号を再生する間、図
10に示す読取装置によっても発生される。図6は線8
0で表わす一定の強度を持つ書込みレーザ・ビームを発
生するレーザ源を示す。読取レーザ152が、一定の強
度であるが、レベルは一層低い読取ビーム150を発生
する。
すると、これらの波形は、ディスク10に担持される被
覆26内に貯蔵された周波数変調信号を再生する間、図
10に示す読取装置によっても発生される。図6は線8
0で表わす一定の強度を持つ書込みレーザ・ビームを発
生するレーザ源を示す。読取レーザ152が、一定の強
度であるが、レベルは一層低い読取ビーム150を発生
する。
【0068】図7は強度変調された書込みレーザ・ビー
ムを示す。反射読取ビーム150′が、ディスク部材1
0に担持される光反射領域及び光散乱領域38,37に
入射することによって、強度変調される。反射読取ビー
ム150′は図7に示す様な完全な矩形波ではなく、矩
形の縁が、読取スポットの有限の寸法のために丸くな
る。
ムを示す。反射読取ビーム150′が、ディスク部材1
0に担持される光反射領域及び光散乱領域38,37に
入射することによって、強度変調される。反射読取ビー
ム150′は図7に示す様な完全な矩形波ではなく、矩
形の縁が、読取スポットの有限の寸法のために丸くな
る。
【0069】図5は、中心周波数の前後に時間的に変化
する周波数変化を持つ搬送波信号の形で情報内容を持つ
周波数変調された電気信号を示す。光感知素子158の
出力は同じ種類の信号である。図4は、時間的な或る形
式で変化する電圧として情報内容を持つビデオ信号を示
す。復調器162の出力は同じ形式の信号である。
する周波数変化を持つ搬送波信号の形で情報内容を持つ
周波数変調された電気信号を示す。光感知素子158の
出力は同じ種類の信号である。図4は、時間的な或る形
式で変化する電圧として情報内容を持つビデオ信号を示
す。復調器162の出力は同じ形式の信号である。
【0070】図10に示す運動制御集成体28は、図1
に示した運動制御集成体28と同じ様に動作する。読取
装置では、運動制御集成体28が、回転駆動集成体32
の制御の下に、ディスク部材に対して回転運動を伝え
る。更に集成体28が、貯蔵部材の面の半径方向に可動
の読取光学集成体156を動かすために、並進運動を発
生する。
に示した運動制御集成体28と同じ様に動作する。読取
装置では、運動制御集成体28が、回転駆動集成体32
の制御の下に、ディスク部材に対して回転運動を伝え
る。更に集成体28が、貯蔵部材の面の半径方向に可動
の読取光学集成体156を動かすために、並進運動を発
生する。
【0071】更に集成体28が、読取ビーム150がデ
ィスク部材10に担持される情報トラックに入射する様
に、回転運動と並進運動との間に一定の関係を維持する
同期回路を含む。典型的な情報トラックの一部分を図3
の104,105に示してある。
ィスク部材10に担持される情報トラックに入射する様
に、回転運動と並進運動との間に一定の関係を維持する
同期回路を含む。典型的な情報トラックの一部分を図3
の104,105に示してある。
【0072】図11には図1に示した書込み装置及び図
10に示した読取装置の組合せのブロック図が示されて
いる。図11に示す素子は、前に述べたのと同様に動作
し、その動作を詳しく繰返して説明する必要はない。繰
返しを避けるために、簡単に説明する。
10に示した読取装置の組合せのブロック図が示されて
いる。図11に示す素子は、前に述べたのと同様に動作
し、その動作を詳しく繰返して説明する必要はない。繰
返しを避けるために、簡単に説明する。
【0073】変調されていない書込みビームの通路が2
9に示されており、変調されたビームの通路を29′に
示してある。第1の光学集成体が直線偏光子70の出力
と被覆26との間に変調ビーム通路29′を構成する。
固定の書込み光学集成体41が鏡58を含む。可動の書
込み光学集成体40が発散レンズ66、一部分透過性の
鏡200、可動鏡60及び対物レンズ52を含む。変調
された書込みビーム29′が光応答性被覆上の書込みス
ポット42に像を結び、被覆と相互作用して前述の様に
標識を形成する。読取ビーム通路150に示す。読取光
学集成体が読取レーザ152と情報貯蔵用記録担体10
との間に読取ビーム150のための第2の光路を構成す
る。固定の読取光学集成体154が鏡176を含む。可
動の読取光学集成体156が発散レンズ174、偏光変
更手段172、第2の固定鏡202、一部分透過性の鏡
200、可動鏡60及びレンズ52を含む。読取ビーム
150は、後で図12について更に詳しく説明する様
に、書込みスポット42より下流側に隔った点に読取ス
ポット157を結ぶ。
9に示されており、変調されたビームの通路を29′に
示してある。第1の光学集成体が直線偏光子70の出力
と被覆26との間に変調ビーム通路29′を構成する。
固定の書込み光学集成体41が鏡58を含む。可動の書
込み光学集成体40が発散レンズ66、一部分透過性の
鏡200、可動鏡60及び対物レンズ52を含む。変調
された書込みビーム29′が光応答性被覆上の書込みス
ポット42に像を結び、被覆と相互作用して前述の様に
標識を形成する。読取ビーム通路150に示す。読取光
学集成体が読取レーザ152と情報貯蔵用記録担体10
との間に読取ビーム150のための第2の光路を構成す
る。固定の読取光学集成体154が鏡176を含む。可
動の読取光学集成体156が発散レンズ174、偏光変
更手段172、第2の固定鏡202、一部分透過性の鏡
200、可動鏡60及びレンズ52を含む。読取ビーム
150は、後で図12について更に詳しく説明する様
に、書込みスポット42より下流側に隔った点に読取ス
ポット157を結ぶ。
【0074】鏡200はダイクロイック・ミラーであ
り、書込みビーム29′の波長では透過性であるが、読
取ビーム150′の波長では反射性である。
り、書込みビーム29′の波長では透過性であるが、読
取ビーム150′の波長では反射性である。
【0075】書込みビーム29′の強度は読取ビーム1
50の強度より強い。書込みビーム29′は貯蔵しよう
とするビデオ信号を表わす標識を保有する様に光応答性
被覆26を変更しなければならないが、読取ビーム15
0の強度は、被覆26に形成された標識を照射して、読
取光学集成体で収集した、強度変調された反射ビーム1
50′を光感知回路158で周波数変調された電気信号
に変換した後に、良好な信号が得られる位の強度を持つ
反射光ビーム150′を発生しさえすればよい。
50の強度より強い。書込みビーム29′は貯蔵しよう
とするビデオ信号を表わす標識を保有する様に光応答性
被覆26を変更しなければならないが、読取ビーム15
0の強度は、被覆26に形成された標識を照射して、読
取光学集成体で収集した、強度変調された反射ビーム1
50′を光感知回路158で周波数変調された電気信号
に変換した後に、良好な信号が得られる位の強度を持つ
反射光ビーム150′を発生しさえすればよい。
【0076】書込み光路にある固定の鏡58及び読取光
路の2つの固定の鏡176,202を用いて、書込みビ
ーム29′を、読取ビーム150に対して制御された角
度で、対物レンズ56に向ける。2つの入射ビームの間
のこの角度により、夫々のビームが被覆26に像を結ぶ
時、書込みスポット42と読取スポット157との間に
間隔が得られる。
路の2つの固定の鏡176,202を用いて、書込みビ
ーム29′を、読取ビーム150に対して制御された角
度で、対物レンズ56に向ける。2つの入射ビームの間
のこの角度により、夫々のビームが被覆26に像を結ぶ
時、書込みスポット42と読取スポット157との間に
間隔が得られる。
【0077】動作の際、十分な間隔は4乃至6ミクロン
であることが判った。この距離は図12にはっきり示す
には小さすぎる角度に対応する。このため、見やすくす
るために、図12ではこの角度を誇張して示してある。
であることが判った。この距離は図12にはっきり示す
には小さすぎる角度に対応する。このため、見やすくす
るために、図12ではこの角度を誇張して示してある。
【0078】読取ビーム150′が弁別回路162で復
調され、標準形テレビジョン・モニタ166及びオッシ
ロスコープ168に表示される。テレビジョン・モニタ
166が記録の画像の品質を示し、オッシロスコープ1
68がビデオ信号を更に詳しく示す。書込み後に読取る
この機能により、書込み動作の間に貯蔵されたビデオ信
号の品質を瞬時的に監視することができる。貯蔵された
信号の品質が不良である場合、それがすぐ判り、書込み
手順を是正するか、品質の不良なビデオ情報信号を貯蔵
している情報貯蔵部材10を廃棄することができる。
調され、標準形テレビジョン・モニタ166及びオッシ
ロスコープ168に表示される。テレビジョン・モニタ
166が記録の画像の品質を示し、オッシロスコープ1
68がビデオ信号を更に詳しく示す。書込み後に読取る
この機能により、書込み動作の間に貯蔵されたビデオ信
号の品質を瞬時的に監視することができる。貯蔵された
信号の品質が不良である場合、それがすぐ判り、書込み
手順を是正するか、品質の不良なビデオ情報信号を貯蔵
している情報貯蔵部材10を廃棄することができる。
【0079】書込み後の読取動作様式では、書込みレー
ザ30及び読取レーザ152が同時に動作する。ダイク
ロイック・ミラー200を用いて、読取ビーム150を
書込みビーム29′と組合せる。この書込み後の読取動
作様式では、書込みビーム29の波長は読取ビーム15
0の波長とは違う様に選ばれる。光学フィルタ180を
用いて、書込みビームの内、反射読取ビーム通路をたど
る部分を阻止する。従って、光学フィルタ180は反射
読取ビーム150′を通過させ、書込みレーザ・ビーム
29′の内、反射読取ビーム通路150′をたどる部分
があれば、それを濾波する。
ザ30及び読取レーザ152が同時に動作する。ダイク
ロイック・ミラー200を用いて、読取ビーム150を
書込みビーム29′と組合せる。この書込み後の読取動
作様式では、書込みビーム29の波長は読取ビーム15
0の波長とは違う様に選ばれる。光学フィルタ180を
用いて、書込みビームの内、反射読取ビーム通路をたど
る部分を阻止する。従って、光学フィルタ180は反射
読取ビーム150′を通過させ、書込みレーザ・ビーム
29′の内、反射読取ビーム通路150′をたどる部分
があれば、それを濾波する。
【0080】比較動作様式では、書込み後の読取動作
は、図11について述べた様に実施される。この監視動
作様式で動作する時、比較回路204が復調器162の
出力を源18から供給されたもとのビデオ情報信号と比
較する。
は、図11について述べた様に実施される。この監視動
作様式で動作する時、比較回路204が復調器162の
出力を源18から供給されたもとのビデオ情報信号と比
較する。
【0081】更に詳しく言えば、弁別器162のビデオ
出力が線206を介して比較器204に印加される。比
較器204の他方の入力はビデオ源16から線18、別
の線208及び遅延線210を介して入る。遅延線21
0が入力ビデオ情報信号に対し、入力ビデオ情報信号の
周波数変調から始まって、感知回路150による再生さ
れた電気信号の周波数復調にわたる遅延の累積値に等し
い遅延時間を加える。この遅延は、入力ビデオ情報が書
込みスポット42によって情報貯蔵部材に貯蔵される貯
蔵部材10上の点から、読取スポット157の入射点ま
での移動時間に相当する遅延をも含む。
出力が線206を介して比較器204に印加される。比
較器204の他方の入力はビデオ源16から線18、別
の線208及び遅延線210を介して入る。遅延線21
0が入力ビデオ情報信号に対し、入力ビデオ情報信号の
周波数変調から始まって、感知回路150による再生さ
れた電気信号の周波数復調にわたる遅延の累積値に等し
い遅延時間を加える。この遅延は、入力ビデオ情報が書
込みスポット42によって情報貯蔵部材に貯蔵される貯
蔵部材10上の点から、読取スポット157の入射点ま
での移動時間に相当する遅延をも含む。
【0082】正確な遅延量を発生するには、遅延回路2
10を可変遅延回路とし、最適動作が得られる様に調節
するのが最もよい。
10を可変遅延回路とし、最適動作が得られる様に調節
するのが最もよい。
【0083】弁別器162のビデオ出力信号があらゆる
点で線18,208のビデオ入力信号と同一であること
が理想である。その違いがあれば、それはディスクの表
面の欠陥又は書込み回路の誤動作によって起こり得る誤
差を表わす。ディジタル情報を記録する時は重大である
が、これは他の情報を記録する時はそれ程問題ではな
い。
点で線18,208のビデオ入力信号と同一であること
が理想である。その違いがあれば、それはディスクの表
面の欠陥又は書込み回路の誤動作によって起こり得る誤
差を表わす。ディジタル情報を記録する時は重大である
が、これは他の情報を記録する時はそれ程問題ではな
い。
【0084】比較回路204からの出力信号を計数器
(図に示してない)で計数して、任意のディスクに存在
する実際の誤差の数を定めることができる。計数された
誤差が予定の選ばれた数を超える時、書込み動作を終了
する。必要であれば、新しいディスクに書込むことがで
きる。誤差の多すぎるディスクは再処理することができ
る。
(図に示してない)で計数して、任意のディスクに存在
する実際の誤差の数を定めることができる。計数された
誤差が予定の選ばれた数を超える時、書込み動作を終了
する。必要であれば、新しいディスクに書込むことがで
きる。誤差の多すぎるディスクは再処理することができ
る。
【0085】図11で、比較器204が線208,20
6に出る出力信号を比較する。比較器204のこれとは
別の、もっと直接的なやり方は、周波数変調器20の出
力と図10に示した増幅器164の出力とを比較するこ
とである。
6に出る出力信号を比較する。比較器204のこれとは
別の、もっと直接的なやり方は、周波数変調器20の出
力と図10に示した増幅器164の出力とを比較するこ
とである。
【0086】図12には、書込みレーザ30からの強度
変調された書込みビーム29′及び読取レーザ152か
らの変調されていない読取ビーム150の若干異なる光
路が幾分誇張して示されている。情報貯蔵部材10は矢
印217で示す向きに移動している。これはまだ露出し
ていない被覆26が書込みビーム29′に接近しつつあ
ることを示しており、線状の一連の開口37が書込みビ
ーム29′と被覆26との交点から離れつつあることを
示している。書込みビーム29′は顕微鏡用対物レンズ
52の光軸と一致する。212に示した読取ビーム15
0の中心軸線は、214に示した書込みビーム29′の
中心軸線とは或る角度を成す。この角度を二重の矢印2
16で示してある。書込みビーム29′及び読取ビーム
150がレンズ52を通過する時の光路にこのわずかな
違いがあるため、書込みスポット42は読取スポット1
52より或る距離だけ前方に入射する。書込みスポット
42は線218の長さに等しい距離だけ、読取スポット
157より進んでいる。線218の長さは、対物レンズ
52の焦点距離に角度を乗じた値に等しい。この結果、
書込みと読取との間に遅延が生ずることにより、溶融し
た金属被覆26が凝固することができ、このため最終的
に凝固した状態で記録が読取られる。金属がまだ溶融し
ている様な早すぎる時期に読取をすると、開口の縁から
の反射は、モニタ166で表示するための品質の高い信
号にはならない。
変調された書込みビーム29′及び読取レーザ152か
らの変調されていない読取ビーム150の若干異なる光
路が幾分誇張して示されている。情報貯蔵部材10は矢
印217で示す向きに移動している。これはまだ露出し
ていない被覆26が書込みビーム29′に接近しつつあ
ることを示しており、線状の一連の開口37が書込みビ
ーム29′と被覆26との交点から離れつつあることを
示している。書込みビーム29′は顕微鏡用対物レンズ
52の光軸と一致する。212に示した読取ビーム15
0の中心軸線は、214に示した書込みビーム29′の
中心軸線とは或る角度を成す。この角度を二重の矢印2
16で示してある。書込みビーム29′及び読取ビーム
150がレンズ52を通過する時の光路にこのわずかな
違いがあるため、書込みスポット42は読取スポット1
52より或る距離だけ前方に入射する。書込みスポット
42は線218の長さに等しい距離だけ、読取スポット
157より進んでいる。線218の長さは、対物レンズ
52の焦点距離に角度を乗じた値に等しい。この結果、
書込みと読取との間に遅延が生ずることにより、溶融し
た金属被覆26が凝固することができ、このため最終的
に凝固した状態で記録が読取られる。金属がまだ溶融し
ている様な早すぎる時期に読取をすると、開口の縁から
の反射は、モニタ166で表示するための品質の高い信
号にはならない。
【0087】図13には、図1の装置に使うのに適した
ポッケルス・セル安定化回路48の理想化した線図が示
されている。公知の様に、ポッケルス・セル68は加え
られた書込み光ビーム29の偏光平面を、図7に示した
印加電圧の関数として回転させる。
ポッケルス・セル安定化回路48の理想化した線図が示
されている。公知の様に、ポッケルス・セル68は加え
られた書込み光ビーム29の偏光平面を、図7に示した
印加電圧の関数として回転させる。
【0088】個々のポッケルス・セル68に応じて、1
00ボルト程度の電圧変化により、セルがその中を通過
する光の偏光平面を90°いっぱいに回転させる。ポッ
ケルス・セル駆動器は情報信号源12からの出力をピー
ク間100ボルトの出力に増幅する様に作用する。これ
によって、ポッケルス・セル68に対する適正な入力駆
動信号が得られる。ポッケルス・セル駆動器72が図5
に示す形の波形を発生する。そのピーク間電圧は100
ボルトである。
00ボルト程度の電圧変化により、セルがその中を通過
する光の偏光平面を90°いっぱいに回転させる。ポッ
ケルス・セル駆動器は情報信号源12からの出力をピー
ク間100ボルトの出力に増幅する様に作用する。これ
によって、ポッケルス・セル68に対する適正な入力駆
動信号が得られる。ポッケルス・セル駆動器72が図5
に示す形の波形を発生する。そのピーク間電圧は100
ボルトである。
【0089】ポッケルス・セルは、変調された光ビーム
強度が電気駆動信号を最も忠実に再現する様に、平均4
5°の回転で動作させるべきである。ポッケルス・セル
をこの平均動作点に保つため、ポッケルス・セルにバイ
アス電圧を加えなければならない。実際には、45°の
回転の動作点に対応するバイアス電圧は連続的に変化す
る。この連続的に変化するバイアス電圧がサーボ帰還ル
ープを使うことによって発生される。この帰還ループ
は、透過した光の平均値を調節自在の基準値に比較し、
その差の信号を直流増幅器を介してポッケルス・セルに
印加するものである。この構成により、動作点が安定化
する。基準値は45°の動作点に対応する平均透過量に
対応する様に調節することができ、サーボ帰還ループが
ポッケルス・セルをこの平均の45°の回転に保つため
の補正バイアス電圧を供給する。
強度が電気駆動信号を最も忠実に再現する様に、平均4
5°の回転で動作させるべきである。ポッケルス・セル
をこの平均動作点に保つため、ポッケルス・セルにバイ
アス電圧を加えなければならない。実際には、45°の
回転の動作点に対応するバイアス電圧は連続的に変化す
る。この連続的に変化するバイアス電圧がサーボ帰還ル
ープを使うことによって発生される。この帰還ループ
は、透過した光の平均値を調節自在の基準値に比較し、
その差の信号を直流増幅器を介してポッケルス・セルに
印加するものである。この構成により、動作点が安定化
する。基準値は45°の動作点に対応する平均透過量に
対応する様に調節することができ、サーボ帰還ループが
ポッケルス・セルをこの平均の45°の回転に保つため
の補正バイアス電圧を供給する。
【0090】安定化回路48が光感知手段225を含
む。シリコン・ダイオードが適当な光感知手段として作
用する。ダイオード225が、光変調器44から出てき
て、図1に示した一部分反射性の鏡58を通過する書込
みビーム29′の一部分29″を感知する。シリコン・
ダイオード225が大体太陽電池と同じ様に作用し、入
射する放射によって照射された時、電気エネルギ源にな
る。シリコン・ダイオード225の1本の出力線が線2
27によって共通の基準電位226に接続される。ダイ
オード225の他方の出力線が線230によって差動増
幅器228の一方の入力に接続される。シリコン・セル
225の出力線が負荷抵抗232によって分路されてお
り、この抵抗は直線形応答ができる様にする。
む。シリコン・ダイオードが適当な光感知手段として作
用する。ダイオード225が、光変調器44から出てき
て、図1に示した一部分反射性の鏡58を通過する書込
みビーム29′の一部分29″を感知する。シリコン・
ダイオード225が大体太陽電池と同じ様に作用し、入
射する放射によって照射された時、電気エネルギ源にな
る。シリコン・ダイオード225の1本の出力線が線2
27によって共通の基準電位226に接続される。ダイ
オード225の他方の出力線が線230によって差動増
幅器228の一方の入力に接続される。シリコン・セル
225の出力線が負荷抵抗232によって分路されてお
り、この抵抗は直線形応答ができる様にする。
【0091】差動増幅器228に対する他方の入力が線
238によってポテンショメータ236の調節自在のア
ーム234に接続される。ポテンショメータ236の一
端が線240によって基準電位226に接続される。電
源242がポテンショメータ236の他端に結合され、
差動増幅器228を調節して、変調されたレーザ・ビー
ム29′の平均エネルギ・レベルを予定の値に調節する
ための帰還信号を線244,246に発生する。
238によってポテンショメータ236の調節自在のア
ーム234に接続される。ポテンショメータ236の一
端が線240によって基準電位226に接続される。電
源242がポテンショメータ236の他端に結合され、
差動増幅器228を調節して、変調されたレーザ・ビー
ム29′の平均エネルギ・レベルを予定の値に調節する
ための帰還信号を線244,246に発生する。
【0092】差動増幅器228の出力端子が抵抗素子2
48,250及び出力線244,246を介して図1に
示したポッケルス・セル68の入力端子に接続される。
ポッケルス・セル駆動器72が容量性素子252,25
4を介してポッケルス・セル68に交流結合される。差
動増幅器228はポッケルス・セル68に直流結合され
る。
48,250及び出力線244,246を介して図1に
示したポッケルス・セル68の入力端子に接続される。
ポッケルス・セル駆動器72が容量性素子252,25
4を介してポッケルス・セル68に交流結合される。差
動増幅器228はポッケルス・セル68に直流結合され
る。
【0093】動作について説明すると、この装置を付勢
した時、書込みビーム29′からの光の部分29″がシ
リコン・ダイオード225に入射することにより、差動
増幅器228の一方の入力に差電圧が発生される。最
初、ポテンショメータ236は、ポッケルス・セルの平
均透過量が45°の回転に対応する様に調節される。そ
の後、シリコン・セル225に入射する平均強度レベル
が増加又は減少すると、差動増幅器228によって補正
電圧が発生される。ポッケルス・セル68に印加される
補正電圧は、ポテンショメータ236の調節自在のアー
ム234を動かすことによって、差動増幅器の他方の入
力に線238を介して印加される入力電圧を調節するこ
とによって選ばれた予定のレベルに平均強度レベルを回
復させるのに適切な極性並びに大きさである。
した時、書込みビーム29′からの光の部分29″がシ
リコン・ダイオード225に入射することにより、差動
増幅器228の一方の入力に差電圧が発生される。最
初、ポテンショメータ236は、ポッケルス・セルの平
均透過量が45°の回転に対応する様に調節される。そ
の後、シリコン・セル225に入射する平均強度レベル
が増加又は減少すると、差動増幅器228によって補正
電圧が発生される。ポッケルス・セル68に印加される
補正電圧は、ポテンショメータ236の調節自在のアー
ム234を動かすことによって、差動増幅器の他方の入
力に線238を介して印加される入力電圧を調節するこ
とによって選ばれた予定のレベルに平均強度レベルを回
復させるのに適切な極性並びに大きさである。
【0094】ポテンショメータ236の調節自在のアー
ム234が、書込みレーザ30によって発生される光の
平均強度レベルを選択する手段である。開口37の長さ
が、前述の様に、次に続く空間38の長さと正確に等し
い時、最適の結果が得られる。ポテンショメータ236
の調節は、この様に長さを等しくする手段になる。開口
の長さがその隣りにある空間の長さに等しい時、デュー
ティ・サイクルは50−50になる。このデューティ・
サイクルは、書込んだばかりの情報が前述の様にテレビ
ジョン・モニタ及び/又はオッシロスコープ166,1
68で表示される時、その状態を検査することによって
検出し得る。開口37の長さが、この開口とその次の位
置にある空間との合計の長さの40乃至60%の間で変
化する時、商業的に許容し得る結果が得られる。言いか
えれば、開口並びに次に続く位置にある空間の長さが測
定される。その時、開口は合計の長さの40乃至60%
の範囲内に入る長さであればよい。
ム234が、書込みレーザ30によって発生される光の
平均強度レベルを選択する手段である。開口37の長さ
が、前述の様に、次に続く空間38の長さと正確に等し
い時、最適の結果が得られる。ポテンショメータ236
の調節は、この様に長さを等しくする手段になる。開口
の長さがその隣りにある空間の長さに等しい時、デュー
ティ・サイクルは50−50になる。このデューティ・
サイクルは、書込んだばかりの情報が前述の様にテレビ
ジョン・モニタ及び/又はオッシロスコープ166,1
68で表示される時、その状態を検査することによって
検出し得る。開口37の長さが、この開口とその次の位
置にある空間との合計の長さの40乃至60%の間で変
化する時、商業的に許容し得る結果が得られる。言いか
えれば、開口並びに次に続く位置にある空間の長さが測
定される。その時、開口は合計の長さの40乃至60%
の範囲内に入る長さであればよい。
【0095】図8に図3に示した情報トラックの半径方
向断面図が示されている。鏡面形光反射領域38が1対
の非鏡面形光反射領域37の中間にある。図8に示した
半径方向断面図で、入射する読取又は書込みビームは矢
印217で示す向きに、部材10に対して移動する。つ
まり、読取ビームは最初に鏡面形光反射領域38aに入
射してから、非鏡面形光反射領域37aに入射する。こ
の形式では、記録される信号の正の半サイクルは鏡面形
光反射領域38aによって表わされ、記録される信号の
負の半サイクルは非鏡面形光反射領域37aによって表
わされる。図8に示す信号のデューティ・サイクルは、
括弧260で表わした鏡面形光反射領域38aの長さ
が、括弧262で表わした非鏡面形光反射領域37aの
長さと等しければ、50%のデューティ・サイクルであ
る。好ましいデューティ・サイクルは、書込みレーザ3
0の電源を調節することによって、書込みビーム29の
絶対的な強度を調節すると共に、安定化回路48内のポ
テンショメータ236を、書込みビーム29の偏光角が
45°回転する状態から開口が形成され始める様なレベ
ルに調節することによって、設定することができる。
向断面図が示されている。鏡面形光反射領域38が1対
の非鏡面形光反射領域37の中間にある。図8に示した
半径方向断面図で、入射する読取又は書込みビームは矢
印217で示す向きに、部材10に対して移動する。つ
まり、読取ビームは最初に鏡面形光反射領域38aに入
射してから、非鏡面形光反射領域37aに入射する。こ
の形式では、記録される信号の正の半サイクルは鏡面形
光反射領域38aによって表わされ、記録される信号の
負の半サイクルは非鏡面形光反射領域37aによって表
わされる。図8に示す信号のデューティ・サイクルは、
括弧260で表わした鏡面形光反射領域38aの長さ
が、括弧262で表わした非鏡面形光反射領域37aの
長さと等しければ、50%のデューティ・サイクルであ
る。好ましいデューティ・サイクルは、書込みレーザ3
0の電源を調節することによって、書込みビーム29の
絶対的な強度を調節すると共に、安定化回路48内のポ
テンショメータ236を、書込みビーム29の偏光角が
45°回転する状態から開口が形成され始める様なレベ
ルに調節することによって、設定することができる。
【0096】図7及び図8に例示した開口形成過程につ
いて再び説明すると、光スポット内のエネルギが金属被
膜の組成並びに厚さ、及び基板の特性に特有な閾値を超
える時、薄い金属被覆26の溶融が起こる。スポットの
エネルギは光強度変調集成体44によって変調されてい
る。オン・オフの変化を短かく抑えて、溶融値に変動が
あっても、孔の末端の位置が正確になる様にする。金属
被覆の厚さの変動や、情報貯蔵層として違う材料を使う
ことにより、溶融閾値の変動が起こり得る。
いて再び説明すると、光スポット内のエネルギが金属被
膜の組成並びに厚さ、及び基板の特性に特有な閾値を超
える時、薄い金属被覆26の溶融が起こる。スポットの
エネルギは光強度変調集成体44によって変調されてい
る。オン・オフの変化を短かく抑えて、溶融値に変動が
あっても、孔の末端の位置が正確になる様にする。金属
被覆の厚さの変動や、情報貯蔵層として違う材料を使う
ことにより、溶融閾値の変動が起こり得る。
【0097】200乃至300オングストロームの厚さ
を持つ薄い金属被覆26内に開口を形成するのに必要な
スポットの平均エネルギは、200ミリワット程度であ
る。FM搬送波周波数が約8MHzであるから、毎秒8
×106 個の可変の長さを持つ孔が切込まれ、1つの孔
当たりのエネルギは2.5×10-9ジュールである。
を持つ薄い金属被覆26内に開口を形成するのに必要な
スポットの平均エネルギは、200ミリワット程度であ
る。FM搬送波周波数が約8MHzであるから、毎秒8
×106 個の可変の長さを持つ孔が切込まれ、1つの孔
当たりのエネルギは2.5×10-9ジュールである。
【0098】ビデオ・ディスク部材10のこの第1の実
施例では、硝子基板の一部分が各々の開口で露出する。
硝子基板の露出した部分は、入射する読取ビームに対し
て、非鏡面形光反射領域となる。相次ぐ位置にある開口
の間に残っている金属被覆の部分は、入射する読取ビー
ムに対して光反射の強い領域となる。
施例では、硝子基板の一部分が各々の開口で露出する。
硝子基板の露出した部分は、入射する読取ビームに対し
て、非鏡面形光反射領域となる。相次ぐ位置にある開口
の間に残っている金属被覆の部分は、入射する読取ビー
ムに対して光反射の強い領域となる。
【0099】フォトレジスト被覆を使って第1及び第2
の標識を形成する時、書込みビーム29′の強度は、偏
光平面の45°の回転によって、フォトレジスト被覆の
運動中、それが移動する情報貯蔵部材10上にある間
に、被覆26を露出させ並びに/又はこのフォトレジス
ト被覆と相互作用するための閾値強度を持つ光ビーム2
9′を発生する様に調節される。ポッケルス・セル68
及びグラン・プリズム70の組合せは光強度変調部材と
なり、設定された45°の状態から、0°に近い動作状
態に関連する低い光透過状態、並びに90°に近い動作
状態に関連する高い光透過状態まで動作する。書込み光
ビーム29′の強度が最初に調節されたレベル、又は予
定の開始時強度より高くなり、高い方の光透過状態に向
って増加する時、入射する書込み光ビーム29′はそれ
によって照射されるフォトレジストを露出する。この露
出は、書込みビームの強度が最大光透過状態に達し、且
つ書込みレーザ30から出る光の偏光平面に対する45
°の回転に関連した最初の予定の強度に向って下がり始
めた後も、継続する。回転が45°の値より下ると、グ
ラン・プリズム70から出てくる書込みビーム29′の
強度は閾値強度より低くなり、この時集束された書込み
ビームはそれによって照射されたフォトレジストを露出
しなくなる。この様に照射されたフォトレジストを露出
しなくなるのは、書込みビームの強度が最小光透過状態
に達し且つ書込みレーザ30から出る光の偏光平面の4
5°の回転に伴う最初に定めた強度に向って再び増加し
始める後まで継続する。
の標識を形成する時、書込みビーム29′の強度は、偏
光平面の45°の回転によって、フォトレジスト被覆の
運動中、それが移動する情報貯蔵部材10上にある間
に、被覆26を露出させ並びに/又はこのフォトレジス
ト被覆と相互作用するための閾値強度を持つ光ビーム2
9′を発生する様に調節される。ポッケルス・セル68
及びグラン・プリズム70の組合せは光強度変調部材と
なり、設定された45°の状態から、0°に近い動作状
態に関連する低い光透過状態、並びに90°に近い動作
状態に関連する高い光透過状態まで動作する。書込み光
ビーム29′の強度が最初に調節されたレベル、又は予
定の開始時強度より高くなり、高い方の光透過状態に向
って増加する時、入射する書込み光ビーム29′はそれ
によって照射されるフォトレジストを露出する。この露
出は、書込みビームの強度が最大光透過状態に達し、且
つ書込みレーザ30から出る光の偏光平面に対する45
°の回転に関連した最初の予定の強度に向って下がり始
めた後も、継続する。回転が45°の値より下ると、グ
ラン・プリズム70から出てくる書込みビーム29′の
強度は閾値強度より低くなり、この時集束された書込み
ビームはそれによって照射されたフォトレジストを露出
しなくなる。この様に照射されたフォトレジストを露出
しなくなるのは、書込みビームの強度が最小光透過状態
に達し且つ書込みレーザ30から出る光の偏光平面の4
5°の回転に伴う最初に定めた強度に向って再び増加し
始める後まで継続する。
【0100】ポッケルス・セル駆動器72は典型的には
高利得の高圧増幅器であり、100ボルトの電圧の振れ
を持つ出力信号を発生する。この信号はポッケルス・セ
ル68の駆動条件に合せるためである。典型的には、ポ
ッケルス・セル駆動器72の出力の電圧中央値は、レー
ザ30から得られる全部の光の内の大体半分が直線偏光
子70から出てくる様に、ポッケルス・セル68を45
°駆動するのに十分な制御電圧である。駆動器72の出
力信号が電圧中央値より正になると、レーザからの一層
多くの光が通過する。駆動器72の出力信号が負になる
と、レーザからの光が少くなる。
高利得の高圧増幅器であり、100ボルトの電圧の振れ
を持つ出力信号を発生する。この信号はポッケルス・セ
ル68の駆動条件に合せるためである。典型的には、ポ
ッケルス・セル駆動器72の出力の電圧中央値は、レー
ザ30から得られる全部の光の内の大体半分が直線偏光
子70から出てくる様に、ポッケルス・セル68を45
°駆動するのに十分な制御電圧である。駆動器72の出
力信号が電圧中央値より正になると、レーザからの一層
多くの光が通過する。駆動器72の出力信号が負になる
と、レーザからの光が少くなる。
【0101】金属被覆26を使う第1の実施例では、レ
ーザ30からの出力は、駆動器72からの出力がゼロで
あって、ポッケルス・セルの動作点が45°である時、
ディスク10上にある金属層の被覆26を溶融し始める
様な強度が発生する様に調節される。このため、駆動器
72からの出力が正に向うと、溶融が続けられる。駆動
器72からの出力が負に向うと、溶融が止まる。
ーザ30からの出力は、駆動器72からの出力がゼロで
あって、ポッケルス・セルの動作点が45°である時、
ディスク10上にある金属層の被覆26を溶融し始める
様な強度が発生する様に調節される。このため、駆動器
72からの出力が正に向うと、溶融が続けられる。駆動
器72からの出力が負に向うと、溶融が止まる。
【0102】フォトレジスト被覆26を使う第2の実施
例では、レーザ30からの出力は、駆動器72からの出
力が電圧中央値を発生している時、フォトレジスト被覆
26を照射すると共に露出させる様な強度を発生する様
に調節される。このため、駆動器72からの出力が正に
向うと、書込みビームによって照射されたフォトレジス
トの露出が続く。駆動器72からの出力が負に向うと、
照射は続くが、書込みビームのエネルギは照射された領
域を露出させるには不十分である。この明細書では、露
出という言葉は、露出されたフォトレジストに伴う物理
的な現象を表わす意味で使われている。露出されたフォ
トレジストは現像することができ、現像したフォトレジ
ストは標準的な方法によって除去される。フォトレジス
トを露出するのに不十分な強度の光によって照射された
フォトレジストは、現像して除去することができない。
例では、レーザ30からの出力は、駆動器72からの出
力が電圧中央値を発生している時、フォトレジスト被覆
26を照射すると共に露出させる様な強度を発生する様
に調節される。このため、駆動器72からの出力が正に
向うと、書込みビームによって照射されたフォトレジス
トの露出が続く。駆動器72からの出力が負に向うと、
照射は続くが、書込みビームのエネルギは照射された領
域を露出させるには不十分である。この明細書では、露
出という言葉は、露出されたフォトレジストに伴う物理
的な現象を表わす意味で使われている。露出されたフォ
トレジストは現像することができ、現像したフォトレジ
ストは標準的な方法によって除去される。フォトレジス
トを露出するのに不十分な強度の光によって照射された
フォトレジストは、現像して除去することができない。
【0103】今説明した第1及び第2の何れの実施例で
も、図6の線80で示すエネルギ・レベル80の絶対値
は、書込みレーザ30の電源を調節することにより、こ
の様な結果が得られる様に上下に調節される。書込みレ
ーザ30のエネルギ・レベルの絶対値の調節と組合せ
て、ポテンショメータ236を使って、ビーム29が前
述の様に45°より大きく回転させられた時、被覆26
に標識が形成される様にする。
も、図6の線80で示すエネルギ・レベル80の絶対値
は、書込みレーザ30の電源を調節することにより、こ
の様な結果が得られる様に上下に調節される。書込みレ
ーザ30のエネルギ・レベルの絶対値の調節と組合せ
て、ポテンショメータ236を使って、ビーム29が前
述の様に45°より大きく回転させられた時、被覆26
に標識が形成される様にする。
【0104】図10に示す読取専用装置では、光学フィ
ルタ180は随意選択であり、必要としないのが普通で
ある。読取専用装置でそれを使うと、反射通路で若干の
減衰が入り込み、このため、フィルタ180を使わない
読取専用装置と較べた時、検出器158で同じ強度が得
られる様に保証するためには、読取レーザ152の強度
を若干強くすることが必要である。
ルタ180は随意選択であり、必要としないのが普通で
ある。読取専用装置でそれを使うと、反射通路で若干の
減衰が入り込み、このため、フィルタ180を使わない
読取専用装置と較べた時、検出器158で同じ強度が得
られる様に保証するためには、読取レーザ152の強度
を若干強くすることが必要である。
【0105】収斂レンズ182は随意選択である。正し
く構成された読取装置では、反射読取ビーム150′は
光検出器158の作用面積と略同じ直径を有する。そう
でない場合、収斂レンズ182を用いて、反射読取ビー
ム150′を選ばれた光検出器158の一層小さい作用
面積に集中させる。
く構成された読取装置では、反射読取ビーム150′は
光検出器158の作用面積と略同じ直径を有する。そう
でない場合、収斂レンズ182を用いて、反射読取ビー
ム150′を選ばれた光検出器158の一層小さい作用
面積に集中させる。
【0106】改良された形のマスター作成装置の詳しい
動作様式を説明する前に、以下の説明で特別の意味を持
つ幾つかの用語を説明しておくのがよいと思われる。書
込みレーザ源によって発生されるレーザ強度とは、ビデ
オ・ディスクの情報担持部分と相互作用して、搬送波周
波数並びに搬送波周波数からの時間的な周波数変化を表
わす標識を形成するために使われる、マスター・ビデオ
・ディスクに入射する時の強度を言う。
動作様式を説明する前に、以下の説明で特別の意味を持
つ幾つかの用語を説明しておくのがよいと思われる。書
込みレーザ源によって発生されるレーザ強度とは、ビデ
オ・ディスクの情報担持部分と相互作用して、搬送波周
波数並びに搬送波周波数からの時間的な周波数変化を表
わす標識を形成するために使われる、マスター・ビデオ
・ディスクに入射する時の強度を言う。
【0107】ビデオ・ディスクの情報担持層の入射点で
レーザ・ビームに要求される閾値エネルギ・レベルは、
情報担持層を作る材料によって異なる。ビスマスの様な
金属並びにフォトレジストの様な感光材料について述べ
た前述の2つの例では、標識を形成するために要求され
る閾値エネルギ・レベルはかなり異なり、閾値エネルギ
という言葉を説明するよい例になる。勿論、各々の例
で、他の材料の値エネルギも異なる。
レーザ・ビームに要求される閾値エネルギ・レベルは、
情報担持層を作る材料によって異なる。ビスマスの様な
金属並びにフォトレジストの様な感光材料について述べ
た前述の2つの例では、標識を形成するために要求され
る閾値エネルギ・レベルはかなり異なり、閾値エネルギ
という言葉を説明するよい例になる。勿論、各々の例
で、他の材料の値エネルギも異なる。
【0108】ビスマスで被覆されたビデオ・ディスク・
マスターに形成される標識は、光反射性並びに光非反射
性を持つ交互の領域である。光非反射性の区域は、ビス
マスが溶融した後、冷却する前にビスマスが引込んで、
その下にある硝子基板の一部分を露出することによって
生ずる。金属層に入射する光は反射が強いが、硝子基板
の露出部分に入射する光は吸収され、そのために光非反
射性になる。
マスターに形成される標識は、光反射性並びに光非反射
性を持つ交互の領域である。光非反射性の区域は、ビス
マスが溶融した後、冷却する前にビスマスが引込んで、
その下にある硝子基板の一部分を露出することによって
生ずる。金属層に入射する光は反射が強いが、硝子基板
の露出部分に入射する光は吸収され、そのために光非反
射性になる。
【0109】閾値エネルギは、光強度が増大するレーザ
・ビームが存在する時に、金属層を溶融させ且つ引込め
させるのにレーザ・ビームに要求されるエネルギであ
る。閾値エネルギ・レベルは、金属層が溶融しなくな
り、入射光が入射する領域から引込む時の、減少しつつ
ある光強度を持つ信号の強度とも言える。更に特定して
言えば、入射光ビームのエネルギが記録材料の閾値エネ
ルギ条件を超える時、記録材料の中に孔が形成される。
入射光ビームの光エネルギ強度が記録材料の閾値エネル
ギ・レベルより低いと、記録媒質には孔が形成されな
い。入射光ビームによって孔が形成されること並びに孔
が形成されないことが、ビスマスで被覆されたマスター
に入射する光ビームが、ビスマス層と相互作用して、記
録面に標識を形成する主な態様である。標識は、搬送波
周波数を中心として時間的な周波数変化を持つ搬送波周
波数を表わす。
・ビームが存在する時に、金属層を溶融させ且つ引込め
させるのにレーザ・ビームに要求されるエネルギであ
る。閾値エネルギ・レベルは、金属層が溶融しなくな
り、入射光が入射する領域から引込む時の、減少しつつ
ある光強度を持つ信号の強度とも言える。更に特定して
言えば、入射光ビームのエネルギが記録材料の閾値エネ
ルギ条件を超える時、記録材料の中に孔が形成される。
入射光ビームの光エネルギ強度が記録材料の閾値エネル
ギ・レベルより低いと、記録媒質には孔が形成されな
い。入射光ビームによって孔が形成されること並びに孔
が形成されないことが、ビスマスで被覆されたマスター
に入射する光ビームが、ビスマス層と相互作用して、記
録面に標識を形成する主な態様である。標識は、搬送波
周波数を中心として時間的な周波数変化を持つ搬送波周
波数を表わす。
【0110】フォトレジストの薄い層がその上に形成さ
れたビデオ・ディスク・マスターは、それ自身の閾値エ
ネルギ・レベルを持っている。光ビームがフォトレジス
ト層を露出するメカニズムは、光子理論に従い、フォト
レジストの一部分を露出するには、入射光ビーム中に十
分な数の光子を必要とする。正に向う変調された光ビー
ムがこの閾値エネルギ・レベルより多い光子を持ってい
る時、その区域のフォトレジストが露出され、そのた
め、その後で現像すると、露出したフォトレジストが除
去される。光強度が減少しつつある変調された光ビーム
中の光子レベルがフォトレジストの普通の閾値エネルギ
・レベルより下ると、フォトレジストは、その後で現像
しても、この閾値エネルギ・レベルより低い光子を持つ
入射光ビームによって照射されたフォトレジストを除去
することができない位に、露出されなくなる。
れたビデオ・ディスク・マスターは、それ自身の閾値エ
ネルギ・レベルを持っている。光ビームがフォトレジス
ト層を露出するメカニズムは、光子理論に従い、フォト
レジストの一部分を露出するには、入射光ビーム中に十
分な数の光子を必要とする。正に向う変調された光ビー
ムがこの閾値エネルギ・レベルより多い光子を持ってい
る時、その区域のフォトレジストが露出され、そのた
め、その後で現像すると、露出したフォトレジストが除
去される。光強度が減少しつつある変調された光ビーム
中の光子レベルがフォトレジストの普通の閾値エネルギ
・レベルより下ると、フォトレジストは、その後で現像
しても、この閾値エネルギ・レベルより低い光子を持つ
入射光ビームによって照射されたフォトレジストを除去
することができない位に、露出されなくなる。
【0111】変調されたレーザ源からの入射光ビームが
情報担持層と相互作用して、この入射光ビームによって
照射されたフォトレジスト層を完全に露出し又は露出不
足にする。これが、搬送波周波数を中心として時間的に
変化する周波数変化を持つ搬送波周波数としての標識を
形成するための、入射光ビーム中の光子と情報担持部材
との間の相互作用である。搬送波周波数並びに時間的な
周波数変化を貯蔵した標識は、現像工程の後に更にはっ
きりとする。この現像工程により、十分に露出されたフ
ォトレジスト材料の部分が実効的に除去され、ビデオ・
ディスク部材には露出不足の部分が残る。
情報担持層と相互作用して、この入射光ビームによって
照射されたフォトレジスト層を完全に露出し又は露出不
足にする。これが、搬送波周波数を中心として時間的に
変化する周波数変化を持つ搬送波周波数としての標識を
形成するための、入射光ビーム中の光子と情報担持部材
との間の相互作用である。搬送波周波数並びに時間的な
周波数変化を貯蔵した標識は、現像工程の後に更にはっ
きりとする。この現像工程により、十分に露出されたフ
ォトレジスト材料の部分が実効的に除去され、ビデオ・
ディスク部材には露出不足の部分が残る。
【0112】図23には、ポッケルス・セル68の動作
バイアスを1/2エネルギの点に維持するために、この
発明の好ましい実施例で使われるポッケルス・セル・バ
イアス・サーボ装置がブロック図で示されている。ポッ
ケルス・セルの直流バイアスは、最初に定常状態に調節
され、ポッケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せ
の1/2エネルギの点が、ポッケルス・セル68の回転
が45°になる点と一致する様にする。この直流バイア
ス点を固定バイアス点と呼ぶ。FM変調器36に対する
入力ビデオ信号が何ら第2高調波歪みを含んでいない装
置では、今説明した手順で選ばれる直流バイアス点で満
足に動作する。しかし、FM変調器に対するビデオ情報
入力信号が第2高調波歪みを含んでいる場合、こういう
歪みが変調された光ビーム29′の中に現われる。FM
変調器からの出力がポッケルス・セル駆動器72に印加
され、ポッケルス・セルを0°から90°までの回転変
化にわたって駆動するのに必要な電圧を発生する。レー
ザ29からの変調されていない光ビームがポッケルス・
セル68に印加されることは前に説明した通りである。
バイアスを1/2エネルギの点に維持するために、この
発明の好ましい実施例で使われるポッケルス・セル・バ
イアス・サーボ装置がブロック図で示されている。ポッ
ケルス・セルの直流バイアスは、最初に定常状態に調節
され、ポッケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せ
の1/2エネルギの点が、ポッケルス・セル68の回転
が45°になる点と一致する様にする。この直流バイア
ス点を固定バイアス点と呼ぶ。FM変調器36に対する
入力ビデオ信号が何ら第2高調波歪みを含んでいない装
置では、今説明した手順で選ばれる直流バイアス点で満
足に動作する。しかし、FM変調器に対するビデオ情報
入力信号が第2高調波歪みを含んでいる場合、こういう
歪みが変調された光ビーム29′の中に現われる。FM
変調器からの出力がポッケルス・セル駆動器72に印加
され、ポッケルス・セルを0°から90°までの回転変
化にわたって駆動するのに必要な電圧を発生する。レー
ザ29からの変調されていない光ビームがポッケルス・
セル68に印加されることは前に説明した通りである。
【0113】ポッケルス・セル・バイアス・サーボの目
的は、フォトダイオード260によて検出される出力光
信号に、できるだけ第2高調波分がない様に、ポッケル
ス・セル68をバイアスすることである。
的は、フォトダイオード260によて検出される出力光
信号に、できるだけ第2高調波分がない様に、ポッケル
ス・セル68をバイアスすることである。
【0114】第2高調波歪みは複数個の原因のために変
調された光ビーム29′に入り込む。第1の原因は、ポ
ッケルス・セル68並びにグラン・プリズム70の両方
の伝達関数が非直線であることである。線18の入力ビ
デオ信号が第2高調波歪みを持っている時、これによっ
て光ビーム29′中の全体の第2高調波歪みは更に増加
する。
調された光ビーム29′に入り込む。第1の原因は、ポ
ッケルス・セル68並びにグラン・プリズム70の両方
の伝達関数が非直線であることである。線18の入力ビ
デオ信号が第2高調波歪みを持っている時、これによっ
て光ビーム29′中の全体の第2高調波歪みは更に増加
する。
【0115】ポッケルス・セル・バイアス・サーボはポ
ッケルス・セル68に印加される直流バイアスを調節す
る様に作用する。この直流バイアスがポッケルス・セル
を1/2エネルギの点にバイアスして、出力光ビームの
第2高調波分を最小限に抑える。
ッケルス・セル68に印加される直流バイアスを調節す
る様に作用する。この直流バイアスがポッケルス・セル
を1/2エネルギの点にバイアスして、出力光ビームの
第2高調波分を最小限に抑える。
【0116】1/2エネルギの点からの直流バイアス・
レベルの変更は、次の様な一連の工程によって行なわれ
る。ポッケルス・セル68からの変調された光ビーム2
8′をフォトダイオード260に印加する。フォトダイ
オード260は標準的な動作様式で動作し、搬送波周波
数を中心とした周波数変化を持つ搬送波周波数の形をし
た信号を発生する。この周波数変調された波形は、ディ
スク面に入射する変調された光ビーム29′の信号成分
を正確に反映する位に、フォトダイオード261に入射
する光の十分直線的な表示である。更に詳しく言うと、
フォトダイオード260からの出力信号は、変調された
光ビーム29′中に存在する歪みを持っている。フォト
ダイオード260からの出力を線262を介して第2高
調波検出器261に印加する。これはバイアス制御回路
264の一部分を形成する。第2高調波検出器の出力が
高圧増幅器266に送られ、これが線268に直流バイ
アス信号を発生する。線268が加算回路270に接続
され、その2番目の入力信号はポッケルス・セル駆動器
72の出力である。線268の直流バイアス信号をポッ
ケルス・セル駆動器72からの出力と加算し、ポッケル
ス・セル68に印加して、ポッケルス・セル68の直流
バイアスを変える。
レベルの変更は、次の様な一連の工程によって行なわれ
る。ポッケルス・セル68からの変調された光ビーム2
8′をフォトダイオード260に印加する。フォトダイ
オード260は標準的な動作様式で動作し、搬送波周波
数を中心とした周波数変化を持つ搬送波周波数の形をし
た信号を発生する。この周波数変調された波形は、ディ
スク面に入射する変調された光ビーム29′の信号成分
を正確に反映する位に、フォトダイオード261に入射
する光の十分直線的な表示である。更に詳しく言うと、
フォトダイオード260からの出力信号は、変調された
光ビーム29′中に存在する歪みを持っている。フォト
ダイオード260からの出力を線262を介して第2高
調波検出器261に印加する。これはバイアス制御回路
264の一部分を形成する。第2高調波検出器の出力が
高圧増幅器266に送られ、これが線268に直流バイ
アス信号を発生する。線268が加算回路270に接続
され、その2番目の入力信号はポッケルス・セル駆動器
72の出力である。線268の直流バイアス信号をポッ
ケルス・セル駆動器72からの出力と加算し、ポッケル
ス・セル68に印加して、ポッケルス・セル68の直流
バイアスを変える。
【0117】第2高調波検出器261の動作について説
明すると、この装置は、出力光ビームの第2高調波と基
本波との比に対して大体直線的な電圧を発生する。更
に、この出力信号は第2高調波の位相特性を反映し、第
2高調波が基本波と同相であれば、第2高調波検出器の
出力は第1の電圧レベル、即ち、正のレベルである。第
2高調波の位相が基本波と反対であれば、第2高調波検
出器の出力は第2の電圧レベル、即ち、負の電圧レベル
にある。第2高調波検出器の出力を高圧増幅器266で
増幅する。この増幅器が0乃至300ボルトの範囲の直
流バイアスを発生する。この直流バイアスを、ポッケル
ス・セル駆動器72で増幅されたFM変調器20からの
信号と加算し、ポッケルス・セル68に印加する。
明すると、この装置は、出力光ビームの第2高調波と基
本波との比に対して大体直線的な電圧を発生する。更
に、この出力信号は第2高調波の位相特性を反映し、第
2高調波が基本波と同相であれば、第2高調波検出器の
出力は第1の電圧レベル、即ち、正のレベルである。第
2高調波の位相が基本波と反対であれば、第2高調波検
出器の出力は第2の電圧レベル、即ち、負の電圧レベル
にある。第2高調波検出器の出力を高圧増幅器266で
増幅する。この増幅器が0乃至300ボルトの範囲の直
流バイアスを発生する。この直流バイアスを、ポッケル
ス・セル駆動器72で増幅されたFM変調器20からの
信号と加算し、ポッケルス・セル68に印加する。
【0118】第2高調波検出器は、図24に示す制限器
272及び図24に示す差動増幅器274を含む。フォ
トダイオード260の出力信号を線276,278を介
して制限器272に交流結合する。制限器272は、第
1の出力枝路280を介して差動増幅器に印加される第
1の出力信号を有する。制限器272の第2の出力が、
第2の出力枝路282を介して差動増幅器の第2の入力
に印加される。制限器272の出力信号は互いに相手の
論理的な補数である。更に具体的に言うと、一方の出力
が比較的高の電圧レベルにある時、他方の出力は比較的
低の電圧レベルにある。枝路280,282の2つの出
力信号が差動増幅器274に送られる。この差動増幅器
の出力は、入力信号線276、278にある第2高調波
成分を反映する。
272及び図24に示す差動増幅器274を含む。フォ
トダイオード260の出力信号を線276,278を介
して制限器272に交流結合する。制限器272は、第
1の出力枝路280を介して差動増幅器に印加される第
1の出力信号を有する。制限器272の第2の出力が、
第2の出力枝路282を介して差動増幅器の第2の入力
に印加される。制限器272の出力信号は互いに相手の
論理的な補数である。更に具体的に言うと、一方の出力
が比較的高の電圧レベルにある時、他方の出力は比較的
低の電圧レベルにある。枝路280,282の2つの出
力信号が差動増幅器274に送られる。この差動増幅器
の出力は、入力信号線276、278にある第2高調波
成分を反映する。
【0119】標準的な動作様式では、フォトダイオード
260からの入力信号に実質的に第2高調波歪みがない
時、差動増幅器274の端子284の出力信号は正確に
50%のデューティ・サイクルを持つ矩形波であり、電
圧レベルは一定の基準レベルの上下の2つの予定の電圧
レベルの間である。50%のデューティ・サイクルは、
高の電圧の半サイクルの幅が次に続く低の電圧の半サイ
クルと等しいことを意味する。この状態では、2つの半
サイクルの実効的な直流レベルが相殺する。従って、差
動増幅器274の出力は平均するとゼロである。
260からの入力信号に実質的に第2高調波歪みがない
時、差動増幅器274の端子284の出力信号は正確に
50%のデューティ・サイクルを持つ矩形波であり、電
圧レベルは一定の基準レベルの上下の2つの予定の電圧
レベルの間である。50%のデューティ・サイクルは、
高の電圧の半サイクルの幅が次に続く低の電圧の半サイ
クルと等しいことを意味する。この状態では、2つの半
サイクルの実効的な直流レベルが相殺する。従って、差
動増幅器274の出力は平均するとゼロである。
【0120】フォトダイオード260の出力中にある程
度の第2高調波歪みが存在する時、高調波歪みによって
平均値は移動し、対称的な場合から非対称の場合にな
る。この場合、差動増幅器の出力は50−50のデュー
ティサイクルを持つ矩形波以外のものになる。従って、
差動増幅器が入ってくる信号の実効的な直流レベルの変
化を検出し、入力信号の非対称性に応じて、平均してゼ
ロより高い又は低い出力を発生する。従って、差動増幅
器の出力が高圧増幅器に印加されると、これが差動増幅
器274の出力を直流平滑し、その結果でてくる正又は
負の直流レベルを増幅する。この結果が、ポッケルス・
セルの動作点を、高調波歪みがゼロになる1/2エネル
ギの点に戻すために、ポッケルス・セルに印加すべきバ
イアス信号の所要の変化である。
度の第2高調波歪みが存在する時、高調波歪みによって
平均値は移動し、対称的な場合から非対称の場合にな
る。この場合、差動増幅器の出力は50−50のデュー
ティサイクルを持つ矩形波以外のものになる。従って、
差動増幅器が入ってくる信号の実効的な直流レベルの変
化を検出し、入力信号の非対称性に応じて、平均してゼ
ロより高い又は低い出力を発生する。従って、差動増幅
器の出力が高圧増幅器に印加されると、これが差動増幅
器274の出力を直流平滑し、その結果でてくる正又は
負の直流レベルを増幅する。この結果が、ポッケルス・
セルの動作点を、高調波歪みがゼロになる1/2エネル
ギの点に戻すために、ポッケルス・セルに印加すべきバ
イアス信号の所要の変化である。
【0121】ポッケルス・セル・バイアス・サーボの標
準的な動作様式をまとめて言えば、変調された光ビーム
中に存在する歪みを表わす光信号を発生する。この光ビ
ーム中に存在する第2高調波歪みの大きさを検出して、
この歪みを表わす信号を発生する手段を設ける。第2高
調波歪みの大きさを表わす信号は、第2高調波歪みが基
本周波数と同相であるか或いは位相がずれているかをも
表わす。第2高調波歪みの大きさ並びに基本周波数に対
する第2高調波歪みの位相を表わす出力信号が、ポッケ
ルス・セルを、第2高調波歪みがなくなる様な動作点に
もってくるために、このセルに印加する必要があるバイ
アス信号を発生する手段に印加される。バイアス信号の
変化を周波数変調された入力ビデオ信号と加算する加算
回路を設ける。この加算電圧がポッケルス・セル68に
対する入力として印加される。
準的な動作様式をまとめて言えば、変調された光ビーム
中に存在する歪みを表わす光信号を発生する。この光ビ
ーム中に存在する第2高調波歪みの大きさを検出して、
この歪みを表わす信号を発生する手段を設ける。第2高
調波歪みの大きさを表わす信号は、第2高調波歪みが基
本周波数と同相であるか或いは位相がずれているかをも
表わす。第2高調波歪みの大きさ並びに基本周波数に対
する第2高調波歪みの位相を表わす出力信号が、ポッケ
ルス・セルを、第2高調波歪みがなくなる様な動作点に
もってくるために、このセルに印加する必要があるバイ
アス信号を発生する手段に印加される。バイアス信号の
変化を周波数変調された入力ビデオ信号と加算する加算
回路を設ける。この加算電圧がポッケルス・セル68に
対する入力として印加される。
【0122】図14は、書込み光ビーム29の改良され
た形の光変調を例示する一連の波形を示す。図14の欄
Aは、ビデオ・テープ・レコーダ又はテレビジョン・カ
メラからビデオ信号として典型的に供給される理想的な
又は簡単にしたビデオ波形を示す。この波形は図4に示
すものと略同じであり、FM変調器20に印加されるビ
デオ信号を表わす。2つの出力信号が欄B及びCに示さ
れている。夫々はFM変調した出力信号であり、何れも
同じ周波数情報を持っている。欄Bの波形は図5に示し
た波形を再掲したものであり、便宜的に含めた。欄Bの
波形は、マルチバイブレータ形FM変調器20によって
普通発生される出力を示す。欄Cに示す波形は、三角形
の出力波形を持つFM変調器20によって発生される出
力を示す。両方の波形は同じ周波数情報を持っている。
三角形の波形は、ポッケルス・セルに印加される一定の
強度の光ビームを光変調するために、ポッケルス・セル
68を駆動するのに使う時、一層よい結果が得られる。
た形の光変調を例示する一連の波形を示す。図14の欄
Aは、ビデオ・テープ・レコーダ又はテレビジョン・カ
メラからビデオ信号として典型的に供給される理想的な
又は簡単にしたビデオ波形を示す。この波形は図4に示
すものと略同じであり、FM変調器20に印加されるビ
デオ信号を表わす。2つの出力信号が欄B及びCに示さ
れている。夫々はFM変調した出力信号であり、何れも
同じ周波数情報を持っている。欄Bの波形は図5に示し
た波形を再掲したものであり、便宜的に含めた。欄Bの
波形は、マルチバイブレータ形FM変調器20によって
普通発生される出力を示す。欄Cに示す波形は、三角形
の出力波形を持つFM変調器20によって発生される出
力を示す。両方の波形は同じ周波数情報を持っている。
三角形の波形は、ポッケルス・セルに印加される一定の
強度の光ビームを光変調するために、ポッケルス・セル
68を駆動するのに使う時、一層よい結果が得られる。
【0123】各々の波形B及びCに含まれる周波数は、
常に同一であって、欄Aのビデオ波形の電圧レベルを表
わす。この図をみれば、数字75で全体的に示したビデ
オ波形の下側振幅領域が低い搬送波周波数に対応し、ビ
デオ波形の高い方の振幅領域77が欄B及びCに示した
高い方の周波数に対応することが判る。テレビジョン業
界では、テレビジョン・カメラによって発生されるビデ
オ信号として、ピーク間が1ボルトの電圧変化を持つ電
圧信号を使うのが普通である。この信号特性は、テレビ
ジョン・モニタ166を駆動するのに必要なものと同じ
である。ポッケルス・セル68を駆動するために三角形
の波形を使う利点は、ポッケルス・セルの伝達特性を変
調信号の選ばれた波形とあわせて、ポッケルス・セル及
びグラン・プリズム78を通過する光ビームの正弦状に
変調することである。欄Cの三角形の波形は時間に対し
て直線的な電圧変化である。この三角形の駆動波形の時
間に対して直線的な電圧変化に、正弦状の電圧変化対ポ
ッケルス・セル68の光伝達関数を乗ずると、グラン・
プリズムからの正弦状に変化する光強度を持つ出力にな
る。
常に同一であって、欄Aのビデオ波形の電圧レベルを表
わす。この図をみれば、数字75で全体的に示したビデ
オ波形の下側振幅領域が低い搬送波周波数に対応し、ビ
デオ波形の高い方の振幅領域77が欄B及びCに示した
高い方の周波数に対応することが判る。テレビジョン業
界では、テレビジョン・カメラによって発生されるビデ
オ信号として、ピーク間が1ボルトの電圧変化を持つ電
圧信号を使うのが普通である。この信号特性は、テレビ
ジョン・モニタ166を駆動するのに必要なものと同じ
である。ポッケルス・セル68を駆動するために三角形
の波形を使う利点は、ポッケルス・セルの伝達特性を変
調信号の選ばれた波形とあわせて、ポッケルス・セル及
びグラン・プリズム78を通過する光ビームの正弦状に
変調することである。欄Cの三角形の波形は時間に対し
て直線的な電圧変化である。この三角形の駆動波形の時
間に対して直線的な電圧変化に、正弦状の電圧変化対ポ
ッケルス・セル68の光伝達関数を乗ずると、グラン・
プリズムからの正弦状に変化する光強度を持つ出力にな
る。
【0124】欄Dに示す波形は、ポッケルス・セルが欄
Cに示す三角形の波形によって駆動された時の、グラン
・プリズムからの光強度出力に対応する正弦状の波形を
示す。
Cに示す三角形の波形によって駆動された時の、グラン
・プリズムからの光強度出力に対応する正弦状の波形を
示す。
【0125】特に欄Dに示す波形の一番低い点285及
び一番高い点286からみて、この夫々から正確に等距
離にある点を1/2エネルギの点と呼ぶ。品質の高いマ
スター作成動作には、この1/2エネルギの点の利用の
仕方を理解することが必要である。
び一番高い点286からみて、この夫々から正確に等距
離にある点を1/2エネルギの点と呼ぶ。品質の高いマ
スター作成動作には、この1/2エネルギの点の利用の
仕方を理解することが必要である。
【0126】三角形の波形のピーク間電圧が欄Cの線2
87に示した第1の最大電圧レベルV2 、及び線288
の第2の最小電圧レベルV1 によって表わされている。
点287、288の間の電圧の差が、ポッケルス・セル
68の駆動電圧である。この電圧の差は、ポッケルス・
セル68がそれを通過する光の偏光を90°回転するの
に必要な電圧に等しくなる様に調節される。ポッケルス
・セルのバイアスは、電圧レベルV1 及びV2 が常にポ
ッケルス・セル68を通過する光ビームの0°及び90
°の回転に対応する様に保つ。光ビームの45°の回転
は、三角形の波形の2つの極限の中間である。この中間
の電圧は、ポッケルス・セル68に対して常に同じであ
る。しかし、温度に対する不安定性のため、この中間電
圧は0ボルトに対してドリフトすることがあり、そのた
めに1/2エネルギの電圧の点もドリフトする。中間電
圧の正しいバイアス作用は、後で図18、図19及び図
20について詳しく説明する。
87に示した第1の最大電圧レベルV2 、及び線288
の第2の最小電圧レベルV1 によって表わされている。
点287、288の間の電圧の差が、ポッケルス・セル
68の駆動電圧である。この電圧の差は、ポッケルス・
セル68がそれを通過する光の偏光を90°回転するの
に必要な電圧に等しくなる様に調節される。ポッケルス
・セルのバイアスは、電圧レベルV1 及びV2 が常にポ
ッケルス・セル68を通過する光ビームの0°及び90
°の回転に対応する様に保つ。光ビームの45°の回転
は、三角形の波形の2つの極限の中間である。この中間
の電圧は、ポッケルス・セル68に対して常に同じであ
る。しかし、温度に対する不安定性のため、この中間電
圧は0ボルトに対してドリフトすることがあり、そのた
めに1/2エネルギの電圧の点もドリフトする。中間電
圧の正しいバイアス作用は、後で図18、図19及び図
20について詳しく説明する。
【0127】図14の欄Cの波形は、FM変調器20に
よって発生される三角形の波形を示しているが、これは
ポッケルス・セル駆動器72によって発生される信号の
波形をも表わしている。FM変調器の出力は典型的には
小さな電圧範囲、典型的には10ボルト未満であるが、
ポッケルス・セル駆動器72の出力は、ポッケルス・セ
ル68をゼロ回転状態から90°の回転状態まで駆動す
るために、ポッケルス・セルに対して適当な駆動電圧を
供給するため、100ボルトの振れがある。電圧レベル
V1 ,V2 及びこれらの電圧を表わす線288,287
について説明するため、図14の欄Cを参照する。ポッ
ケルス・セル駆動器68からの出力は、波形の振幅は違
うが、同じ形だからである。これは便宜上であって、振
幅だけが違う略同一の波形を除くためである。
よって発生される三角形の波形を示しているが、これは
ポッケルス・セル駆動器72によって発生される信号の
波形をも表わしている。FM変調器の出力は典型的には
小さな電圧範囲、典型的には10ボルト未満であるが、
ポッケルス・セル駆動器72の出力は、ポッケルス・セ
ル68をゼロ回転状態から90°の回転状態まで駆動す
るために、ポッケルス・セルに対して適当な駆動電圧を
供給するため、100ボルトの振れがある。電圧レベル
V1 ,V2 及びこれらの電圧を表わす線288,287
について説明するため、図14の欄Cを参照する。ポッ
ケルス・セル駆動器68からの出力は、波形の振幅は違
うが、同じ形だからである。これは便宜上であって、振
幅だけが違う略同一の波形を除くためである。
【0128】図15には、これまで説明したこの発明の
マスター作成方法に従って形成されたビデオ・ディスク
の簡略断面図が示されている。基板部材300が平面状
の上面302を有する。情報担持層304が基板300
の上面302の上に形成されている。情報担持層304
は基板300の面300に全体にわたって一様な厚さで
ある。情報層304自体は平面状の上面306を有す
る。
マスター作成方法に従って形成されたビデオ・ディスク
の簡略断面図が示されている。基板部材300が平面状
の上面302を有する。情報担持層304が基板300
の上面302の上に形成されている。情報担持層304
は基板300の面300に全体にわたって一様な厚さで
ある。情報層304自体は平面状の上面306を有す
る。
【0129】図15を図14の欄Cの下に並べてある
が、この図には、ポッケルス・セル68に対する駆動波
形としての三角形の出力波形を発生する電圧制御発振器
をFM変調器20に用いて改良された実施例で、ポッケ
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せを通過する光ビ
ームの強度が示されている。前に述べた様に、情報担持
層の閾値エネルギ・レベルは、入射する光ビームに応答
して、情報担持層内に標識を形成するのに必要なエネル
ギと定義する。金属面の場合、温度閾値は、金属層を溶
融させ、金属層を加熱された入射領域から引込めさせる
のに必要なエネルギである。フォトレジスト層では、閾
値エネルギは、フォトレジストの情報担持層を完全に露
出するのに十分な光子を供給するのに必要なエネルギ・
レベルである。金属層の場合、加熱された金属が入射区
域から引込んで、その下にある基板300を露出する。
フォトレジスト材料の場合、光子のエネルギは、図16
に示す様に、基板320の上面322まで、フォトレジ
スト層324の厚さ全体を完全に露出するのに十分であ
る。
が、この図には、ポッケルス・セル68に対する駆動波
形としての三角形の出力波形を発生する電圧制御発振器
をFM変調器20に用いて改良された実施例で、ポッケ
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せを通過する光ビ
ームの強度が示されている。前に述べた様に、情報担持
層の閾値エネルギ・レベルは、入射する光ビームに応答
して、情報担持層内に標識を形成するのに必要なエネル
ギと定義する。金属面の場合、温度閾値は、金属層を溶
融させ、金属層を加熱された入射領域から引込めさせる
のに必要なエネルギである。フォトレジスト層では、閾
値エネルギは、フォトレジストの情報担持層を完全に露
出するのに十分な光子を供給するのに必要なエネルギ・
レベルである。金属層の場合、加熱された金属が入射区
域から引込んで、その下にある基板300を露出する。
フォトレジスト材料の場合、光子のエネルギは、図16
に示す様に、基板320の上面322まで、フォトレジ
スト層324の厚さ全体を完全に露出するのに十分であ
る。
【0130】ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組
合せの1/2エネルギの点を、一定強度のビームの透過
量が最大になる第1の動作点と、一定強度のビームのグ
ラン・プリズム70の透過量が最小になる第2の動作点
との間の真中の点に決めることを前に説明した。1/2
エネルギの点は、ポッケルス・セルを通過する光が、透
過エネルギがゼロである点から45°回転した点であ
る。
合せの1/2エネルギの点を、一定強度のビームの透過
量が最大になる第1の動作点と、一定強度のビームのグ
ラン・プリズム70の透過量が最小になる第2の動作点
との間の真中の点に決めることを前に説明した。1/2
エネルギの点は、ポッケルス・セルを通過する光が、透
過エネルギがゼロである点から45°回転した点であ
る。
【0131】動作の際、レーザの出力エネルギは、ポッ
ケルス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネ
ルギの点が、部材304の様な、使われる情報担持部材
の閾値エネルギ・レベルに等しい十分なエネルギを供給
する様に調節される。ポッケルス・セルとグラン・プリ
ズムの組合せの1/2エネルギの点をこの様に調整した
ことにより、記録されるビデオ周波数信号の記録忠実度
は最高になり、ビデオ・ディスク記録部材から再生され
る信号の混変調歪みは最小になる。
ケルス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネ
ルギの点が、部材304の様な、使われる情報担持部材
の閾値エネルギ・レベルに等しい十分なエネルギを供給
する様に調節される。ポッケルス・セルとグラン・プリ
ズムの組合せの1/2エネルギの点をこの様に調整した
ことにより、記録されるビデオ周波数信号の記録忠実度
は最高になり、ビデオ・ディスク記録部材から再生され
る信号の混変調歪みは最小になる。
【0132】この様にエネルギ・レベルを合わせること
が、図14の欄D及び図15に示されており、図14の
欄Dに示した線290で表わす1/2エネルギの点と、
図15の開口310とによって示されている。開口31
0の長さは、変調された光ビームの透過強度が図14の
欄Dに示した1/2エネルギの点を表わす線290を超
える時間に対応する。
が、図14の欄D及び図15に示されており、図14の
欄Dに示した線290で表わす1/2エネルギの点と、
図15の開口310とによって示されている。開口31
0の長さは、変調された光ビームの透過強度が図14の
欄Dに示した1/2エネルギの点を表わす線290を超
える時間に対応する。
【0133】この実施例では、1/2エネルギの点を表
わす線290は、図14の欄Cに示した三角形の波形の
ゼロ交差をも表わす。ゼロ交差点が図14B及び図14
Cの線291,292によっても示されている。1/2
エネルギの点を調整することの重要性を図20及び図2
1について詳しく説明する。
わす線290は、図14の欄Cに示した三角形の波形の
ゼロ交差をも表わす。ゼロ交差点が図14B及び図14
Cの線291,292によっても示されている。1/2
エネルギの点を調整することの重要性を図20及び図2
1について詳しく説明する。
【0134】図16は上面322を持つ基板320を含
む情報貯蔵部材を示す。一様な厚さのフォトレジストの
薄い層324が基板320の平面状の上面322の上に
形成される。薄いフォトレジスト層324が平面状の上
面326を有する。金属ビスマス層304が光応答性の
層である様に、フォトレジスト層324も光応答性の層
である。薄い不透明なメタライズ被覆304もフォトレ
ジスト層324も、ビデオ入力信号を表わす標識を保有
する様に作用する。金属層304の場合、メタライズ層
に開口310が形成され、情報貯蔵部材の中に相次いで
光反射領域及び光非反射領域を形成する。
む情報貯蔵部材を示す。一様な厚さのフォトレジストの
薄い層324が基板320の平面状の上面322の上に
形成される。薄いフォトレジスト層324が平面状の上
面326を有する。金属ビスマス層304が光応答性の
層である様に、フォトレジスト層324も光応答性の層
である。薄い不透明なメタライズ被覆304もフォトレ
ジスト層324も、ビデオ入力信号を表わす標識を保有
する様に作用する。金属層304の場合、メタライズ層
に開口310が形成され、情報貯蔵部材の中に相次いで
光反射領域及び光非反射領域を形成する。
【0135】図17は、フォトレジストで被覆された情
報貯蔵部材を示す。領域330が、図15に示す構造で
領域310が形成されたのと略同様にして形成される。
図15に示す様に開口310が形成される代りに、開口
310に対応して露出領域330が形成される。図16
では、露出したフォトレジスト材料は、フォトレジスト
情報担持層324内でこれらの領域内に斜線を施すこと
によって表されている。露出したフォトレジスト材料を
この後で現像すると、露出したフォトレジスト材料が除
去され、図15に示した開口310に相当する開口が残
る。
報貯蔵部材を示す。領域330が、図15に示す構造で
領域310が形成されたのと略同様にして形成される。
図15に示す様に開口310が形成される代りに、開口
310に対応して露出領域330が形成される。図16
では、露出したフォトレジスト材料は、フォトレジスト
情報担持層324内でこれらの領域内に斜線を施すこと
によって表されている。露出したフォトレジスト材料を
この後で現像すると、露出したフォトレジスト材料が除
去され、図15に示した開口310に相当する開口が残
る。
【0136】動作の際、フォトレジストで被覆された基
板から成るビデオ・ディスク部材を使う時、書込みレー
ザの出力エネルギは、グラン・プリズムの1/2エネル
ギの点で、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合
せを通過する変調されたレーザ・ビームのエネルギが、
入射する光ビームによって照射されたフォトレジストを
完全に露出するのに必要な光子閾値エネルギに等しくな
る様に調節する。ビスマスで被覆されたマスター・ビデ
オ・ディスク方式の場合と同じく、これによって記録の
忠実度は最高になり、記録されていたビデオ信号を再生
する際、混変調歪みは最小になる。
板から成るビデオ・ディスク部材を使う時、書込みレー
ザの出力エネルギは、グラン・プリズムの1/2エネル
ギの点で、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合
せを通過する変調されたレーザ・ビームのエネルギが、
入射する光ビームによって照射されたフォトレジストを
完全に露出するのに必要な光子閾値エネルギに等しくな
る様に調節する。ビスマスで被覆されたマスター・ビデ
オ・ディスク方式の場合と同じく、これによって記録の
忠実度は最高になり、記録されていたビデオ信号を再生
する際、混変調歪みは最小になる。
【0137】図15及び図16で、図14の欄Dに示す
波形の内、線290より上側にある部分によって表され
る様に、1/2エネルギの点より高い所で、グラン・プ
リズムを通過する光ビームの部分は、図15に示すビス
マスで被覆したビデオ・ディスクの場合は感光面30
4、図16に示すフォトレジストで被覆されたビデオ・
ディスクの場合はフォトレジスト被覆324の特性に非
可逆的な変化を生ずる。ビスマスで被覆されたビデオ・
ディスク部材300の場合、この非可逆変化は、不透明
なメタライズ被覆304中に相次いで形成された開口3
10の形をとる。フォトレジストで被覆された基板32
0の場合、フォトレジスト層324の特性の非可逆的な
変化は、相次いで完全に露出された領域332として起
る。
波形の内、線290より上側にある部分によって表され
る様に、1/2エネルギの点より高い所で、グラン・プ
リズムを通過する光ビームの部分は、図15に示すビス
マスで被覆したビデオ・ディスクの場合は感光面30
4、図16に示すフォトレジストで被覆されたビデオ・
ディスクの場合はフォトレジスト被覆324の特性に非
可逆的な変化を生ずる。ビスマスで被覆されたビデオ・
ディスク部材300の場合、この非可逆変化は、不透明
なメタライズ被覆304中に相次いで形成された開口3
10の形をとる。フォトレジストで被覆された基板32
0の場合、フォトレジスト層324の特性の非可逆的な
変化は、相次いで完全に露出された領域332として起
る。
【0138】ビスマスを好ましい金属層として挙げた
が、テルル、インコネル及びニッケルの様な他の金属を
使うことができる。
が、テルル、インコネル及びニッケルの様な他の金属を
使うことができる。
【0139】図18には、ポッケルス・セル18に対す
る駆動入力の直線的な電圧変化に対して、ポッケルス・
セル68を通過する光の回転角度が正弦状に変化するこ
とを表わす、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組
合せの伝達特性が示されている。90°の回転が点34
0に示されており、これはグラン・プリズム70の最大
光透過状態に等しい。0°の回転が点342に示されて
おり、これはグラン・プリズム70のゼロ又は最小光透
過状態に等しい。光の透過がゼロになる点342は、図
14の欄Cに示した線288で表わす電圧レベルV1 に
対応する。90°の回転を表わす点は、図14の欄Cに
示した線287で表わす電圧レベルV2に対応する。こ
れらの2つの電圧の間の中点(線292で表わす)がZ
方向のV2 −V1 に等しく、ポッケルス・セルを通過す
る光ビームの45°の回転に対応する。
る駆動入力の直線的な電圧変化に対して、ポッケルス・
セル68を通過する光の回転角度が正弦状に変化するこ
とを表わす、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組
合せの伝達特性が示されている。90°の回転が点34
0に示されており、これはグラン・プリズム70の最大
光透過状態に等しい。0°の回転が点342に示されて
おり、これはグラン・プリズム70のゼロ又は最小光透
過状態に等しい。光の透過がゼロになる点342は、図
14の欄Cに示した線288で表わす電圧レベルV1 に
対応する。90°の回転を表わす点は、図14の欄Cに
示した線287で表わす電圧レベルV2に対応する。こ
れらの2つの電圧の間の中点(線292で表わす)がZ
方向のV2 −V1 に等しく、ポッケルス・セルを通過す
る光ビームの45°の回転に対応する。
【0140】周知の様に、ポッケルス・セルを通るエネ
ルギは実質的に不変である。ポッケルス・セルで変化す
る唯一の特性は、通過する光の回転角度である。普通、
ポッケルス・セル68及びグラン・プリズム70を一緒
に使って、光の変調を行なう。このため、ポッケルス・
セル及びグラン・プリズム70の主軸を整合させ、90
°偏光した光ビームがグラン・プリズムを実質的に減衰
せずに通過する様にする。この様に高度に偏光した同じ
光をポッケルス・セル68で90°回転させて、0°の
回転に戻すと、光ビームはグラン・プリズム70を通過
しない。実際には、全部が透過する状態並びに全く透過
しない状態には、高い動作周波数では到達しない。図1
8に示す波形は、周波数変調されたビデオ情報の2サイ
クルに対応する様に回転を行なったポッケルス・セル6
8の伝達特性を示す。これは、伝達特性が伝達関数曲線
の0°乃至90°の部分にわたって連続的に動作するこ
とを示している。
ルギは実質的に不変である。ポッケルス・セルで変化す
る唯一の特性は、通過する光の回転角度である。普通、
ポッケルス・セル68及びグラン・プリズム70を一緒
に使って、光の変調を行なう。このため、ポッケルス・
セル及びグラン・プリズム70の主軸を整合させ、90
°偏光した光ビームがグラン・プリズムを実質的に減衰
せずに通過する様にする。この様に高度に偏光した同じ
光をポッケルス・セル68で90°回転させて、0°の
回転に戻すと、光ビームはグラン・プリズム70を通過
しない。実際には、全部が透過する状態並びに全く透過
しない状態には、高い動作周波数では到達しない。図1
8に示す波形は、周波数変調されたビデオ情報の2サイ
クルに対応する様に回転を行なったポッケルス・セル6
8の伝達特性を示す。これは、伝達特性が伝達関数曲線
の0°乃至90°の部分にわたって連続的に動作するこ
とを示している。
【0141】図19にはグラン・プリズム70の伝達特
性が示されている。点350でグラン・プリズム70は
透過量が最大になり、入ってくる光ビームは90°回転
している。点352では、グラン・プリズム70の光の
透過が最小又はゼロになり、この時入ってくる光ビーム
の回転はゼロである。グラン・プリズム70に入る光の
回転が45°の場合、点354に示す様に、入射光ビー
ムの強度の半分がグラン・プリズム70を通過する。勿
論、45°の回転の時にグラン・プリズム70を通過す
る光のエネルギの絶対値は、光源の光出力強度を調節す
ることによって調節し得る。この実施例では、光源は書
込みレーザ30である。
性が示されている。点350でグラン・プリズム70は
透過量が最大になり、入ってくる光ビームは90°回転
している。点352では、グラン・プリズム70の光の
透過が最小又はゼロになり、この時入ってくる光ビーム
の回転はゼロである。グラン・プリズム70に入る光の
回転が45°の場合、点354に示す様に、入射光ビー
ムの強度の半分がグラン・プリズム70を通過する。勿
論、45°の回転の時にグラン・プリズム70を通過す
る光のエネルギの絶対値は、光源の光出力強度を調節す
ることによって調節し得る。この実施例では、光源は書
込みレーザ30である。
【0142】好ましい実施例では、書込みレーザ30の
エネルギ出力は、1/2エネルギの点でグラン・プリズ
ムを通過する光の強度が、記録媒質の閾値エネルギ・レ
ベルに一致する様に調節する。ビスマス層を溶融させる
には、フォトレジスト層を完全に露出するよりも一層多
くのエネルギを必要とするので、ビスマスのマスター・
ディスクの書込みに使われる書込みビームの強度の絶対
値は、フォトレジストで覆われたマスター・ビデオ・デ
ィスクとの相互作用のために使われる書込みレーザの強
度より大きい。
エネルギ出力は、1/2エネルギの点でグラン・プリズ
ムを通過する光の強度が、記録媒質の閾値エネルギ・レ
ベルに一致する様に調節する。ビスマス層を溶融させる
には、フォトレジスト層を完全に露出するよりも一層多
くのエネルギを必要とするので、ビスマスのマスター・
ディスクの書込みに使われる書込みビームの強度の絶対
値は、フォトレジストで覆われたマスター・ビデオ・デ
ィスクとの相互作用のために使われる書込みレーザの強
度より大きい。
【0143】図20及び図21には、書込みレーザ30
によってマスター・ビデオ・ディスクに切込まれる孔の
長さと、相次いで形成される孔の間の切込まれていない
ランド区域の長さとの間の関係を説明するのに役立つ一
連の波形が包括的に示されている。この関係は、切断用
尖頭エネルギの値、切断用平均エネルギ及び金属層に於
けるスポットの焦点によって形成される関係であるが、
これらを包括して1つの言葉で言ったものがデューティ
・サイクルであり、この言葉はこれらの3つの特性全部
を表わしている。
によってマスター・ビデオ・ディスクに切込まれる孔の
長さと、相次いで形成される孔の間の切込まれていない
ランド区域の長さとの間の関係を説明するのに役立つ一
連の波形が包括的に示されている。この関係は、切断用
尖頭エネルギの値、切断用平均エネルギ及び金属層に於
けるスポットの焦点によって形成される関係であるが、
これらを包括して1つの言葉で言ったものがデューティ
・サイクルであり、この言葉はこれらの3つの特性全部
を表わしている。
【0144】前に述べた様に、ビデオ・ディスク基板上
の情報担持層と相互作用するのに必要なエネルギは、マ
スター・ビデオ・ディスク部材上に配置するために選ん
だ材料に非可逆的な変化を起こすのに必要なエネルギで
ある。ビスマスで被覆されたマスターの場合、必要なエ
ネルギは、エネルギがビスマス層の閾値エネルギ・レベ
ルより高い場所で、ビスマス被覆層の一部分を選択的に
除去するのに必要なエネルギである。光スポット中に含
まれるこのエネルギが、ビスマス層に正しく集束されな
いと、このエネルギを所期の目的に使うことができず、
所期の作用をせずに散逸される。焦点の外れたスポット
だけによって切断作用が行なわれると、マスター作成過
程に歪みが入り込む。
の情報担持層と相互作用するのに必要なエネルギは、マ
スター・ビデオ・ディスク部材上に配置するために選ん
だ材料に非可逆的な変化を起こすのに必要なエネルギで
ある。ビスマスで被覆されたマスターの場合、必要なエ
ネルギは、エネルギがビスマス層の閾値エネルギ・レベ
ルより高い場所で、ビスマス被覆層の一部分を選択的に
除去するのに必要なエネルギである。光スポット中に含
まれるこのエネルギが、ビスマス層に正しく集束されな
いと、このエネルギを所期の目的に使うことができず、
所期の作用をせずに散逸される。焦点の外れたスポット
だけによって切断作用が行なわれると、マスター作成過
程に歪みが入り込む。
【0145】切断用尖頭エネルギが記録媒質の閾値エネ
ルギ・レベルを大きく超える場合、材料が破壊的に除去
され、この破壊的な除去のために表面に歪みができる。
切断用平均エネルギは、高い方の第1の切断用エネルギ
と低い方の第2の切断用エネルギとの中点のエネルギで
ある。前に説明した様に、切断用平均エネルギは記録媒
質の閾値エネルギ・レベルに等しくなる様に定まること
が好ましい。この意味で、切断用平均エネルギより高い
強度の光ビームが情報担持層と相互作用して、記録しよ
うとする信号の標識を形成する。切断用平均エネルギよ
り低い強度の光ビームは、孔を形成するのに必要な点ま
で、ビスマスで被覆されたマスターを加熱することがで
きないか、或いはフォトレジストで被覆されたマスター
の一部分を完全に露出することができない。
ルギ・レベルを大きく超える場合、材料が破壊的に除去
され、この破壊的な除去のために表面に歪みができる。
切断用平均エネルギは、高い方の第1の切断用エネルギ
と低い方の第2の切断用エネルギとの中点のエネルギで
ある。前に説明した様に、切断用平均エネルギは記録媒
質の閾値エネルギ・レベルに等しくなる様に定まること
が好ましい。この意味で、切断用平均エネルギより高い
強度の光ビームが情報担持層と相互作用して、記録しよ
うとする信号の標識を形成する。切断用平均エネルギよ
り低い強度の光ビームは、孔を形成するのに必要な点ま
で、ビスマスで被覆されたマスターを加熱することがで
きないか、或いはフォトレジストで被覆されたマスター
の一部分を完全に露出することができない。
【0146】図14の欄B及びCについて簡単に説明す
ると、図14の欄Bに示した線291及び欄Cに示した
線292と一致する様に、切断用平均エネルギを調節す
ると、その時のデューティ・サイクルは、孔の長さがそ
の後の位置にあるランド区域の長さに等しくなる。これ
が50%又は50−50のデューティ・サイクルと言わ
れる。50−50のデューティ・サイクルは記録手順に
於ける好ましいデューティ・サイクルであるが、60−
40乃至40−60の範囲内でも、商業的に許容し得る
再生信号が得られる。つまり、孔又はその中間のランド
部材の一方が一層大きくなり、他方が一層小さくなって
もよい。
ると、図14の欄Bに示した線291及び欄Cに示した
線292と一致する様に、切断用平均エネルギを調節す
ると、その時のデューティ・サイクルは、孔の長さがそ
の後の位置にあるランド区域の長さに等しくなる。これ
が50%又は50−50のデューティ・サイクルと言わ
れる。50−50のデューティ・サイクルは記録手順に
於ける好ましいデューティ・サイクルであるが、60−
40乃至40−60の範囲内でも、商業的に許容し得る
再生信号が得られる。つまり、孔又はその中間のランド
部材の一方が一層大きくなり、他方が一層小さくなって
もよい。
【0147】図20で、線360で表わす波形は、ポッ
ケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過した2
サイクルの光強度を表わし、図14の欄Dに特に示した
ものである。記録媒質の閾値エネルギ・レベルは線36
2で表わしてある。記録媒質の閾値エネルギ・レベル
は、書込みレーザ30の強度の絶対値を調節することに
より、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを
透過する光強度の1/2エネルギの点に等しくする。
ケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過した2
サイクルの光強度を表わし、図14の欄Dに特に示した
ものである。記録媒質の閾値エネルギ・レベルは線36
2で表わしてある。記録媒質の閾値エネルギ・レベル
は、書込みレーザ30の強度の絶対値を調節することに
より、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せを
透過する光強度の1/2エネルギの点に等しくする。
【0148】閾値レベルを1/2エネルギの点に正しく
調節すると、マスター・ビデオ・ディスクの情報表面層
には、点364から始まって、強度が点366に下るま
での時間の間引続いて、標識が形成される。破線36
4′,366′を図の欄Aまで引いたのは、光の強度が
点364を通り越して370の所で最大値まで上昇し、
次に点366まで下る期間の間に形成された食部368
によって表わされる標識を示すためである。点366よ
り低い光の強度が、372で最小値まで下り、引続いて
374の所にある新しい最大値に向って上昇する。強度
の低いレベル372と強度の高いレベル374との間の
或る点で、光の強度が376の所で、記録媒質の閾値エ
ネルギ・レベルに等しくなる。点376から始まって、
光ビームのエネルギが、図20の欄Aに示す食部378
によって表わされる標識を形成し始める。破線376′
は、光の強度が閾値レベル362を超えた点で、標識3
78の形成が開始されることを示す。標識378は、光
の強度が374の所で最大値に達し、375の所で新し
い最小値まで下り始める間、引続いて形成される。しか
し、線360と362に示した閾値エネルギ・レベルと
の交点で、光の強度は閾値エネルギ・レベルより低くな
り、最早標識は形成されない。好ましい実施例では、線
384によって表わす標識の長さが、線388の長さに
よって表わされるランド領域386の長さに等しい。従
って、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せか
らの1/2エネルギの点の光強度の出力を記録面の閾値
エネルギ・レベルに合せると、デューティ・サイクルが
50−50になり、標識368の長さが次に続くランド
領域386の長さに等しくなる。線306上に示した点
364,366,376,382は、初めの周波数変調
されたビデオ信号のゼロ交差を表わす。従って、標識3
68,386が周波数変調されたビデオ信号を表わすこ
とが理解されよう。好ましい実施例に於けるこの表わし
方は、50−50のデューティ・サイクルであり、ポッ
ケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せから出てく
るビームの1/2エネルギ・レベルを記録媒質の閾値エ
ネルギ・レベルに等しく調節することによって達成され
る。
調節すると、マスター・ビデオ・ディスクの情報表面層
には、点364から始まって、強度が点366に下るま
での時間の間引続いて、標識が形成される。破線36
4′,366′を図の欄Aまで引いたのは、光の強度が
点364を通り越して370の所で最大値まで上昇し、
次に点366まで下る期間の間に形成された食部368
によって表わされる標識を示すためである。点366よ
り低い光の強度が、372で最小値まで下り、引続いて
374の所にある新しい最大値に向って上昇する。強度
の低いレベル372と強度の高いレベル374との間の
或る点で、光の強度が376の所で、記録媒質の閾値エ
ネルギ・レベルに等しくなる。点376から始まって、
光ビームのエネルギが、図20の欄Aに示す食部378
によって表わされる標識を形成し始める。破線376′
は、光の強度が閾値レベル362を超えた点で、標識3
78の形成が開始されることを示す。標識378は、光
の強度が374の所で最大値に達し、375の所で新し
い最小値まで下り始める間、引続いて形成される。しか
し、線360と362に示した閾値エネルギ・レベルと
の交点で、光の強度は閾値エネルギ・レベルより低くな
り、最早標識は形成されない。好ましい実施例では、線
384によって表わす標識の長さが、線388の長さに
よって表わされるランド領域386の長さに等しい。従
って、ポッケルス・セルとグラン・プリズムの組合せか
らの1/2エネルギの点の光強度の出力を記録面の閾値
エネルギ・レベルに合せると、デューティ・サイクルが
50−50になり、標識368の長さが次に続くランド
領域386の長さに等しくなる。線306上に示した点
364,366,376,382は、初めの周波数変調
されたビデオ信号のゼロ交差を表わす。従って、標識3
68,386が周波数変調されたビデオ信号を表わすこ
とが理解されよう。好ましい実施例に於けるこの表わし
方は、50−50のデューティ・サイクルであり、ポッ
ケルス・セルとグラン・プリズムとの組合せから出てく
るビームの1/2エネルギ・レベルを記録媒質の閾値エ
ネルギ・レベルに等しく調節することによって達成され
る。
【0149】線360で示す可変の光強度を含めて、図
20に示した波形は、マスター・ビデオ・ディスク部材
に使う記録媒質に無関係に、50−50のデューティ・
サイクルを達成する好ましい動作様式を表わす。種々の
点に於ける強度の絶対値は、変調された光ビームが記録
面と相互作用するのに必要な強度の絶対値に従って変化
するが、相対的な波形並びにそれらの相対的な位置は変
らない。更に詳しく言えば、ビスマスに対する閾値エネ
ルギ・レベルの強度の絶対値は、フォトレジストに対す
る閾値エネルギ・レベルの強度の絶対値とは異なるが、
強度を表わす線360に対する関係は同じである。
20に示した波形は、マスター・ビデオ・ディスク部材
に使う記録媒質に無関係に、50−50のデューティ・
サイクルを達成する好ましい動作様式を表わす。種々の
点に於ける強度の絶対値は、変調された光ビームが記録
面と相互作用するのに必要な強度の絶対値に従って変化
するが、相対的な波形並びにそれらの相対的な位置は変
らない。更に詳しく言えば、ビスマスに対する閾値エネ
ルギ・レベルの強度の絶対値は、フォトレジストに対す
る閾値エネルギ・レベルの強度の絶対値とは異なるが、
強度を表わす線360に対する関係は同じである。
【0150】図20及び図21の欄Bについて、ポッケ
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネル
ギの点の出力を記録媒質の閾値エネルギ・レベルと合せ
なかった場合の結果を説明する。図20で第2の破線3
80は、使われる記録媒質の実際の閾値エネルギ・レベ
ルと、ポッケルス・セル68とグラン・プリズム70の
組合せからの光強度の出力との間の関係を示す。閾値エ
ネルギ・レベル線380が多数の場所390,392,
394,396で強度線360と交差する。線390′
は光強度線360が閾値エネルギ・レベル380と交差
したことを表わし、図21の欄Bに示す標識398が形
成され始めることを知らせる。標識398は、光の強度
が閾値エネルギ・レベルより高い時間の間、形成され
る。標識398の長さが、光の強度が370の所の最大
値に達し、その後線399で示す様に、閾値の点392
まで下るのに要する時間によって表わされる。ランド区
域400の長さは線402で示す長さである。線402
の長さは、光の強度が閾値を表わす点392から次の閾
値を表わす点394まで変るのに要する時間によって決
定される。この時間の間、光ビームの強度は、記録媒質
と相互作用をしない程低い。第2の標識を406に示し
てあり、その長さは、線360で表わす波形の強度が点
394で示した閾値エネルギ・レベルを超える点に対応
する。標識406の長さは線408で示してあり、これ
は、光の強度が374の所の最大値まで上昇し、点39
6の所の閾値レベルまで下るのに要する時間によって決
定される。
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネル
ギの点の出力を記録媒質の閾値エネルギ・レベルと合せ
なかった場合の結果を説明する。図20で第2の破線3
80は、使われる記録媒質の実際の閾値エネルギ・レベ
ルと、ポッケルス・セル68とグラン・プリズム70の
組合せからの光強度の出力との間の関係を示す。閾値エ
ネルギ・レベル線380が多数の場所390,392,
394,396で強度線360と交差する。線390′
は光強度線360が閾値エネルギ・レベル380と交差
したことを表わし、図21の欄Bに示す標識398が形
成され始めることを知らせる。標識398は、光の強度
が閾値エネルギ・レベルより高い時間の間、形成され
る。標識398の長さが、光の強度が370の所の最大
値に達し、その後線399で示す様に、閾値の点392
まで下るのに要する時間によって表わされる。ランド区
域400の長さは線402で示す長さである。線402
の長さは、光の強度が閾値を表わす点392から次の閾
値を表わす点394まで変るのに要する時間によって決
定される。この時間の間、光ビームの強度は、記録媒質
と相互作用をしない程低い。第2の標識を406に示し
てあり、その長さは、線360で表わす波形の強度が点
394で示した閾値エネルギ・レベルを超える点に対応
する。標識406の長さは線408で示してあり、これ
は、光の強度が374の所の最大値まで上昇し、点39
6の所の閾値レベルまで下るのに要する時間によって決
定される。
【0151】標識とその中間のランド区域の初めと終り
を示す種々の線を示してあるが、これらの線には、光強
度線360と閾値エネルギ・レベル線362,380と
の対応する交点を表わすために、ダッシュをつけた数字
を用いている。
を示す種々の線を示してあるが、これらの線には、光強
度線360と閾値エネルギ・レベル線362,380と
の対応する交点を表わすために、ダッシュをつけた数字
を用いている。
【0152】相次ぐ位置にある標識398及びランド領
域400が、記録された周波数変調ビデオ信号の1サイ
クルを表わす。標識398は、線399及び線402の
長さの合計の約65%を表わす。これは65−35のデ
ューティ・サイクルを表わす。利用し得る空間の65%
が標識であり、35%がランド区域である。典型的に
は、最終的な形式の標識は***部又は孔の様な光散乱部
材であり、ランド区域は高度に反射性の材料で覆われた
平面状の面である。
域400が、記録された周波数変調ビデオ信号の1サイ
クルを表わす。標識398は、線399及び線402の
長さの合計の約65%を表わす。これは65−35のデ
ューティ・サイクルを表わす。利用し得る空間の65%
が標識であり、35%がランド区域である。典型的に
は、最終的な形式の標識は***部又は孔の様な光散乱部
材であり、ランド区域は高度に反射性の材料で覆われた
平面状の面である。
【0153】図21の欄Aに示した相次ぐ位置にある光
非反射部材368及び光反射部材386によって表わさ
れる、周波数変調されたビデオ情報は、50−50の好
ましいデューティ・サイクルを表わす。フォトレジスト
を使ったマスター作成方法を使う時、フォトレジスト層
の上面の反射率は、書込みビームが入射したことによっ
て、フォトレジスト部材の現像された部分並びに現像さ
れなかった部分からの反射光ビームの間に違いを検出で
きる程、目立って変化しない。フォトレジストで被覆さ
れたマスター・ビデオ・ディスクを使う書込み後の読取
手順が出来ないのは、このためである。
非反射部材368及び光反射部材386によって表わさ
れる、周波数変調されたビデオ情報は、50−50の好
ましいデューティ・サイクルを表わす。フォトレジスト
を使ったマスター作成方法を使う時、フォトレジスト層
の上面の反射率は、書込みビームが入射したことによっ
て、フォトレジスト部材の現像された部分並びに現像さ
れなかった部分からの反射光ビームの間に違いを検出で
きる程、目立って変化しない。フォトレジストで被覆さ
れたマスター・ビデオ・ディスクを使う書込み後の読取
手順が出来ないのは、このためである。
【0154】図21の欄Cには、欄Aに示した標識36
8及びランド区域386の順序によって表わされる再生
ビデオ信号が示されている。欄Cに示す波形は、歪みの
ない正弦波410であり、図20に示した線360によ
って表わされる光強度波形によって示される、歪みのな
い同じ周波数変調情報を持っている。図21の欄Cに示
す正弦波は、線412によって表わされる中心線を持っ
ている。この線が、線362が図20に示した強度線3
60と交差するのと同じ交点で、正弦波410と交差す
る。
8及びランド区域386の順序によって表わされる再生
ビデオ信号が示されている。欄Cに示す波形は、歪みの
ない正弦波410であり、図20に示した線360によ
って表わされる光強度波形によって示される、歪みのな
い同じ周波数変調情報を持っている。図21の欄Cに示
す正弦波は、線412によって表わされる中心線を持っ
ている。この線が、線362が図20に示した強度線3
60と交差するのと同じ交点で、正弦波410と交差す
る。
【0155】図21の欄Dには、不良の第2高調波歪み
を持つ再生された周波数変調ビデオ信号が示されてい
る。欄Dの線414によって表わされる波形の基本周波
数は、欄Cに示す波形と同じである。しかし、欄Dに示
す情報は不良の第2高調波歪みを持っている。不良の第
2高調波歪みが問題にならない様な装置で使った時、前
に説明した50−50のデューティ・サイクルに厳密に
従う必要はない。しかし、ビデオ・ディスクの面から実
質的に歪みのない出力信号を再生する必要がある時、上
に述べた手順に従うことが必要である。
を持つ再生された周波数変調ビデオ信号が示されてい
る。欄Dの線414によって表わされる波形の基本周波
数は、欄Cに示す波形と同じである。しかし、欄Dに示
す情報は不良の第2高調波歪みを持っている。不良の第
2高調波歪みが問題にならない様な装置で使った時、前
に説明した50−50のデューティ・サイクルに厳密に
従う必要はない。しかし、ビデオ・ディスクの面から実
質的に歪みのない出力信号を再生する必要がある時、上
に述べた手順に従うことが必要である。
【0156】図22には、好ましい形のマスター作成過
程の間に形成された、相次ぐ位置にある光反射領域及び
光非反射領域に入射する時の、読取ビーム中の読取スポ
ットの強度が示されている。好ましい実施例では、この
ために金属を使い、好ましい金属はビスマスである。
程の間に形成された、相次ぐ位置にある光反射領域及び
光非反射領域に入射する時の、読取ビーム中の読取スポ
ットの強度が示されている。好ましい実施例では、この
ために金属を使い、好ましい金属はビスマスである。
【0157】図22の欄Aは、ビデオ・ディスク・マス
ターの表面に形成された複数個の標識を示す。好ましい
実施例で、ビスマス層420に形成される孔を422,
424,426に示してある。層420の内、孔42
2,424,426形成することによって影響を受けな
かった中間の部分は、ランド区域と呼ばれ、これを42
8,430で示してある。ランド区域は高度に反射性で
ある。孔422,424,426が形成されることによ
り、その下にある硝子基板が露出し、これは実質的に光
を吸収し、このため硝子基板は光非反射領域である。波
形432は、スポットが光非反射領域の上を通る時の、
読取ビーム中のスポットの光強度波形を表わす。これは
光非反射領域を通過する時のスポットの空間的な関係を
示す。図22の欄Bには、欄Aに示す強度関係を持つス
ポットが相次ぐ位置にある光反射領域及び光非反射領域
を通過する時の、反射光の強度波形を示す波形が線43
4で示されている。線434の実線部分436は、スポ
ットが光非反射領域424を通過する時の反射光の強度
波形を示す。反射光の強度は、光非反射領域424の中
心に対応する点438で、最小値になる。光非反射部分
424の中心が線440上の点442として示されてい
る。反射光の強度波形は、相次ぐ位置にある非反射領域
422,424の間にあるランド区域428の中心点4
46に対応して、444で最大値になる。中心点446
が、情報トラックの中心線を表わす線448上に示され
ている。線434の内の破線部分は、光が非反射領域4
22を通過した時の反射光の強度波形のこれまでの経過
を示している。波形434の破線部分452は、読取ス
ポットが非反射領域426を通過する時に予想される反
射光ビームの強度を示している。
ターの表面に形成された複数個の標識を示す。好ましい
実施例で、ビスマス層420に形成される孔を422,
424,426に示してある。層420の内、孔42
2,424,426形成することによって影響を受けな
かった中間の部分は、ランド区域と呼ばれ、これを42
8,430で示してある。ランド区域は高度に反射性で
ある。孔422,424,426が形成されることによ
り、その下にある硝子基板が露出し、これは実質的に光
を吸収し、このため硝子基板は光非反射領域である。波
形432は、スポットが光非反射領域の上を通る時の、
読取ビーム中のスポットの光強度波形を表わす。これは
光非反射領域を通過する時のスポットの空間的な関係を
示す。図22の欄Bには、欄Aに示す強度関係を持つス
ポットが相次ぐ位置にある光反射領域及び光非反射領域
を通過する時の、反射光の強度波形を示す波形が線43
4で示されている。線434の実線部分436は、スポ
ットが光非反射領域424を通過する時の反射光の強度
波形を示す。反射光の強度は、光非反射領域424の中
心に対応する点438で、最小値になる。光非反射部分
424の中心が線440上の点442として示されてい
る。反射光の強度波形は、相次ぐ位置にある非反射領域
422,424の間にあるランド区域428の中心点4
46に対応して、444で最大値になる。中心点446
が、情報トラックの中心線を表わす線448上に示され
ている。線434の内の破線部分は、光が非反射領域4
22を通過した時の反射光の強度波形のこれまでの経過
を示している。波形434の破線部分452は、読取ス
ポットが非反射領域426を通過する時に予想される反
射光ビームの強度を示している。
【0158】図22の欄Cには、欄Bに示した光強度信
号を表わす再生された電気信号が示されている。この電
気信号を線454で示してあり、図1に示す光検出器7
0で発生される。
号を表わす再生された電気信号が示されている。この電
気信号を線454で示してあり、図1に示す光検出器7
0で発生される。
【0159】適当な高圧増幅器の回路図が図25に示さ
れている。ここで説明したマスター作成過程で書込みな
がら読取ることができるということの特別の利点は、書
込んだばかりの情報を瞬時的に監視し、反射領域及び非
反射領域のデューティ・サイクルを制御する手段として
使うことを含む。再生された周波数変調ビデオ信号を書
込み過程の間にテレビジョン・モニターに表示すること
により、デューティ・サイクルを監視することができ
る。モニタで目につく歪みがあれば、それはデューティ
・サイクルの変化が起ったことを示す。デューティ・サ
イクルを好ましい50−50の動作点に調節することに
より、書込まれた情報のデューティ・サイクルを調節し
て歪みを除去する手段が設けられる。デューティ・サイ
クルの変化は、平均強度バイアス・サーボ又は第2高調
波バイアス・サーボを持つ装置では、ポッケルス・セル
とグラン・プリズムの1/2エネルギの点の出力を記録
媒質の閾値エネルギ・レベルに等しくなる様に調節する
回路と関連して、レーザ30で発生される光ビームの強
度の絶対値を調節することによって補正するのが典型的
である。1/2エネルギの点並びに平均強度という言葉
は、FM変調器によって発生される三角形の波形を使う
ことに関連して、この明細書では互換性をもって使われ
ている。グラン・プリズム38から出てくる変調された
光ビーム40は正弦状である。この場合、1/2エネル
ギの点は平均強度に等しく、これはあらゆる対称的な波
形の場合がそうである。FM変調器からの周波数変調出
力は、この様な対称的な波形として作用することが判っ
た。
れている。ここで説明したマスター作成過程で書込みな
がら読取ることができるということの特別の利点は、書
込んだばかりの情報を瞬時的に監視し、反射領域及び非
反射領域のデューティ・サイクルを制御する手段として
使うことを含む。再生された周波数変調ビデオ信号を書
込み過程の間にテレビジョン・モニターに表示すること
により、デューティ・サイクルを監視することができ
る。モニタで目につく歪みがあれば、それはデューティ
・サイクルの変化が起ったことを示す。デューティ・サ
イクルを好ましい50−50の動作点に調節することに
より、書込まれた情報のデューティ・サイクルを調節し
て歪みを除去する手段が設けられる。デューティ・サイ
クルの変化は、平均強度バイアス・サーボ又は第2高調
波バイアス・サーボを持つ装置では、ポッケルス・セル
とグラン・プリズムの1/2エネルギの点の出力を記録
媒質の閾値エネルギ・レベルに等しくなる様に調節する
回路と関連して、レーザ30で発生される光ビームの強
度の絶対値を調節することによって補正するのが典型的
である。1/2エネルギの点並びに平均強度という言葉
は、FM変調器によって発生される三角形の波形を使う
ことに関連して、この明細書では互換性をもって使われ
ている。グラン・プリズム38から出てくる変調された
光ビーム40は正弦状である。この場合、1/2エネル
ギの点は平均強度に等しく、これはあらゆる対称的な波
形の場合がそうである。FM変調器からの周波数変調出
力は、この様な対称的な波形として作用することが判っ
た。
【0160】この発明を好ましい実施例並びにその変形
について具体的に図示し且つ説明したが、当業者であれ
ばこの発明の範囲内で種々の変更が可能であることが理
解されよう。
について具体的に図示し且つ説明したが、当業者であれ
ばこの発明の範囲内で種々の変更が可能であることが理
解されよう。
【図1】書込み装置のブロック図。
【図2】図1に示す書込み装置を使って書込む前の、ビ
デオ・ディスク部材の断面図。
デオ・ディスク部材の断面図。
【図3】図1に示した書込み装置を使って書込みを行な
った後の、ビデオ・ディスク部材の部分平面図。
った後の、ビデオ・ディスク部材の部分平面図。
【図4】図1の書込み装置に使われるビデオ信号の波形
図。
図。
【図5】図1に示した書込み装置で使われる周波数変調
信号の波形図。
信号の波形図。
【図6】図1に示した書込み装置で使われる書込みレー
ザの強度を示すグラフ。
ザの強度を示すグラフ。
【図7】図1に示した書込み装置によって変調書込みビ
ームを変えることを示すグラフ。
ームを変えることを示すグラフ。
【図8】図3に示したディスクを線8−8で切った半径
方向断面図。
方向断面図。
【図9】適当な運動制御集成体の詳しいブロック図。
【図10】読取装置のブロック図。
【図11】読取及び書込み装置の組合せを示すブロック
図。
図。
【図12】図1のブロック図で使われた1個の対物レン
ズを通過する読取及び書込みビームを示す略図。
ズを通過する読取及び書込みビームを示す略図。
【図13】図1に示した書込み装置に使われる適当な安
定化回路の回路図。
定化回路の回路図。
【図14】マスター作成装置の動作を説明するための波
形図。
形図。
【図15】1形式のビデオ・ディスクの簡略断面図。
【図16】フォトレジストで被覆された貯蔵部材を示す
図。
図。
【図17】図16のフォトレジストで被覆された貯蔵部
材の一部分を示す図。
材の一部分を示す図。
【図18】ポッケルス・セルの伝達特性を示すグラフ。
【図19】グラン・プリズムの伝達特性を示すグラフ。
【図20】光強度波形図。
【図21】図20と共に記録のデューティ・サイクルを
説明するのに役立つ一連の波形図。
説明するのに役立つ一連の波形図。
【図22】マスター作成装置の動作を説明するための波
形図。
形図。
【図23】ポッケルス・セル・バイアス・サーボ装置の
ブロック図。
ブロック図。
【図24】図23で使われる第2高調波検出器の回路
図。
図。
【図25】図23で使われる高圧増幅器の回路図。
10…情報貯蔵部材、12…情報信号源、24…第1の
面、26…被覆、28…運動制御集成体、30…書込み
レーザ、40…可動光学集成体、44…光強度変調集成
体、48…安定化回路。
面、26…被覆、28…運動制御集成体、30…書込み
レーザ、40…可動光学集成体、44…光強度変調集成
体、48…安定化回路。
Claims (17)
- 【請求項1】 収束した高強度レーザ光書込みビームを
記録面に向けて電気情報信号を記録する装置であって、
前記電気信号に応答して前記記録面に入射するレーザビ
ームの強度を制御する手段を含む装置において、前記装
置は、 基板とその基板上を覆う薄い光感応表面層とを有する情
報貯蔵部材と、 前記貯蔵部材を所定の様式で移動させる手段と、 充分な強度を有する書込み光ビームを供給して前記光感
応表面層と反応させ、前記情報信号を表わす標識を生成
するレーザ光源とを具備し、 前記薄い光感応表面層がほぼ均一な閾値パワーレベルを
有し、 前記閾値パワーレベルが、前記層が前記閾値パワーレベ
ルより高い強度を有する前記レーザ書込みビームとは反
応し、前記層が前記閾値パワーレベルより低い強度の前
記レーザ書込みビームとは反応しないようなタイプであ
り、 更に前記装置が、 前記レーザ書込みビームと前記薄い表面層との間に位置
し、前記電気信号に応答して、前記ビームが前記薄い表
面層に標識を形成する所定の第1の強度と、前記ビーム
が前記薄い表面層に標識を形成しない所定の第2の強度
とを有するように、前記レーザ書込みビームの強度を変
調する光学変調器と、 前記光学変調器の動作レベルを安定化して、前記層の前
記閾値パワーレベルに等しい所定の平均パワーレベルで
前記書込みビームを発生させるフィードバック装置と、
を具備する装置。 - 【請求項2】 前記フィードバック装置が前記光学変調
器から出射される前記レーザ書込みビームの少なくとも
一部を探知してそれに応答し、対応するバイアス信号を
発生させて前記光学変調器に供給して、前記光学変調器
の動作レベルを安定化させる光探知手段を具備する請求
項1に記載の装置。 - 【請求項3】 前記レーザ光ビームの強度が、前記光感
応表面の閾値パワーレベルに対応して調整できるように
なっている請求項1に記載の装置。 - 【請求項4】 表面層が金属層である請求項1に記載の
装置。 - 【請求項5】 表面層がフォトレジスト層である請求項
1に記載の装置。 - 【請求項6】 前記フィードバック装置が、 前記光学変調器を透過した変調光の強度の平均強度レベ
ルに応答して、前記変調光ビームの平均強度を固定の第
1レベルに調節する第1バイアス手段と、 前記光学変調器を透過した前記変調光内で確立される平
均強度レベルの変化に応答して、変化した強度レベルを
前記固定の第1レベルに復元する第2バイアス手段と、
を具備する請求項1に記載の装置。 - 【請求項7】 電気信号を情報貯蔵部材に記憶する装置
であって、前記装置は、 記録されるべき周波数変調された情報信号を供給する第
1の手段と、 第1の面を具備する基板と前記情報信号を表示する標識
を保持する前記第1面を覆う光感応コーティングを有す
る情報貯蔵部材であって、前記コーティングが、それ以
上の値になると標識が形成される閾値パワーレベルを有
する情報貯蔵部材と、 均一な運動を前記貯蔵部材に伝達するための手段と、 書込み光ビームを供給するレーザ光源であって、充分な
強度の前記書込み光ビームが、コーティングが移動して
いる際に前記コーティングと反応し、前記コーティング
が、移動する前記情報貯蔵部材上に位置し、前記光ビー
ムが充分な強度を有し、前記コーティングを変化させて
前記情報信号を表示する標識を保持し、前記光ビームの
前記強度が、前記コーティングの前記閾値パワーレベル
に対応する所定の値を有する、レーザ光源と、 前記光源と前記コーティングを含む前記貯蔵部材との間
の光学的経路を定義するための光学的手段であって、前
記光ビームを前記コーティング上の一点に像を形成させ
るために使用されている光学的手段と、 前記光源と前記コーティングとの間の光学的経路に位置
する光強度変調手段であって、前記光強度変調手段が、
最大光透過状態と最低光透過状態との間の範囲で動作し
て、記憶される情報によって前記光ビームの強度を変調
し、前記光強度変調手段が情報信号に応答し、前記情報
信号の各サイクルの最大光透過状態と最低光透過状態の
間で変化して、記憶される情報信号に応じて前記光ビー
ムを変調し、前記光強度変調手段が中間光透過状態を有
し、その中間光透過状態では、前記の変調光ビームの瞬
間パワーが前記最大状態で透過される変調光ビームのパ
ワーの2分の1に相当し、更に中間光透過状態は前記コ
ーティングの閾値パワーレベルにも相当し、前記光強度
変調手段を透過して、前記光学手段によって前記コーテ
ィング上に投影される光が、前記中間光透過状態を超え
た時に、記憶される前記情報信号を表示する標識をコー
ティング内に形成し始める、光強度変調手段と、を具備
する装置。 - 【請求項8】 光強度変調手段を透過する前記変調光の
平均強度に応答してバイアス制御信号を生成し、前記光
強度変調手段に適用する安定化手段であって、前記バイ
アス制御信号が、前記変調光ビームの前記平均強度を所
定のレベルに保つために使用されている安定化手段を具
備する請求項7に記載の装置。 - 【請求項9】 前記安定化手段が、 光強度変調手段を透過する前記変調光の前記強度の平均
強度レベルに応答して、前記変調光ビームの前記平均強
度を固定の第1レベルに調節する第1バイアス手段であ
って、前記平均強度が、前記中間光透過状態で存する強
度に等しく設定されている、第1バイアス手段と、 前記光強度変調手段を透過する前記変調光で確立する平
均強度レベルの変化に応答して、変化した前記強度レベ
ルを前記の固定第1レベルに復元する第2バイアス手段
と、を具備する請求項8に記載の装置。 - 【請求項10】 前記光ビームが2分の1パワーレベル
を超える期間に対応する期間中に前記光強度変調手段か
ら出射される前記光ビームは、前記表面が移動している
間に前記光感応コーティングと反応するのに充分な強度
であって、前記情報信号を表わす永久的かつ実質的に一
様な物理的変化を前記期間の間に与え、 前記光ビームが2分の1パワーレベル未満のパワーレベ
ルにある時に対応する期間中に前記光強度変調手段から
出射される光ビームは、前記光感応コーティングを変化
させるのに必要な強度未満の強度を有し、 前記最大光透過状態が前記情報信号の第1電圧レベルに
対応し、前記最低光透過状態が前記情報信号の第2電圧
レベルに対応し、 前記光強度変調手段を透過して前記光学的手段によって
光感応コーティング上に収束する光ビームは、前記情報
信号が前記第1電圧レベルにある場合に前記情報信号の
各サイクルの第1部分の間に、前記表面に第1の永久的
かつ実質的に一様な物理的変化を起こすのに充分な強度
を有し、 前記光強度変調手段を透過して前記光学的手段によって
前記光感応コーティング上に投影される前記光ビーム
は、前記情報信号が前記第2電圧レベルにある場合に前
記情報信号の各サイクルの残りの部分の間に、前記表面
に物理的変化を形成するのに必要な強度未満にある、請
求項7に記載の装置。 - 【請求項11】 前記光ビームの前記強度は、前記コー
ティングの前記閾値パワーレベルに対して調整すること
ができる、請求項7に記載の装置。 - 【請求項12】 情報信号を回転式記録ディスク上に記
録する方法において、 記録されるべき周波数変調された電気情報信号を供給す
る第1の供給ステップと、 基板と該基板の表面を覆う薄い光感応コーティングとを
含む回転式記録ディスクを供給する第2の供給ステップ
と、 記録ディスクを所定の様式で回転させるステップと、 充分な強度を有する光ビームを供給して、前記光感応コ
ーティングと反応させ、情報信号を表す標識を生成する
第3供給ステップと、 光ビームを光路に沿って差し向けて前記光感応コーティ
ング上に入射させるステップと、 光ビームが実質的に円形且つ同心状の連続する記録トラ
ックを有する回転ディスク上に入射するように、前記記
録ディスク上の光ビームの入射点を所定の形式で半径方
向に調節できるように移動させるステップと、 光ビームの強度を記録されるべき情報信号に従って変調
するステップであって、強度が信号の各サイクルの所定
の最大強度と所定の最低強度の間で変化し、所定の最大
強度が情報信号の第1高振幅部分に対応し、かつ前記光
感応コーティングの所定の記録閾値より大きく、所定の
最低強度が情報信号の第2低振幅部分に対応し、かつ予
め決められた記録閾値より小さい、変調ステップと、 強度変調光ビームの平均強度を、前記所定の最大強度の
2分の1と前記光感応コーティングの所定の記録閾値の
両方に対応する所定レベルに安定化させ、標識が、実質
的に円形且つ同心状の連続する記録トラックに配置され
る、安定化ステップと、を包含する方法。 - 【請求項13】 前記安定化ステップが、 強度変調光ビームを監視して、ビームの平均強度を表わ
す平均強度信号を生成するステップと、 平均強度信号を選択可能な所定のレベルと比較して、両
者の差を表わす差信号を生成するステップと、 前記変調ステップで前記差信号を使用して、該信号に応
じて強度変調光ビームの平均強度を制御可能に調節する
ステップと、を包含する請求項12に記載の方法。 - 【請求項14】 前記第2の供給ステップで供給される
光ビームが直線偏光され、 前記変調ステップが、記録されるべき情報信号の各サイ
クルで90゜の角度範囲で光ビームの偏光面を回転させ
るステップを含み、 前記安定化ステップが、光ビームの偏光面の90゜の回
転範囲の中間点が光感応コーティングの所定の記録閾値
に対応する強度になるように前記光強度変調手段を安定
化する、請求項13に記載の方法。 - 【請求項15】 前記光感応コーティング内に形成され
る連続する標識のそれぞれが、連続する標識間の隣接空
間の長さと実質的に等しい長さを有する請求項12に記
載の方法。 - 【請求項16】 レーザビームを使用して情報を情報貯
蔵部材に記録する方法において、 記録されるべき周波数変調された電気情報信号を供給す
るステップと、 前記電気信号を制御信号として使用して、情報貯蔵部材
の光感応表面上への光ビームの供給を制御する制御ステ
ップと、 前記光ビームの平均強度を前記光感応表面の閾値パワー
レベルに等しくなるように調節する調節ステップと、 前記情報貯蔵部材を一定の速度で移動させ、静止してい
る前記光ビームを前記情報貯蔵部材の光感応表面上にス
ポットとして収束させる収束ステップと、 前記情報貯蔵部材が一定の速度で移動しているときに、
前記情報信号の前記高振幅部分の制御の基に、前記収束
光スポットを使用して、前記情報貯蔵部材の光感応表面
の特性を非可逆的に変更する変更ステップと、 前記情報貯蔵部材が一定の速度で移動しているときに、
前記情報信号の前記低振幅部分の制御の基に、前記収束
光ビームが前記情報貯蔵部材の光感応表面に透過される
のを妨げるステップと、を包含する方法。 - 【請求項17】 強度が一定の光ビームを生成し、前記
情報信号を制御信号として使用して、情報貯蔵部材の光
感応表面上に入射する一定強度の光ビームの量を変化さ
せるステップと、 前記光ビームの前記一定強度を前記調節ステップで選択
して、前記変調光ビームの平均強度を前記光感応表面の
閾値パワーレベルに等しくするステップと、 前記光ビームの平均強度を安定化して、前記光感応表面
の閾値パワーレベルに等しくするステップと、を包含す
る請求項16に記載の方法。
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